JPS62279532A - 光デイスク - Google Patents
光デイスクInfo
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- JPS62279532A JPS62279532A JP61121114A JP12111486A JPS62279532A JP S62279532 A JPS62279532 A JP S62279532A JP 61121114 A JP61121114 A JP 61121114A JP 12111486 A JP12111486 A JP 12111486A JP S62279532 A JPS62279532 A JP S62279532A
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Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61F—FILTERS IMPLANTABLE INTO BLOOD VESSELS; PROSTHESES; DEVICES PROVIDING PATENCY TO, OR PREVENTING COLLAPSING OF, TUBULAR STRUCTURES OF THE BODY, e.g. STENTS; ORTHOPAEDIC, NURSING OR CONTRACEPTIVE DEVICES; FOMENTATION; TREATMENT OR PROTECTION OF EYES OR EARS; BANDAGES, DRESSINGS OR ABSORBENT PADS; FIRST-AID KITS
- A61F2/00—Filters implantable into blood vessels; Prostheses, i.e. artificial substitutes or replacements for parts of the body; Appliances for connecting them with the body; Devices providing patency to, or preventing collapsing of, tubular structures of the body, e.g. stents
- A61F2/02—Prostheses implantable into the body
- A61F2/10—Hair or skin implants
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Oral & Maxillofacial Surgery (AREA)
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- Veterinary Medicine (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Prostheses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ディスクに係り、特に耐環境性に優れた光デ
ィスクに関する。
ィスクに関する。
光ディスク用記録膜として、ＴｂＦｅＣｏ膜等の光磁気
記録膜やＳｎＴθＳｃ膜等の相変化型記録膜などがある
。記録膜の片面あるいは両面には誘電体膜等の保護膜が
積層される。これは記録・再生時やディスクの保存時に
生じる記録膜の劣化を防ぐためである。代表的な誘電体
膜としては、５ｉＯｚ。
記録膜やＳｎＴθＳｃ膜等の相変化型記録膜などがある
。記録膜の片面あるいは両面には誘電体膜等の保護膜が
積層される。これは記録・再生時やディスクの保存時に
生じる記録膜の劣化を防ぐためである。代表的な誘電体
膜としては、５ｉＯｚ。
Ｓｌ−○、ＡＱＮ、ＴａＮ等がある。
しかし、上記のような保護膜を積層した光ディスクにお
いても、ディスクの内周あるいは外周部分から記録膜が
劣化する例があった。これは、ディスク７の内周あるい
は外周の側面部分で記録膜が直接大気と接してしまうた
めである。
いても、ディスクの内周あるいは外周部分から記録膜が
劣化する例があった。これは、ディスク７の内周あるい
は外周の側面部分で記録膜が直接大気と接してしまうた
めである。
従来、ディスク側面からの記録膜の劣化を防ぐ方法とし
て、例えば特開昭６０−１１５０３７号公報に示される
ように、ディスク側面に耐湿性封止部材を形成する方法
が知られている。
て、例えば特開昭６０−１１５０３７号公報に示される
ように、ディスク側面に耐湿性封止部材を形成する方法
が知られている。
しかし耐湿性封止部材は、記録膜積層後に、塗布法ある
いは接着法で形成されるため、真空中で行うことができ
ず、記録膜と大気の遮断を完全に行うことができないと
いう欠点があった。またディスク作製の工程が複雑にな
るという問題があった。
いは接着法で形成されるため、真空中で行うことができ
ず、記録膜と大気の遮断を完全に行うことができないと
いう欠点があった。またディスク作製の工程が複雑にな
るという問題があった。
本発明の目的は、上記問題点を解決するもので耐環境性
に優れ、長期保存に適した光ディスクを提供することに
ある。
に優れ、長期保存に適した光ディスクを提供することに
ある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、ディスク基板と記録膜と保護膜より成る光デ
ィスクにおいて、ディスク基板の最外周または最内周の
少なくとも一方に段差または溝を設けるか、上層の保護
膜により記録膜の内周若しくは外周を覆うことにより構
成される。
ィスクにおいて、ディスク基板の最外周または最内周の
少なくとも一方に段差または溝を設けるか、上層の保護
膜により記録膜の内周若しくは外周を覆うことにより構
成される。
段差または溝を設けたディスク基板上に記録膜と保護膜
を順次積層することによって、記録膜はディスクの側面
部分においても大気と完全に遮断される。また、上層の
保護膜形成時に記録膜の側部を覆うようにすれば容易に
光ディスクの記録膜が大気から遮断される。
を順次積層することによって、記録膜はディスクの側面
部分においても大気と完全に遮断される。また、上層の
保護膜形成時に記録膜の側部を覆うようにすれば容易に
光ディスクの記録膜が大気から遮断される。
以下１本発明の実施例について詳述する。
［実施例１コ
最外周および最内周に高さ３０００人１幅１μｍの段差
を設けたプラスチック基板１上に、蒸着法によりＳｉＯ
膜（誘電体保護膜２）を８００人積層し、続いてＴｂＦ
ｅＣｏ膜（記録膜３）をｔｏｏｏ入形成した。さらに、
真空を破ることなく、１２００人のＳｊＯ膜を蒸着法に
より形成した。第１図にこの光ディスクの一部分の断面
図を示す。プラスチック基板としては射゛出成形法によ
り作製したポリカーボネート基板、エポキシ基板とＰＭ
ＭＡ基板の３種類の基板を使用した。それぞれの基板を
用いて作製した光ディスクは、記録膜の劣化を調べるた
めに、８０＠の大気中に８０日間保持し、保磁力の変化
を調べた。いずれの基板を用いた場合も保磁力の変化は
±８％以内であり、記録膜の劣化は生じなかった。
を設けたプラスチック基板１上に、蒸着法によりＳｉＯ
膜（誘電体保護膜２）を８００人積層し、続いてＴｂＦ
ｅＣｏ膜（記録膜３）をｔｏｏｏ入形成した。さらに、
真空を破ることなく、１２００人のＳｊＯ膜を蒸着法に
より形成した。第１図にこの光ディスクの一部分の断面
図を示す。プラスチック基板としては射゛出成形法によ
り作製したポリカーボネート基板、エポキシ基板とＰＭ
ＭＡ基板の３種類の基板を使用した。それぞれの基板を
用いて作製した光ディスクは、記録膜の劣化を調べるた
めに、８０＠の大気中に８０日間保持し、保磁力の変化
を調べた。いずれの基板を用いた場合も保磁力の変化は
±８％以内であり、記録膜の劣化は生じなかった。
［実施例２］
最外周および最内周に深さ３５００人２幅０．５μｍの
溝を設けたディスク基板１上に、マグネトロンスパッタ
法によりＡｕＮ膜（誘電体保護膜２）を８００人積層し
、続いてＴｂＦｅＣｏ膜（記＃ｌ膜３）を１０００人積
層した。さらに、ＴｂＦｅＣｏ膜上に１７００人のＡＱ
Ｎ膜を積層した。第２図にこの光ディスクの一部分の断
面図を示す。ディスク基板には、ＰＭＭＡ基板とガラス
基板を使用した。実施例１と同様に、作製した光ディス
クは、８０℃の大気中に８０日間保持し、保磁力の変化
を調べた。保磁力の変化はいずれの基板の場合も±８％
以内であり。
溝を設けたディスク基板１上に、マグネトロンスパッタ
法によりＡｕＮ膜（誘電体保護膜２）を８００人積層し
、続いてＴｂＦｅＣｏ膜（記＃ｌ膜３）を１０００人積
層した。さらに、ＴｂＦｅＣｏ膜上に１７００人のＡＱ
Ｎ膜を積層した。第２図にこの光ディスクの一部分の断
面図を示す。ディスク基板には、ＰＭＭＡ基板とガラス
基板を使用した。実施例１と同様に、作製した光ディス
クは、８０℃の大気中に８０日間保持し、保磁力の変化
を調べた。保磁力の変化はいずれの基板の場合も±８％
以内であり。
記録膜の劣化は生じなかった。
以上のように１本実施例によれば、光ディスクの記録膜
の耐環境性を向上させる効果がある。
の耐環境性を向上させる効果がある。
［実施例３］
第３図はガラス基板３１を用いた本発明になる光磁気記
録媒体である。まずフォトポリマー法を用い、ガラス基
板３１の最内周と最外周の一部を除いて紫外線硬化樹脂
層３２を設けた。この紫外線硬化樹脂層３２には、光ス
ボツ１−の案内用に、ピッチ１．６μｍ、深さ７００人
の案内溝を形成しである１次に紫外線硬化樹脂ｙＰＪ３
２を全て覆うように、ＳｉＯ保護膜３３をマグネトロン
スパッタにより約８００人の厚さ形成した。更にこの保
護膜３３の上に、ＴｂｚａＦｅｓｚＣｏｔｏ非晶質磁性
膜３４を同じマグネトロンスパッタを用い、マスクスパ
ッタ法で約１０００人の厚さ作製した。即ち、基板３１
の最内周と最外周の一部に非晶質磁性膜３４が付着しな
いように、２つのステンレス製円環状マスクを保護膜３
３上に設置し又スパッタを行った。最後に、ＡＱＮ保護
膜３５をマグネトロンスバッタにより１５００人積層し
た。このとき、第３１％に示したように、ＡＱＮ保護膜
３５は、ＴｂｚａＦｅｅｚＣｏｘｏ非晶質磁性膜３４を
大気から完全に遮断するように積層されていることにな
る。紫外線硬化樹脂層３２も大気から完全に遮断されて
いるため、これが大気中の水分あるいは酸素を吸収し、
これがＳｉ○保護膜３３のピンホールを通って非晶質膜
３４を酸化するということも防ぐことができる。また、
非晶質磁性膜３４や紫外線硬化樹脂層３２を大気から遮
断する物質が誘電体Ａｌ２Ｎ３５であるため、非晶質膜
３４の記録感度を低下させることはない。尚、上述の実
施例において磁性膜は非晶質膜に限られるものではな（
、ＭｎＢ１等の多結晶膜、磁性ガーネット等の単結晶膜
でもよい。更に、誘導体保護膜としては、ＡＱＮ、ＳＬ
Ｏ以外に、Ｓ ｉｏｚ、 ＺｎＳ、 ５Ｌ３Ｎ４． Ａ
ＱｚＱａ、 ＴａＮ＋ＮｂＮ等を用いてもよい。このと
きの膜厚は５００〜３０００人の範囲が適当である。基
板においても、ガラス、ポリカーボネート以外に、エポ
キシ。
録媒体である。まずフォトポリマー法を用い、ガラス基
板３１の最内周と最外周の一部を除いて紫外線硬化樹脂
層３２を設けた。この紫外線硬化樹脂層３２には、光ス
ボツ１−の案内用に、ピッチ１．６μｍ、深さ７００人
の案内溝を形成しである１次に紫外線硬化樹脂ｙＰＪ３
２を全て覆うように、ＳｉＯ保護膜３３をマグネトロン
スパッタにより約８００人の厚さ形成した。更にこの保
護膜３３の上に、ＴｂｚａＦｅｓｚＣｏｔｏ非晶質磁性
膜３４を同じマグネトロンスパッタを用い、マスクスパ
ッタ法で約１０００人の厚さ作製した。即ち、基板３１
の最内周と最外周の一部に非晶質磁性膜３４が付着しな
いように、２つのステンレス製円環状マスクを保護膜３
３上に設置し又スパッタを行った。最後に、ＡＱＮ保護
膜３５をマグネトロンスバッタにより１５００人積層し
た。このとき、第３１％に示したように、ＡＱＮ保護膜
３５は、ＴｂｚａＦｅｅｚＣｏｘｏ非晶質磁性膜３４を
大気から完全に遮断するように積層されていることにな
る。紫外線硬化樹脂層３２も大気から完全に遮断されて
いるため、これが大気中の水分あるいは酸素を吸収し、
これがＳｉ○保護膜３３のピンホールを通って非晶質膜
３４を酸化するということも防ぐことができる。また、
非晶質磁性膜３４や紫外線硬化樹脂層３２を大気から遮
断する物質が誘電体Ａｌ２Ｎ３５であるため、非晶質膜
３４の記録感度を低下させることはない。尚、上述の実
施例において磁性膜は非晶質膜に限られるものではな（
、ＭｎＢ１等の多結晶膜、磁性ガーネット等の単結晶膜
でもよい。更に、誘導体保護膜としては、ＡＱＮ、ＳＬ
Ｏ以外に、Ｓ ｉｏｚ、 ＺｎＳ、 ５Ｌ３Ｎ４． Ａ
ＱｚＱａ、 ＴａＮ＋ＮｂＮ等を用いてもよい。このと
きの膜厚は５００〜３０００人の範囲が適当である。基
板においても、ガラス、ポリカーボネート以外に、エポ
キシ。
ＰＭＭＡ、などが使用可能である。
第３図に示す光磁気記録媒体（ａ）と、膜構成は同じで
磁性膜３４の側面を露出させた点だけが異なる光磁気記
録媒体（ｂ）とを用い、８０”Ｃ。
磁性膜３４の側面を露出させた点だけが異なる光磁気記
録媒体（ｂ）とを用い、８０”Ｃ。
９５％相対湿度の環境試験を行い、基板外周部での反射
率（初期値で規格化しである）の経時変化を基板側から
測定したところ、第４図に示すように、本発明になる光
磁気記録媒体では良好な保護効果を示すことがわかる。
率（初期値で規格化しである）の経時変化を基板側から
測定したところ、第４図に示すように、本発明になる光
磁気記録媒体では良好な保護効果を示すことがわかる。
本発明によれば、光ディスクの記録膜がディスクの側面
部分から劣化を生じるのを防ぎ、光ディスクの耐環境性
を向上させることが可能となる。
部分から劣化を生じるのを防ぎ、光ディスクの耐環境性
を向上させることが可能となる。
第１図および第２図は本発明による光ディスクの一実施
例の一部を示す断面図、ｆ５３図は本発明による光磁気
ディスクの断面図、第４図は本発明の効果を示す図であ
る。 １・・・ディスク基板、２・・・誘電体保護膜、３・・
・記録膜３ 口 第４ 図 碕閏（ｈとガ）
例の一部を示す断面図、ｆ５３図は本発明による光磁気
ディスクの断面図、第４図は本発明の効果を示す図であ
る。 １・・・ディスク基板、２・・・誘電体保護膜、３・・
・記録膜３ 口 第４ 図 碕閏（ｈとガ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ディスク基板と、該基板上に形成された記録膜と、
該記録膜上に形成された保護膜を有する光ディスクにお
いて、記録膜の内周若しくは外周の少なくとも一方を、
前記基板の構成部材若しくは前記保護膜の構成部材で覆
うことを特徴とする光ディスク。 ２、特許請求の範囲第１項記載において、ディスク基板
の最外周または最内周の少なくとも一方に段差または溝
を設けたことを特徴とする光ディスク。 ３、特許請求の範囲第２項記載において、前記光ディス
ク基板の段差または溝の部分で、記録膜を大気から遮断
したことを特徴とする光ディスク。 ４、特許請求の範囲第２項または第３項記載において、
前記記録膜と保護膜の少なくとも一方を蒸着法あるいは
スパッタ法で作製したことを特徴とする光ディスク。 ５、特許請求の範囲第２項または第３項記載において、
前記光ディスク基板の段差または溝の高さが１０００Å
以上であることを特徴とする光ディスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61121114A JPS62279532A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 光デイスク |
| US07/049,582 US4751927A (en) | 1986-05-28 | 1987-05-13 | Hair implantation method and device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61121114A JPS62279532A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 光デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62279532A true JPS62279532A (ja) | 1987-12-04 |
Family
ID=14803229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61121114A Pending JPS62279532A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 光デイスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4751927A (ja) |
| JP (1) | JPS62279532A (ja) |
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH02310834A (ja) * | 1989-05-24 | 1990-12-26 | Nec Corp | 光記憶体 |
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| WO1996025889A1 (en) * | 1995-02-22 | 1996-08-29 | Jacques Michael Casparian | Dilator/hair implanter device |
| US5951572A (en) * | 1995-02-28 | 1999-09-14 | Markman; Barry S. | Method, apparatus and kit for performing hair grafts |
| US5868758A (en) * | 1995-02-28 | 1999-02-09 | Markman; Barry S. | Method apparatus and kit for performing hair grafts |
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| FR2776180B1 (fr) * | 1998-03-17 | 2000-08-11 | Pascal Boudjema | Dispositif d'implantation de greffons capillaires de petit diametre |
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-
1986
- 1986-05-28 JP JP61121114A patent/JPS62279532A/ja active Pending
-
1987
- 1987-05-13 US US07/049,582 patent/US4751927A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02113452A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-25 | Hitachi Ltd | 光ディスク用基板およびそれを用いた光ディスク |
| JPH02310834A (ja) * | 1989-05-24 | 1990-12-26 | Nec Corp | 光記憶体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4751927A (en) | 1988-06-21 |
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