JPH0373438A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents
光記録媒体の製造方法Info
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- JPH0373438A JPH0373438A JP20778989A JP20778989A JPH0373438A JP H0373438 A JPH0373438 A JP H0373438A JP 20778989 A JP20778989 A JP 20778989A JP 20778989 A JP20778989 A JP 20778989A JP H0373438 A JPH0373438 A JP H0373438A
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は情報の高密度な記録が可能な光記録媒体、特に
光ディスクの製造方法に関する。より詳しく言えば、高
温、高湿の過酷な環境下においても安定性に優れた、信
頼性の高い光記録媒体の製造方法に関するものである。
光ディスクの製造方法に関する。より詳しく言えば、高
温、高湿の過酷な環境下においても安定性に優れた、信
頼性の高い光記録媒体の製造方法に関するものである。
近年、レーザーなどの光ビームを利用した光記録媒体は
、記録密度が高く、高速アクセスが可能で、かつ信頼性
が高い、非接触型であるなどの理由により、高度情報社
会における記録媒体の中心的役割の担い手として期待さ
れ、積極的に研究が進められている。
、記録密度が高く、高速アクセスが可能で、かつ信頼性
が高い、非接触型であるなどの理由により、高度情報社
会における記録媒体の中心的役割の担い手として期待さ
れ、積極的に研究が進められている。
この記録媒体には、コンパクトディスクやＣＤＲＯＭな
どで代表される再生専用型、文書・画像フィルムなどと
しての情報の記録・再生が可能な追記型、フロッピーデ
ィスク代替が期待される情報の記録、消去、再生が可能
な書き換え型の３種類があり、すでに実用に供されてい
る。
どで代表される再生専用型、文書・画像フィルムなどと
しての情報の記録・再生が可能な追記型、フロッピーデ
ィスク代替が期待される情報の記録、消去、再生が可能
な書き換え型の３種類があり、すでに実用に供されてい
る。
前記の追記型や書き換え型の光記録媒体においては、基
板上に記録層が設けられており、そしてこの記録層につ
いては、記録方法の原理や態様の異なった種々のものが
開発されている。例えば追記型の場合にはナフトキノン
などの有機色素や、Ｓｅ、 Ｔｅなどのカルコゲン元素
を主体とした合金や酸化物などを用いた開孔方式のもの
、あるいは、どのカルコゲン元素を主体とした合金や酸
化物などを用いた開孔方式のもの、あるいは、Ｇａ、
Ｇｅ、 Ｓｅ。
板上に記録層が設けられており、そしてこの記録層につ
いては、記録方法の原理や態様の異なった種々のものが
開発されている。例えば追記型の場合にはナフトキノン
などの有機色素や、Ｓｅ、 Ｔｅなどのカルコゲン元素
を主体とした合金や酸化物などを用いた開孔方式のもの
、あるいは、どのカルコゲン元素を主体とした合金や酸
化物などを用いた開孔方式のもの、あるいは、Ｇａ、
Ｇｅ、 Ｓｅ。
Ｉｎ、 Ｓｎ、 Ｓｂ、 Ｔｅ、 Ｐｂ、 Ｂｉなどを
主体とする合金などを用いた相変化方式のものが、また
書き換え型にっいては希土類と遷移金属の合金などを用
いた光磁気方式などが開発されている。
主体とする合金などを用いた相変化方式のものが、また
書き換え型にっいては希土類と遷移金属の合金などを用
いた光磁気方式などが開発されている。
これらの記録層は単独で用いられることはまれであり、
通常記録層の上又は下もしくはその両方に保護層を設け
ることが行なわれている。これは記録層材料の多くが環
境中の酸素や水と反応して劣化しやすいからである。そ
こでこの保護層には、一般に、酸素や水の侵入を効果的
に防止しうるバリア性に優れ、かつ白身も化学的に安定
な誘電体薄膜を用いることが有利であることが知られて
おり、その材料としては例えばマグネシウム、ケイ素、
アルミニウムなどの酸化物、窒化物、酸窒化物や、これ
らの複合体、亜鉛などの金属の硫化物やセレン化物、さ
らにはこれらの混合物などの使用が試みられている。
通常記録層の上又は下もしくはその両方に保護層を設け
ることが行なわれている。これは記録層材料の多くが環
境中の酸素や水と反応して劣化しやすいからである。そ
こでこの保護層には、一般に、酸素や水の侵入を効果的
に防止しうるバリア性に優れ、かつ白身も化学的に安定
な誘電体薄膜を用いることが有利であることが知られて
おり、その材料としては例えばマグネシウム、ケイ素、
アルミニウムなどの酸化物、窒化物、酸窒化物や、これ
らの複合体、亜鉛などの金属の硫化物やセレン化物、さ
らにはこれらの混合物などの使用が試みられている。
しかしながら、これらの材料からなる保護膜においては
、基板との密着性が低く、剥離を生じやすいという欠点
がある。このような剥離を生じると、その部分の反射率
が低下してエラーを引き起こすばかりか、酸素や水が記
録層に侵入して腐食の原因となる。
、基板との密着性が低く、剥離を生じやすいという欠点
がある。このような剥離を生じると、その部分の反射率
が低下してエラーを引き起こすばかりか、酸素や水が記
録層に侵入して腐食の原因となる。
特に、光記録媒体を高温、高湿環境下で使用する場合、
該媒体の構成要素である基板、保護層、記録層などの熱
膨張率の差や、残留応力による歪みが保護層と基板との
間の剥離を誘発しやすいなどの問題を生じ、光記録媒体
の利用範囲が制限される。
該媒体の構成要素である基板、保護層、記録層などの熱
膨張率の差や、残留応力による歪みが保護層と基板との
間の剥離を誘発しやすいなどの問題を生じ、光記録媒体
の利用範囲が制限される。
本発明は、このような光記録媒体が有する欠点を克服し
、剥離が発生しに＜＜、高温、高湿の過酷な環境下での
使用が可能な光記録媒体を与えうる光記録媒体の製造方
法を提供することを目的としてなされたものである。
、剥離が発生しに＜＜、高温、高湿の過酷な環境下での
使用が可能な光記録媒体を与えうる光記録媒体の製造方
法を提供することを目的としてなされたものである。
本発明者は、上記の問題点を解決すべく鋭意検討を重ね
た結果、基板に記録層、保護層などの構成要素を形成す
るのに先立って、基板に適当な処理を施すことにより、
上記の問題点を解決しうることを見出した。すなわち、
基板と、基板上に真空中で形成される構成要素とからな
る光記録媒体の製造方法において、基板成型工程と、真
空中での構成要素の形成工程の間に、基板の紫外線照射
を行なうことにより、高温、高湿下での光記録媒体の使
用においても剥離が発生せず、信頼性の高い光記録媒体
を製造しうろことを見出した。
た結果、基板に記録層、保護層などの構成要素を形成す
るのに先立って、基板に適当な処理を施すことにより、
上記の問題点を解決しうることを見出した。すなわち、
基板と、基板上に真空中で形成される構成要素とからな
る光記録媒体の製造方法において、基板成型工程と、真
空中での構成要素の形成工程の間に、基板の紫外線照射
を行なうことにより、高温、高湿下での光記録媒体の使
用においても剥離が発生せず、信頼性の高い光記録媒体
を製造しうろことを見出した。
以下、本発明をより詳細に説明する。高温、高湿の過酷
な環境下での剥離を防ぐには、何らかの方法で基板とそ
の上の層との密着性を高める必要がある。本発明者らは
先にその一方法として、基板上に設けられる保護層の組
成を最適化することを提案した（特願平１−１４５４９
３号）が、本発明は基板上に設けられる構成要素や、そ
の構成材料の如何を問わず、密着性を向上させる方法を
提供することを主眼としたものである。
な環境下での剥離を防ぐには、何らかの方法で基板とそ
の上の層との密着性を高める必要がある。本発明者らは
先にその一方法として、基板上に設けられる保護層の組
成を最適化することを提案した（特願平１−１４５４９
３号）が、本発明は基板上に設けられる構成要素や、そ
の構成材料の如何を問わず、密着性を向上させる方法を
提供することを主眼としたものである。
本発明の作用は、紫外線を基板に照射することにより基
板の最表層のみを分解し、その上に設けられる層との結
合を強めることによっている。この場合、基板材料はア
クリル、ポリカーボネート、エポキシなどのプラスチッ
クでもよいし、ガラスでもよいが、一般に記録層や保護
層との密着性に乏しいプラスチック基板の場合に本発明
は特に有効である。基板の上に直接設けられる構成要素
は多くの場合保護層であり、その構成材料は前述のよう
に酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、硫化亜
鉛などのセラミックス、あるいはこれらの複合物などを
用いることができる。基板上に一前述のような材料から
なる記録層を直接設ける場合、あるいは再生専用型のよ
うに基板上に反射層のみを設ける場合にも本発明はもち
ろん有効である。紫外線の光源としては近紫外線域にピ
ークを持つ光源であれば何でもよく、ハロゲンランプ、
キセノンランプ、水銀ランプなど、一般に用いられてい
る光源を用いることができる。照射強度は基板表面の改
質に充分で、かつ基板の機械的精度を損なわない範囲に
選ばれる。具体的な値は基板材料にもよるが、プラスチ
ック基板を例にとると、２００Ｗ／ａｔ／から５００
Ｗ／ｅｉが適当である。
板の最表層のみを分解し、その上に設けられる層との結
合を強めることによっている。この場合、基板材料はア
クリル、ポリカーボネート、エポキシなどのプラスチッ
クでもよいし、ガラスでもよいが、一般に記録層や保護
層との密着性に乏しいプラスチック基板の場合に本発明
は特に有効である。基板の上に直接設けられる構成要素
は多くの場合保護層であり、その構成材料は前述のよう
に酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、硫化亜
鉛などのセラミックス、あるいはこれらの複合物などを
用いることができる。基板上に一前述のような材料から
なる記録層を直接設ける場合、あるいは再生専用型のよ
うに基板上に反射層のみを設ける場合にも本発明はもち
ろん有効である。紫外線の光源としては近紫外線域にピ
ークを持つ光源であれば何でもよく、ハロゲンランプ、
キセノンランプ、水銀ランプなど、一般に用いられてい
る光源を用いることができる。照射強度は基板表面の改
質に充分で、かつ基板の機械的精度を損なわない範囲に
選ばれる。具体的な値は基板材料にもよるが、プラスチ
ック基板を例にとると、２００Ｗ／ａｔ／から５００
Ｗ／ｅｉが適当である。
紫外線照射を行なうのは基板成型工程と成膜工程の間で
あるが、紫外線照射後、空気中に長く放置すると表面改
質の効果が低下していくので、望ましくは成膜工程の直
前、さらに好ましくは成膜装置内で雰囲気を真空にして
行なうのがよい。
あるが、紫外線照射後、空気中に長く放置すると表面改
質の効果が低下していくので、望ましくは成膜工程の直
前、さらに好ましくは成膜装置内で雰囲気を真空にして
行なうのがよい。
本発明によれば、基板との密着性に優れ、高温、高湿の
過酷な環境においても剥離を生じにくい光記録媒体を製
造することができる。
過酷な環境においても剥離を生じにくい光記録媒体を製
造することができる。
次に実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本
発明はこれらの例によって何ら限定されるものではない
。
発明はこれらの例によって何ら限定されるものではない
。
実施例１
直径１３０ｎｎｉの案内溝付きポリカーボネート基板を
基板面上の照射強度２５０Ｗ／Ｃｉの高圧水銀ランプに
より紫外線照射した。積算光量は６００ｍＪ／ｃｒｌと
した。
基板面上の照射強度２５０Ｗ／Ｃｉの高圧水銀ランプに
より紫外線照射した。積算光量は６００ｍＪ／ｃｒｌと
した。
次に、第１図に示すとおり、この基板１上に膜厚８０ｎ
ｍの窒化ケイ素からなる保護層２、膜厚８０ｎｍのＴｂ
、。Ｆｅｗ。Ｃｏｔ。からなる記録層３、および膜厚８
０ｎｍの窒化ケイ素からなる保護層４を順次設けてなる
光磁気ディスクを作成した。保護層２及び４はＳｉター
ゲットによる反応性ＲＦマグネトロンスパッタ、記録層
３は合金ターゲットによるＤＣマグネトロンスパッタに
より作成した。また比較例として、基板ｌの紫外線照射
を省略した以外は全く同じ条件で作成した光磁気ディス
クも用意した。
ｍの窒化ケイ素からなる保護層２、膜厚８０ｎｍのＴｂ
、。Ｆｅｗ。Ｃｏｔ。からなる記録層３、および膜厚８
０ｎｍの窒化ケイ素からなる保護層４を順次設けてなる
光磁気ディスクを作成した。保護層２及び４はＳｉター
ゲットによる反応性ＲＦマグネトロンスパッタ、記録層
３は合金ターゲットによるＤＣマグネトロンスパッタに
より作成した。また比較例として、基板ｌの紫外線照射
を省略した以外は全く同じ条件で作成した光磁気ディス
クも用意した。
これら２つの光磁気ディスクをホットメルト系接着剤に
より２枚貼り合わせ、８０℃、９０％ＲＨの加速寿命試
験環境下に４００時間放置した。実施例のディスクにお
いては初期の状態から何ら変化が見られなかったのに対
し、比較例のディスクにおいても基板と保護層２の間で
剥離が発生し、記録・再生に支障をきたした。本実施例
により光磁気ディスクの高温、高湿下での剥離の発生が
、基板の紫外線照射により抑制されることが示唆された
。
より２枚貼り合わせ、８０℃、９０％ＲＨの加速寿命試
験環境下に４００時間放置した。実施例のディスクにお
いては初期の状態から何ら変化が見られなかったのに対
し、比較例のディスクにおいても基板と保護層２の間で
剥離が発生し、記録・再生に支障をきたした。本実施例
により光磁気ディスクの高温、高湿下での剥離の発生が
、基板の紫外線照射により抑制されることが示唆された
。
実施例２
直径１３０ｍｍの案内溝付きポリカーボネート基板を、
１． ＯＸ １０−”Ｐａの真空槽内に入れ、装置内に
取り付けたハロゲンランプで紫外線照射を行なった。照
射強度は１００ Ｗ／ｃｉから７００Ｗ／ｃｄまで変化
させ、積算光量はいずれも６００ ｍＪ／ｃｘｌとなる
ように照射時間を設定した。次にこれらの基板に、第２
図に示すとおり、膜厚１１０ｎｍの酸窒化ケイ素からな
る保護層２、膜厚２０ｎｍのＴｂｔＩＩＦｅｙ。Ｃｏ、
。からなる記録層３、および膜厚４０ｎｍの酸窒化ケイ
素からなる保護層４、膜厚５０ｎｍのＡ１からなる反射
層５を順次設けてなる光磁気ディスクを作成した。保護
層２及び４はＳｉターゲットによる反応性ＲＦマグネト
ロンスパッタ、記録層３は合金ターゲットによるＤＣマ
グネトロンスパッタ、反射層５はＡｌターゲットによる
ＲＦノマグトロンスパッタにより作成した。また紫外線
照射工程と成膜工程の間は、真空を破ることなく基板を
搬送した。
１． ＯＸ １０−”Ｐａの真空槽内に入れ、装置内に
取り付けたハロゲンランプで紫外線照射を行なった。照
射強度は１００ Ｗ／ｃｉから７００Ｗ／ｃｄまで変化
させ、積算光量はいずれも６００ ｍＪ／ｃｘｌとなる
ように照射時間を設定した。次にこれらの基板に、第２
図に示すとおり、膜厚１１０ｎｍの酸窒化ケイ素からな
る保護層２、膜厚２０ｎｍのＴｂｔＩＩＦｅｙ。Ｃｏ、
。からなる記録層３、および膜厚４０ｎｍの酸窒化ケイ
素からなる保護層４、膜厚５０ｎｍのＡ１からなる反射
層５を順次設けてなる光磁気ディスクを作成した。保護
層２及び４はＳｉターゲットによる反応性ＲＦマグネト
ロンスパッタ、記録層３は合金ターゲットによるＤＣマ
グネトロンスパッタ、反射層５はＡｌターゲットによる
ＲＦノマグトロンスパッタにより作成した。また紫外線
照射工程と成膜工程の間は、真空を破ることなく基板を
搬送した。
これらの光磁気ディスクを、ホットメルト系接着剤によ
り何も成膜していないポリカーボネート基板と貼り合わ
せ、８０℃、９０％ＲＨの加速寿命試験環境下に放置し
て、ピットエラーレート（ＢＥＲ）の変化を測定した。
り何も成膜していないポリカーボネート基板と貼り合わ
せ、８０℃、９０％ＲＨの加速寿命試験環境下に放置し
て、ピットエラーレート（ＢＥＲ）の変化を測定した。
その結果を第３図に示す。照射強度が２００ ｍＪ／
ｃａｒ以上でＢＥＲの上昇が抑えられているのに対し、
照射強度２００ ｍＪ／ ｃｉ未満では基板と保護層２
との間で剥離が発生し、ＢＥＲが急激に悪化しているこ
とがわかる。また照射強度が５００ｍＪ／ｃｄを越える
と基板に反りが生じ、ＢＥＲの測定が不可能であった。
ｃａｒ以上でＢＥＲの上昇が抑えられているのに対し、
照射強度２００ ｍＪ／ ｃｉ未満では基板と保護層２
との間で剥離が発生し、ＢＥＲが急激に悪化しているこ
とがわかる。また照射強度が５００ｍＪ／ｃｄを越える
と基板に反りが生じ、ＢＥＲの測定が不可能であった。
以上より第２図の構成において基板の紫外線照射により
高温、高湿下での剥離の発生が抑えられること、紫外線
の照射強度は２００ｍＪ／ｃｕｆｆ以上５００ｍＪ／ｃ
ａｆ以下が適当であることが明らかになった。
高温、高湿下での剥離の発生が抑えられること、紫外線
の照射強度は２００ｍＪ／ｃｕｆｆ以上５００ｍＪ／ｃ
ａｆ以下が適当であることが明らかになった。
実施例３
直径１３０ｍ５の案内溝付きポリカーボネート基板を、
１．０Ｘ１０−”Ｐａの真空槽内に入れ、装置内に取り
付けたハロゲンランプで紫外線照射を行なった。照射強
度は１００Ｗ／ｃｉから７００Ｖｉ’／ｄまで変化させ
、積算光量はいずれも６００ｍＪ／ｄとなるように照射
時間を設定した。次にこれらの基板に、第２図に示すと
おり膜厚９５ｎｍの酸窒化アルミニウムからなる保護層
２、膜厚２０ｎｍのＴｂ、。Ｆｅｔ。ＣＯ□からなる記
録層３、および膜厚４０ｎＩ１１の酸窒化ケイ素からな
る保護層４、膜厚５０ｒｖのＡｌからなる反射層５を順
次設けてなる光磁気ディスクを作成した。保護層２及び
４はＳｉターゲットによる反応性ＲＦマグネトロンスパ
ッタ、記録層３は合金ターゲットによるＤＣマグネトロ
ンスパッタ、反射層５はＡ１ターゲットによるＲＦマグ
ネトロンスパッタにより作成した。また紫外線照射工程
と成膜工程の間は、真空を破ることなく基板を搬送した
。
１．０Ｘ１０−”Ｐａの真空槽内に入れ、装置内に取り
付けたハロゲンランプで紫外線照射を行なった。照射強
度は１００Ｗ／ｃｉから７００Ｖｉ’／ｄまで変化させ
、積算光量はいずれも６００ｍＪ／ｄとなるように照射
時間を設定した。次にこれらの基板に、第２図に示すと
おり膜厚９５ｎｍの酸窒化アルミニウムからなる保護層
２、膜厚２０ｎｍのＴｂ、。Ｆｅｔ。ＣＯ□からなる記
録層３、および膜厚４０ｎＩ１１の酸窒化ケイ素からな
る保護層４、膜厚５０ｒｖのＡｌからなる反射層５を順
次設けてなる光磁気ディスクを作成した。保護層２及び
４はＳｉターゲットによる反応性ＲＦマグネトロンスパ
ッタ、記録層３は合金ターゲットによるＤＣマグネトロ
ンスパッタ、反射層５はＡ１ターゲットによるＲＦマグ
ネトロンスパッタにより作成した。また紫外線照射工程
と成膜工程の間は、真空を破ることなく基板を搬送した
。
これらの光磁気ディスクを、ホットメルト系接着剤によ
り何も成膜していないポリカーボネート基板と貼り合わ
せ、８０°Ｃ１９０％ＲＨの加速寿命試験環境下に放置
して、ピットエラーレート（ＢＥＲ）の変化を測定した
。その結果を第４図に示す。照射強度が２００ ｍＪ／
ｃｒ１以上でＢＢＲの上昇が抑えられているのに対し
、照射強度２００ｍＪ／ｃｒ１未満では基板と保護層２
との間で剥離が発生し、ＢＥＲが急激に悪化しているこ
とがわかる。また照射強度が５００ ｍＪ／ ｃｔｌを
越えると基板に反りが生じ、ＢＥＲの測定が不可能であ
った。以上より第２図の構成において保護層に酸窒化ア
ルミニウムを用いた場合も基板の紫外線照射により高温
、高湿下での剥離の発生が抑えられること、紫外線の照
射強度は２００ ｍＪ／ｃｄ以上５００ ｍＪ／ｃｒｔ
以下が適当であることが明らかになった。
り何も成膜していないポリカーボネート基板と貼り合わ
せ、８０°Ｃ１９０％ＲＨの加速寿命試験環境下に放置
して、ピットエラーレート（ＢＥＲ）の変化を測定した
。その結果を第４図に示す。照射強度が２００ ｍＪ／
ｃｒ１以上でＢＢＲの上昇が抑えられているのに対し
、照射強度２００ｍＪ／ｃｒ１未満では基板と保護層２
との間で剥離が発生し、ＢＥＲが急激に悪化しているこ
とがわかる。また照射強度が５００ ｍＪ／ ｃｔｌを
越えると基板に反りが生じ、ＢＥＲの測定が不可能であ
った。以上より第２図の構成において保護層に酸窒化ア
ルミニウムを用いた場合も基板の紫外線照射により高温
、高湿下での剥離の発生が抑えられること、紫外線の照
射強度は２００ ｍＪ／ｃｄ以上５００ ｍＪ／ｃｒｔ
以下が適当であることが明らかになった。
第１図、第２図は本発明で製造される光記録媒体の構成
例を示した図、第３図、第４図は本発明により製造され
た光記録媒体のピットエラーレートを示す図である。 図中ｌは基板、２，４は保護層、３は記録層、５は反射
層である。
例を示した図、第３図、第４図は本発明により製造され
た光記録媒体のピットエラーレートを示す図である。 図中ｌは基板、２，４は保護層、３は記録層、５は反射
層である。
Claims (1)
- 基板と、基板上に真空中で形成される構成要素とからな
る光記録媒体の製造方法において、基板成型工程と、真
空中での構成要素の形成工程の間に、基板の紫外線照射
を行なうことを特徴とする光記録媒体の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20778989A JPH0373438A (ja) | 1989-08-14 | 1989-08-14 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20778989A JPH0373438A (ja) | 1989-08-14 | 1989-08-14 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0373438A true JPH0373438A (ja) | 1991-03-28 |
Family
ID=16545527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20778989A Pending JPH0373438A (ja) | 1989-08-14 | 1989-08-14 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0373438A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6159651A (en) * | 1997-04-15 | 2000-12-12 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser ablative recording material |
| EP1826637A1 (en) * | 2006-02-23 | 2007-08-29 | Seiko Epson Corporation | Timepiece dial and timepiece |
| US7525190B2 (en) | 1998-05-19 | 2009-04-28 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board with wiring pattern having narrow width portion |
| US7777334B2 (en) | 2005-07-06 | 2010-08-17 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device having active element formation region provided under a bump pad |
| US7936064B2 (en) | 2005-07-19 | 2011-05-03 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device |
| US8878365B2 (en) | 2005-07-13 | 2014-11-04 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device having a conductive layer reliably formed under an electrode pad |
-
1989
- 1989-08-14 JP JP20778989A patent/JPH0373438A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6159651A (en) * | 1997-04-15 | 2000-12-12 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser ablative recording material |
| US7525190B2 (en) | 1998-05-19 | 2009-04-28 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board with wiring pattern having narrow width portion |
| US7777334B2 (en) | 2005-07-06 | 2010-08-17 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device having active element formation region provided under a bump pad |
| US8878365B2 (en) | 2005-07-13 | 2014-11-04 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device having a conductive layer reliably formed under an electrode pad |
| US7936064B2 (en) | 2005-07-19 | 2011-05-03 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device |
| US8441125B2 (en) | 2005-07-19 | 2013-05-14 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device |
| EP1826637A1 (en) * | 2006-02-23 | 2007-08-29 | Seiko Epson Corporation | Timepiece dial and timepiece |
| US7333401B2 (en) | 2006-02-23 | 2008-02-19 | Seiko Epson Corporation | Timepiece dial and timepiece |
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