JP3086501B2

JP3086501B2 - 光ディスク

Info

Publication number: JP3086501B2
Application number: JP03172766A
Authority: JP
Inventors: 賢司太田; 歳一長浦; 正康二川; 真司山上; 善照村上; 博行池永; 理伸三枝; 哲也乾; 明高橋
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1990-07-20
Filing date: 1991-07-12
Publication date: 2000-09-11
Anticipated expiration: 2015-09-11
Also published as: JPH04364248A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明はレーザビームを利用し
て情報を記録あるいは消去したり再生したりする光ディ
スクに関し、さらに詳しくはその基板にプラスチックを
使用した時に生じる基板の反りを防止する構成に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の光ディスクは、第10図に
示すように、プラスチック基板20の一方の表面に記録膜
21を成膜し、その記録膜21を保護膜22によって保護する
構成である。記録膜21は通常４層又は３層構造になって
おり、記録膜21を通って水分がプラスチック基板20側に
移動することはほとんどない。従って、プラスチック基
板20の他方の表面すなわち入射光側からのみプラスチッ
ク基板20に水分が吸湿されたり放湿されたりする。この
時の吸、放湿によるプラスチック基板20の局部的な体積
変化によりプラスチック基板20が反るものである。

【０００３】上記したように、基板にプラスチックを用
いた光ディスクの場合、基板の反りが大きいと収束され
た光ビームの光軸に対し、基板が傾いた状態となり、こ
の状態でトラッキングサーボをかけると、集束ビームが
案内溝の中心を通らなくなり信号品質が劣化する。基板
の反りが更に大きいとトラッキングサーボもかからなく
なり、光ディスクとして使用できなくなる。そこでこの
基板の反り量をある範囲におさえておく必要がある。光
ディスクではその範囲を表１に示すように規定してい
る。

【０００４】

【表１】

【０００５】コンパクトディスクの場合は、ディスクの
回転数が200 〜500 ｒｐｍと比較的遅く、トラッキング
サーボ及びフォーカスサーボが十分追従するので、他の
タイプの光ディスクに比べ反り量の規格がゆるくなって
いる。ライトワンスディスクやリライタブルディスク
（光磁気ディスク）のようにデータ転送レートをあげた
いものは、高速で回転させる必要がある（例えば1800〜
3600ｒｐｍ）。この時はトラッキングサーボ及びフォー
カスサーボの追従性能上反り量を小さくしておく必要が
ある。ところがプラスチック基板の単板では反り量を小
さくすることが困難だったので、単板からなるディスク
を背中合わせに張り付けて両面ディスクとすることで反
り量を小さくしてきた。

【０００６】これに加えて、最近になって、特に光磁気
ディスクではオーバーライトの技術が注目されるように
なり、単板仕様のディスクが必要になってきた。その理
由としては、従来の光磁気ディスクでは、データの書き
換えをする際、一度前のデータの消去動作をして新デー
タの記録をする方式であったので、消去するのに一回
転、記録するのに一回転の合計二回転がデータの書き換
えに必要であった。ところがオーバーライトの技術を使
用すれば前データの消去及び新データの記録が一回転中
にできるので、従来の場合のように二回転する必要がな
くなりその分データの転送レートが向上する。

【０００７】オーバーライトの方式に付いても種々考案
されているが、中でも磁界変調方式が有力である。磁界
変調方式というのは、記録消去時依頼の方式（光変調方
式）が磁界の向きを一定にして光のオンオフで記録する
のに対し、光は常に照射し磁界の向きを変えることによ
り記録する方式である。この時磁界の向きを高速で変え
る必要があるが、電磁石の電力消費を極力小さくして高
速磁界変調を実現しようとすれば電磁石と記録膜との距
離をできるだけ近接させる必要がある。両面仕様のディ
スクでは電磁石側から見て記録膜の上に基板が一枚ある
ので記録膜との距離が小さくできない。従って、前述の
ように単板仕様のディスクが必要になってきた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】単板仕様のディスクの
基板いプラスチックを用いる場合、前述のように基板の
反りが問題となってくる。ディスク製造直後の反りは基
板の成形技術や記録膜や保護膜の成膜技術の進歩により
十分規定内に入るようになったが、ディスクの使用中に
新たに反りが発生するということがわかってきた。すな
わち、第35回応用物理学会予稿集（昭和63年春季）の第
872 頁に示されるように、環境条件が変化している途中
に過渡的な反りが生じることがわかった。例えば湿度が
変化した時の反り変化量は、60℃、90％ＲＨから60℃、
50ＲＨ％への環境変化時に最大変化量で10数ｍｒａｄと
なることがわかった。

【０００９】この発明は上記の事情を考慮してなされた
もので、環境変化時の過渡的反りをできるだけ小さくす
ることができる光ディスクを提供しようとするものであ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、透光性を有す
るプラスチック基板と、該プラスチック基板の一方表面
に形成された記録膜と、該記録膜の表面に形成された第
１の樹脂保護膜と、を有してなる光ディスクにおいて、
前記プラスチック基板の他方表面上に形成され、反射率
が８％以下の透湿防止膜と、該透湿防止膜の表面に形成
され、吸放湿により発生する反りを第１の樹脂保護膜と
で相殺する第２の樹脂保護膜と、を有してなるものであ
る。また、透光性を有するプラスチック基板と、該プラ
スチック基板の一方の表面に形成された記録膜と、該記
録膜の表面に形成された第１の樹脂保護膜と、を有して
なる光ディスクにおいて、前記プラスチック基板の他方
表面上に形成され、反射率が８％以下の透湿防止膜と、
該透湿防止膜の表面に形成された第２の樹脂保護膜と、
第２の樹脂保護膜の表面に形成された帯電防止膜と、を
有し、第２の樹脂保護膜と前記帯電防止膜は、それら両
者により、吸放湿により発生する反りを第１の樹脂保護
膜とで相殺するように形成されてなるものである。な
お、本発明の透湿防止膜は、後述する中間膜を介してプ
ラスチック基板の表面に形成されるものであってもよ
い。

【００１１】上記透光性のプラスチック基板の材質とし
ては、透光性を与え変形し難いプラスチックであればよ
い。代表的にはポリカーボネート製基板が挙げられ、こ
の他にアクリル樹脂、エポキシ樹脂等が用いることがで
きる。この厚さは、通常1.15〜1.25mmである。記録膜
は、当該分野で公知のものが広く利用できる。代表的に
は、ＡｌＮ／ＧｄＴｂＦｅ／ＡｌＮ／ＡｌやＡｌＮ／Ｄ
ｙＦｅＣｏ／ＡｌＮ／Ａｌなどの４層構造のものや、Ｓ
ｉＮ／ＴｂＦｅＣｏ／ＳｉＮやＳｉＡｌＯＮ／ＴｂＦｅ
Ｃｏ／ＳｉＡｌＯＮなどの３層構造のものが挙げられ
る。この膜厚は、通常150 〜300nmである。記録膜は、
一般にプラスチック基板の全面に形成されるが、一部で
あってもよい。

【００１２】第１保護膜は、主に記録膜を保護するため
のものであって、例えばアクリルウレタン系ＵＶ硬化樹
脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリ３フッ化塩化エチレ
ン樹脂等を用いて形成することができる。これらは塗布
によって形成できる。この膜厚は、通常２〜20μｍであ
る。中間膜は、光の均一な透過性を維持しながら透光性
プラスチック基板に透湿防止膜を密着させるためのもの
であって、特に有機系の透湿防止膜を用いる場合に効果
を奏し、プラスチック基板と透湿防止膜との密着性を高
め剥離を防止することができる。また、中間膜は、光の
均一な透過性を維持するため均一な塗布のできるものが
好ましく、例えばアクリルウレタン系ＵＶ硬化性樹脂、
ポリウレタン系接着樹脂等からなるものが使用される。
この膜厚は、２〜10μｍが好ましい。

【００１３】透湿防止膜は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＺｎＳ，
Ａｌ₂Ｏ₃，ＳｉＯ₂, ＳｉＡｌＯＨなどの無機物質、
またはポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリ３フッ化塩化エチ
レン樹脂等の有機物質で形成することができる。これら
の中で、ＡｌＮが特に好ましい。透湿防止膜の膜厚は、
材質によって異なる。一般に無機物質の透湿防止膜の厚
みは、１〜300 ｎｍの範囲、好ましくは１〜200 ｎｍの
範囲、有機物質での厚みは、２〜20μｍ、好ましくは２
〜15μｍである。例えばＡｌＮの場合１〜20ｎｍの範囲
が好ましい。この範囲の厚みであると、光ディスクの過
渡的反りを防止できることに加え、光ディスクの干渉縞
が見られず好ましい。

【００１４】一方光ディスクの干渉縞と、透湿防止とで
の反射率との関係を検討したところ、反射率が約８％以
下であると干渉縞が現れないことを見出している。な
お、ＳｉＯ₂の透湿防止膜は、250 ｎｍでも過渡的反り
の防止に加えて、干渉縞の発現が見られない。透湿防止
膜の上には、第２保護膜を形成してもよい。上記第２保
護膜は、光ディスクの反りを発生させないように維持す
ると共に透湿防止膜を保護するためのものであって、第
１保護膜とほゞ等しい吸湿性能を有するものが好まし
く、第１保護膜と同じ材質を用いて形成するのが良い。
しかし、第１保護膜と第２保護膜の吸放湿により発生す
る反りがほぼ相殺されるように材料と膜厚を設定すれ
ば、過渡的反りを防止できる。例えば第１保護膜をアク
リル系のハードコート樹脂、第２樹脂膜をアクリルウレ
タン系ＵＶ効果樹脂を用いることができる。この膜厚
は、通常２〜20μｍである。

【００１５】また、第１及び第２保護膜が、光ディスク
の最外層を形成する場合は、第１保護膜をアクリルウレ
タン系ＵＶ硬化性樹脂により形成し、第２保護膜を、帯
電防止剤を入れたり後述の透明導電性フィラーを混入し
たＵＶ硬化性樹脂により成膜してもよく、また、第１及
び第２保護膜を透明導電性粉末を含有する合成樹脂で成
膜してもよい。このように構成することにより、ディス
クの帯電が防止できるものとなる。

【００１６】また、記録膜をＡｌＮ／ＧｄＴｂＦｅ／Ａ
ｌＮ／Ａｌの４層構造とする場合、透湿防止膜をＡｌＮ
により形成すると、同一のスパッタ装置で同一のターゲ
ットを用いてプラスチック基板の両サイドに成膜できる
ので、製造コストを低くすることができる。さらに、第
１保護膜と透湿防止膜をポリ塩化ビニリデンあるいはポ
リ３フッ化塩化エチレンなどにより成膜してもよい。こ
の場合、第２保護膜の形成が省略され構造が簡単になる
とともに、有機系の膜を用いることから、保護膜形成が
低コスト化できるので好ましい。

【００１７】第１保護膜及び透湿防止膜または第２保護
膜の上に、さらにそれぞれ透明導電性粉末を含有する合
成樹脂膜を形成してもよい。上記透明導電性粉末を含有
する合成樹脂膜は、基板の両面（この合成樹脂膜面）に
空気中の塵埃が付着するのを防止すると共に傷が付き難
いようにするためのものであって、硬質でかつ表面抵抗
率の比較的低いものがよい。この硬度は、通常ＨＢ以上
の鉛筆硬度を有するものが好ましい。また、この表面抵
抗率は、通常約１０^１３Ω／囗以下が好ましい。この合
成樹脂膜の形成は、合成樹脂又はその原料と透明導電性
粉末とを所定の混合比で混練し、必要に応じて硬度を向
上させる無機粉末を少量添加して混練し、基板上（第１
及び第２保護膜又は透湿防止膜上）に製膜して行なうこ
とができる。合成樹脂としては、例えばアクリルウレタ
ン系ＵＶ硬化樹脂、アクリル系ＵＶ硬化樹脂等が用いら
れる。透明導電性粉末としては、例えばＳｎＯ_２、Ｓｉ
Ｏ_２、ＳｎＯ_２−Ｓｂ_２Ｏ_５、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３
−ＳｎＯ_２の透明導電性粉末が用いられる。合成樹脂と
透明導電性粉末との混合比は、通常２５／１〜４／１の
容量比が好ましい。製膜は、例えばスピンコート法、ロ
ールコート法、ディップコート法等によって基板上（第
１及び第２保護膜上）に塗布し、用いる合成樹脂によっ
てＵＶ光照射、加熱又は冷却等の手段によって硬化して
行なうことができる。この膜厚は、通常１〜２０μｍが
好ましい。

【００１８】この発明の対象とする光ディスクは、光磁
気ディスクが代表的であるが、コンパクトディスク、ラ
イトワンス型ディスク、記録膜としてフォトクロミック
材料を用いたフォトクロミック型ディスクも含むもので
ある。

【００１９】

【作用】透湿防止膜が、基板の吸湿を減少させ光ディス
クの反りを防ぐ。また、第１保護膜と第２保護膜の吸放
湿により発生する反りがほぼ相殺されるように材料と膜
厚を設定すれば、過渡的反りを防止できる。

【００２０】

【実施例】以下この発明の実施例を図面を用いて詳述す
るが、この発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。実施例１図１において、１はプラスチック基板で、透光性を有す
る厚さ1.2mm のポリカーボネート製である。このプラス
チック基板１の一方の表面全面には記録膜２が形成され
ている。記録膜２が光磁気記録膜の場合、４層構造を有
している。この実施例では、ＡｌＮ／ＧｄＴｂＦｅ／Ａ
ｌＮ／Ａｌで構成されている。さらにこの記録膜２の表
面には、第１保護膜３が形成されている。第１保護膜３
は、アクリルウレタン系のＵＶ硬化樹脂を約10μｍ塗布
することによって形成される。

【００２１】４は透湿防止膜で、プラスチック基板１の
他方の表面に形成される。この実施例では透湿防止膜４
はＳｉＯ₂を25ｎｍの厚さにスパッタ法で形成してい
る。この透湿防止膜４の表面には第２保護膜５が形成さ
れる。第２保護膜５は、第１保護膜３と同一の材質、す
なわちアクリルウレタン系ＵＶ硬化樹脂を用いており、
第１保護膜３と同様に厚さ約10μｍである。第１保護膜
３及び第２保護膜５の膜厚すなわちＵＶ硬化性樹脂の膜
厚は、プラスチック基板１の両面において、それ自体の
吸放湿によって発生する反りが相殺できれば、どのよう
な値であってもよい。ただし、両者の膜厚は、上記の理
由からほぼ等しいことが必要である。

【００２２】上記の構成を有する光ディスクを34℃、90
％ＲＨの条件下で24時間放置した後、10％ＲＨ／時間の
速度で湿度を低減させ、６時間かけて34℃、30％ＲＨの
環境条件とし、その後は34℃、30％ＲＨに保持した。そ
のときプラスチック基板１の反りの変化（過渡的反り）
を湿度が変化し始める直前から時間経過とともに反り量
を測定し図２に示す。

【００２３】図２において、上記の実施例１の過渡的反
りは曲線11にて示されており、反り変化が２ｍｒａｄ以
下に抑えられていることがわかる。なお、図２におい
て、曲線12は従来例の光ディスクの過渡的反りを示して
おり、反り変化が９ｍｒａｄであった。また、従来例の
光ディスクの入射光側に透湿防止膜としてＳｉＯ₂を25
ｎｍの厚さにスパッタ法で形成した光ディスクの場合の
過渡的反りが、曲線13により示される。この光ディスク
の場合、従来例の光ディスクとは反りの方向が逆になっ
た。

【００２４】なお、上記の第１保護膜をアクリルウレタ
ン系ＵＶ硬化樹脂とし、第２保護膜を帯電防止剤入りＵ
Ｖ硬化樹脂で形成してもよい。実施例２実施例１において、透湿防止膜として、膜厚25nmのＳｉ
Ｏ₂をプラスチック基板の他方表面に形成する代わり
に、図３に示すようにプラスチック基板の他方表面に膜
厚６μｍのアクリルウレタン系ＵＶ硬化性樹脂からなる
中間膜６を形成し、この上に膜厚10μｍのポリ塩化ビニ
リデンの透湿防止膜４ａを形成し、第２保護膜を形成せ
ず、磁性膜としてＧｄＴｂＦｅの代わりにＤｙＦｅＣｏ
を用い、この他は実施例１と同様にして光ディスクを作
製した。

【００２５】この光ディスクを碁盤目テープ剥離テスト
により透湿防止膜の密着性を評価したところ良好な密着
性を確認した。また、実施例１と同様にして反り変化量
を測定したところ図５曲線11ａに示すように低い反り変
化量を示した。ただし、13ａの曲線は、従来の光ディス
クの特性を示す。実施例３実施例２において、透湿防止膜４ａの上に、図４に示す
ように帯電防止剤を混入したＵＶ硬化性樹脂を５μｍ塗
布して第２保護膜を形成し、この他は実施例２と同様に
して光ディスクを作製した。

【００２６】反り変化は図５曲線12ａに示すように３ｍ
ｒａｄ以下で低く良好であった。実施例４実施例１において、第１保護膜３及び第２保護膜５の上
に、図６に示すように更に透明導電性粉末を含有する合
成樹脂膜６及び７を形成し、この他は実施例１と同様に
して光ディスクを作製した。ただし透明導電性粉末を含
有する合成樹脂膜６及び７は、アクリルウレタン系のＵ
Ｖ硬化樹脂原料と導電性粉末とを混練し、スピンコート
法によって上記基板上（第１及び第２保護膜上）に塗布
し、塗膜にＵＶ光を照射して硬化させて２μｍの膜厚と
なるように形成した。

【００２７】この光ディスクの過渡的反りを前述の方法
で測定したところ反り変化は２ｍｒａｄ以下に抑えらえ
ていた。帯電防止能の一指標である表面抵抗率は、10⁹
〜10 ¹²Ω／□であり、良好な帯電防止能を有し、また鉛
筆硬さはＨＢであって実用上傷が付き難く十分な硬さを
有していた。実施例５実施例１に示した構成の光磁気ディスクにおいて、磁性
膜としてＧｄＴｂＦｅの代わりにＤｙＦｅＣｏを用い、
透湿防止膜４にＡｌＮを用いた。

【００２８】その膜厚を５，10，20，25及び80ｎｍとし
た。この光磁気ディスクを自然光の下で第２保護膜（透
湿防止膜）側から眺めることにより、干渉縞の見え方を
調べた。その結果、透湿防止膜の膜厚が５ｎｍ及び10ｎ
ｍの光磁気ディスクでは、干渉縞が観察されないことが
分かった。また、透湿防止膜４の膜厚が20ｎｍの光磁気
ディスクでは、注視するとわずかに干渉縞が観察された
が、ほとんど目立たない程度であることが分かった。一
方透湿防止膜４の膜厚が25ｎｍと80ｎｍでは、干渉縞が
観察された。80ｎｍではより明瞭な干渉縞が観察され
た。

【００２９】次に、透湿防止膜４の膜厚を変えた場合の
干渉縞の見え方と反射率との関係を調べるため、透湿防
止膜４の膜厚と、第１の保護膜５側から光が入射した場
合の透湿防止膜４での反射率との関係を計算した。計算
は、プラスチック基板１としてのポリカーボネート上
に、透湿防止膜４としてのＡｌＮと、第２保護膜５とし
てのアクリルウレタン系の紫外線硬化型樹脂とが順次形
成された３層モデルに基づいて実行された。

【００３０】なお、ポリカーボネート、ＡｌＮ、アクリ
ルウレタン系の紫外線硬化型樹脂の屈折率は、それぞれ
1.58、2.1 、1.5 とし、第２の保護膜５の膜厚は10μｍ
とした。また、光の波長には光ディスクの光源として多
用されている半導体レーザーの波長である780 ｎｍを用
いた。そして、透湿防止膜４の膜厚をパラメータとし０
〜200 ｎｍの範囲で変えて反射率を計算した。

【００３１】計算結果を図７のグラフに示す。横軸はＡ
ｌＮの膜厚であり、縦軸は反射率である。上述の干渉縞
の観察結果と、この反射の計算結果とから、反射率が大
きいとき干渉縞が観察され、反射率が約８％以下のとき
干渉縞はほとんど見えなくなることがわかった。

【００３２】次に、透湿防止膜４の膜厚と、環境条件が
変化したときの光ディスクの反りの変化量との関係を実
施例１に記載と同様の条件で調べた。なお、測定には、
透湿防止膜４のＡｌＮの膜厚が１ｎｍ、５ｎｍ、25ｎ
ｍ、80ｎｍである点を除いて、上記試作した光磁気ディ
スクと同一の光磁気ディスクが使用された。また、比較
のために、透湿防止膜４と第１の保護膜５とが形成され
ていない点を除いて、上記試作した光磁気ディスクと同
一の従来通りの光磁気ディスクが使用された。

【００３３】実験結果を図８のグラフに示す。横軸は温
度変化開始時からの経過時間であり、縦軸は反りの変化
量である。この実験結果から、プラスチック基板１上に
透湿防止膜４と第１の保護膜５とが形成されていない光
磁気ディスクでは、湿度の低下に伴って、反りの変化量
が10ｍｒａｄにもなるが、本実施例の光磁気ディスクで
は、いずれも反りの変化量は２ｍｒａｄ以下に抑えられ
ている。このことから、透湿防止膜４としてのＡｌＮの
膜厚が１ｎｍ以上であれば、過渡的反りを充分防止でき
ることが分かった。実施例６実施例５に示した光磁気ディスクにおいて、透湿防止膜
上に形成された第２保護膜上に、導電フィラーを混入し
たアクリル系ハードコート樹脂からなる帯電防止膜（膜
厚＝約４ｎｍ）を形成した。なお透湿防止膜（ＡｌＮ）
の膜厚は約５ｎｍである。

【００３４】この光磁気ディスクを帯電防止膜側から眺
めた場合、干渉縞は見られなかった。また、反りの変化
量は、２ｍｒａｄ以下である。この光磁気ディスクで
は、情報の記録・消去及び再生のための光ビームが入射
する側の表面に帯電防止膜を設けたので、光ビームを散
乱するゴミや埃等が表面に付着しにくくなる。これによ
り、情報の記録・消去時又は再生時、フォーカッシング
・サーボやトラッキング・サーボが乱れて記録信号又は
再生信号が劣化したり、サーボ飛びが生じたりする危険
性を大幅に低減できる。

【００３５】また、過渡的な反りの変化量は、前記実施
例５の光磁気ディスクとほとんど変わらなかった。この
ことは、第２の保護膜としてのポリウレタンアクリレー
ト系の紫外線硬化型樹脂と、帯電防止膜６としての導電
性フィラーを混入したアクリル系ハードコート樹脂とで
は、吸放湿の程度に差がなく、しかも、これらを合わせ
た膜厚を第１の保護膜の膜厚とほぼ同じ10μｍに設定し
たことによる。ちなみに、上記光磁気ディスクにおい
て、第２の保護膜の膜厚だけを６μｍから10μｍに変え
ると、反りの変化量は若干であるが大きくなった。実施例７実施例６に示した光磁気ディスクにおいて、記録媒体膜
上に設けられた第１保護膜上に、更に潤滑性に優れた、
フッ素系樹脂からなる潤滑膜を膜厚２μｍを塗布した。

【００３６】この光磁気ディスクを帯電防止膜側から眺
めた場合、干渉縞は見られなかった。また、実施例１の
場合と同様にして過渡的反りを調べた結果、反りの変化
量は２ｍｒａｄ以下であった。しかも、本実施例の光磁
気ディスクでは、記録媒体膜が形成されている側に潤滑
膜７を設けたので、浮上型磁気ヘッドを用いた場合、浮
上型磁気ヘッドと光磁気ディスクとの間の潤滑性を向上
させることができる。

【００３７】すなわち、浮上型磁気ヘッドは記録媒体膜
２上に数μｍから数十μｍのギャップを保ちながら情報
の記録・消去及び再生を行うために配置されるものであ
り、浮上型磁気ヘッドを記録媒体膜２に押しつけるよう
働くサスペンション・バネによる押圧と、光磁気ディス
クの高速回転による空気流により発生して浮上型磁気ヘ
ッドを記録媒体膜２から離すように働く浮上力とバラン
スして、上記ギャップが保たれる。

【００３８】このような浮上型磁気ヘッドを用いて、光
磁気ディスクの回転開始時、所定回転数に達するまでの
間、及び、回転終了時、所定回転数より停止に至るまで
の間、浮上型磁気ヘッドと光磁気ディスクとが接するＳ
ＣＣ（Contact-Start-Stop）方式を採用する場合には、
浮上型磁気ヘッドと光磁気ディスクとが吸着すると、光
磁気ディスクの回転開始時、浮上型磁気ヘッドが破損さ
れることがある。しかしながら、本実施例の光磁気ディ
スクによれば、記録媒体膜上に潤滑膜を設けたので、浮
上型磁気ヘッドと光磁気ディスクとの間の潤滑性が向上
し、吸着による浮上型磁気ヘッドの破損を防止できる。実施例８実施例１に示した構成の光磁気ディスクにおいて、透湿
防止膜４のＳｉＯ₂の膜厚を変化させた。

【００３９】そして、第２保護膜側から光が入射した場
合の透湿防止膜での反射率との関係を計算した。計算
は、プラスチック基板１としてポリカーボネート上に、
透湿防止膜４としてのＳｉＯ₂と、第２の保護膜５とし
てのポリウレタンアクリレート系の紫外線硬化型樹脂と
が順次形成された３層モデルに基づいて実行された。

【００４０】なお、ポリカーボネート、ＳｉＯ₂、ポリ
ウレタンアクリレート系の紫外線硬化型樹脂の屈折率
は、それぞれ1.58、1.45、1.5 とし、第２の保護膜５の
膜厚は10μｍとした。また、光の波長には光ディスクの
光源として多用されている半導体レーザーの波長である
780 ｎｍを用いた。そして、透湿防止膜４の膜厚をパラ
メータとして０〜300 ｎｍの範囲で反射率を計算した。

【００４１】計算結果を図９のグラフに示す。横軸はＳ
ｉＯ₂の膜厚であり、縦軸は反射率である。このグラフ
から、ＳｉＯ₂であれば60〜90ｎｍ近傍の膜厚で反射率
が最も小さくなり、干渉縞がより見えにくくなることが
分かる。また、上述のように、反射率が約８％以下のと
き干渉縞はほとんど見えなくなるから、膜厚が20ｎｍ以
下においても干渉縞は見えないことが分かる。したがっ
て、透湿防止膜４の透湿防止効果が充分である限り、製
造コスト及び製造時間を考慮すれば、その膜厚を20ｎｍ
以下にした方が有利である。

【００４２】

【発明の効果】この発明によれば、反りが小さくて信頼
性の高い光ディスクを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例１で作製した光ディスクの構
成図である。

【図２】この発明の実施例１で作製した光ディスクの反
り変化量を示す図である。

【図３】この発明の実施例２で作製した光ディスクの構
成図である。

【図４】この発明の実施例３で作製した光ディスクの構
成図である。

【図５】この発明の実施例２及び３で作製した光ディス
クの反り変化量を示す図である。

【図６】この発明の実施例４で作製した光ディスクの構
成図である。

【図７】この発明の実施例５で作製した光ディスクにお
ける透湿防止膜（ＡｌＮ）の厚みと光ディスクの反射率
の関係図である。

【図８】この発明の実施例５で作製した光ディスクの反
りの変化量を示す図である。

【図９】この発明の実施例８で作製した光ディスクにお
ける透湿防止膜（ＳｉＯ₂）の厚みと光ディスクの反射
率の関係図である。

【図１０】従来の光ディスクの説明図である。

【符号の説明】

１プラスチック２記録膜３第１保護膜４，４ａ透湿防止膜５第２保護膜６中間膜７，８透明導電性粉末を含有する合成樹脂膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩＧ１１Ｂ 11/105 ５３１Ｇ１１Ｂ 11/105 ５３１Ｓ (72)発明者二川正康大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者山上真司大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者村上善照大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者池永博行大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者三枝理伸大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者乾哲也大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者高橋明大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (56)参考文献特開昭61−85646（ＪＰ，Ａ) 特開平３−178052（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−160030（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−69044（ＪＰ，Ａ) 特開平２−81341（ＪＰ，Ａ) 特開平２−226533（ＪＰ，Ａ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】透光性を有するプラスチック基板と、該
プラスチック基板の一方表面に形成された記録膜と、該
記録膜の表面に形成された第１の樹脂保護膜と、を有し
てなる光ディスクにおいて、前記プラスチック基板の他方表面上に形成され、反射率
が８％以下の透湿防止膜と、該透湿防止膜の表面に形成され、吸放湿により発生する
反りを第１の樹脂保護膜とで相殺する第２の樹脂保護膜
と、を有してなることを特徴とする光ディスク。
【請求項２】透光性を有するプラスチック基板と、該
プラスチック基板の一方の表面に形成された記録膜と、
該記録膜の表面に形成された第１の樹脂保護膜と、を有
してなる光ディスクにおいて、前記プラスチック基板の他方表面上に形成され、反射率
が８％以下の透湿防止膜と、該透湿防止膜の表面に形成された第２の樹脂保護膜と、第２の樹脂保護膜の表面に形成された帯電防止膜と、を
有し、第２の樹脂保護膜と前記帯電防止膜は、それら両者によ
り、吸放湿により発生する反りを第１の樹脂保護膜とで
相殺するように形成されてなることを特徴とする光ディ
スク。