JP2789101B2 - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
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- JP2789101B2 JP2789101B2 JP1022821A JP2282189A JP2789101B2 JP 2789101 B2 JP2789101 B2 JP 2789101B2 JP 1022821 A JP1022821 A JP 1022821A JP 2282189 A JP2282189 A JP 2282189A JP 2789101 B2 JP2789101 B2 JP 2789101B2
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- main surface
- transparent conductive
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- substrate
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は情報の記録、再生または消去できる光ディス
クに関する。
クに関する。
光ディスクはガラス又はプラスチックから成る基板の
上に半金属の酸化物や希土類金属−遷移金属の非晶質合
金から成る垂直磁化膜などの無機系記録膜が形成されて
おり、一般的にプラスチック基板が量産性及びコスト面
により採用されている。
上に半金属の酸化物や希土類金属−遷移金属の非晶質合
金から成る垂直磁化膜などの無機系記録膜が形成されて
おり、一般的にプラスチック基板が量産性及びコスト面
により採用されている。
しかしながら、プラスチック基板は誘電分極率が大き
いためにゴミや塵が付着しやすいという問題点があり、
また、表面硬度が小さく、そのためにディスク表面を拭
き取り、クリーニングを行った場合には傷が生じやすい
という問題点もあった。
いためにゴミや塵が付着しやすいという問題点があり、
また、表面硬度が小さく、そのためにディスク表面を拭
き取り、クリーニングを行った場合には傷が生じやすい
という問題点もあった。
かかる問題点は光ディスクに高精度かつ高信頼性の記
録特性が要求されることに起因する。また、この光ディ
スクをコードデータに用いる場合、可搬性を有した小型
大容量記録媒体という点で十分に満足し得るような管理
が要求される。
録特性が要求されることに起因する。また、この光ディ
スクをコードデータに用いる場合、可搬性を有した小型
大容量記録媒体という点で十分に満足し得るような管理
が要求される。
ところで、光ディスクには可搬性という利点がある
が、この利点に加えてフロッピーディスクと同様に取扱
いや管理が容易であることが要求される。
が、この利点に加えてフロッピーディスクと同様に取扱
いや管理が容易であることが要求される。
このような要求に応じ得るためには基板のレーザー光
入射面にゴミや塵、汚れなどが付着せず、しかも、傷が
生じないことが重要であり、これによって記録情報の再
生誤り率を低下できる。
入射面にゴミや塵、汚れなどが付着せず、しかも、傷が
生じないことが重要であり、これによって記録情報の再
生誤り率を低下できる。
しかしながら、プラスチック基板を用いた場合、水分
やガスがプラスチック基板に侵入するとともにプラスチ
ック基板から放出されるという現象が生じることが認め
られ、そのため、放出しようとする水分などが無機系記
録膜とプラスチック基板の界面に残留し、その結果、無
機系記録膜の一部が数十μｍ〜数百μｍの大きさでおわ
ん状に浮き上がるという問題点があった（以下、本発明
においては上記現象の膜のフクレと呼ぶ）。
やガスがプラスチック基板に侵入するとともにプラスチ
ック基板から放出されるという現象が生じることが認め
られ、そのため、放出しようとする水分などが無機系記
録膜とプラスチック基板の界面に残留し、その結果、無
機系記録膜の一部が数十μｍ〜数百μｍの大きさでおわ
ん状に浮き上がるという問題点があった（以下、本発明
においては上記現象の膜のフクレと呼ぶ）。
したがって、本発明は叙上に鑑みて案出されたもので
あり、その目的はプラスチック基板にゴミや塵などが付
着せず、しかも、傷が生じなくなり、これによって高精
度かつ高信頼性の光ディスクを提供することにある。
あり、その目的はプラスチック基板にゴミや塵などが付
着せず、しかも、傷が生じなくなり、これによって高精
度かつ高信頼性の光ディスクを提供することにある。
また、本発明の他の目的は膜のフクレが生じなくなっ
た高品質な光ディスクを提供することにある。
た高品質な光ディスクを提供することにある。
本発明の光ディスクはプラスチック基板の一方の第１
主面上に金属磁性体から成る無機質系記録膜を形成し、
他方の第２主面上に厚みが10〜100Åである無機質系透
明導電膜を薄膜形成し、更に前記無機質系記録膜の上に
導電性樹脂層を形成してなり、前記無機質系記録膜及び
／又は前記導電性樹脂層と、前記無機質系透明導電膜と
を、前記プラスチック基板の第１主面−第２主面間にあ
けた貫通孔を通じて形成した導電路又は前記プラスチッ
ク基板の端面に形成した導電路でもって電気的に接続し
たことを特徴とする。
主面上に金属磁性体から成る無機質系記録膜を形成し、
他方の第２主面上に厚みが10〜100Åである無機質系透
明導電膜を薄膜形成し、更に前記無機質系記録膜の上に
導電性樹脂層を形成してなり、前記無機質系記録膜及び
／又は前記導電性樹脂層と、前記無機質系透明導電膜と
を、前記プラスチック基板の第１主面−第２主面間にあ
けた貫通孔を通じて形成した導電路又は前記プラスチッ
ク基板の端面に形成した導電路でもって電気的に接続し
たことを特徴とする。
また、本発明の光ディスクはプラスチック基板の一方
の第１主面上に金属磁性体から成る無機質系記録膜を形
成し、他方の第２主面上に厚みが0.1〜５μｍである有
機質系透明導電膜を塗布形成し、更に前記無機質系記録
膜の上に導電性樹脂層を形成してなり、前記無機質系記
録膜及び／又は前記導電性樹脂層と、前記有機質系透明
導電膜とを、前記プラスチック基板の第１主面−第２主
面間にあけた貫通孔を通じて形成した導電路又は前記プ
ラスチック基板の端面に形成した導電路でもって電気的
に接続したことを特徴とする。
の第１主面上に金属磁性体から成る無機質系記録膜を形
成し、他方の第２主面上に厚みが0.1〜５μｍである有
機質系透明導電膜を塗布形成し、更に前記無機質系記録
膜の上に導電性樹脂層を形成してなり、前記無機質系記
録膜及び／又は前記導電性樹脂層と、前記有機質系透明
導電膜とを、前記プラスチック基板の第１主面−第２主
面間にあけた貫通孔を通じて形成した導電路又は前記プ
ラスチック基板の端面に形成した導電路でもって電気的
に接続したことを特徴とする。
以下、本発明を光磁気ディスクを例にとって詳細に説
明する。
明する。
第１図と第２図は本発明に係わる光磁気ディスクの構
成を示す。
成を示す。
第１図によれば、１はプラスチック基板（以下、基板
と略す）であり、1aは該基板１に形成されたガイドトラ
ック及びプレピットであり、この基板１の一方の主面上
には誘電体膜２、金属磁性体膜３及び無機質保護膜４が
順次形成され、更にこれらの積層が被覆されるように有
機質保護膜５が形成される。
と略す）であり、1aは該基板１に形成されたガイドトラ
ック及びプレピットであり、この基板１の一方の主面上
には誘電体膜２、金属磁性体膜３及び無機質保護膜４が
順次形成され、更にこれらの積層が被覆されるように有
機質保護膜５が形成される。
また、上記基板１の他方の主面上には透明導電膜６が
形成され、一般的にレーザー光は透明導電膜６を介して
照射される。
形成され、一般的にレーザー光は透明導電膜６を介して
照射される。
本発明によれば、上記透明導電膜６を形成することに
より静電気の除去が可能となり、ゴミや塵などが付着せ
ず、しかも、基板１に傷が生じなくなり、更に加えて誘
電体膜２などの膜のフクレ現象が生じなくなる。
より静電気の除去が可能となり、ゴミや塵などが付着せ
ず、しかも、基板１に傷が生じなくなり、更に加えて誘
電体膜２などの膜のフクレ現象が生じなくなる。
このような透明導電膜６は蒸着法やスパッタリング法
などの薄膜形成手段又は塗布法により形成でき、その材
料として酸化インジウム、酸化スズ、酸化インジウムス
ズ（所謂ITOと呼ばれる）、酸化カドミウムスズ、酸化
カドミウムなどの透明導電性酸化物が選ばれる。この透
明導電酸化物は透明導電性を有するだけでなく、高い表
面硬度特性を有している点で、しかも、基板１との密着
力にも優れている点で選ばれる。
などの薄膜形成手段又は塗布法により形成でき、その材
料として酸化インジウム、酸化スズ、酸化インジウムス
ズ（所謂ITOと呼ばれる）、酸化カドミウムスズ、酸化
カドミウムなどの透明導電性酸化物が選ばれる。この透
明導電酸化物は透明導電性を有するだけでなく、高い表
面硬度特性を有している点で、しかも、基板１との密着
力にも優れている点で選ばれる。
本発明者等は種々の実験を繰り返し行ったところ、入
射レーザー光に対する透明導電膜６の透過率が80％以上
となるように材料の選択並びに厚みを決めるとよいこと
を確認した。そのために上記透明導電膜６の屈折率を1.
4〜2.0、好適には1.5〜1.8の範囲内に設定するとよく、
この範囲内であれば、基板材料と同程度の屈折率とな
り、そのために厚みの光学的制約が無視できるという点
で有利である。
射レーザー光に対する透明導電膜６の透過率が80％以上
となるように材料の選択並びに厚みを決めるとよいこと
を確認した。そのために上記透明導電膜６の屈折率を1.
4〜2.0、好適には1.5〜1.8の範囲内に設定するとよく、
この範囲内であれば、基板材料と同程度の屈折率とな
り、そのために厚みの光学的制約が無視できるという点
で有利である。
酸化物系の透明導電膜６を薄膜形成手段により形成す
る場合、その厚みを10〜100Å、好適には20〜50Åの範
囲内に設定するのがよく、この範囲内であれば、優れた
透明導電性を有するとともに基板内部に侵入した水分や
ガスが放出される当たり、その通過性にも優れ、光磁気
ディスク自体の耐候性を高めるという点で有利である。
る場合、その厚みを10〜100Å、好適には20〜50Åの範
囲内に設定するのがよく、この範囲内であれば、優れた
透明導電性を有するとともに基板内部に侵入した水分や
ガスが放出される当たり、その通過性にも優れ、光磁気
ディスク自体の耐候性を高めるという点で有利である。
また本発明者等の実験によれば、上記薄膜系の透明導
電膜６の導電性が比抵抗値で１×10-1Ωcm以下、好適に
は１×10-3Ωcm以下に設定するのが本発明の目的を達成
するために望ましいことを確認した。
電膜６の導電性が比抵抗値で１×10-1Ωcm以下、好適に
は１×10-3Ωcm以下に設定するのが本発明の目的を達成
するために望ましいことを確認した。
前記透明導電性酸化物から成る透明導電膜６を塗布に
より形成する場合、その通名導電性酸化物が粉状又は鱗
片状（寸法0.05×１×２μｍ〜0.5×10×20μｍ位）に
なったものを紫外線硬化型樹脂に加え、十分に均一混合
し、塗布形成する。
より形成する場合、その通名導電性酸化物が粉状又は鱗
片状（寸法0.05×１×２μｍ〜0.5×10×20μｍ位）に
なったものを紫外線硬化型樹脂に加え、十分に均一混合
し、塗布形成する。
このような塗布系の透明導電膜６の場合、その透明導
電性酸化物の固形成分は全体当たり４〜40重量％の範囲
に設定するとよく、この範囲内であれば、高透過率及び
高導電性という点で望ましい。また、この塗布形成に当
たって、基板に影響を及ぼさない溶媒を用いるのがよ
く、この溶媒として例えばセロソルブ、エステル、アル
コールなどがある。
電性酸化物の固形成分は全体当たり４〜40重量％の範囲
に設定するとよく、この範囲内であれば、高透過率及び
高導電性という点で望ましい。また、この塗布形成に当
たって、基板に影響を及ぼさない溶媒を用いるのがよ
く、この溶媒として例えばセロソルブ、エステル、アル
コールなどがある。
この塗布系の透明導電膜６の厚みは0.1〜５μｍ、好
適には0.3〜３μｍの範囲内がよく、この範囲内であれ
ば、導電性、密着性、作業性及び耐傷性という点で、更
に基板内部に侵入した水分やガスを放出するに当たり、
その通過性に優れ、光磁気ディスク自体の耐候性を高め
るという点でよい。
適には0.3〜３μｍの範囲内がよく、この範囲内であれ
ば、導電性、密着性、作業性及び耐傷性という点で、更
に基板内部に侵入した水分やガスを放出するに当たり、
その通過性に優れ、光磁気ディスク自体の耐候性を高め
るという点でよい。
また、この塗布系の透明導電膜６は、一般的に薄膜系
のものに比べて比抵抗値が大きく、１×10-1〜3.5×10
12Ωcmの値を示すが、このような比抵抗を示しても帯電
防止という本発明の目的が達成できることを本発明者等
は確認した。
のものに比べて比抵抗値が大きく、１×10-1〜3.5×10
12Ωcmの値を示すが、このような比抵抗を示しても帯電
防止という本発明の目的が達成できることを本発明者等
は確認した。
かかる透明導電膜６は前記のような薄膜又は塗布系の
透明導電性酸化物に限定されるものではなく、透過率が
80％以上であり、しかも、基板内部に侵入した水分やガ
スが通過できるような材料であれば、その他各種材料を
選択することができる。例えばAu,Ag,Ti,Crなどの金属
膜を約10〜50Åの範囲内の厚みで形成してもよい。
透明導電性酸化物に限定されるものではなく、透過率が
80％以上であり、しかも、基板内部に侵入した水分やガ
スが通過できるような材料であれば、その他各種材料を
選択することができる。例えばAu,Ag,Ti,Crなどの金属
膜を約10〜50Åの範囲内の厚みで形成してもよい。
また、前記基板１はポリカーボネート系、エポキシ
系、アクリル系の樹脂により形成される。
系、アクリル系の樹脂により形成される。
前記誘電体膜２はエンハンスメント効果を高める働き
があり、Si,Al,Tiの窒化物、Siの炭化物、Cd,Znの硫化
物、Mgのフッ化物、Al,Ce,Zr,Si,Cd,Biの酸化物などに
より形成される。
があり、Si,Al,Tiの窒化物、Siの炭化物、Cd,Znの硫化
物、Mgのフッ化物、Al,Ce,Zr,Si,Cd,Biの酸化物などに
より形成される。
金属磁性体膜３は非晶質垂直磁化膜であって、例えば
GdDyFe,GdTbFe,TbFeCo,DyFeCo,NdGdDyFe,GdTbDyFe,GdTb
FeCo,TbDyFeCo,GdDyFeCo,NdDyFeCoなどがある。
GdDyFe,GdTbFe,TbFeCo,DyFeCo,NdGdDyFe,GdTbDyFe,GdTb
FeCo,TbDyFeCo,GdDyFeCo,NdDyFeCoなどがある。
前記無機質保護膜４はTi,Cr,Zr,Ta,Alなどの耐食性金
属もしくはこれらの化合物又は上記誘電体膜２に用いら
れた同一材料によっても形成される。
属もしくはこれらの化合物又は上記誘電体膜２に用いら
れた同一材料によっても形成される。
以上の誘電体膜2,金属磁性体膜3,無機質保護膜４は公
知の薄膜形成手段、例えばスパッタリング法により形成
すればよい。
知の薄膜形成手段、例えばスパッタリング法により形成
すればよい。
前記有機質保護膜５はエポキシ系、ポリエステル系、
アクリル系、アクリルウレタン系などの樹脂から成り、
これには一般的に作業性という点から紫外線硬化型樹脂
が用いられる。
アクリル系、アクリルウレタン系などの樹脂から成り、
これには一般的に作業性という点から紫外線硬化型樹脂
が用いられる。
かくして本発明の光磁気ディスクによれば、第１図の
構成により集束レーザー光の入射面、すなわち透明導電
膜６の面上にはゴミが塵が付着せず、しかも、透明導電
膜６自体に傷ができず、これにより、入射光や反射光が
部分的光量の変化をきたすこともなく、高い信頼性の記
録及び再生が可能となった。しかも、透明導電膜６は高
いガス通過性を有し、そのため誘電体膜２の膜のフクレ
現象が生じなくなる。
構成により集束レーザー光の入射面、すなわち透明導電
膜６の面上にはゴミが塵が付着せず、しかも、透明導電
膜６自体に傷ができず、これにより、入射光や反射光が
部分的光量の変化をきたすこともなく、高い信頼性の記
録及び再生が可能となった。しかも、透明導電膜６は高
いガス通過性を有し、そのため誘電体膜２の膜のフクレ
現象が生じなくなる。
本発明の光ディスクは第１図のような構成以外に、そ
の構成の光ディスクを２個用意し、そして、接着用樹脂
層を介して貼り合わせ、二層の磁性体膜から成る光ディ
スクとしてもよい。
の構成の光ディスクを２個用意し、そして、接着用樹脂
層を介して貼り合わせ、二層の磁性体膜から成る光ディ
スクとしてもよい。
また、前記有機質保護膜５を前述した塗布系の透明導
電膜６と同じ材料により形成してもよい。この有機質保
護膜５を形成した場合、有機質保護膜５と空気との摩擦
により生じる静電気量を減らすことができる。また、光
磁気ディスクにおいては浮上型磁気ヘッドを用いて、そ
の浮上型磁気ヘッドの接触に伴って発生する静電気量を
減らすことができる。
電膜６と同じ材料により形成してもよい。この有機質保
護膜５を形成した場合、有機質保護膜５と空気との摩擦
により生じる静電気量を減らすことができる。また、光
磁気ディスクにおいては浮上型磁気ヘッドを用いて、そ
の浮上型磁気ヘッドの接触に伴って発生する静電気量を
減らすことができる。
本発明等は上記のような有機質保護膜５を形成した場
合、本発明の要旨である透明導電膜６を形成しない光デ
ィスクであっても上記のような静電気量低減効果が得ら
れると考える。
合、本発明の要旨である透明導電膜６を形成しない光デ
ィスクであっても上記のような静電気量低減効果が得ら
れると考える。
そして、第１図及び第２図に示すように無機質系記録
膜あるいは有機質保護膜５が導電性を有し、しかも、第
１図においては基板１の第１主面−第２主面間に貫通孔
７あけ、その貫通孔７に自然硬化型導電ペーストを注入
し、他方の第２図においては基板１の端面に蒸着法やス
パッタリング法または塗布法により導電路８を形成して
おり、これにより、無機質系記録膜や有機質保護膜５と
透明導電膜６が電気的に導通となり、同電位となり、そ
の結果、基板両面に亘って静電気が発生しなくなる。
膜あるいは有機質保護膜５が導電性を有し、しかも、第
１図においては基板１の第１主面−第２主面間に貫通孔
７あけ、その貫通孔７に自然硬化型導電ペーストを注入
し、他方の第２図においては基板１の端面に蒸着法やス
パッタリング法または塗布法により導電路８を形成して
おり、これにより、無機質系記録膜や有機質保護膜５と
透明導電膜６が電気的に導通となり、同電位となり、そ
の結果、基板両面に亘って静電気が発生しなくなる。
本発明等は上記導電路８を基板両面に亘る内周又は外
周の端面及び端部に形成した場合、静電気防止効果が高
められる点で望ましいと考える。
周の端面及び端部に形成した場合、静電気防止効果が高
められる点で望ましいと考える。
また、本発明等は上記のような有機質保護膜５以外の
絶縁性の有機保護膜５を用いた場合でも、その下地層が
導電性金属膜であり、しかも、その有機質保護膜５の厚
みが数μｍであれば、有機質保護膜５の表面が導電性を
具備すると考える。
絶縁性の有機保護膜５を用いた場合でも、その下地層が
導電性金属膜であり、しかも、その有機質保護膜５の厚
みが数μｍであれば、有機質保護膜５の表面が導電性を
具備すると考える。
次に本発明の実施例を述べる。
（例１） ポリカーボネート樹脂製ディスク基板（φ5.25イン
チ）を高周波三源マグネトロンスパッタリング装置に配
置し、また、この装置にSi3N4セラミック焼結体を備え
た。そして、５×10-7Torrに至るまで十分に真空排気
し、次いでArガスを33sccmの流量で導入し、基板１に10
0Wの電力を印加し、ボンバード処理を行った。然る後、
Ar圧を2.5×10-3Torrに設定し、印加電力1kWで５分間プ
レスパッタし、厚み750Åの窒化シリコン膜をスパッタ
リング形成した。次いで、Feターゲットの上にGdチップ
とDyチップを配置し、スパッタリング法によって上記窒
化シリコン膜の上に厚み600ÅのGdDyFe磁性体膜を形成
し、続けて同装置内で酸化チタン保護膜を1000Åの厚み
で形成した。そして、アクリル系紫外線硬化型樹脂を上
記酸化チタン保護膜の上に５μｍの厚みでスピンコート
し、紫外線照射し、硬化せしめた。
チ）を高周波三源マグネトロンスパッタリング装置に配
置し、また、この装置にSi3N4セラミック焼結体を備え
た。そして、５×10-7Torrに至るまで十分に真空排気
し、次いでArガスを33sccmの流量で導入し、基板１に10
0Wの電力を印加し、ボンバード処理を行った。然る後、
Ar圧を2.5×10-3Torrに設定し、印加電力1kWで５分間プ
レスパッタし、厚み750Åの窒化シリコン膜をスパッタ
リング形成した。次いで、Feターゲットの上にGdチップ
とDyチップを配置し、スパッタリング法によって上記窒
化シリコン膜の上に厚み600ÅのGdDyFe磁性体膜を形成
し、続けて同装置内で酸化チタン保護膜を1000Åの厚み
で形成した。そして、アクリル系紫外線硬化型樹脂を上
記酸化チタン保護膜の上に５μｍの厚みでスピンコート
し、紫外線照射し、硬化せしめた。
かくして得られた光磁気ディスクについて、他方の被
成膜上に次のように成膜形成し、第１図に示す構成の各
種光磁気ディスク（Ａ〜Ｄ）を作製した。
成膜上に次のように成膜形成し、第１図に示す構成の各
種光磁気ディスク（Ａ〜Ｄ）を作製した。
ディスクＡ In2O3とSnO2のモル比が9:1であるターゲットを用いて
スパッタリング法によりITO膜（厚み50Å）を形成し
た。このITO膜の抵抗は１×10-3Ωcmであった。
スパッタリング法によりITO膜（厚み50Å）を形成し
た。このITO膜の抵抗は１×10-3Ωcmであった。
ディスクＢ 導電性フィラー（酸化スズ）を25重量％以下の比率で
紫外線硬化型樹脂（触媒化成工業（株）製の電子電導膜
を採用した）をスピンナー塗布し、厚みが0.5〜1.5μｍ
の導電性樹脂膜を形成した。この導電性樹脂膜の比抵抗
は1.5×104Ωcmであった。
紫外線硬化型樹脂（触媒化成工業（株）製の電子電導膜
を採用した）をスピンナー塗布し、厚みが0.5〜1.5μｍ
の導電性樹脂膜を形成した。この導電性樹脂膜の比抵抗
は1.5×104Ωcmであった。
ディスクＣ SiO2をターゲットとし、スパッタリング法により厚み
500ÅのSiO2絶縁体膜を形成した。
500ÅのSiO2絶縁体膜を形成した。
ディスクＤ 何等成膜形成しないものである。
上記４種類の光磁気ディスクを10分間回転させ（2400
rpm）、次いで各光磁気ディスクの両主面のそれぞれの
帯電量を測定した。この測定範囲は光磁気ディスクのφ
30mmの範囲内である。
rpm）、次いで各光磁気ディスクの両主面のそれぞれの
帯電量を測定した。この測定範囲は光磁気ディスクのφ
30mmの範囲内である。
次いで各光磁気ディスクの主面をアースに接続し、両
面の帯電量を測定した。
面の帯電量を測定した。
このようなアース接続前後の帯電量は第１表に示す通
りである。なお、表１中の主面の欄で表す「第１」は磁
性体層形成面であり、「第２」は他方の主面をさす。
りである。なお、表１中の主面の欄で表す「第１」は磁
性体層形成面であり、「第２」は他方の主面をさす。
第１表に示す結果より明らかな通り、本発明の光磁気
ディスク（A,B）はアースにより両面とも除電される
が、比較例の光磁気ディスク（C,D）はアースによって
も第２の主面が除電されないことが判る。
ディスク（A,B）はアースにより両面とも除電される
が、比較例の光磁気ディスク（C,D）はアースによって
も第２の主面が除電されないことが判る。
（例２） 次に（例１）の光磁気ディスク（A,B）について、そ
のITO膜や導電性樹脂膜の厚みを幾通りにも変えた種々
の光磁気ディスクを作製し、これらの光磁気ディスクに
対して高温高湿下（80℃、85％HR）で耐久放置試験（50
0時間放置）を行った。その試験終了後、更に48時間室
温下に放置し、膜のフクレ現象を目視した。その結果は
第２表に示す通りである。
のITO膜や導電性樹脂膜の厚みを幾通りにも変えた種々
の光磁気ディスクを作製し、これらの光磁気ディスクに
対して高温高湿下（80℃、85％HR）で耐久放置試験（50
0時間放置）を行った。その試験終了後、更に48時間室
温下に放置し、膜のフクレ現象を目視した。その結果は
第２表に示す通りである。
第２表に示す結果より明らかな通り、本発明の光磁気
ディスク（A,E,B）は耐久試験後に何等異常が認められ
なかったが、光磁気ディスク（F,G）によれば高温高湿
下で基板の端面から吸湿され、常温常湿下に戻った場
合、第１主面及び第２主面のそれぞれと膜との間に水分
が放出し、これに伴って膜の密着力低下をきたし、膜の
フクレ現象が生じ、その結果、再生を行った場合、信号
エラーの発生原因となる。
ディスク（A,E,B）は耐久試験後に何等異常が認められ
なかったが、光磁気ディスク（F,G）によれば高温高湿
下で基板の端面から吸湿され、常温常湿下に戻った場
合、第１主面及び第２主面のそれぞれと膜との間に水分
が放出し、これに伴って膜の密着力低下をきたし、膜の
フクレ現象が生じ、その結果、再生を行った場合、信号
エラーの発生原因となる。
また、光磁気ディスクＨにおいては、樹脂膜の厚みが
大きくなったために収縮に伴う引張り応力が大きくなり
すぎて樹脂膜の剥がれが発生した。
大きくなったために収縮に伴う引張り応力が大きくなり
すぎて樹脂膜の剥がれが発生した。
以上の通り、本発明の光ディスクによれば、無機質系
もしくは有機質系透明導電膜を一方の板面に形成し、こ
れにより、プラスチック基板にゴミや塵などが付着せ
ず、しかも、傷が生じなくなった高品質・高精度かつ高
信頼性の光ディスクを提供することができた。
もしくは有機質系透明導電膜を一方の板面に形成し、こ
れにより、プラスチック基板にゴミや塵などが付着せ
ず、しかも、傷が生じなくなった高品質・高精度かつ高
信頼性の光ディスクを提供することができた。
第１図と第２図は本発明の光ディスクの構成を示す部分
断面図である。 １……プラスチック基板 ２……誘電体膜 ３……金属磁性体膜 ４……無機質保護膜 ６……透明導電膜 ７……貫通孔 ８……導電路
断面図である。 １……プラスチック基板 ２……誘電体膜 ３……金属磁性体膜 ４……無機質保護膜 ６……透明導電膜 ７……貫通孔 ８……導電路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−239946（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−69044（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−158643（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−160030（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/24 G11B 11/10
Claims (2)
- 【請求項１】プラスチック基板の一方の第１主面上に金
属磁性体から成る無機質系記録膜を形成し、他方の第２
主面上に厚みが10〜100Åである無機質系透明導電膜を
薄膜形成し、更に前記無機質系記録膜の上に導電性樹脂
層を形成してなり、前記無機質系記録膜及び／又は前記
導電性樹脂層と、前記無機質系透明導電膜とを、前記プ
ラスチック基板の第１主面−第２主面間にあけた貫通孔
を通じて形成した導電路又は前記プラスチック基板の端
面に形成した導電路でもって電気的に接続したことを特
徴とする光ディスク。 - 【請求項２】プラスチック基板の一方の第１主面上に金
属磁性体から成る無機質系記録膜を形成し、他方の第２
主面上に厚みが0.1〜５μｍである有機質系透明導電膜
を塗布形成し、更に前記無機質系記録膜の上に導電性樹
脂層を形成してなり、前記無機質系記録膜及び／又は前
記導電性樹脂層と、前記有機質系透明導電膜とを、前記
プラスチック基板の第１主面−第２主面間にあけた貫通
孔を通じて形成した導電路又は前記プラスチック基板の
端面に形成した導電路でもって電気的に接続したことを
特徴とする光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1022821A JP2789101B2 (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1022821A JP2789101B2 (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 光ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02203436A JPH02203436A (ja) | 1990-08-13 |
| JP2789101B2 true JP2789101B2 (ja) | 1998-08-20 |
Family
ID=12093356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1022821A Expired - Fee Related JP2789101B2 (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2789101B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5293373A (en) * | 1990-08-29 | 1994-03-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical disk and method of manufacturing the same |
| KR100712774B1 (ko) * | 2001-06-11 | 2007-05-02 | 엘지전자 주식회사 | 고밀도 광디스크 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60239946A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-28 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH07105069B2 (ja) * | 1986-09-11 | 1995-11-13 | セイコーエプソン株式会社 | 光記録媒体 |
| JPH01158643A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP1022821A patent/JP2789101B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02203436A (ja) | 1990-08-13 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |