JPH05225629A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH05225629A JPH05225629A JP5981392A JP5981392A JPH05225629A JP H05225629 A JPH05225629 A JP H05225629A JP 5981392 A JP5981392 A JP 5981392A JP 5981392 A JP5981392 A JP 5981392A JP H05225629 A JPH05225629 A JP H05225629A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、基板及び大気からの酸素や水等に
よる劣化を防止し、寿命の向上した光磁気記録媒体の提
供を目的とする。 【構成】 基板と、該基板上を被覆する保護層と、該保
護層上に形成される光磁気記録層を具備して構成される
光磁気記録媒体において、前記保護層が複数の層で構成
され、かつ基板上に直接形成される第１の保護層がＺｒ
Ｏ2であることを特徴とする光磁気記録媒体。
よる劣化を防止し、寿命の向上した光磁気記録媒体の提
供を目的とする。 【構成】 基板と、該基板上を被覆する保護層と、該保
護層上に形成される光磁気記録層を具備して構成される
光磁気記録媒体において、前記保護層が複数の層で構成
され、かつ基板上に直接形成される第１の保護層がＺｒ
Ｏ2であることを特徴とする光磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、レーザ光を用いて情報の記録、
再生、消去を行う光磁気ディスク等の光磁気記録媒体に
関するものであり、特に寿命の向上を目的とした技術に
関する。
再生、消去を行う光磁気ディスク等の光磁気記録媒体に
関するものであり、特に寿命の向上を目的とした技術に
関する。
【０００２】
【従来技術】光磁気ディスクはレーザ光を用いて情報の
記録、再生及び消去を行うため、従来からの光ディスク
と同様に記憶容量が大きく、しかも記録層に磁性体を用
いているため書き換えが可能である。又非接触で記録、
再生が出来、塵埃の影響も受けないことから信頼性にも
優れている。したがって、現在研究開発が活発に行われ
ており、又数年前に商品化されて以来、光ファイルシス
テム等への展開が急速に進んでいる。この光磁気記録媒
体の基板としては、ガラスが破損し易くかつ高価である
ことや、プリグルーブの形成が容易でないことから、射
出成形によって得られるポリカーボネート（ＰＣ）、ア
モルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）等のプラスチック
基板が一般に用いられている。また、光磁気記録層（以
下、記録層と略す）の材料としては、例えばＴｂＦｅＣ
ｏ，ＮｄＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の希土類−
遷移金属（以下、ＲＥ−ＴＭと略す）非晶質合金が、粒
界ノイズが無く、スパッタリングを用いることによって
容易に垂直磁化膜が得られることから現在最も多く用い
られている。しかしこのＲＥ−ＴＭ非晶質合金の特に希
土類（以下、ＲＥと略す）成分は酸化腐食を受け易く、
経時と共に膜の保磁力や垂直磁気異方性等の磁気特性が
劣化するという大きな欠点がある。この酸化腐食は記録
層の形成時に真空槽内に残存する酸素、プラスチック基
板の表面に吸着した酸素・水、ターゲット材中に含有し
ている酸素、大気中の酸素・水等によるものであるが、
特に大きな影響を及ぼすのは基板及び大気からの酸素や
水の侵入である。そこで酸素や水の侵入を防止する手段
としてＳｉＮ膜やＳｉＢＮ膜等の誘電体膜で記録層を両
面から被覆する方法が採用されている（特開平１−３０
７９４１）。一方、高温高湿、或いは急激な温度変化等
の苛酷な環境条件に対しては、プラスチック基板を用い
た光磁気記録媒体は、基板と各層との線膨張係数の違い
によって局部的に膜にクラックや剥離が生じ、これを核
として膜全体に腐食が進行し、寿命が低下するといった
問題点が存在する。この問題に対して、例えばプラスチ
ック基板の成膜面に逆スパッタリングを施し、基板表面
を改変させることによって基板と各層間の密着性向上を
図り、クラックや剥離の発生を防止するといった手段が
提案されている。しかしながら、逆スパッタリングは弱
すぎると効果が無く、又強く行うと基板温度が上昇して
基板の機械特性（反り、面振れ）が悪化したり、再生信
号のノイズレベルが高くなってしまうといった不具合が
生じる。
記録、再生及び消去を行うため、従来からの光ディスク
と同様に記憶容量が大きく、しかも記録層に磁性体を用
いているため書き換えが可能である。又非接触で記録、
再生が出来、塵埃の影響も受けないことから信頼性にも
優れている。したがって、現在研究開発が活発に行われ
ており、又数年前に商品化されて以来、光ファイルシス
テム等への展開が急速に進んでいる。この光磁気記録媒
体の基板としては、ガラスが破損し易くかつ高価である
ことや、プリグルーブの形成が容易でないことから、射
出成形によって得られるポリカーボネート（ＰＣ）、ア
モルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）等のプラスチック
基板が一般に用いられている。また、光磁気記録層（以
下、記録層と略す）の材料としては、例えばＴｂＦｅＣ
ｏ，ＮｄＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の希土類−
遷移金属（以下、ＲＥ−ＴＭと略す）非晶質合金が、粒
界ノイズが無く、スパッタリングを用いることによって
容易に垂直磁化膜が得られることから現在最も多く用い
られている。しかしこのＲＥ−ＴＭ非晶質合金の特に希
土類（以下、ＲＥと略す）成分は酸化腐食を受け易く、
経時と共に膜の保磁力や垂直磁気異方性等の磁気特性が
劣化するという大きな欠点がある。この酸化腐食は記録
層の形成時に真空槽内に残存する酸素、プラスチック基
板の表面に吸着した酸素・水、ターゲット材中に含有し
ている酸素、大気中の酸素・水等によるものであるが、
特に大きな影響を及ぼすのは基板及び大気からの酸素や
水の侵入である。そこで酸素や水の侵入を防止する手段
としてＳｉＮ膜やＳｉＢＮ膜等の誘電体膜で記録層を両
面から被覆する方法が採用されている（特開平１−３０
７９４１）。一方、高温高湿、或いは急激な温度変化等
の苛酷な環境条件に対しては、プラスチック基板を用い
た光磁気記録媒体は、基板と各層との線膨張係数の違い
によって局部的に膜にクラックや剥離が生じ、これを核
として膜全体に腐食が進行し、寿命が低下するといった
問題点が存在する。この問題に対して、例えばプラスチ
ック基板の成膜面に逆スパッタリングを施し、基板表面
を改変させることによって基板と各層間の密着性向上を
図り、クラックや剥離の発生を防止するといった手段が
提案されている。しかしながら、逆スパッタリングは弱
すぎると効果が無く、又強く行うと基板温度が上昇して
基板の機械特性（反り、面振れ）が悪化したり、再生信
号のノイズレベルが高くなってしまうといった不具合が
生じる。
【０００３】
【目的】本発明の目的は、プラスチック基板と各層との
密着性を向上させることによって苛酷な環境条件下にお
いてもクラックや剥離のない高寿命、高信頼性の光磁気
記録媒体を提供することにある。
密着性を向上させることによって苛酷な環境条件下にお
いてもクラックや剥離のない高寿命、高信頼性の光磁気
記録媒体を提供することにある。
【０００４】
【構成】本発明は、上記目的を達成するため、基板と、
該基板上を被覆する保護層と、該保護層上に形成される
光磁気記録層を具備して構成される光磁気記録媒体にお
いて、前記保護層が複数の層で構成され、かつ基板上に
直接設けられる第１の保護層がＺｒＯ2であることを特
徴とする光磁気記録媒体が提供される。次に本発明の光
磁気記録媒体の構成について、具体的に説明する。
該基板上を被覆する保護層と、該保護層上に形成される
光磁気記録層を具備して構成される光磁気記録媒体にお
いて、前記保護層が複数の層で構成され、かつ基板上に
直接設けられる第１の保護層がＺｒＯ2であることを特
徴とする光磁気記録媒体が提供される。次に本発明の光
磁気記録媒体の構成について、具体的に説明する。
【０００５】（基板）本発明の光磁気記録媒体に用いる
プラスチック基板としては、ポリカーボネート（Ｐ
Ｃ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アモル
ファスポリオレフィン（ＡＰＯ）等の樹脂から成るプリ
グルーブ付成形基板等が挙げられる。これらの基板はデ
ィスク形状をしており、厚みは０．６〜１．２ｍｍ程度
である。
プラスチック基板としては、ポリカーボネート（Ｐ
Ｃ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アモル
ファスポリオレフィン（ＡＰＯ）等の樹脂から成るプリ
グルーブ付成形基板等が挙げられる。これらの基板はデ
ィスク形状をしており、厚みは０．６〜１．２ｍｍ程度
である。
【０００６】（保護層）保護層としては、屈折率の高い
（通常１．８以上）誘電体膜を用い、この層における再
生光の多重反射を利用して、みかけの力−回転角（θ
ｋ）を増大させ、それによってＣ（キャリア）レベルを
上げ、又反射率を小さくすることでＮ（ノイズ）レベル
を下げて、トータルでＣ／Ｎを向上させることを目的と
している。又、ＲＥ−ＴＭ非晶質合金のように酸化等に
よる腐食を起こしやすい材料を記録層に用いた場合、こ
の保護層は記録層の腐食を防止する役割りも兼ね備えて
いなければならない。それには基板からの水や酸素の侵
入を防ぎ、それ自身の耐食性が高く、かつ記録層との反
応性が小さいことが必要である。具体的な材料としては
ＳｉＯ，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5等の金属酸化
物、Ｓｉ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｇｅ等との金属窒化物、ＺｎＳ
等の金属硫化物が挙げられるが、特にＳｉ，Ｂ，Ｏ，Ｎ
のうち、少なくともＳｉとＮを含む化合物（ＳｉＮ，Ｓ
ｉＯＮ，ＳｉＢＮ，ＳｉＢＯＮ）が適している。本発明
においては、この保護膜は少なくとも２層から構成され
ており、基板側の第１の保護層２にはＺｒＯ2を用いて
いる。ＺｒＯ2膜はプラスチック基板との密着力が他の
材料に比べて強く、膜にクラックや剥離が生じることが
ない。記録層側に設ける保護層は、前記のように、基板
からの水や酸素の侵入を防ぎ、それ自身の耐食性が高
く、かつ記録層との反応性が小さいことが必要であり、
前記のような金属酸化物、金属窒化物あるいは金属硫化
物等の材料で構成される。また、基板側に設ける第１の
保護層は、５０〜２００Å、記録層側に設ける保護層
は、６００〜１１００Åの厚さが適当である。さらに、
保護層は記録層上にも設けるのが好ましい。この場合
に、該保護層は、光磁気記録媒体が片面仕様の場合は空
気中、またはそれが両面仕様の場合は接着剤からの、水
分や酸素又はハロゲン元素のように記録層に有害な物質
の侵入を防止し、記録層を保護する目的で設けられるか
ら、前記の記録層側に設ける保護層と同様にそれ自身の
耐食性が高く、記録層との反応性が小さいことが必要で
あり、それと同様の材料が使用できる。この保護層の膜
厚は、Ｃ／Ｎや記録感度にも大きな影響を及ぼすが、通
常０〜６００Å程度が好ましい。
（通常１．８以上）誘電体膜を用い、この層における再
生光の多重反射を利用して、みかけの力−回転角（θ
ｋ）を増大させ、それによってＣ（キャリア）レベルを
上げ、又反射率を小さくすることでＮ（ノイズ）レベル
を下げて、トータルでＣ／Ｎを向上させることを目的と
している。又、ＲＥ−ＴＭ非晶質合金のように酸化等に
よる腐食を起こしやすい材料を記録層に用いた場合、こ
の保護層は記録層の腐食を防止する役割りも兼ね備えて
いなければならない。それには基板からの水や酸素の侵
入を防ぎ、それ自身の耐食性が高く、かつ記録層との反
応性が小さいことが必要である。具体的な材料としては
ＳｉＯ，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5等の金属酸化
物、Ｓｉ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｇｅ等との金属窒化物、ＺｎＳ
等の金属硫化物が挙げられるが、特にＳｉ，Ｂ，Ｏ，Ｎ
のうち、少なくともＳｉとＮを含む化合物（ＳｉＮ，Ｓ
ｉＯＮ，ＳｉＢＮ，ＳｉＢＯＮ）が適している。本発明
においては、この保護膜は少なくとも２層から構成され
ており、基板側の第１の保護層２にはＺｒＯ2を用いて
いる。ＺｒＯ2膜はプラスチック基板との密着力が他の
材料に比べて強く、膜にクラックや剥離が生じることが
ない。記録層側に設ける保護層は、前記のように、基板
からの水や酸素の侵入を防ぎ、それ自身の耐食性が高
く、かつ記録層との反応性が小さいことが必要であり、
前記のような金属酸化物、金属窒化物あるいは金属硫化
物等の材料で構成される。また、基板側に設ける第１の
保護層は、５０〜２００Å、記録層側に設ける保護層
は、６００〜１１００Åの厚さが適当である。さらに、
保護層は記録層上にも設けるのが好ましい。この場合
に、該保護層は、光磁気記録媒体が片面仕様の場合は空
気中、またはそれが両面仕様の場合は接着剤からの、水
分や酸素又はハロゲン元素のように記録層に有害な物質
の侵入を防止し、記録層を保護する目的で設けられるか
ら、前記の記録層側に設ける保護層と同様にそれ自身の
耐食性が高く、記録層との反応性が小さいことが必要で
あり、それと同様の材料が使用できる。この保護層の膜
厚は、Ｃ／Ｎや記録感度にも大きな影響を及ぼすが、通
常０〜６００Å程度が好ましい。
【０００７】（記録層）記録層４には、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄ
ｙ，Ｎｄ等のＲＥを少なくとも１種以上と、Ｆｅ，Ｃｏ
等のＴＭの少なくとも１種以上とを組合せたＲＥ−ＴＭ
が使用される。具体的には、ＴｂＦｅＣｏ，ＮｄＤｙＦ
ｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の希土類と遷移金属の非晶
質合金薄膜、ＢａＦｅ12Ｏ19，ＣｏＦｅ2Ｏ4，（Ｂｉ，
Ｙ）3Ｆｅ5Ｏ12等の酸化物薄膜、ＭｎＢｉ，ＣｏＰｔ等
の多結晶合金薄膜が挙げられ、これらはいずれも膜面に
垂直な方向に磁化容易軸を有している。該記録層の厚み
は、合金被膜の場合、好ましくは２００〜１０００Å、
酸化物被膜の場合、多くは記録再生光に対して透光性が
大きいので特に厚みに制約はないが、１０００〜５００
０Åが好ましい。さらにその層構成は、単層膜に限らず
多層膜でもよい。
ｙ，Ｎｄ等のＲＥを少なくとも１種以上と、Ｆｅ，Ｃｏ
等のＴＭの少なくとも１種以上とを組合せたＲＥ−ＴＭ
が使用される。具体的には、ＴｂＦｅＣｏ，ＮｄＤｙＦ
ｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の希土類と遷移金属の非晶
質合金薄膜、ＢａＦｅ12Ｏ19，ＣｏＦｅ2Ｏ4，（Ｂｉ，
Ｙ）3Ｆｅ5Ｏ12等の酸化物薄膜、ＭｎＢｉ，ＣｏＰｔ等
の多結晶合金薄膜が挙げられ、これらはいずれも膜面に
垂直な方向に磁化容易軸を有している。該記録層の厚み
は、合金被膜の場合、好ましくは２００〜１０００Å、
酸化物被膜の場合、多くは記録再生光に対して透光性が
大きいので特に厚みに制約はないが、１０００〜５００
０Åが好ましい。さらにその層構成は、単層膜に限らず
多層膜でもよい。
【０００８】（反射層）記録層上に、直接もしくはその
上に設けた保護層を介して反射層を設けてもよい。媒体
の高Ｃ／Ｎ、高感度化のためにこの反射層はレーザ光に
対して反射率が高く、熱伝導率は小さい方が良い。又、
当然ながら耐食性も必要である。具体的な材料として
は、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｔａ，Ｐｔ
の１種以上を含むＡｌ合金が好ましい。膜厚は薄すぎる
とＣ／Ｎが低下し、厚すぎると記録感度が悪くなるた
め、３００〜６００Åが適当である。
上に設けた保護層を介して反射層を設けてもよい。媒体
の高Ｃ／Ｎ、高感度化のためにこの反射層はレーザ光に
対して反射率が高く、熱伝導率は小さい方が良い。又、
当然ながら耐食性も必要である。具体的な材料として
は、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｔａ，Ｐｔ
の１種以上を含むＡｌ合金が好ましい。膜厚は薄すぎる
とＣ／Ｎが低下し、厚すぎると記録感度が悪くなるた
め、３００〜６００Åが適当である。
【０００９】前記の各層は、スパッタリング、イオンプ
レーティング等の物理蒸着法、プラズマＣＶＤのような
化学蒸着法等の方法によって、形成することができる。
但し、本発明の光記録媒体は、前記のような各層を有す
るものに限定されるものではなく、例えば記録層の上に
設けた保護層、あるいは反射層等の上に有機保護膜（カ
バー層）として、合成樹脂フイルムを設けてもよく、そ
れらを接着剤によって貼り合わせてもよい。
レーティング等の物理蒸着法、プラズマＣＶＤのような
化学蒸着法等の方法によって、形成することができる。
但し、本発明の光記録媒体は、前記のような各層を有す
るものに限定されるものではなく、例えば記録層の上に
設けた保護層、あるいは反射層等の上に有機保護膜（カ
バー層）として、合成樹脂フイルムを設けてもよく、そ
れらを接着剤によって貼り合わせてもよい。
【００１０】本発明の光磁気記録媒体の１構成例を図１
に沿って説明する。図１に示したようにプリグルーブ付
プラスチック基板１上にＺｒＯ2から成る第１の保護層
２、第２の保護層３、記録層４が順次形成されており、
さらにその上に第３の保護層５及び反射層６が形成され
た構成をとる。この構成は記録層の力−効果とファラデ
ー効果の両方が利用出来るため、Ｃ／Ｎやジッターマー
ジンが大きくとれるという点で優れている。
に沿って説明する。図１に示したようにプリグルーブ付
プラスチック基板１上にＺｒＯ2から成る第１の保護層
２、第２の保護層３、記録層４が順次形成されており、
さらにその上に第３の保護層５及び反射層６が形成され
た構成をとる。この構成は記録層の力−効果とファラデ
ー効果の両方が利用出来るため、Ｃ／Ｎやジッターマー
ジンが大きくとれるという点で優れている。
【００１１】
実施例１ 直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのプリグルーブ付ＰＣ
成形基板を予め大気中９０℃、２時間でプリベークした
後、スパッタ装置の真空槽内にセットし、真空圧が５×
１０-7Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排気した。その後、
真空槽内にＡｒとＯ2の混合ガスを導入し、圧力を５×
１０-2に調節し、金属ＺｒをターゲットとしてＲＦマグ
ネトロンスパッタリングによってＺｒＯ2膜を７０Å形
成した。続いて同様な方法によって、第２の保護層であ
るＳｉＮ膜を９００Å、記録層としてＴｂＤｙＦｅＣｏ
膜を２００Å、第３の保護膜としてＳｉＮ膜を２５０
Å、反射層としてＡｌＴｉ膜を５００Å形成した後、真
空槽から大気中へ搬出し、本発明の実施に沿った光磁気
記録媒体を得た。
成形基板を予め大気中９０℃、２時間でプリベークした
後、スパッタ装置の真空槽内にセットし、真空圧が５×
１０-7Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排気した。その後、
真空槽内にＡｒとＯ2の混合ガスを導入し、圧力を５×
１０-2に調節し、金属ＺｒをターゲットとしてＲＦマグ
ネトロンスパッタリングによってＺｒＯ2膜を７０Å形
成した。続いて同様な方法によって、第２の保護層であ
るＳｉＮ膜を９００Å、記録層としてＴｂＤｙＦｅＣｏ
膜を２００Å、第３の保護膜としてＳｉＮ膜を２５０
Å、反射層としてＡｌＴｉ膜を５００Å形成した後、真
空槽から大気中へ搬出し、本発明の実施に沿った光磁気
記録媒体を得た。
【００１２】実施例２〜６ 第１の保護層と第２の保護層の材料及び膜厚は表−１に
示す通りで、その他は実施例１と同じ、但し第３の保護
層はいずれも第２の保護層と同じ材料とした。
示す通りで、その他は実施例１と同じ、但し第３の保護
層はいずれも第２の保護層と同じ材料とした。
【００１３】比較例１〜３ 第１の保護層が無く、その他は実施例と同じ（表−１参
照）。
照）。
【００１４】実施例及び比較例の光磁気記録媒体の反射
層上にアクリル系紫外線硬化樹脂から成るカバー層をス
ピナーによって５〜１０μｍ塗布した後、各々同じ条件
で作製した媒体を貼り合せ、Ｚ／ＡＤ試験（温湿度サイ
クル試験）を図２の条件で１０サイクル実施した。偏光
顕微鏡を用いて、試験後のディスクのクラックや剥離の
有無を観察した結果を表−１に示す。又、試験前と後の
ＢＥＲ（ビットエラーレート）も表−１に示す。 （以下余白）
層上にアクリル系紫外線硬化樹脂から成るカバー層をス
ピナーによって５〜１０μｍ塗布した後、各々同じ条件
で作製した媒体を貼り合せ、Ｚ／ＡＤ試験（温湿度サイ
クル試験）を図２の条件で１０サイクル実施した。偏光
顕微鏡を用いて、試験後のディスクのクラックや剥離の
有無を観察した結果を表−１に示す。又、試験前と後の
ＢＥＲ（ビットエラーレート）も表−１に示す。 （以下余白）
【表１】 ＊1：（ ）内は膜厚；Å ＊2：〇…なし、×…あり ＊3：ビットエラーレート表−１より、比較例の光磁気
記録媒体はＺ／ＡＤ試験後、いずれもＢＥＲが約１桁以
上増加し、又、クラックや剥離も観察された。一方、本
発明に沿った実施例の方は、ほとんどＢＥＲの増加はな
く、又、クラックや剥離も全くなかった。
記録媒体はＺ／ＡＤ試験後、いずれもＢＥＲが約１桁以
上増加し、又、クラックや剥離も観察された。一方、本
発明に沿った実施例の方は、ほとんどＢＥＲの増加はな
く、又、クラックや剥離も全くなかった。
【効果】本発明は、ブラスチック基板と記録層との間の
保護層を複数層とし、基板側の保護層にＺｒＯ2膜を用
いることによって、プラスチック基板と各層との密着性
が向上し、経時的にクラックや剥離のない、高寿命、高
信頼性の光磁気記録媒体が実現される。
保護層を複数層とし、基板側の保護層にＺｒＯ2膜を用
いることによって、プラスチック基板と各層との密着性
が向上し、経時的にクラックや剥離のない、高寿命、高
信頼性の光磁気記録媒体が実現される。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の基本的構成を、モデ
ル的に示した断面図である。
ル的に示した断面図である。
【図２】本発明の実施例で行ったＺ／ＡＤ試験の設定条
件を示した図面である。
件を示した図面である。
１ プラスチック基板 ２ 第１の保護層 ３ 第２の保護層 ４ 記録層 ５ 第３の保護層 ６ 反射層
Claims (2)
- 【請求項１】 基板と、該基板上を被覆する保護層と、
該保護層上に形成される光磁気記録層を具備して構成さ
れる光磁気記録媒体において、前記保護層が複数の層で
構成され、かつ基板上に直接形成される第１の保護層が
ＺｒＯ2であることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記複数層の内、記録層側の保護層が、
Ｓｉ，Ｂ，Ｏ，Ｎよりなる群から選ばれる原子で構成さ
れ、かつ該原子としてＳｉとＮを必ず含む化合物で形成
されたものである請求項１記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5981392A JPH05225629A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5981392A JPH05225629A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05225629A true JPH05225629A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=13124051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5981392A Pending JPH05225629A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05225629A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116190413A (zh) * | 2021-12-24 | 2023-05-30 | 北京超弦存储器研究院 | 半导体结构的制作方法及半导体结构 |
-
1992
- 1992-02-14 JP JP5981392A patent/JPH05225629A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116190413A (zh) * | 2021-12-24 | 2023-05-30 | 北京超弦存储器研究院 | 半导体结构的制作方法及半导体结构 |
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