JPS61172234A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPS61172234A JPS61172234A JP60011853A JP1185385A JPS61172234A JP S61172234 A JPS61172234 A JP S61172234A JP 60011853 A JP60011853 A JP 60011853A JP 1185385 A JP1185385 A JP 1185385A JP S61172234 A JPS61172234 A JP S61172234A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical recording
- composite film
- metal
- recording layer
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光記録媒体に関する。
近年、大容量メモリの一つとして光ディスクの商品化、
開発が活発である。その中でも書替え可能な光磁気ディ
スクの実用化研究が精力的に行われている。第８回日本
応用磁気学会学術講演概要集（１９８４゜１１）の２２
４ページには光磁気ディスクの最新の例が示されている
。それを第６図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ） 、 （ａ
に示す、１００はポリメチルメタクリレート（以下ＰＭ
ＭＡと略す）基板、１０１け’ｒｂ’ｐ６ｃ（、光磁気
記録層、１ｏ２はｓ ６ ｏ２．１０８はＺｆｉＳであ
る。光磁気記録層は両面もしくは片面から誘電体により
保護された構造になっている。これにより、光磁気記録
層が大気にさらされている場合に比べ光磁気記録層の寿
命は大幅に長くなる。現在の技術レベルで寿命は４〜６
年である。
開発が活発である。その中でも書替え可能な光磁気ディ
スクの実用化研究が精力的に行われている。第８回日本
応用磁気学会学術講演概要集（１９８４゜１１）の２２
４ページには光磁気ディスクの最新の例が示されている
。それを第６図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ） 、 （ａ
に示す、１００はポリメチルメタクリレート（以下ＰＭ
ＭＡと略す）基板、１０１け’ｒｂ’ｐ６ｃ（、光磁気
記録層、１ｏ２はｓ ６ ｏ２．１０８はＺｆｉＳであ
る。光磁気記録層は両面もしくは片面から誘電体により
保護された構造になっている。これにより、光磁気記録
層が大気にさらされている場合に比べ光磁気記録層の寿
命は大幅に長くなる。現在の技術レベルで寿命は４〜６
年である。
しかし前述の従来技術では光磁気記録層の寿命が実用化
には不充分であるという問題点を有する。
には不充分であるという問題点を有する。
実用化のためには１０年以上の寿命が必要である。
第６図の従来例の加速試験（４５℃、９０％）では、次
のような結果であった。
のような結果であった。
（ｃＬ） ：数時間でＣ／Ｎ 、 Ｂ Ｋ Ｒ（ピット
エラーレート）が劣化した。
エラーレート）が劣化した。
（ｂ） ： １００〜２００時間でＣ／Ｎ 、 Ｂ Ｒ
Ｒが劣化した。
Ｒが劣化した。
（ｃ） 、 （ａ ：数１０〜１００時間でクラックが
発生した。
発生した。
Ｃ／Ｎ 、 Ｂ Ｆｉ Ｒの劣化は５ｉｏ２膜による酸
ｆヒ。
ｆヒ。
ピンホールの発生が原因である。ＰＭＭＡ、ポリカーボ
ネート（以下ＰＣと略す）、エポキシ等の樹脂基板とＳ
ｉ Ｏ２、ＺｒＬＳ 、Ｓ ｉ３Ｎ４．Ａ、７Ｎ等のセ
ラミック材は熱膨張係数が異なり、またセラミック材は
柔軟性に欠けるため温度変化が大きいとクラック、ピン
ホールが発生する。同様の理由によりディスクが反って
もクラック、ピンボールが発生する。
ネート（以下ＰＣと略す）、エポキシ等の樹脂基板とＳ
ｉ Ｏ２、ＺｒＬＳ 、Ｓ ｉ３Ｎ４．Ａ、７Ｎ等のセ
ラミック材は熱膨張係数が異なり、またセラミック材は
柔軟性に欠けるため温度変化が大きいとクラック、ピン
ホールが発生する。同様の理由によりディスクが反って
もクラック、ピンボールが発生する。
更に前述の従来技術では両面はり合せ構造を採用できな
い。なぜなら、樹脂基板とセラミック材は密着性が悪く
膜が剥離し易いからである。両面はり合せ構造が採用で
きないときはエアーサンドインチ構造を用いるが、とれ
ではコストアップにならざる全得ない。
い。なぜなら、樹脂基板とセラミック材は密着性が悪く
膜が剥離し易いからである。両面はり合せ構造が採用で
きないときはエアーサンドインチ構造を用いるが、とれ
ではコストアップにならざる全得ない。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、ピンホール、クラックが発生せ
ず、Ｃ／Ｎ、ＢＥＲも劣化しない長寿命で安価な光記録
媒体を提供することであるゆ〔問題点を解決するだめの
手段〕 本発明になる光記録媒体は、光照射により光学特性もし
くは幾何学的形状の変化する光記録層と樹脂基板との間
に有機物−金属複合膜を有することを特徴とする。
の目的とするところは、ピンホール、クラックが発生せ
ず、Ｃ／Ｎ、ＢＥＲも劣化しない長寿命で安価な光記録
媒体を提供することであるゆ〔問題点を解決するだめの
手段〕 本発明になる光記録媒体は、光照射により光学特性もし
くは幾何学的形状の変化する光記録層と樹脂基板との間
に有機物−金属複合膜を有することを特徴とする。
共蒸着、同時スパッタにより有機物−金属複合膜を作成
すると、複合膜の屈折率は５ｉ３Ｎ４．Ａ７Ｎ、Ｚｎ８
等のセラミック材とほとんど同一となる。しかも有機物
としての性質を有しているため樹脂基板との密着性は非
常に良い、また柔軟性を有しているためクラック、ピン
ホールは発生しない、更に酸素を含む有機物においても
、酸素の結合力が強く光記録層への拡散は少ない。
すると、複合膜の屈折率は５ｉ３Ｎ４．Ａ７Ｎ、Ｚｎ８
等のセラミック材とほとんど同一となる。しかも有機物
としての性質を有しているため樹脂基板との密着性は非
常に良い、また柔軟性を有しているためクラック、ピン
ホールは発生しない、更に酸素を含む有機物においても
、酸素の結合力が強く光記録層への拡散は少ない。
〔実施例１〕
第１図に本発明の一具体例を示す、１はＰＣ基板、２は
ＴｂＦｅＣｏ光磁気記録層１１００ｎ。
ＴｂＦｅＣｏ光磁気記録層１１００ｎ。
８は有機物−金属複合膜で、この例ではポリテトラフル
オルエチレン（以下テフロンと略ｔ）−Ａ！複合膜９０
ｎ ｍである。４はＡＡ保護膜１１００ｎである。第
２図はテフロン−へ！複合膜の複素屈折率を示す。横軸
は複合膜中での金属の体積比率、縦軸は複合膜の複素屈
折率の実部ｎｅと虚部ｋｅである。体積比率が０のとき
はテフロンの複素屈折率１゜８７− ｉ、ｏに等しく、
体積比率が１のときは八！の複素屈折率２゜Ｏ−ｊ、７
．１に等しい。体積比率が２５％のところで複素屈折率
は２．０− ｉ。０トナル、 コ（７）値１ｊＨ８７０
，５ｊ３Ｎ４．Ａ、ｇＭ、ＺｎＳ等のセラミック材とほ
とんど同じ値である。
オルエチレン（以下テフロンと略ｔ）−Ａ！複合膜９０
ｎ ｍである。４はＡＡ保護膜１１００ｎである。第
２図はテフロン−へ！複合膜の複素屈折率を示す。横軸
は複合膜中での金属の体積比率、縦軸は複合膜の複素屈
折率の実部ｎｅと虚部ｋｅである。体積比率が０のとき
はテフロンの複素屈折率１゜８７− ｉ、ｏに等しく、
体積比率が１のときは八！の複素屈折率２゜Ｏ−ｊ、７
．１に等しい。体積比率が２５％のところで複素屈折率
は２．０− ｉ。０トナル、 コ（７）値１ｊＨ８７０
，５ｊ３Ｎ４．Ａ、ｇＭ、ＺｎＳ等のセラミック材とほ
とんど同じ値である。
この屈折率は基板の屈折率１．５９よりも大きく、磁気
光学回転角をエンハンスメントすることができる。３は
２５％Ａｎの複合膜である。このテフロン−Ａ、ｐ複合
膜はＩ’Ｃ基板との密着性が大変良く、加速試験をして
もクラック、ピンホールは全く発生しなかった。第８．
４図は本具体例になる光磁気ディスクの加速試験結果で
ある。第８図はＣ／Ｎ変化量、第４図はＢＥＲの結果で
ある。 Ｃ，Ｘ 。
光学回転角をエンハンスメントすることができる。３は
２５％Ａｎの複合膜である。このテフロン−Ａ、ｐ複合
膜はＩ’Ｃ基板との密着性が大変良く、加速試験をして
もクラック、ピンホールは全く発生しなかった。第８．
４図は本具体例になる光磁気ディスクの加速試験結果で
ある。第８図はＣ／Ｎ変化量、第４図はＢＥＲの結果で
ある。 Ｃ，Ｘ 。
ＢＥＲの劣化はほとんど無く、寿命はｌ（１年以上であ
る。
る。
〔実施例２〕
第５図は本発明の他の具体例である。５はｐｃ基板、６
は２５％ＡＡのテフロン−Ａｋ複合膜７０ｎｍ、７はτ
ｂ’Ｆｅ光磁気記録＠１５ ｎ ｍ 、 ８は５％Ａ７
のテア ロア −Ａ Ａ複合膜３０ｎｍ、９はＡ１反射
膜４０ ｎ ｍである。この構造では大きなエンハンス
メント効果が得られる一方、クラック、ピンホールの発
生もな（、Ｃ／Ｎ、ＢＥｉＲの劣化もない。
は２５％ＡＡのテフロン−Ａｋ複合膜７０ｎｍ、７はτ
ｂ’Ｆｅ光磁気記録＠１５ ｎ ｍ 、 ８は５％Ａ７
のテア ロア −Ａ Ａ複合膜３０ｎｍ、９はＡ１反射
膜４０ ｎ ｍである。この構造では大きなエンハンス
メント効果が得られる一方、クラック、ピンホールの発
生もな（、Ｃ／Ｎ、ＢＥｉＲの劣化もない。
本発明の第１の効果は、樹脂基板を用いてもクラック、
ピンホールの発生が無（、Ｃ／１（、ＢＢＲの劣化も無
い寿命１０年以上の光ディスクが可能となることである
。
ピンホールの発生が無（、Ｃ／１（、ＢＢＲの劣化も無
い寿命１０年以上の光ディスクが可能となることである
。
第２の効果は両面はり合せ構造を採用できることから、
光ディスクが安価に製造できることである。
光ディスクが安価に製造できることである。
第８の効果は第１．第２の効果から派生するものである
、即ち、樹脂基板が使えることから製造コストを大幅に
低減できることである。ＳＺ○２、ｓｚ○、ＡＡＮ 、
Ｓ ｚ３Ｎ４．ｚｎＳ等のセラミック材を用いるときに
はガラス基板を使用せざるを得ないが、ガラス基板のコ
ストは樹脂基板の数倍だからである。
、即ち、樹脂基板が使えることから製造コストを大幅に
低減できることである。ＳＺ○２、ｓｚ○、ＡＡＮ 、
Ｓ ｚ３Ｎ４．ｚｎＳ等のセラミック材を用いるときに
はガラス基板を使用せざるを得ないが、ガラス基板のコ
ストは樹脂基板の数倍だからである。
本発明は前述の実施例に限定されることなく。
幾多の変更を加え得ることは勿論である。実施例では光
磁気記録媒体について述べたが、穴明は記録媒体、バブ
ル形成記録媒体、相変態記録媒体に対しても適用できる
。有機物−金属複合膜はガラスとの密着性も良く、技術
的にはガラス基板上に成膜することは何ら問題ない、複
合膜の有機物としては、テフロンの他にＰＣ、ＰＭＭＡ
、エポキシ等も可能である。金属としては、Ａ７の他
に２ｎ、８ｂ、工ｒｇ Ａｕ ａ Ａ（１＋ Ｓｅｅ
Ｃ” Ｄ Ｍ１７等が可能である。
磁気記録媒体について述べたが、穴明は記録媒体、バブ
ル形成記録媒体、相変態記録媒体に対しても適用できる
。有機物−金属複合膜はガラスとの密着性も良く、技術
的にはガラス基板上に成膜することは何ら問題ない、複
合膜の有機物としては、テフロンの他にＰＣ、ＰＭＭＡ
、エポキシ等も可能である。金属としては、Ａ７の他
に２ｎ、８ｂ、工ｒｇ Ａｕ ａ Ａ（１＋ Ｓｅｅ
Ｃ” Ｄ Ｍ１７等が可能である。
いずれの金属でも５０％以下で屈折率２゜０以上を得る
ことができる。また有機物を複数、金属を複数としても
よい。
ことができる。また有機物を複数、金属を複数としても
よい。
以上述べた如く、本発明により長寿命で安価な光記録媒
体が可能となり、光記録媒体の普及に大きく貢献するも
のである。
体が可能となり、光記録媒体の普及に大きく貢献するも
のである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一具体例を示す断面図。
第２図は複合膜中の金属の体積比率に対する複合膜の複
素屈折率を示す図。 第８図は≠の加速試験結果を示す図。 第４図はＥｌ！！Ｒの加速試験結果を示す図。 第５図は本発明の他の具体例を示す断面図。 第６図（α） 、 （ｂ） 、 （ｃ） 、 （力は従
来の光磁気ディスクの構造を示す断面図。 １、、、Ｆｃ基板 ２・・＠Ｔｊｂ’ＥｇＣＱ光磁気記録層８・−・２５
％ｌ＃のテフロン−Ａ）複合膜４・・・Ａ７保膜膜 ５・・・ＰＣ基板 ６・・・２６％八！へテフロン−Ａｋ複合膜７・・・Ｔ
ｂＦ、光磁気記録層 ８・・・２５％ＡＡのテフロン−Ａ！複合１［９・・φ
Ａ！反射膜 １００・・ＰＭＭＡ基板 １０１ 佛ｅ Ｔ ｂ Ｆ ｅ Ｃｏ光磁気記録層１０
２・・Ｓゼ０２ １０８・・ｚｎＳ 以 上
素屈折率を示す図。 第８図は≠の加速試験結果を示す図。 第４図はＥｌ！！Ｒの加速試験結果を示す図。 第５図は本発明の他の具体例を示す断面図。 第６図（α） 、 （ｂ） 、 （ｃ） 、 （力は従
来の光磁気ディスクの構造を示す断面図。 １、、、Ｆｃ基板 ２・・＠Ｔｊｂ’ＥｇＣＱ光磁気記録層８・−・２５
％ｌ＃のテフロン−Ａ）複合膜４・・・Ａ７保膜膜 ５・・・ＰＣ基板 ６・・・２６％八！へテフロン−Ａｋ複合膜７・・・Ｔ
ｂＦ、光磁気記録層 ８・・・２５％ＡＡのテフロン−Ａ！複合１［９・・φ
Ａ！反射膜 １００・・ＰＭＭＡ基板 １０１ 佛ｅ Ｔ ｂ Ｆ ｅ Ｃｏ光磁気記録層１０
２・・Ｓゼ０２ １０８・・ｚｎＳ 以 上
Claims (4)
- （１）光照射により光学特性もしくは幾何学的形状の変
化する光記録層と樹脂基板との間に有機物−金属複合膜
を有することを特徴とする光記録媒体。 - （２）前記樹脂基板がポリカーボネート、ポリメチルメ
タクリレート、エポキシのうちいずれか１つであること
と、前記有機物がポリテトラフルオルエチレン、ポリカ
ーボネート、ポリメチルメタクリレート、エポキシの１
種以上を含むことと、前記金属がＡｌ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｉ
ｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｅ、Ｃｕ、Ｍｇの１種以上を含むこ
とと、前記有機物−金属複合膜中での金属の体積比率が
５０％以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光記録媒体。 - （３）前記光記録層が光磁気記録層であることと、前記
樹脂基板がポリカーボネート、ポリメチルメタクリレー
ト、エポキシのうちいずれか１つであることと、前記有
機物がポリテトラフルオルエチレン、ポリカーボネート
、ポリメチルメタクリレート、エポキシの１種以上を含
むことと、前記金属がＡｌ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｉｒ、Ａｕ、
Ａｇ、Ｓｅ、Ｃｕ、Ｍｇの１種以上を含むことと、前記
有機物−金属複合膜中での金属の体積比率が５０％以下
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
記録媒体。 - （４）前記有機物−金属複合膜中での金属の体積比率が
５０％以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60011853A JPS61172234A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60011853A JPS61172234A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61172234A true JPS61172234A (ja) | 1986-08-02 |
Family
ID=11789280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60011853A Pending JPS61172234A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61172234A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0337445A2 (en) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Hitachi, Ltd. | Laminar structure comprising organic material and inorganic material, methods for producing it and its use |
-
1985
- 1985-01-25 JP JP60011853A patent/JPS61172234A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0337445A2 (en) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Hitachi, Ltd. | Laminar structure comprising organic material and inorganic material, methods for producing it and its use |
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