JPH0362338A - 光ディスク用オーバーコート層およびその材料 - Google Patents
光ディスク用オーバーコート層およびその材料Info
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- JPH0362338A JPH0362338A JP1197738A JP19773889A JPH0362338A JP H0362338 A JPH0362338 A JP H0362338A JP 1197738 A JP1197738 A JP 1197738A JP 19773889 A JP19773889 A JP 19773889A JP H0362338 A JPH0362338 A JP H0362338A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光による再生のみでなく、光と磁気で情報の新
たな記録、消去が可能なデーターファイルなどに使われ
る書換え可能な光ディスク用オーバーコート層およびそ
の材料とその形成方法に関するものである。
たな記録、消去が可能なデーターファイルなどに使われ
る書換え可能な光ディスク用オーバーコート層およびそ
の材料とその形成方法に関するものである。
従来の技術
近年、書換え可能型光磁気ディスクは高密度。
大容量、高速アクセス、可搬性等の利点のためにデータ
ーファイル等に応用されつつある。
ーファイル等に応用されつつある。
しかし、データーの書換えのためにはバイアス磁界を記
録時と反対方向にかけて光を連続照射し、まず書換え部
分を消去し、次に再びバイアス磁界の向きを記録方向に
変え、トラッキングを戻して消去されたところに光を照
射し書き込む方法が取られできた。この様な方法ではア
クセスに時間を要し、バイアスコイルには大きな電力を
要することになる。
録時と反対方向にかけて光を連続照射し、まず書換え部
分を消去し、次に再びバイアス磁界の向きを記録方向に
変え、トラッキングを戻して消去されたところに光を照
射し書き込む方法が取られできた。この様な方法ではア
クセスに時間を要し、バイアスコイルには大きな電力を
要することになる。
そこで近年、磁界変調型オーバーライド方式と光変調型
オーバーライド方式の２通りの重ね書き方法が研究、開
発されている。
オーバーライド方式の２通りの重ね書き方法が研究、開
発されている。
磁界変調方式とは単板基板において光投入側と反対方向
にフライングヘッドを設けて、バイアス磁界の方向を高
速で反転させてレーザー照射することでオーバーライド
する方法で、ビットの大きさはレーザー光のスポットの
ビーム径で決定される。
にフライングヘッドを設けて、バイアス磁界の方向を高
速で反転させてレーザー照射することでオーバーライド
する方法で、ビットの大きさはレーザー光のスポットの
ビーム径で決定される。
一方、光変調方式とは記録層を二層にし、−層をバイア
ス層としてレーザーパワーの大きさで記録、消去を行う
ものである。
ス層としてレーザーパワーの大きさで記録、消去を行う
ものである。
本発明は前者の方式に関するものである。第５図は従来
の磁界変調方式オーバーライドのディスク部の断面図で
ある。第５図において５１は光学部、５２は光ディスク
、５３はフライングヘッド、５４は駆動部である。磁界
変調方式においてはフライングへラド５３も光投入側の
光学部５１と同期して駆動部５４で動くため、フライン
グ機構をできるだけ簡素化し重量の軽減をはかる必要が
ある。そこでヘッドとディスクが接触状態から回転し、
停止後接触状態に戻るＣ Ｓ Ｓ （Ｃｏｎｔａｃｔ
５ｔａｒｔＳｔｏｐの略）方式が主に採用されている０
例えば、特開昭６３−２１７５４８号公報および儒学技
報、ＭＲ８７−６１，ＰＰ１９−２５ （１９ＢＴ）。
の磁界変調方式オーバーライドのディスク部の断面図で
ある。第５図において５１は光学部、５２は光ディスク
、５３はフライングヘッド、５４は駆動部である。磁界
変調方式においてはフライングへラド５３も光投入側の
光学部５１と同期して駆動部５４で動くため、フライン
グ機構をできるだけ簡素化し重量の軽減をはかる必要が
ある。そこでヘッドとディスクが接触状態から回転し、
停止後接触状態に戻るＣ Ｓ Ｓ （Ｃｏｎｔａｃｔ
５ｔａｒｔＳｔｏｐの略）方式が主に採用されている０
例えば、特開昭６３−２１７５４８号公報および儒学技
報、ＭＲ８７−６１，ＰＰ１９−２５ （１９ＢＴ）。
一方、ディスク構造としては磁性膜等の薄膜を作製した
後、紫外線硬化樹脂をスピンコートとして保護膜（オー
バーコート層）を形成した膜構成になっている。
後、紫外線硬化樹脂をスピンコートとして保護膜（オー
バーコート層）を形成した膜構成になっている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような膜構成においては、Ｃ３Ｓ方
式の際、ヘッドオーバーコート層が平面同志で接触する
ため吸着する課題を有していた。
式の際、ヘッドオーバーコート層が平面同志で接触する
ため吸着する課題を有していた。
本発明は上記課題に鑑み、Ｃ３Ｓ方式でヘッドとオーバ
ーコート層が接触しても吸着しないオーバーコート材料
及びその形成方法を提供するものである。
ーコート層が接触しても吸着しないオーバーコート材料
及びその形成方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明は、オーバーコート層
に微粒子を混合したオーバーコート材料を用いてオーバ
ーコート層表面に０．１μｍ以上０．５μｍ以下の凹凸
を均一に形成したことを特徴とする光ディスク及び光デ
ィスク用オーバーコート材料及びその形成方法である。
に微粒子を混合したオーバーコート材料を用いてオーバ
ーコート層表面に０．１μｍ以上０．５μｍ以下の凹凸
を均一に形成したことを特徴とする光ディスク及び光デ
ィスク用オーバーコート材料及びその形成方法である。
その形成方法としては０．２μｍ以上１．２μｍ以下の
微粒子を１０ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下の混合比で紫外
線硬化樹脂に複合したものをスピンコートする方法が有
効であった。しかし、特に微粒子が強磁性体であるとき
にはスピンコート後において、オーバーコート層上方よ
り磁石で強磁性体微粒子を引き付はオーバーコート層表
面に凹凸をつけることが可能である。
微粒子を１０ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下の混合比で紫外
線硬化樹脂に複合したものをスピンコートする方法が有
効であった。しかし、特に微粒子が強磁性体であるとき
にはスピンコート後において、オーバーコート層上方よ
り磁石で強磁性体微粒子を引き付はオーバーコート層表
面に凹凸をつけることが可能である。
作用
本発明は上記した構成によってフライングヘッドとオー
バーコート層の間に空隙が設けられ、両者の真空状態に
よる吸着を防ぐことができることとなる。
バーコート層の間に空隙が設けられ、両者の真空状態に
よる吸着を防ぐことができることとなる。
実施例
以下本発明の一実施例の光ディスク用オーバーコート層
およびその材料とその形成方法について図面を参照しな
がら説明する。第１図は本発明の第１の実施例における
光ディスクの断面図を示したものである。第１図におい
て１１は透明基板、１２は薄膜層、１３は紫外線硬化樹
脂、１４は微粒子である。
およびその材料とその形成方法について図面を参照しな
がら説明する。第１図は本発明の第１の実施例における
光ディスクの断面図を示したものである。第１図におい
て１１は透明基板、１２は薄膜層、１３は紫外線硬化樹
脂、１４は微粒子である。
ガラス板上に紫外線硬化樹脂で案内溝を形成した透明基
板１１にスパッター装置を用いてＳｉ０２等の保護膜、
ＴｂＦｅＣｏ等の磁性膜さらに５ｉ０２等の保護膜から
なる薄膜層１２を形成した０次にエポキシアクリレート
系紫外線硬化樹脂１３にシリコン樹脂からなる粒径０．
８μｍの微粒子１４（東芝シリコーン製トスパール１０
８）の３０ｗｔ％混合樹脂を薄膜層１２上にスピンコー
ト（３０００ＲＰＭ８秒）した後、メタルハライド紫外
線ランプ（２００ｍｗ／ｃｄ）を３０秒間照射して紫外
線硬化樹脂１３を硬化させ、オーバーコート層を形成し
た０表面粗さとしてはランクテ−ラホブソン社製の表面
粗さ計タリステップを用いて測定したところ平均粗さ ０．２μｍの凹凸のあることがわかった。
板１１にスパッター装置を用いてＳｉ０２等の保護膜、
ＴｂＦｅＣｏ等の磁性膜さらに５ｉ０２等の保護膜から
なる薄膜層１２を形成した０次にエポキシアクリレート
系紫外線硬化樹脂１３にシリコン樹脂からなる粒径０．
８μｍの微粒子１４（東芝シリコーン製トスパール１０
８）の３０ｗｔ％混合樹脂を薄膜層１２上にスピンコー
ト（３０００ＲＰＭ８秒）した後、メタルハライド紫外
線ランプ（２００ｍｗ／ｃｄ）を３０秒間照射して紫外
線硬化樹脂１３を硬化させ、オーバーコート層を形成し
た０表面粗さとしてはランクテ−ラホブソン社製の表面
粗さ計タリステップを用いて測定したところ平均粗さ ０．２μｍの凹凸のあることがわかった。
このようにして作製した光磁気ディスクを用いてＣＳＳ
実験（回転数３６０ＯＲＰＭ）を行った。
実験（回転数３６０ＯＲＰＭ）を行った。
フライングヘッドとしてギャップ長２５μｍのＩｎ、Ｚ
ｎフェライト製のものを用いた。この結果、フライング
ヘッドとオーバーコート層との吸着は全く生じなかった
。フライング中の浮上量は５μｍ〜８μｍと若干の変動
が認められたが、記録再生特性には影響はなかった。オ
ーバーコート層の凹凸が０．５μｍより大きくなると空
気の流れが乱れフライング状態が不安定となりヘッドク
ラッシュを生じる。また、０．１μｍより小さい凹凸の
場合は、吸着防止効果が大きく低下する。このため０．
１μｍ以上０．５μｍ以下の凹凸が最適と考えられる。
ｎフェライト製のものを用いた。この結果、フライング
ヘッドとオーバーコート層との吸着は全く生じなかった
。フライング中の浮上量は５μｍ〜８μｍと若干の変動
が認められたが、記録再生特性には影響はなかった。オ
ーバーコート層の凹凸が０．５μｍより大きくなると空
気の流れが乱れフライング状態が不安定となりヘッドク
ラッシュを生じる。また、０．１μｍより小さい凹凸の
場合は、吸着防止効果が大きく低下する。このため０．
１μｍ以上０．５μｍ以下の凹凸が最適と考えられる。
第２図に微粒子の粒径および含有率とオーバーコート層
表面粗さの関係を示すが、微粒子の粒径が０．２μｍ以
上１．２μｍ以下であれば良く、又含有率は１０ｗｔ％
以上４０ｗｔ％以下でないと均一に分散しないことがわ
かった。
表面粗さの関係を示すが、微粒子の粒径が０．２μｍ以
上１．２μｍ以下であれば良く、又含有率は１０ｗｔ％
以上４０ｗｔ％以下でないと均一に分散しないことがわ
かった。
以上のように本実施例によればオーバーコート層の表面
に微粒子を混入することで０．１μｍ以上０．５μｍ以
下の凹凸を形成し、これによりフライングヘッドとオー
バーコート層の吸着を防ぐことができＣ３Ｓが可能とな
る。
に微粒子を混入することで０．１μｍ以上０．５μｍ以
下の凹凸を形成し、これによりフライングヘッドとオー
バーコート層の吸着を防ぐことができＣ３Ｓが可能とな
る。
以下本発明の第２の実施例について図面を参照しながら
説明する。第３図は本発明の第２の実施例における光デ
ィスクの断面図、第４図は樹脂硬化工程の外観図である
。第３図において３１は透明基板、３２は薄膜層、３３
は紫外線硬化樹脂、３４は強磁性体微粒子、第４図にお
いて４１は樹脂塗布した光ディスク、４２は磁石、４３
は紫外線ランプである。
説明する。第３図は本発明の第２の実施例における光デ
ィスクの断面図、第４図は樹脂硬化工程の外観図である
。第３図において３１は透明基板、３２は薄膜層、３３
は紫外線硬化樹脂、３４は強磁性体微粒子、第４図にお
いて４１は樹脂塗布した光ディスク、４２は磁石、４３
は紫外線ランプである。
以下に光ディスクの作製方法を説明する。第１の実施例
と同様ガラス板上に案内溝を形成した透明基板３１の上
にスパッター法によって保護膜。
と同様ガラス板上に案内溝を形成した透明基板３１の上
にスパッター法によって保護膜。
磁性膜等の薄膜７１３２を作製した。次に不飽和ポリエ
ステル系゛メタクリレートからなる紫外線硬化樹脂３３
にニッケルからなる強磁性体微粒子（粒径０．３μｍ）
３４を１５ｗｔ％混入したものを薄膜層３２上にスピン
コー） （ＩＯＱＯＲＰＭ、７秒）した後、第４図に示
すように樹脂塗布した光ディスク４１の上にリング状の
、磁石４２を近接させ、ニッケル微粒子が磁力線によっ
てオーバーコート層の表面に引き付けられ、盛り上がり
を生じた時点で紫外線ランプ４３を磁石の中央から１分
間照射（２００ｍｗ／ｃｄ） Ｌで樹脂を硬化させ、オ
ーバーコート層を形成した。この様に形成したオーバー
コート層の表面粗さは０．２μｍ、膜厚は４μｍであっ
た。８０°Ｃ８０％ＲＨでの加速試験を行ったところ２
０００時間でも特性の劣化は認められなかった。
ステル系゛メタクリレートからなる紫外線硬化樹脂３３
にニッケルからなる強磁性体微粒子（粒径０．３μｍ）
３４を１５ｗｔ％混入したものを薄膜層３２上にスピン
コー） （ＩＯＱＯＲＰＭ、７秒）した後、第４図に示
すように樹脂塗布した光ディスク４１の上にリング状の
、磁石４２を近接させ、ニッケル微粒子が磁力線によっ
てオーバーコート層の表面に引き付けられ、盛り上がり
を生じた時点で紫外線ランプ４３を磁石の中央から１分
間照射（２００ｍｗ／ｃｄ） Ｌで樹脂を硬化させ、オ
ーバーコート層を形成した。この様に形成したオーバー
コート層の表面粗さは０．２μｍ、膜厚は４μｍであっ
た。８０°Ｃ８０％ＲＨでの加速試験を行ったところ２
０００時間でも特性の劣化は認められなかった。
以上のような本実施例の光ディスク用オーバーコートの
形成方法によって、オーバーコート層の塗布厚を厚く取
れ薄膜層の保護効果を増すことができる利点がある。
形成方法によって、オーバーコート層の塗布厚を厚く取
れ薄膜層の保護効果を増すことができる利点がある。
発明の効果
以上のように本発明は単板構造光ディスクの薄膜層保護
のためのオーバーコート層の表面を粒径が０．２μｍ以
上１．２μｍ以下であり、含有率が１０ｗｔ％以上４０
ｗｔ％以下であるオーバーコート材料を塗布することで
、オーバーコート層の表面に０．１μｍ以上０．５μｍ
以下の凹凸が均一に存在し、そのためフライングヘッド
とオーバーコート層間での吸着を防ぐことができる。ま
た、強磁性体からなる微粒子を混合したオーバーコート
材料をスピンコートした後、磁石をそのオーバーコート
層上に設け強磁性体微粒子を引き付け、オーバーコート
層の表面に凹凸が生じた時点で紫外線を照射し、オーバ
ーコート材料を硬化させる光ディスク用オーバーコート
層の形成方法によってＣ３Ｓが可能で高信頼性の光ディ
スクを得ることができる。さらに表面に凹凸を形成する
ことで摩擦係数も低下して駆動時の電力も少なくてすむ
利点もある。
のためのオーバーコート層の表面を粒径が０．２μｍ以
上１．２μｍ以下であり、含有率が１０ｗｔ％以上４０
ｗｔ％以下であるオーバーコート材料を塗布することで
、オーバーコート層の表面に０．１μｍ以上０．５μｍ
以下の凹凸が均一に存在し、そのためフライングヘッド
とオーバーコート層間での吸着を防ぐことができる。ま
た、強磁性体からなる微粒子を混合したオーバーコート
材料をスピンコートした後、磁石をそのオーバーコート
層上に設け強磁性体微粒子を引き付け、オーバーコート
層の表面に凹凸が生じた時点で紫外線を照射し、オーバ
ーコート材料を硬化させる光ディスク用オーバーコート
層の形成方法によってＣ３Ｓが可能で高信頼性の光ディ
スクを得ることができる。さらに表面に凹凸を形成する
ことで摩擦係数も低下して駆動時の電力も少なくてすむ
利点もある。
第１図は本発明の第１の実り例における光ディスクの断
面図゛、第２図は微粒子の粒径および含有率とオーバー
コート層表面粗さの関係図、第３図は本発明の第２の実
施例における光ディスクの断面図、第４図は樹脂硬化工
程の外観図、第５図は従来の磁界変調方式オーバーライ
ドのディスク部の断面図である。 １１・・・・・・透明基板、１２・・・・・・ｆｉｉｔ
ｌ１層、１３・・・・・・紫外線硬化樹脂、１４・・・
・・・微粒子、３１・・・・・・透明基板、３２・・・
・・・Ｔｊｉ膜層、３３・・・・・・紫外線硬化樹脂、
３４・・・・・・強磁性体微粒子、４１・・・・・・樹
脂塗布した光ディスク、４２・・・・・・磁石、４３・
・・・・・紫外線ランプ。
面図゛、第２図は微粒子の粒径および含有率とオーバー
コート層表面粗さの関係図、第３図は本発明の第２の実
施例における光ディスクの断面図、第４図は樹脂硬化工
程の外観図、第５図は従来の磁界変調方式オーバーライ
ドのディスク部の断面図である。 １１・・・・・・透明基板、１２・・・・・・ｆｉｉｔ
ｌ１層、１３・・・・・・紫外線硬化樹脂、１４・・・
・・・微粒子、３１・・・・・・透明基板、３２・・・
・・・Ｔｊｉ膜層、３３・・・・・・紫外線硬化樹脂、
３４・・・・・・強磁性体微粒子、４１・・・・・・樹
脂塗布した光ディスク、４２・・・・・・磁石、４３・
・・・・・紫外線ランプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）単板構造光ディスクの薄膜層保護のためのオーバ
ーコート層の表面に０．１μｍ以上０．５μｍ以下の凹
凸が均一に存在することを特徴とする光ディスク用オー
バーコート層。 （２）単板構造光ディスクの薄膜層保護のためのオーバ
ーコート材料が紫外線硬化樹脂に微粒子を混合したこと
を特徴とする光ディスク用オーバーコート材料。 （２）微粒子の粒径が０．２μｍ以上１．２μｍ以下で
あり、含有率が１０ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下であるこ
とを特徴とする請求項（２）記載の光ディスク用オーバ
ーコート材料。 （４）微粒子が強磁性体であることを特徴とする請求項
（２）記載の光ディスク用オーバーコート材料。 （５）請求項（４）記載の光ディスク用オーバーコート
材料をスピンコートした後、磁石をそのオーバーコート
層上に設け強磁性体微粒子を引き付け、オーバーコート
層の表面に凹凸が生じた時点で紫外線を照射し、オーバ
ーコート材料を硬化させる光ディスク用オーバーコート
層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1197738A JPH0362338A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 光ディスク用オーバーコート層およびその材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1197738A JPH0362338A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 光ディスク用オーバーコート層およびその材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362338A true JPH0362338A (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=16379519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1197738A Pending JPH0362338A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 光ディスク用オーバーコート層およびその材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0362338A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5279877A (en) * | 1991-09-06 | 1994-01-18 | Tdk Corporation | Magneto optical disc |
| US5578355A (en) * | 1992-06-19 | 1996-11-26 | Tdk Corporation | Magneto-optical disk having a microporous protective coating containing a lubricant |
| US5580633A (en) * | 1992-04-24 | 1996-12-03 | Tdk Corporation | Magneto-optical disc having a protective layer of cured radiation curable resin containing carbon particles |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61199990A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-04 | Daicel Chem Ind Ltd | レ−ザ−記録用フイルム |
-
1989
- 1989-07-28 JP JP1197738A patent/JPH0362338A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS61199990A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-04 | Daicel Chem Ind Ltd | レ−ザ−記録用フイルム |
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