JP2918628B2 - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
- Publication number
- JP2918628B2 JP2918628B2 JP2146306A JP14630690A JP2918628B2 JP 2918628 B2 JP2918628 B2 JP 2918628B2 JP 2146306 A JP2146306 A JP 2146306A JP 14630690 A JP14630690 A JP 14630690A JP 2918628 B2 JP2918628 B2 JP 2918628B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon oxide
- film
- oxide film
- optical disk
- substrate
- Prior art date
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光学的に情報の記録、再生あるいは消去を行
なうのに好適な光ディスクに関する。
なうのに好適な光ディスクに関する。
［従来の技術］ 光ディスクは、大量の情報を高密度に蓄積し、かつ高
速にアクセスできるメモリーとして注目されている。
速にアクセスできるメモリーとして注目されている。
このような光ディスクは、例えばポリカーボネート
（PC）、ポリメチルメタアクリレート（PMMA）、エポキ
シなどのプラスチック基板上に窒化けい素などからなる
干渉膜、希土類元素−遷移金属合金からなる情報記録層
として光磁気記録膜が成膜され、さらにその上に紫外線
硬化樹脂などからなる保護膜が塗布された構造を有す
る。
（PC）、ポリメチルメタアクリレート（PMMA）、エポキ
シなどのプラスチック基板上に窒化けい素などからなる
干渉膜、希土類元素−遷移金属合金からなる情報記録層
として光磁気記録膜が成膜され、さらにその上に紫外線
硬化樹脂などからなる保護膜が塗布された構造を有す
る。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上述した光ディスクに好適に用いられ
るPC,PMMAなどのプラスチック基板には若干の吸湿性が
あるため、基板が吸湿時に膨張して反り等の変形を招
き、その結果基板上の光磁気記録膜が剥離し、または該
記録膜のクラック等が発生する不都合があった。
るPC,PMMAなどのプラスチック基板には若干の吸湿性が
あるため、基板が吸湿時に膨張して反り等の変形を招
き、その結果基板上の光磁気記録膜が剥離し、または該
記録膜のクラック等が発生する不都合があった。
本発明は湿度条件などの環境の変化に対して反り変化
量が少なく耐久性が高い光ディスクを提供することを目
的とする。
量が少なく耐久性が高い光ディスクを提供することを目
的とする。
［課題を解決するための手段］ このような目的を達成するために、本発明は、プラス
チック基板の一面に情報記録層が形成した光ディスクに
おいて、基板の情報記録層と反対面および該情報記録層
全側面に連続して、SiOx（ｘはSi単原子に対する酸素原
子の膜中の存在平均原子数であり、その範囲は０＜ｘ≦
0.4である）で表わされる酸化シリコン膜をSi単原子層
の厚さ以上100Å以下の膜厚で形成されたことを特徴と
するものである。
チック基板の一面に情報記録層が形成した光ディスクに
おいて、基板の情報記録層と反対面および該情報記録層
全側面に連続して、SiOx（ｘはSi単原子に対する酸素原
子の膜中の存在平均原子数であり、その範囲は０＜ｘ≦
0.4である）で表わされる酸化シリコン膜をSi単原子層
の厚さ以上100Å以下の膜厚で形成されたことを特徴と
するものである。
［作用］ 本発明においては、防湿層としての酸化シリコン膜は
プラスチック基板の両面のうち、情報記録層を形成して
いない面の全面に形成されている。従って、この酸化シ
リコン膜によりプラスチック基板への湿気の侵入を防ぐ
ことができるので、プラスチック基板自体の変形を抑制
でき、情報記録層の剥離等を防止して光ディスクの耐久
性を高めることができる。
プラスチック基板の両面のうち、情報記録層を形成して
いない面の全面に形成されている。従って、この酸化シ
リコン膜によりプラスチック基板への湿気の侵入を防ぐ
ことができるので、プラスチック基板自体の変形を抑制
でき、情報記録層の剥離等を防止して光ディスクの耐久
性を高めることができる。
また、情報記録層の端部にまで酸化シリコン膜を形成
した光ディスクは、一層高い耐久性を有するものとな
る。
した光ディスクは、一層高い耐久性を有するものとな
る。
［実施例］ 以下に実施例によって本発明を詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。第１
図に示すように、溝幅0.6μm,溝深さ700Å，溝ピッチ1.
6μｍのスパイラル溝が形成された直径130mm,厚さ1.2mm
のポリカーボネート（以下、PCと略す）基板１の一方の
面にSiOy，SiNyなどからなる厚さ0.07μｍの干渉膜（無
機保護膜）2,TbFeCoからなる厚さ0.08μｍの光磁気記録
膜3,SiOyからなる無機保護膜４を順次スパッタ法により
形成し、該無機保護膜４の上にアクリル系紫外線硬化型
樹脂からなる有機保護膜５をスピンコート法により形成
し、さらにPC基板１の他方の面および各膜２ないし５の
端部に連続して防湿層としてのSiOxからなる酸化シリコ
ン膜６をスパッタ法により形成して片面光ディスクを作
製した。
図に示すように、溝幅0.6μm,溝深さ700Å，溝ピッチ1.
6μｍのスパイラル溝が形成された直径130mm,厚さ1.2mm
のポリカーボネート（以下、PCと略す）基板１の一方の
面にSiOy，SiNyなどからなる厚さ0.07μｍの干渉膜（無
機保護膜）2,TbFeCoからなる厚さ0.08μｍの光磁気記録
膜3,SiOyからなる無機保護膜４を順次スパッタ法により
形成し、該無機保護膜４の上にアクリル系紫外線硬化型
樹脂からなる有機保護膜５をスピンコート法により形成
し、さらにPC基板１の他方の面および各膜２ないし５の
端部に連続して防湿層としてのSiOxからなる酸化シリコ
ン膜６をスパッタ法により形成して片面光ディスクを作
製した。
酸化シリコン膜６のスパッタ法による成膜には、ター
ゲットとして純度99.999％以上の単結晶シリコンを用
い、導入ガスとして純度99.999％のアルゴンガスおよび
酸素ガスを用いた。また、スパッタ室内の動作圧を5mTo
rrに設定して酸化シリコン膜６の成膜を行なった。さら
に、アルゴンガスおよび酸素ガスのスパッタ室への各導
入量、すなわち両ガスの分圧を制御することによってSi
Oxのｘ値を任意に設定した。また、酸化シリコン膜の組
成の分析にはパーキンエルマー社製ESCA5100型を用い、
アルゴンガスを使用して膜表面のエッチングを行い、Si
とＯの原子比を測定した。
ゲットとして純度99.999％以上の単結晶シリコンを用
い、導入ガスとして純度99.999％のアルゴンガスおよび
酸素ガスを用いた。また、スパッタ室内の動作圧を5mTo
rrに設定して酸化シリコン膜６の成膜を行なった。さら
に、アルゴンガスおよび酸素ガスのスパッタ室への各導
入量、すなわち両ガスの分圧を制御することによってSi
Oxのｘ値を任意に設定した。また、酸化シリコン膜の組
成の分析にはパーキンエルマー社製ESCA5100型を用い、
アルゴンガスを使用して膜表面のエッチングを行い、Si
とＯの原子比を測定した。
ここで、酸化シリコン膜６におけるSiOxのｘ値および
膜厚ｄ［Å］を表１に示す条件に設定した。
膜厚ｄ［Å］を表１に示す条件に設定した。
酸化シリコン膜SiOxの成膜後に、PC基板１表面を目視
観察したところ、実施例１ないし９および比較例１ない
し６では無色透明であったが、比較例７ないし16では着
色を確認した。これは、ｘ＞0.40の比較例７ないし16で
は光学的外乱の発生により防湿層として酸化シリコン層
を施していない場合の光ディスクの性能を劣化させたこ
とを意味する。
観察したところ、実施例１ないし９および比較例１ない
し６では無色透明であったが、比較例７ないし16では着
色を確認した。これは、ｘ＞0.40の比較例７ないし16で
は光学的外乱の発生により防湿層として酸化シリコン層
を施していない場合の光ディスクの性能を劣化させたこ
とを意味する。
次に、表１に示した実施例１ないし９および比較例１
ないし16の光ディスクに対して恒温恒湿下（80℃、85％
RH）で2000時間の耐久試験を行なった。その結果、実施
例１ないし９では試験の前後で全く変化がなかったが、
比較例１ないし16では、酸化シリコン膜の割れや剥離が
生じた。
ないし16の光ディスクに対して恒温恒湿下（80℃、85％
RH）で2000時間の耐久試験を行なった。その結果、実施
例１ないし９では試験の前後で全く変化がなかったが、
比較例１ないし16では、酸化シリコン膜の割れや剥離が
生じた。
すなわち、ｘ＞0.40またはｄ＞100Åの比較例１ない
し16では、基板１と酸化シリコン膜６との密着性が悪
い、酸化シリコン膜６自体が固くてもろい、膜の内部応
力が大きいなどの欠点を有することが確認された。
し16では、基板１と酸化シリコン膜６との密着性が悪
い、酸化シリコン膜６自体が固くてもろい、膜の内部応
力が大きいなどの欠点を有することが確認された。
従って、上述した酸化シリコン膜６を光ディスクの防
湿層として形成するための最適成膜条件は０＜ｘ≦0.4
かつSi単原子層厚さ≦ｄ≦100Åである。
湿層として形成するための最適成膜条件は０＜ｘ≦0.4
かつSi単原子層厚さ≦ｄ≦100Åである。
前述した方法でPC基板表面および側面に酸化シリコン
膜SiOx（ｘ＝0.4,厚さ100Å）を施した実施例９の光デ
ィスク（第１図）と実施例９から酸化シリコン膜を除去
した比較例とに対して温湿度ジャンプ試験を行った。
膜SiOx（ｘ＝0.4,厚さ100Å）を施した実施例９の光デ
ィスク（第１図）と実施例９から酸化シリコン膜を除去
した比較例とに対して温湿度ジャンプ試験を行った。
この温湿度ジャンプ試験はまず光ディスクを35℃、80
％RH雰囲気中に50時間放置し、その後、50℃、50％RH雰
囲気に移したときの傾き角［mrad］の経時変化を測定す
るものである。傾き角の測定はISO規格DIS−10089に準
拠した評価装置により行なった。
％RH雰囲気中に50時間放置し、その後、50℃、50％RH雰
囲気に移したときの傾き角［mrad］の経時変化を測定す
るものである。傾き角の測定はISO規格DIS−10089に準
拠した評価装置により行なった。
測定結果を第２図に示す。
第２図より、比較例では環境の変化に伴い、初期の傾
き角1.8mradからの変化量が約5mradと非常に大きく、一
方、実施例９では初期の傾き角2.0mradからの傾き角の
変化量が約1mradと小さいことがよくわかる。
き角1.8mradからの変化量が約5mradと非常に大きく、一
方、実施例９では初期の傾き角2.0mradからの傾き角の
変化量が約1mradと小さいことがよくわかる。
これは、比較例ではPC基板側の吸湿脱湿による応力
によりディスクが可逆的に大きく変化してしまうが、実
施例９ではPC基板表面に酸化シリコン膜の防湿層を設け
たことにより、上述した傾き角の変化を抑制できたため
であると考えられる。
によりディスクが可逆的に大きく変化してしまうが、実
施例９ではPC基板表面に酸化シリコン膜の防湿層を設け
たことにより、上述した傾き角の変化を抑制できたため
であると考えられる。
なお、上述した実施例では、プラスチック基板として
ポリカーボネート（PC）を用いたが、ポリメチルメタア
クリレート（PMMA）、エポキシなどの透明樹脂も好適に
使用でき、これらの樹脂を用いた場合でも上述した防湿
層としての酸化シリコン膜の組成および膜厚の条件を適
用することにより環境変化に耐え得る光ディスクを得る
ことができる。また、プラスチック基板の一面に誘電体
層，情報記録層，無機保護層，有機保護層を順次形成し
たディスク基板の２枚を、情報記録層を内側にして貼り
合わせ、このディスク基板の外表面全体に酸化シリコン
膜の防湿層を設けて両面光ディスクとしても良い。
ポリカーボネート（PC）を用いたが、ポリメチルメタア
クリレート（PMMA）、エポキシなどの透明樹脂も好適に
使用でき、これらの樹脂を用いた場合でも上述した防湿
層としての酸化シリコン膜の組成および膜厚の条件を適
用することにより環境変化に耐え得る光ディスクを得る
ことができる。また、プラスチック基板の一面に誘電体
層，情報記録層，無機保護層，有機保護層を順次形成し
たディスク基板の２枚を、情報記録層を内側にして貼り
合わせ、このディスク基板の外表面全体に酸化シリコン
膜の防湿層を設けて両面光ディスクとしても良い。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によればプラスチック基
板の情報記録層と反対面に酸化シリコン膜の防湿層を設
けたので、湿気等による基板の変形等を確実に防止で
き、環境変化に伴う反り変化の少ない長寿命，高信頼性
の光ディスクを提供することができる。
板の情報記録層と反対面に酸化シリコン膜の防湿層を設
けたので、湿気等による基板の変形等を確実に防止で
き、環境変化に伴う反り変化の少ない長寿命，高信頼性
の光ディスクを提供することができる。
第１図は、本発明の一実施例を示す概略断面図、 第２図は、本発明の一実施例に対して温湿度ジャンプ試
験を行なったときの傾き角［mrad］の経時変化を示すグ
ラフである。 １…プラスチック基板、２…干渉膜、３…光磁気記録
膜、４…無機保護膜、５…有機保護膜、６…酸化シリコ
ン膜（防湿層）。
験を行なったときの傾き角［mrad］の経時変化を示すグ
ラフである。 １…プラスチック基板、２…干渉膜、３…光磁気記録
膜、４…無機保護膜、５…有機保護膜、６…酸化シリコ
ン膜（防湿層）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10 521 G11B 7/24 534 G11B 7/24 535
Claims (1)
- 【請求項１】プラスチック基板の一面に情報記録層が形
成された光ディスクにおいて、前記基板の情報記録層と
反対面および該情報記録層全側面に連続して、SiOx（ｘ
はSi単原子に対する酸素原子の膜中の存在平均原子数で
あり、その範囲は０＜ｘ≦0.4である）で表わされる酸
化シリコン膜がSi単原子層の厚さ以上100Å以下の膜厚
で形成されたことを特徴とする光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2146306A JP2918628B2 (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2146306A JP2918628B2 (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 光ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0440644A JPH0440644A (ja) | 1992-02-12 |
| JP2918628B2 true JP2918628B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=15404693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2146306A Expired - Fee Related JP2918628B2 (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2918628B2 (ja) |
-
1990
- 1990-06-06 JP JP2146306A patent/JP2918628B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0440644A (ja) | 1992-02-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |