JPH07105069B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH07105069B2 JPH07105069B2 JP61214328A JP21432886A JPH07105069B2 JP H07105069 B2 JPH07105069 B2 JP H07105069B2 JP 61214328 A JP61214328 A JP 61214328A JP 21432886 A JP21432886 A JP 21432886A JP H07105069 B2 JPH07105069 B2 JP H07105069B2
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- Japan
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- optical recording
- sialn
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光を用いて記録、再生または消去を行なう光記
録媒体の表面に被覆するコート剤に関する。
録媒体の表面に被覆するコート剤に関する。
従来の光記録媒体のコート剤としては、コンパクトデイ
スク（CD）の反射膜の保護コートのように表面の傷を防
ぐための保護コートがなされていたり、また特開昭60−
239946にあるように表面につくゴミやホコリを防ぐため
に光記録媒体の大気に接する部分を帯電防止処理した
り、光記録媒体の支持体である樹脂にグリセリン、ソル
ビトール、ポリグリセリン、ポリオキシエチレン、多価
アルコール、アルキルアミン、アルキルアシド、脂肪ア
ルコール、アルキルフエノール、ポリアクリル酸誘導
体、四級アンモニウム、スルホン酸、カルボン酸などの
帯電防止剤を添加するという試みがなされている。
スク（CD）の反射膜の保護コートのように表面の傷を防
ぐための保護コートがなされていたり、また特開昭60−
239946にあるように表面につくゴミやホコリを防ぐため
に光記録媒体の大気に接する部分を帯電防止処理した
り、光記録媒体の支持体である樹脂にグリセリン、ソル
ビトール、ポリグリセリン、ポリオキシエチレン、多価
アルコール、アルキルアミン、アルキルアシド、脂肪ア
ルコール、アルキルフエノール、ポリアクリル酸誘導
体、四級アンモニウム、スルホン酸、カルボン酸などの
帯電防止剤を添加するという試みがなされている。
しかし前述の従来技術では、光記録媒体の表面の傷を防
ぐだけの効果またはゴミやホコリが静電気によつて付着
しないようにする効果しかなく、光記録媒体の表面の
傷、及び静電気によるゴミやホコリの付着を防ぐ効果を
兼ねそなえた効果を有するものがない。また、光記録媒
体の支持体として樹脂を用いて、その中に帯電防止剤を
添加したものは帯電防止剤自身が、イオン化しやすいも
のである上に、ブリード性に劣るため、光記録媒体の支
持体の中に帯電防止剤を添加したものは記録層を酸化し
やすくするおそれがある。
ぐだけの効果またはゴミやホコリが静電気によつて付着
しないようにする効果しかなく、光記録媒体の表面の
傷、及び静電気によるゴミやホコリの付着を防ぐ効果を
兼ねそなえた効果を有するものがない。また、光記録媒
体の支持体として樹脂を用いて、その中に帯電防止剤を
添加したものは帯電防止剤自身が、イオン化しやすいも
のである上に、ブリード性に劣るため、光記録媒体の支
持体の中に帯電防止剤を添加したものは記録層を酸化し
やすくするおそれがある。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、光記録媒体の表面の傷、及び静
電気によるゴミやホコリの付着を防ぐとともに、コート
剤自身の特性を失うことのない光記録媒体を提供するこ
とである。
の目的とするところは、光記録媒体の表面の傷、及び静
電気によるゴミやホコリの付着を防ぐとともに、コート
剤自身の特性を失うことのない光記録媒体を提供するこ
とである。
本発明の光記録媒体は、1.光を用いて記録、再生または
消去を行う光記録媒体において、前記光記録媒体の表面
に被膜するコート剤の中に、透明で電気伝導性を有する
セラミックスを含有させ被覆して前記被記録媒体の表面
の比抵抗を1010Ωcm以下にしたことを特徴とする。
消去を行う光記録媒体において、前記光記録媒体の表面
に被膜するコート剤の中に、透明で電気伝導性を有する
セラミックスを含有させ被覆して前記被記録媒体の表面
の比抵抗を1010Ωcm以下にしたことを特徴とする。
2.電気伝導性を有するセラミックスがSnO2，SnO
2（Ｆ），InO3（Sn）,ZnO,ZnO（Al）,ZnO（Ga）,ZnO（I
n），TiOx，Cd2SnO4，SnO2（Sb），In2O3（Ｆ），ZrO2
のいずれかとしたことを特徴とする。
2（Ｆ），InO3（Sn）,ZnO,ZnO（Al）,ZnO（Ga）,ZnO（I
n），TiOx，Cd2SnO4，SnO2（Sb），In2O3（Ｆ），ZrO2
のいずれかとしたことを特徴とする。
3.電気伝導性を有するセラミックスの屈折率が1.8〜2.3
であることを特徴とする。
であることを特徴とする。
4.電気伝導性を有するセラミックスの粒径が0.1〜0.5μ
ｍであることを特徴とする。
ｍであることを特徴とする。
本発明において、表面コート剤の中に含有するセラミツ
クスとしては、SnO2，SnO2（Ｆ），InO3，InO3（Sn）,Z
nO,ZnO（Al）,ZxO（Ga）,ZnO（In）,TiOx,Cd2SnO4，SnO
2（Sb），In2O3（Ｆ），ZrO2などの透明導電性材料を用
いるが、無毒性及び経済性を考えると、SnO2，In2O3（S
n）,ZnO,ZxO（Al）,ZnO（Ga）ZnO（In）を用いる方が良
い。上述の説明において（ ）は不純物として添加する
元素である。また、これらの透明導電性材料の粒径は、
光記録媒体の記録、再生に用いる光のビーム径にもよる
が、数万オングストロームから数千オングストローム以
下が望ましい。さらに、これらの透明導電性材料の表面
コート剤中に添加する量であるが、光記録媒体の表面の
比抵抗が1010Ωcm以下であればよいので、数パーセント
から数十パーセントと範囲は広い。しかし、これらの透
明導電性材料は屈折率が1.8〜2.3程度と光記録媒体の透
光性支持体として用いる樹脂やガラスより大きいので、
例えば、透光性支持体としてポリカーボネートを用いる
場合などは、ポリカーボネートの屈折率1.59に極力近づ
けるようにして、表面コート層と透光性支持体の間に生
じる屈折率の違いによる透過光量の損失が少なくした方
がS/Nが良くなる。そのために透光性支持体と表面コー
ト層の間の屈折率差がないように、添加する透明導電材
料の量を決めるとよい。表面コート層の被覆方法は、紫
外線硬化法、ゾルゲル法など種々の選択が可能である。
光記録媒体の表面の比抵抗は1010Ωcm以上になると帯電
防止効果が弱くなるため1010Ωcm以下が望ましいが、10
3Ωcm以下ではさらに帯電防止効果が良くなる。
クスとしては、SnO2，SnO2（Ｆ），InO3，InO3（Sn）,Z
nO,ZnO（Al）,ZxO（Ga）,ZnO（In）,TiOx,Cd2SnO4，SnO
2（Sb），In2O3（Ｆ），ZrO2などの透明導電性材料を用
いるが、無毒性及び経済性を考えると、SnO2，In2O3（S
n）,ZnO,ZxO（Al）,ZnO（Ga）ZnO（In）を用いる方が良
い。上述の説明において（ ）は不純物として添加する
元素である。また、これらの透明導電性材料の粒径は、
光記録媒体の記録、再生に用いる光のビーム径にもよる
が、数万オングストロームから数千オングストローム以
下が望ましい。さらに、これらの透明導電性材料の表面
コート剤中に添加する量であるが、光記録媒体の表面の
比抵抗が1010Ωcm以下であればよいので、数パーセント
から数十パーセントと範囲は広い。しかし、これらの透
明導電性材料は屈折率が1.8〜2.3程度と光記録媒体の透
光性支持体として用いる樹脂やガラスより大きいので、
例えば、透光性支持体としてポリカーボネートを用いる
場合などは、ポリカーボネートの屈折率1.59に極力近づ
けるようにして、表面コート層と透光性支持体の間に生
じる屈折率の違いによる透過光量の損失が少なくした方
がS/Nが良くなる。そのために透光性支持体と表面コー
ト層の間の屈折率差がないように、添加する透明導電材
料の量を決めるとよい。表面コート層の被覆方法は、紫
外線硬化法、ゾルゲル法など種々の選択が可能である。
光記録媒体の表面の比抵抗は1010Ωcm以上になると帯電
防止効果が弱くなるため1010Ωcm以下が望ましいが、10
3Ωcm以下ではさらに帯電防止効果が良くなる。
第１図から第８図は本発明の実施例における光記録媒体
の基本構成図であり、デイスク状の透光性支持体を用い
た場合を例にとる。
の基本構成図であり、デイスク状の透光性支持体を用い
た場合を例にとる。
第１図は本発明になる光記録媒体を最も簡潔に示す図で
あり、第２図は貼り合わせに用いる透光性支持体の上に
セラミツクス層を用いた場合であり、第３図は光記録媒
体の側端面に表面コート層がない場合であり、第４図は
光の反射を利用して信号の記録、再生を行なう方式であ
り、第５図は記録層の側端面が保護層によって覆われて
いる場合であり、第６図は2P（Photo Polymev）法を用
いてトラツキング用のグループを形成した場合であり、
第７図は光記録媒体の側端面にＲをほどこした場合であ
り、第８図は光の反射を利用して記録、再生を行なう場
合において、光記録媒体の両面から記録、再生または消
去を行なう方式である。
あり、第２図は貼り合わせに用いる透光性支持体の上に
セラミツクス層を用いた場合であり、第３図は光記録媒
体の側端面に表面コート層がない場合であり、第４図は
光の反射を利用して信号の記録、再生を行なう方式であ
り、第５図は記録層の側端面が保護層によって覆われて
いる場合であり、第６図は2P（Photo Polymev）法を用
いてトラツキング用のグループを形成した場合であり、
第７図は光記録媒体の側端面にＲをほどこした場合であ
り、第８図は光の反射を利用して記録、再生を行なう場
合において、光記録媒体の両面から記録、再生または消
去を行なう方式である。
これら第１図から第８図の方式はそれぞれ組み合わせて
も本発明の主旨は逸脱しないので第１図から第８図の方
式を組み合わせたものでも何らさしつかえないが煩雑に
ならないためにそれらを組み合わせた例を１つ１つ書く
のは割愛する。
も本発明の主旨は逸脱しないので第１図から第８図の方
式を組み合わせたものでも何らさしつかえないが煩雑に
ならないためにそれらを組み合わせた例を１つ１つ書く
のは割愛する。
第１図の説明をする。１はポリカーボネートの透光性支
持体であり、射出成形により、トラツキング用の溝が形
成してある。２はSiAlNの第１保護層であり、SiAlNの焼
結体ターゲットを用いてRFマグネトロンスパツタリング
法により成膜したものである。
持体であり、射出成形により、トラツキング用の溝が形
成してある。２はSiAlNの第１保護層であり、SiAlNの焼
結体ターゲットを用いてRFマグネトロンスパツタリング
法により成膜したものである。
３はNdDyFeCoTiの記録層であり、NdDyFeCoTiの合金ター
ゲツトを用いてDCマグネトロンスパツタリング法により
成膜したものである。４は第２保護層であり、第１保護
層と同様な方法により成膜したものである。５は接着層
であり、アクリレートおよびメタクリレートを用いた紫
外線硬化樹脂である。６は貼り合わせに用いる透光性支
持体であり、１と同様に射出成形により形成したもので
ある。７は本発明になる表面コート層である。８はデイ
スク状の透光性支持体を用いているのでそのセンターホ
ールである。
ゲツトを用いてDCマグネトロンスパツタリング法により
成膜したものである。４は第２保護層であり、第１保護
層と同様な方法により成膜したものである。５は接着層
であり、アクリレートおよびメタクリレートを用いた紫
外線硬化樹脂である。６は貼り合わせに用いる透光性支
持体であり、１と同様に射出成形により形成したもので
ある。７は本発明になる表面コート層である。８はデイ
スク状の透光性支持体を用いているのでそのセンターホ
ールである。
第２図の説明をする。貼り合わせる側の透光性支持体に
もラミツクス層がある場合である。９はポリメチルメタ
クリレートの透光性支持体であり第１図の１と同様に射
出成形によりトラツキング用の溝が形成してある。10,1
1および12は第１図の2,3および４と同様な方法により成
膜したものであり、10はSiAlNの第１保護層、11はNdDyF
eCoTiの記録層、12はSiAlNの第２保護層である。13は接
着層であり、第１図の５と同様に、アクリレートおよび
メタクリレートを用いた紫外線硬化樹脂である。14はSi
O2層であり、SiO2のターゲツトを用いてRFマグネトロン
スパツタリング法により形成したものである。15はポリ
メチルメタクリレートの透光性支持体であり、９と同様
に射出成形により形成したものである。16は本発明にな
る表面コート層である。17はデイスクのセンターホール
である。
もラミツクス層がある場合である。９はポリメチルメタ
クリレートの透光性支持体であり第１図の１と同様に射
出成形によりトラツキング用の溝が形成してある。10,1
1および12は第１図の2,3および４と同様な方法により成
膜したものであり、10はSiAlNの第１保護層、11はNdDyF
eCoTiの記録層、12はSiAlNの第２保護層である。13は接
着層であり、第１図の５と同様に、アクリレートおよび
メタクリレートを用いた紫外線硬化樹脂である。14はSi
O2層であり、SiO2のターゲツトを用いてRFマグネトロン
スパツタリング法により形成したものである。15はポリ
メチルメタクリレートの透光性支持体であり、９と同様
に射出成形により形成したものである。16は本発明にな
る表面コート層である。17はデイスクのセンターホール
である。
第３図について説明する。光記録媒体の側端面に表面コ
ート層がない場合である。18はポリカーボネートの透光
性支持体であり、第１図の１と同様に射出成形により、
トラツキング用の溝が形成してある。19,20および21は
第１図の2,3および４と同様な方法により形成したもの
であり、19はSiAlNの第１保護層、20はNdDyFeCoTiの記
録層、21はSiAlNの第２保護層である。22は接着層であ
り、第１図の５と同様に、アクリレートおよびメタクリ
レートを用いた紫外線硬化樹脂である。23は18と同様に
射出成形により形成したポリカーボネートの透光性支持
体である。24は本発明になる表面コート層である。25は
デイスクのセンターホールである。
ート層がない場合である。18はポリカーボネートの透光
性支持体であり、第１図の１と同様に射出成形により、
トラツキング用の溝が形成してある。19,20および21は
第１図の2,3および４と同様な方法により形成したもの
であり、19はSiAlNの第１保護層、20はNdDyFeCoTiの記
録層、21はSiAlNの第２保護層である。22は接着層であ
り、第１図の５と同様に、アクリレートおよびメタクリ
レートを用いた紫外線硬化樹脂である。23は18と同様に
射出成形により形成したポリカーボネートの透光性支持
体である。24は本発明になる表面コート層である。25は
デイスクのセンターホールである。
第４図について説明する。反射光を利用して記金、再生
を行なう場合である。26はポリカーボネートの透光性支
持体であり、第１図の１と同様に射出成形によりトラツ
キング用の溝がある。27,28および29は第１図の2,3およ
び４と同様な方法により成膜したものであり、27はSiAl
Nの第１保護層、28はNdDyFeCoTiの記録層、29はSiAlNの
第２保護層である。30はAlの反射層であり、Alのターゲ
ツトを用いてDCマグネトロンスパツタリング法により成
膜したものである。31は接着層であり、第１図の５と同
様に、アクリレート及びメタクリレートを用いた紫外線
硬化樹脂である。32は26と同様に射出成形により形成し
たポリカーボネートの透光性支持体である。33は本発明
になる表面コート層である。34はデイスクのセンターホ
ールである。
を行なう場合である。26はポリカーボネートの透光性支
持体であり、第１図の１と同様に射出成形によりトラツ
キング用の溝がある。27,28および29は第１図の2,3およ
び４と同様な方法により成膜したものであり、27はSiAl
Nの第１保護層、28はNdDyFeCoTiの記録層、29はSiAlNの
第２保護層である。30はAlの反射層であり、Alのターゲ
ツトを用いてDCマグネトロンスパツタリング法により成
膜したものである。31は接着層であり、第１図の５と同
様に、アクリレート及びメタクリレートを用いた紫外線
硬化樹脂である。32は26と同様に射出成形により形成し
たポリカーボネートの透光性支持体である。33は本発明
になる表面コート層である。34はデイスクのセンターホ
ールである。
第５図について説明する。記録層を保護層で密封した形
である。35はポリカーボネートの透光性支持体であり、
第１図の１と同様に射出成形によりトラツキング用の溝
が形成してある。36,37および38は第１図の2,3および４
と同様な方法により成膜したものであり、36はSiAlNの
第１保護層、37はNdDyFeCoTiの記録層、38はSiAlNの第
２保護層で、37の記録層を36の第１保護層と38の第２保
護層で密封した形になつている。
である。35はポリカーボネートの透光性支持体であり、
第１図の１と同様に射出成形によりトラツキング用の溝
が形成してある。36,37および38は第１図の2,3および４
と同様な方法により成膜したものであり、36はSiAlNの
第１保護層、37はNdDyFeCoTiの記録層、38はSiAlNの第
２保護層で、37の記録層を36の第１保護層と38の第２保
護層で密封した形になつている。
39は接着層であり、第１図の５と同様に、アクリレート
およびメタクリレートを用いた紫外線硬化樹脂である。
40は35と同様に射出成形により形成したポリカーボネー
トの透光性支持体である。41は本発明になる表面コート
層である。42はデイスクのセンターホールである。
およびメタクリレートを用いた紫外線硬化樹脂である。
40は35と同様に射出成形により形成したポリカーボネー
トの透光性支持体である。41は本発明になる表面コート
層である。42はデイスクのセンターホールである。
第６図について説明する。2P法を用いてグループを形成
した場合である。43はエポキシの透光性支持体であり、
注型成形により形成したものである。44は2p層であり、
2p法によりトラツキング用の溝を形成してある。45,46
および47は第１図の2,3および４と同様な方法により形
成したものであり、45はSiAlNの第１保護層、46はNdDyF
eCoTiの記録層、47はSiAlNの第２保護層である。48は接
着層であり、第１図の５と同様にアクリレートおよびメ
タクリレートを用いた紫外線硬化樹脂である。49は43と
同様に注型成形により形成したエポキシの透光性支持体
である。50は本発明になる表面コート層である。51はデ
イスクのセンターホールである。
した場合である。43はエポキシの透光性支持体であり、
注型成形により形成したものである。44は2p層であり、
2p法によりトラツキング用の溝を形成してある。45,46
および47は第１図の2,3および４と同様な方法により形
成したものであり、45はSiAlNの第１保護層、46はNdDyF
eCoTiの記録層、47はSiAlNの第２保護層である。48は接
着層であり、第１図の５と同様にアクリレートおよびメ
タクリレートを用いた紫外線硬化樹脂である。49は43と
同様に注型成形により形成したエポキシの透光性支持体
である。50は本発明になる表面コート層である。51はデ
イスクのセンターホールである。
第７図について説明する。光記録媒体の外周部分がＲに
なつている形である。52はポリカーボネートの透光性支
持体であり、第１図の１と同様に射出成形によりトラツ
キング用の溝が形成してある。53,54および55は第１図
の2,3および４と同様な方法により成膜したものであ
り、53はSiAlNの第１保護層、54はNdDyFeCoTiの記録
層、55はSiAlNの第２保護層である。56は接着層であ
り、第１図の５と同様に、アクリレートおよびメタクリ
レートを用いた紫外線硬化樹脂である。57は52と同様に
射出成形により形成したポリカーボネートの透光性支持
体である。58は本発明になる表面コート層である。59は
デイスクのセンターホールである。
なつている形である。52はポリカーボネートの透光性支
持体であり、第１図の１と同様に射出成形によりトラツ
キング用の溝が形成してある。53,54および55は第１図
の2,3および４と同様な方法により成膜したものであ
り、53はSiAlNの第１保護層、54はNdDyFeCoTiの記録
層、55はSiAlNの第２保護層である。56は接着層であ
り、第１図の５と同様に、アクリレートおよびメタクリ
レートを用いた紫外線硬化樹脂である。57は52と同様に
射出成形により形成したポリカーボネートの透光性支持
体である。58は本発明になる表面コート層である。59は
デイスクのセンターホールである。
第８図について説明する。光の反射を利用して記録、再
生を行なう場合で、光記録媒体の両面から記録、再生ま
たは消去を行なう場合である。60はポリカーボネートの
透光性支持体であり、第１図の１と同様に射出成形によ
りトラツキング用の溝が形成してある。61,62および63
は第１図の2,3および４と同様な方法により成膜したも
のであり、61はSiAlNの第１保護層、62はNdDyFeCoTiの
記録層、63はSiAlNの第２保護層である。64はAlの反射
層であり、第４図の30と同様な方法により成膜したもの
である。65はメタクリレートおよびアクリレートを用い
た嫌気性の接着層である。66は本発明になる表面コート
層である。67はデイスクのセンターホールである。
生を行なう場合で、光記録媒体の両面から記録、再生ま
たは消去を行なう場合である。60はポリカーボネートの
透光性支持体であり、第１図の１と同様に射出成形によ
りトラツキング用の溝が形成してある。61,62および63
は第１図の2,3および４と同様な方法により成膜したも
のであり、61はSiAlNの第１保護層、62はNdDyFeCoTiの
記録層、63はSiAlNの第２保護層である。64はAlの反射
層であり、第４図の30と同様な方法により成膜したもの
である。65はメタクリレートおよびアクリレートを用い
た嫌気性の接着層である。66は本発明になる表面コート
層である。67はデイスクのセンターホールである。
次に、本発明になる表面コート層について説明する。メ
ラミン，ウレタン，アルキド，多官能アクリルから選ば
れた１種または２種以上の混合物に、反応性希釈剤、光
反応開始前、光増感剤、酸化防止剤、安定剤を加え、透
明導電性セラミツクスの0.1〜0.5μ粒径の粉末を５〜10
重量パーセント添加してよく分散させたあと、光記録媒
体の表面に塗布後、紫外線を照射して硬化させる方法、
およびシリコン系塗料の中に透明導電性セラミツクスの
0.1〜0.5μ粒径の粉末を５〜10重量パーセント添加して
よく分散させたあと、プライマー処理をした光記録媒体
の表面に塗布後室温に１時間放置して、90℃で３時間乾
燥させる方法、あるいはゾルゲル法による方法がある
が、本実施例では多官能アクリレートを用いて紫外線硬
化により作製する方法を例にとる。
ラミン，ウレタン，アルキド，多官能アクリルから選ば
れた１種または２種以上の混合物に、反応性希釈剤、光
反応開始前、光増感剤、酸化防止剤、安定剤を加え、透
明導電性セラミツクスの0.1〜0.5μ粒径の粉末を５〜10
重量パーセント添加してよく分散させたあと、光記録媒
体の表面に塗布後、紫外線を照射して硬化させる方法、
およびシリコン系塗料の中に透明導電性セラミツクスの
0.1〜0.5μ粒径の粉末を５〜10重量パーセント添加して
よく分散させたあと、プライマー処理をした光記録媒体
の表面に塗布後室温に１時間放置して、90℃で３時間乾
燥させる方法、あるいはゾルゲル法による方法がある
が、本実施例では多官能アクリレートを用いて紫外線硬
化により作製する方法を例にとる。
多官能アクリレートとして、トリメチルプロハントリア
クリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、
ヘキサンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコ
ールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアク
リレートの混合物に、反応性希釈剤としてテトラヒドロ
フリルアクリレートを添加して、光重合開始剤として、
ベンゾフエノンおよびベンジルジメチルケタールを用
い、光増感剤としてミヒラーズケトンを用いて、透明導
電性セラミツクスとして粒径0.1〜0.5μのZnO粉末を５
重量パーセント添加して作製した光記録媒体（表１の本
発明）、透明導電性セラミツクスを添加しないで表面コ
ートした光記録媒体（表１の従来例）および表面コート
しない光記録媒体の各種試験後のビツトエラーレートを
表１に示す。表１の結果からわかるように本発明になる
表面コート層をほどこした場合は表面を布でふいたり、
ホコリの多い部屋で長時間使用してもビツトエラーレー
トの経時変化がないことがわかる。
クリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、
ヘキサンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコ
ールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアク
リレートの混合物に、反応性希釈剤としてテトラヒドロ
フリルアクリレートを添加して、光重合開始剤として、
ベンゾフエノンおよびベンジルジメチルケタールを用
い、光増感剤としてミヒラーズケトンを用いて、透明導
電性セラミツクスとして粒径0.1〜0.5μのZnO粉末を５
重量パーセント添加して作製した光記録媒体（表１の本
発明）、透明導電性セラミツクスを添加しないで表面コ
ートした光記録媒体（表１の従来例）および表面コート
しない光記録媒体の各種試験後のビツトエラーレートを
表１に示す。表１の結果からわかるように本発明になる
表面コート層をほどこした場合は表面を布でふいたり、
ホコリの多い部屋で長時間使用してもビツトエラーレー
トの経時変化がないことがわかる。
尚、本発明において表面コート層に添加する透明導電性
セラミツクスはZnOを例にとつたが、In2O3，In2O3（S
n）,ZnO（Al）,ZnO（Ga）,ZnO（In），SnO2などの透明
導電性セラミツクスであれば何ら問題ない。また、本発
明において表面コート層の製造方法として、紫外線硬化
法を例にとつているが、加熱硬化、電子線硬化、蒸着な
どの方法を用いてもかまわない。さらに、本発明におけ
る光記録媒体は、SiAlNを第１および第２保護層、NdDyF
eCoTiを記録層、アクリレートおよびメタクリレートを
用いた接着層、ポリカーボネート、ポリメチルメタリレ
ート、およびエポキシを透光性支持体、Al層を反射層と
した場合を例にとつてあるが、これらに限定されるもの
ではなく、本発明の主旨を選脱しない限り種々の変更は
可能である。例えば保護層としえはSiO,SiO2,ZnS,AlN,S
i3N4およびこれらの混合物でもよく、記録層はTbFeCoGd
FeCo,GdCo等の光磁気型の他に、TeOx,InAgなどの相変化
型のものでもかまわないし、透光性支持体としてはプラ
スチツク基板の他に、ガラスを用いてもかまわない。Te
OxやTn−Agのように耐酸化性が比較的強い記録層を用い
る場合や、透光性支持体としてガラスを用いる場合は保
護層はない場合でもよい。
セラミツクスはZnOを例にとつたが、In2O3，In2O3（S
n）,ZnO（Al）,ZnO（Ga）,ZnO（In），SnO2などの透明
導電性セラミツクスであれば何ら問題ない。また、本発
明において表面コート層の製造方法として、紫外線硬化
法を例にとつているが、加熱硬化、電子線硬化、蒸着な
どの方法を用いてもかまわない。さらに、本発明におけ
る光記録媒体は、SiAlNを第１および第２保護層、NdDyF
eCoTiを記録層、アクリレートおよびメタクリレートを
用いた接着層、ポリカーボネート、ポリメチルメタリレ
ート、およびエポキシを透光性支持体、Al層を反射層と
した場合を例にとつてあるが、これらに限定されるもの
ではなく、本発明の主旨を選脱しない限り種々の変更は
可能である。例えば保護層としえはSiO,SiO2,ZnS,AlN,S
i3N4およびこれらの混合物でもよく、記録層はTbFeCoGd
FeCo,GdCo等の光磁気型の他に、TeOx,InAgなどの相変化
型のものでもかまわないし、透光性支持体としてはプラ
スチツク基板の他に、ガラスを用いてもかまわない。Te
OxやTn−Agのように耐酸化性が比較的強い記録層を用い
る場合や、透光性支持体としてガラスを用いる場合は保
護層はない場合でもよい。
〔発明の効果〕 以上のように本発明によれば、光を用いて記録、再生ま
たは消去を行なう光記録媒体において、その光記録媒体
の表面の傷、ゴミやホコリによる信号の耐薬品性を向上
させる目的で、その光記録媒体の表面に被覆するコート
剤の中に、透明で電気伝導度を有するセラミツクスを含
有させて被覆して前記光記録媒体の表面の比抵抗を1010
Ωcm以下にすることにより、光記録媒体の傷、及び静電
気によるゴミやホコリの付着を防ぐとともに、コート剤
自身の特性を失うことがない光記録媒体を提供するとい
う効果を有する。
たは消去を行なう光記録媒体において、その光記録媒体
の表面の傷、ゴミやホコリによる信号の耐薬品性を向上
させる目的で、その光記録媒体の表面に被覆するコート
剤の中に、透明で電気伝導度を有するセラミツクスを含
有させて被覆して前記光記録媒体の表面の比抵抗を1010
Ωcm以下にすることにより、光記録媒体の傷、及び静電
気によるゴミやホコリの付着を防ぐとともに、コート剤
自身の特性を失うことがない光記録媒体を提供するとい
う効果を有する。
第１図から第８図は本発明の光記録媒体の基本構成図で
ある。第１図は本発明の光記録媒体を最も簡潔に示す図
である。第２図は貼り合わせる側の透光性支持体にセラ
ミツクス層を用いた場合、第３図は光記録媒体の側端面
に表面コート層がない場合、第４図は光の反射を利用し
て信号の記録再生を行なう場合、第５図は記録層の側端
面が保護層によつて覆われている場合、第６図は2p法を
用いてトラツキング用の溝を形成した場合、第７図は光
記録媒体の側端面にＲをほどこした場合、第８図は光記
録媒体の両面を用いて記録、再生または消去を行なう場
合をそれぞれ示す。 １……ポリカーボネートの透光性支持体 ２……SiAlNの第１保護層 ３……NdDyFeCoTiの記録層 ４……SiAlNの第２保護層 ５……接着層 ６……ポリカーボネートの透光性支持体 ７……本発明になる表面コート層 ８……デイスクのセンターホール ９……ポリメチルメタクリレートの透光性支持体 10……SiAlNの第１保護層 11……NdDyFeCoTiの記録層 12……SiAlNの第２保護層 13……接着層 14……SiO2層 15……ポリメチルメタクリレートの透光性支持体 16……本発明になる表面コート層 17……デイスクのセンターホール 18……ポリカーボネートの透光性支持体 19……SiAlNの第１保護層 20……NdDyFeCoTiの記録層 21……SiAlNの第２保護層 22……接着層 23……ポリカーボネートの透光性支持体 24……本発明になる表面コート層 25……デイスクのセンターホール 26……ポリカーボネートの透光性支持体 27……SiAlNの第１保護層 28……NdDyFeCoTiの記録層 29……SiAlNの第２保護層 30……Alの反射層 31……接着層 32……ポリカーボネートの透光性支持体 33……本発明になる表面コート層 34……デイスクのセンタホール 35……ポリカーボネートの透光性支持体 36……SiAlNの第１保護層 37……NdDyFeCoTiの記録層 38……SiAlNの第２保護層 39……接着層 40……ポリカーボネートの透光性支持体 41……本発明になる表面コート層 42……デイスクのセンターホール 43……エポキシの透光性支持体 44……2p層 45……SiAlNの第１保護層 46……NdDyFeCoTiの記録層 47……SiAlNの第２保護層 48……接着層 49……エポキシの透光性支持体 50……本発明になる表面コート層 51……デイスクのセンターホール 52……ポリカーボネートの透光性支持体 53……SiAlNの第１保護層 54……NdDyFeCoTiの記録層 55……SiAlNの第２保護層 56……接着層 57……ポリカーボネートの透光性支持体 58……本発明になる表面コート層 59……デイスクのセンターホール 60……ポリカーボネートの透光性支持体 61……SiAlNの第１保護層 62……NdDyFeCoTiの記録層 63……SiAlNの第２保護層 64……Al反射層 65……接着層 66……本発明になる表面コート層 67……デイスクのセンターホール。
ある。第１図は本発明の光記録媒体を最も簡潔に示す図
である。第２図は貼り合わせる側の透光性支持体にセラ
ミツクス層を用いた場合、第３図は光記録媒体の側端面
に表面コート層がない場合、第４図は光の反射を利用し
て信号の記録再生を行なう場合、第５図は記録層の側端
面が保護層によつて覆われている場合、第６図は2p法を
用いてトラツキング用の溝を形成した場合、第７図は光
記録媒体の側端面にＲをほどこした場合、第８図は光記
録媒体の両面を用いて記録、再生または消去を行なう場
合をそれぞれ示す。 １……ポリカーボネートの透光性支持体 ２……SiAlNの第１保護層 ３……NdDyFeCoTiの記録層 ４……SiAlNの第２保護層 ５……接着層 ６……ポリカーボネートの透光性支持体 ７……本発明になる表面コート層 ８……デイスクのセンターホール ９……ポリメチルメタクリレートの透光性支持体 10……SiAlNの第１保護層 11……NdDyFeCoTiの記録層 12……SiAlNの第２保護層 13……接着層 14……SiO2層 15……ポリメチルメタクリレートの透光性支持体 16……本発明になる表面コート層 17……デイスクのセンターホール 18……ポリカーボネートの透光性支持体 19……SiAlNの第１保護層 20……NdDyFeCoTiの記録層 21……SiAlNの第２保護層 22……接着層 23……ポリカーボネートの透光性支持体 24……本発明になる表面コート層 25……デイスクのセンターホール 26……ポリカーボネートの透光性支持体 27……SiAlNの第１保護層 28……NdDyFeCoTiの記録層 29……SiAlNの第２保護層 30……Alの反射層 31……接着層 32……ポリカーボネートの透光性支持体 33……本発明になる表面コート層 34……デイスクのセンタホール 35……ポリカーボネートの透光性支持体 36……SiAlNの第１保護層 37……NdDyFeCoTiの記録層 38……SiAlNの第２保護層 39……接着層 40……ポリカーボネートの透光性支持体 41……本発明になる表面コート層 42……デイスクのセンターホール 43……エポキシの透光性支持体 44……2p層 45……SiAlNの第１保護層 46……NdDyFeCoTiの記録層 47……SiAlNの第２保護層 48……接着層 49……エポキシの透光性支持体 50……本発明になる表面コート層 51……デイスクのセンターホール 52……ポリカーボネートの透光性支持体 53……SiAlNの第１保護層 54……NdDyFeCoTiの記録層 55……SiAlNの第２保護層 56……接着層 57……ポリカーボネートの透光性支持体 58……本発明になる表面コート層 59……デイスクのセンターホール 60……ポリカーボネートの透光性支持体 61……SiAlNの第１保護層 62……NdDyFeCoTiの記録層 63……SiAlNの第２保護層 64……Al反射層 65……接着層 66……本発明になる表面コート層 67……デイスクのセンターホール。
Claims (4)
- 【請求項１】光を用いて記録、再生または消去を行う光
記録媒体において、 前記光記録媒体の表面に被膜するコート剤の中に、透明
で電気伝導性を有するセラミックスを含有させ被覆して
前記光記録媒体の表面の比抵抗を1010Ωcm以下にしたこ
とを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】電気伝導性を有するセラミックスがSnO2，
SnO2（Ｆ），InO3（Sn）,ZnO,ZnO（Al）,ZnO（Ga）,ZnO
（In），TiOx，Cd2SnO4，SnO2（Sb），In2O3（Ｆ），Zr
O2のいずれかとしたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光記録媒体。 - 【請求項３】電気伝導性を有するセラミックスの屈折率
が1.8〜2.3であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光記録媒体。 - 【請求項４】電気伝導性を有するセラミックスの粒径が
0.1〜0.5μｍであることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61214328A JPH07105069B2 (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61214328A JPH07105069B2 (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 光記録媒体 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9358623A Division JP2973990B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6369044A JPS6369044A (ja) | 1988-03-29 |
| JPH07105069B2 true JPH07105069B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=16653930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61214328A Expired - Lifetime JPH07105069B2 (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105069B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2550084B2 (ja) * | 1987-07-24 | 1996-10-30 | 株式会社日立製作所 | 光デイスク |
| JPH0749626Y2 (ja) * | 1988-11-30 | 1995-11-13 | シャープ株式会社 | 光メモリ素子 |
| CA2000597C (en) * | 1988-10-21 | 1995-07-11 | Toshio Ishikawa | Optical recording element |
| JP2789101B2 (ja) * | 1989-01-31 | 1998-08-20 | 京セラ株式会社 | 光ディスク |
| JPH03132935A (ja) * | 1989-10-18 | 1991-06-06 | Hitachi Ltd | 光ディスク |
| JPH03176832A (ja) * | 1989-12-05 | 1991-07-31 | Fujitsu Ltd | 光ディスク |
| JP3086501B2 (ja) * | 1990-07-20 | 2000-09-11 | シャープ株式会社 | 光ディスク |
| US5251202A (en) * | 1991-05-23 | 1993-10-05 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium having multi-layered structures for preventing undesired reflection and electric charging |
| GB2561199B (en) * | 2017-04-04 | 2022-04-20 | Power Roll Ltd | Method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050813A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-20 | 触媒化成工業株式会社 | プラスチック又は塗料配合用透光性導電性粉末素材 |
| JPS60239946A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-28 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
-
1986
- 1986-09-11 JP JP61214328A patent/JPH07105069B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050813A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-20 | 触媒化成工業株式会社 | プラスチック又は塗料配合用透光性導電性粉末素材 |
| JPS60239946A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-28 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6369044A (ja) | 1988-03-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |