JPS6369044A - 光記録媒体 - Google Patents
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光を用いて記録、再生または消去を行なう光記
録媒体の表面に被覆するコート剤に関するＯ 〔従来の技術〕 従来の光記録媒体のコート剤としては、コン７（クトデ
ィスク（ＣＤ）の反射膜の保護コートのように表面の傷
を防ぐための保護コートがなされていたり、また特開昭
６０−２３９９４６にあるように表面につくゴミやホコ
リを防ぐために光記録媒体の大気に接する部分を帯電防
止処理したり、光記録媒体の支持体である樹脂にグリセ
リン、ソルビトール、ポリグリセリン、ポリオキシエチ
レン、多価アルコール、アルキルアミン、アルキルアシ
）”、脂肪アルコール、アルキルフェノール、ポリアク
リル酸誘導体、四級アンモニウム、スルホン酸、カルボ
ン酸などの帯電防止剤を添加するという試みがなされて
いる。
録媒体の表面に被覆するコート剤に関するＯ 〔従来の技術〕 従来の光記録媒体のコート剤としては、コン７（クトデ
ィスク（ＣＤ）の反射膜の保護コートのように表面の傷
を防ぐための保護コートがなされていたり、また特開昭
６０−２３９９４６にあるように表面につくゴミやホコ
リを防ぐために光記録媒体の大気に接する部分を帯電防
止処理したり、光記録媒体の支持体である樹脂にグリセ
リン、ソルビトール、ポリグリセリン、ポリオキシエチ
レン、多価アルコール、アルキルアミン、アルキルアシ
）”、脂肪アルコール、アルキルフェノール、ポリアク
リル酸誘導体、四級アンモニウム、スルホン酸、カルボ
ン酸などの帯電防止剤を添加するという試みがなされて
いる。
しかし前述の従来技術では、光記録媒体の表面の傷を防
ぐだけの効果また（−ｉゴミやホコリが静電気によって
付着しないようにする効果しかなく、光記録媒体の表面
の傷、及び静電気によるゴミやホコリの付着を防ぐ効果
を兼ねそなえた効果を有するものがない。また、光記録
媒体の支持体として樹脂を用いて、その中に帯電防止剤
を添加したものは帯電防止剤自身が、イオン化しやすい
ものである上に、ブリード性に劣るため、光記録媒体の
支持体の中に帯電防止剤を添加したものは記録層を酸化
しやすくするおそれがある。
ぐだけの効果また（−ｉゴミやホコリが静電気によって
付着しないようにする効果しかなく、光記録媒体の表面
の傷、及び静電気によるゴミやホコリの付着を防ぐ効果
を兼ねそなえた効果を有するものがない。また、光記録
媒体の支持体として樹脂を用いて、その中に帯電防止剤
を添加したものは帯電防止剤自身が、イオン化しやすい
ものである上に、ブリード性に劣るため、光記録媒体の
支持体の中に帯電防止剤を添加したものは記録層を酸化
しやすくするおそれがある。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、光記録媒体の表面の傷、及び静
電気によるゴミやホコリの付着を防ぐとともに、コート
剤自身の特性を失うことのない光記録媒体を提供するこ
とである。
の目的とするところは、光記録媒体の表面の傷、及び静
電気によるゴミやホコリの付着を防ぐとともに、コート
剤自身の特性を失うことのない光記録媒体を提供するこ
とである。
本発明の光記録媒体は、光を用いて記録、再生または消
去を行なう光記録媒体においてその光記録媒体の表面に
被覆するコート剤の中に、透明で電気伝導度を有するセ
ラミックスを含有させ被覆してその光記録媒体の表面の
比抵抗を１０１００の以下にしたことを特徴とする。
去を行なう光記録媒体においてその光記録媒体の表面に
被覆するコート剤の中に、透明で電気伝導度を有するセ
ラミックスを含有させ被覆してその光記録媒体の表面の
比抵抗を１０１００の以下にしたことを特徴とする。
本発明において、表面コート剤の中に含有するセラミッ
クスとしては、Ｓ ｎ ｏ、、 Ｓ ｎ Ｏｄ Ｆ ）
。
クスとしては、Ｓ ｎ ｏ、、 Ｓ ｎ Ｏｄ Ｆ ）
。
ＩｎＯ３，Ｉｎ０３（Ｓｎ）、ＺｎＯ，Ｚｎ０（Ａｔ）
、Ｚｏ。
、Ｚｏ。
（Ｇａ ） ｒ Ｚ ｎ Ｏ（Ｉ ｎ ） 、 Ｔ ｉ
Ｏｘ ＋ Ｃｄ ！ Ｓ ｎ Ｏ４＋Ｓ ｎＯｔ（Ｓ
ｂ）、 ”ｔＯｓ（Ｆ）ｅ ＺｒＯ２などの透明導電性
材料を用いるが、無毒性及び経済性を考えると、５ｎ０
２．Ｉｎ１Ｏ１（Ｓｎ）、ＺｎＯ，Ｚｒ０（人ｔ） 、
Ｚｎ０（Ｇａ）ＺｎＯ（Ｉｎ）を用いる方が良い。上
述の説明において（）は不純物として添加する元素であ
る。また、これらの透明導電性材料の粒径は、光記録媒
体の記録、再生に用いる光のビーム径にもよるが、致方
オングストロームから数千オングストローム以下が望ま
しい。さらに、これらの透明導電性材料の表面コート剤
中に添加する量であるが、光記録媒体の表面の比抵抗が
１０ΩＧ以下であればよいので、数パーセントから数十
パーセントと範囲は広い。しかし、これらの透明導電性
材料は屈折率が１．８〜２．５程度と光記録媒体の透光
性支持体として用いる樹脂やガラスよシ大きいので１例
えば、透光性支持体としてポリカーボネートを用いる場
合などは、ポリカーボネートの屈折率１．５９に極力近
づけるようにして、表面コート層と透光性支持体の間に
生じる屈折率の違いによる透過光量の損失が少なくした
方がＳ／Ｎが良くなる。そのために透光性支持体と表面
コート層の間の屈折率差がないように、添加する透明導
電材料の量を決めるとよい。表面コート層の被覆方法は
、紫外線硬化法、ゾルゲル法など種々の選択が可能であ
る。光記録媒体の表面の比抵抗は１０１００ｍ以上にな
ると帯電防止効果が弱くなるため１０′。
Ｏｘ ＋ Ｃｄ ！ Ｓ ｎ Ｏ４＋Ｓ ｎＯｔ（Ｓ
ｂ）、 ”ｔＯｓ（Ｆ）ｅ ＺｒＯ２などの透明導電性
材料を用いるが、無毒性及び経済性を考えると、５ｎ０
２．Ｉｎ１Ｏ１（Ｓｎ）、ＺｎＯ，Ｚｒ０（人ｔ） 、
Ｚｎ０（Ｇａ）ＺｎＯ（Ｉｎ）を用いる方が良い。上
述の説明において（）は不純物として添加する元素であ
る。また、これらの透明導電性材料の粒径は、光記録媒
体の記録、再生に用いる光のビーム径にもよるが、致方
オングストロームから数千オングストローム以下が望ま
しい。さらに、これらの透明導電性材料の表面コート剤
中に添加する量であるが、光記録媒体の表面の比抵抗が
１０ΩＧ以下であればよいので、数パーセントから数十
パーセントと範囲は広い。しかし、これらの透明導電性
材料は屈折率が１．８〜２．５程度と光記録媒体の透光
性支持体として用いる樹脂やガラスよシ大きいので１例
えば、透光性支持体としてポリカーボネートを用いる場
合などは、ポリカーボネートの屈折率１．５９に極力近
づけるようにして、表面コート層と透光性支持体の間に
生じる屈折率の違いによる透過光量の損失が少なくした
方がＳ／Ｎが良くなる。そのために透光性支持体と表面
コート層の間の屈折率差がないように、添加する透明導
電材料の量を決めるとよい。表面コート層の被覆方法は
、紫外線硬化法、ゾルゲル法など種々の選択が可能であ
る。光記録媒体の表面の比抵抗は１０１００ｍ以上にな
ると帯電防止効果が弱くなるため１０′。
Ωα以下が望ましいが、１０’Ω１以下ではさらに帯′
６防止効果が良くなる。
６防止効果が良くなる。
第１図から第８図は本発明の実施例における光記録媒体
の基本構成図であり、ディスク状の透光性支持体を用い
た場合を例にとる。
の基本構成図であり、ディスク状の透光性支持体を用い
た場合を例にとる。
第１図は本発明になる光記録媒体を最も簡潔に示す図で
あり、第２図は貼シ合わせに用いる透光性支持体の上に
セラミックス層を用いた場合であり、第３図は光記録媒
体の側端面に表面コート層がない場合であり、第４図は
光の反射を利用して信号の記録、再生を行なう方式であ
シ、第５図は記録層の側端面が保護層によって覆われて
いる場合であり、第６図は２ Ｐ （Ｐｈｏｔｏ Ｐ
ｏ１ｙｒｎｅｖ ）法を用いてトラッキング用のグルー
プを形成した場合であシ、第７図は光記録媒体の側端面
にＲをほどこした場合であシ、第８図は光の反射を利用
して記録、再生を行なう場合において、光記録媒体の両
面から記録、再生または消去を行なう方式これら第１図
から第８図の方式はそれぞれ組み合わせても本発明の主
旨は逸脱しないので第１図から第８図の方式を組み合わ
せたものでも何らさしつかえないが煩雑にならない念め
にそれらを組み合わせた例を１つ１つ書くのは割愛する
。
あり、第２図は貼シ合わせに用いる透光性支持体の上に
セラミックス層を用いた場合であり、第３図は光記録媒
体の側端面に表面コート層がない場合であり、第４図は
光の反射を利用して信号の記録、再生を行なう方式であ
シ、第５図は記録層の側端面が保護層によって覆われて
いる場合であり、第６図は２ Ｐ （Ｐｈｏｔｏ Ｐ
ｏ１ｙｒｎｅｖ ）法を用いてトラッキング用のグルー
プを形成した場合であシ、第７図は光記録媒体の側端面
にＲをほどこした場合であシ、第８図は光の反射を利用
して記録、再生を行なう場合において、光記録媒体の両
面から記録、再生または消去を行なう方式これら第１図
から第８図の方式はそれぞれ組み合わせても本発明の主
旨は逸脱しないので第１図から第８図の方式を組み合わ
せたものでも何らさしつかえないが煩雑にならない念め
にそれらを組み合わせた例を１つ１つ書くのは割愛する
。
第１図の説明をする。１はポリカーボネートの透光性支
持体であシ、射出成形により、トラッキング用の溝が形
成しである。２はＳｌ、ＡｔＮの第１保護層であり、５
ＩＡｊＮの焼結体ターゲットを用いてＲＦマグネトロン
ヌバソタリング法により成膜したものである。
持体であシ、射出成形により、トラッキング用の溝が形
成しである。２はＳｌ、ＡｔＮの第１保護層であり、５
ＩＡｊＮの焼結体ターゲットを用いてＲＦマグネトロン
ヌバソタリング法により成膜したものである。
３はＮ ｄ Ｄ ｙ Ｆ ｓ Ｃｏ Ｔ ｌの記録層で
あり、 ＮｄＤｙＦｅＣｏＴｌの合金ターゲットを用い
てＤＣマグネトロンスパッタリング法によ構成膜したも
のである。４は第２保護層であり、第１保護ノーと同様
な方法によシ成膜したものである。５け接着層であシ、
アクリレートおよびメタクリレートを用いた紫外線硬化
樹脂である。６は貼シ合わせに用いる透光性支持体であ
シ、１と同様に射出成形により形成したものである。７
は本発明になる表面コート層である。
あり、 ＮｄＤｙＦｅＣｏＴｌの合金ターゲットを用い
てＤＣマグネトロンスパッタリング法によ構成膜したも
のである。４は第２保護層であり、第１保護ノーと同様
な方法によシ成膜したものである。５け接着層であシ、
アクリレートおよびメタクリレートを用いた紫外線硬化
樹脂である。６は貼シ合わせに用いる透光性支持体であ
シ、１と同様に射出成形により形成したものである。７
は本発明になる表面コート層である。
８はディスク状の透光性支持体を用いているのでそのセ
ンターホールでアル。
ンターホールでアル。
第２図の説明をする。貼り合わせる側の透光性支持体に
もセラミックス層がある場合である。９はポリメチルメ
タクリレートの透光性支持体であシ第１図の１と同様に
射出成形によりトラッキング用の溝が形成しである。１
０．１１および１２は第１図の２．３および４と同様な
方法によ構成膜したものであり、１０は５ｉＡｔＮの第
１保護層、１１はＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉの記録層、１２
は５ＩＡ７Ｎの第２保護層である。１６は接着層であり
、第１図の５と同様に、アクリレートおよびメタクリレ
ートを用いた紫外線硬化樹脂である・ １４は８１０゜
層であシ、Ｓ ｔ Ｏ，のターゲットを用いてＲＦマグ
ネトロンスパッタリング法により形成したものである。
もセラミックス層がある場合である。９はポリメチルメ
タクリレートの透光性支持体であシ第１図の１と同様に
射出成形によりトラッキング用の溝が形成しである。１
０．１１および１２は第１図の２．３および４と同様な
方法によ構成膜したものであり、１０は５ｉＡｔＮの第
１保護層、１１はＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉの記録層、１２
は５ＩＡ７Ｎの第２保護層である。１６は接着層であり
、第１図の５と同様に、アクリレートおよびメタクリレ
ートを用いた紫外線硬化樹脂である・ １４は８１０゜
層であシ、Ｓ ｔ Ｏ，のターゲットを用いてＲＦマグ
ネトロンスパッタリング法により形成したものである。
１５はポリメチルメタクリレートの透光性支持体であシ
、９と同様に射出成形によシ形成し念ものである。１６
は本発明になる表面コート層である。１７はディスクの
センターホールである。
、９と同様に射出成形によシ形成し念ものである。１６
は本発明になる表面コート層である。１７はディスクの
センターホールである。
第３図について説明する。光記録媒体の側端面にない場
合であるっ １８はポリカーボネートの透光性支持体で
あり、第１図の１と同様に射出成形によシ、トラッキン
グ用の＃が形成しである。
合であるっ １８はポリカーボネートの透光性支持体で
あり、第１図の１と同様に射出成形によシ、トラッキン
グ用の＃が形成しである。
１９．２０および２１は第１図の２．３および４と同様
な方法によシ形成したものであシ、１９は５ＩＡｔＮの
第１保護層、２０はＮｄＤｙＦｅｅｏＴＩの記録層、２
１は５ＩＡＺＮの第２保護層である。
な方法によシ形成したものであシ、１９は５ＩＡｔＮの
第１保護層、２０はＮｄＤｙＦｅｅｏＴＩの記録層、２
１は５ＩＡＺＮの第２保護層である。
２２は接着層であり、第１図の５と同様に、アクリレー
トおよびメタクリレートを用いた紫外線硬化樹脂である
。２３？′ｉ＋８と同様に射出成形によシ形成したポリ
カーボネートの透光性支持体である。２４は本発明にな
る表面コート層である。
トおよびメタクリレートを用いた紫外線硬化樹脂である
。２３？′ｉ＋８と同様に射出成形によシ形成したポリ
カーボネートの透光性支持体である。２４は本発明にな
る表面コート層である。
２５はディスクのセンターホールである。
第４図について説明する。反射光を列用して２金、再生
を行なう場合である。２６はポリカーボネートの透光性
支持体であシ、第１図の１と同様に射出成形によシトラ
ッキング用の溝がある。
を行なう場合である。２６はポリカーボネートの透光性
支持体であシ、第１図の１と同様に射出成形によシトラ
ッキング用の溝がある。
２７．２８および２９は第１図の２．３および４と同様
な方法によ構成膜したものであシ、２７は５ＩＡｔＮの
第１保護層、２８はＮｄＤｙＦｅＣｏＴｌの記録層、２
９は５ＩＡｔＮの第２保護層である。
な方法によ構成膜したものであシ、２７は５ＩＡｔＮの
第１保護層、２８はＮｄＤｙＦｅＣｏＴｌの記録層、２
９は５ＩＡｔＮの第２保護層である。
５０はＡｔの反射層であシ、Ａｔのターゲットを用いて
ＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜したもの
である。３１は接着層であり、第１図の５と同様に、ア
クリレートおよびメタクリレートを用いた紫外線硬化樹
脂である。３２は２６と同様に射出成形により形成した
ポリカーボネートの透光性支持体である。３３は本発明
になる表面コート層である。３４はディヌクのセンター
ホールである。
ＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜したもの
である。３１は接着層であり、第１図の５と同様に、ア
クリレートおよびメタクリレートを用いた紫外線硬化樹
脂である。３２は２６と同様に射出成形により形成した
ポリカーボネートの透光性支持体である。３３は本発明
になる表面コート層である。３４はディヌクのセンター
ホールである。
第５図について説明する。記録層を保護層で密封した形
である。３５はポリカーボネートの透光性支持体であり
、第１図の１と同様に射出成形によシトラッキング用の
溝が形成しである。３６゜３７および３８は第１図の２
．３および４と同様な方法により成膜したものであシ、
３６は５ｉＡｔＮの第１保護層、５７はＮ ｄ Ｄ ｙ
Ｆ ＠Ｃｏ Ｔ ｌの記録層。
である。３５はポリカーボネートの透光性支持体であり
、第１図の１と同様に射出成形によシトラッキング用の
溝が形成しである。３６゜３７および３８は第１図の２
．３および４と同様な方法により成膜したものであシ、
３６は５ｉＡｔＮの第１保護層、５７はＮ ｄ Ｄ ｙ
Ｆ ＠Ｃｏ Ｔ ｌの記録層。
３８は８１ｋｔＨの第２保護層で、３７の記録層を３６
の第１保護層と３８の第２保護層で密封した形になって
いる。
の第１保護層と３８の第２保護層で密封した形になって
いる。
５９は接着層であシ、第１図の５と同様に、アクリレー
トおよびメタクリレートを用いた紫外線硬化樹脂である
。４０は３５と同様に射出成形により形成したポリカー
ボネートの透光性支持体である。４１は本発明になる表
面コート層である。
トおよびメタクリレートを用いた紫外線硬化樹脂である
。４０は３５と同様に射出成形により形成したポリカー
ボネートの透光性支持体である。４１は本発明になる表
面コート層である。
４２はディスクのセンターホールである。
第６図について説明する。２Ｐ法を用いてグループを形
成する場合である。４３けエポキシの透光性支持体であ
り、注型成形により形成したものである。４４は２Ｐ層
でろ、す、２Ｐ法によシトランキング用の溝を形成しで
ある。４５．４６および４７は第１図の２，３および４
と同様な方法により形成したものであり、４５は８ＩＡ
ＺＮの第１保ｍＨＩ、４６はＮｄＤｙＦａＣｏＴｌの記
録順、４７は５ＩＡｊＮの第２保ボへ層である。４８は
接着層であシ、第１図の５と同様にアクリレートおよび
メタクリレートを用いた紫外線硬化樹脂である。
成する場合である。４３けエポキシの透光性支持体であ
り、注型成形により形成したものである。４４は２Ｐ層
でろ、す、２Ｐ法によシトランキング用の溝を形成しで
ある。４５．４６および４７は第１図の２，３および４
と同様な方法により形成したものであり、４５は８ＩＡ
ＺＮの第１保ｍＨＩ、４６はＮｄＤｙＦａＣｏＴｌの記
録順、４７は５ＩＡｊＮの第２保ボへ層である。４８は
接着層であシ、第１図の５と同様にアクリレートおよび
メタクリレートを用いた紫外線硬化樹脂である。
４９は４３と同様に注型成形によυ形成し几エポキシの
透光性支持体である。５０は本発明になる表面コート層
である。５１はディスクのセンターホールである。
透光性支持体である。５０は本発明になる表面コート層
である。５１はディスクのセンターホールである。
第７図について説明する。光記録媒体の外周部分がＲに
なっている形である。５２はポリカーボネートの透光性
支持体であり、第１図の１と同様に射出成形によりトラ
ッキング用の溝が形成しである。５３．５４および５５
は第１図の２，３および４と同様な方法により成膜した
ものであり、５３は５ＩＡｔＮの第１保護層、５４はＮ
ｄＤｙＦｅＣｏＴｉの記録層、５５は５ＩＡｔＮの第２
保護層である。
なっている形である。５２はポリカーボネートの透光性
支持体であり、第１図の１と同様に射出成形によりトラ
ッキング用の溝が形成しである。５３．５４および５５
は第１図の２，３および４と同様な方法により成膜した
ものであり、５３は５ＩＡｔＮの第１保護層、５４はＮ
ｄＤｙＦｅＣｏＴｉの記録層、５５は５ＩＡｔＮの第２
保護層である。
５６は接着層であり、第１図の５と同様に、アクリレー
トおよびメタクリレートを用いた紫外線硬化樹脂である
。５７は５２と同様に射出成形によシ形成したポリカー
ボネートの透光性支持体である。５８は本発明になる表
面コート層である。
トおよびメタクリレートを用いた紫外線硬化樹脂である
。５７は５２と同様に射出成形によシ形成したポリカー
ボネートの透光性支持体である。５８は本発明になる表
面コート層である。
５９はディスクのセンターホールである。
第８図について説明する。光の反射を利用して記録、再
生を行なう場合で、光記録媒体の両面から記録、再生ま
たは消去を行なう場合である。
生を行なう場合で、光記録媒体の両面から記録、再生ま
たは消去を行なう場合である。
６０はポリカーボネートの透光性支持体であり、第１図
の１と同様に射出成形によりトラッキング用の溝が形成
しである。６１．６２および６３は第１図の２，５およ
び４と同様な方法により成膜したものであり、６１は５
ｉＡｔＮの第１保護層、６２はＮ ｄ Ｄ ｙ Ｆ ｅ
Ｃｏ Ｔ １の記録層、６３は５ＩＡｔＮの第２保護
層である。６４は人ｔの反射層であシ、第４図の３０と
同様な方法により成膜したものである。６５はメタクリ
レートおよびアクリレートを用いた嫌気性の接着層であ
る。６６は本発明になる表面コート層である。６７はデ
ィスクのセンターホールである。
の１と同様に射出成形によりトラッキング用の溝が形成
しである。６１．６２および６３は第１図の２，５およ
び４と同様な方法により成膜したものであり、６１は５
ｉＡｔＮの第１保護層、６２はＮ ｄ Ｄ ｙ Ｆ ｅ
Ｃｏ Ｔ １の記録層、６３は５ＩＡｔＮの第２保護
層である。６４は人ｔの反射層であシ、第４図の３０と
同様な方法により成膜したものである。６５はメタクリ
レートおよびアクリレートを用いた嫌気性の接着層であ
る。６６は本発明になる表面コート層である。６７はデ
ィスクのセンターホールである。
次に、本発明になる表面コート層について説明するロメ
ラミン、ウレタン、アルキド、多管能アクリルから選ば
れた１種または２種以上の混合物に、反応性希釈剤、光
反応開始前、光増感剤、酸化防止、剤、安定剤を加え、
透明導電性セラミックスの１１１〜Ｉ１５μ粒径の粉末
を５〜１０重量パーセント添加してよく分散させたあと
、光記録媒体の表面に塗布後、紫外線を照射して硬化姑
せる方法、およびシリコン系塗料の中に透明停電性セラ
ミックスの［１１〜０．５μ粒径の粉末を５〜１０重量
パーセント添加してよく分散させたあと、ブライニー処
理をした光記録媒体の表面に塗布後室温に１時間放置し
て、９０℃で３時間乾燥させる方法、あるいはゾルゲル
法による方法があるが、本実施例では多管能アクリレー
トを用いて紫外線硬化によシ作製する方法を例にとる。
ラミン、ウレタン、アルキド、多管能アクリルから選ば
れた１種または２種以上の混合物に、反応性希釈剤、光
反応開始前、光増感剤、酸化防止、剤、安定剤を加え、
透明導電性セラミックスの１１１〜Ｉ１５μ粒径の粉末
を５〜１０重量パーセント添加してよく分散させたあと
、光記録媒体の表面に塗布後、紫外線を照射して硬化姑
せる方法、およびシリコン系塗料の中に透明停電性セラ
ミックスの［１１〜０．５μ粒径の粉末を５〜１０重量
パーセント添加してよく分散させたあと、ブライニー処
理をした光記録媒体の表面に塗布後室温に１時間放置し
て、９０℃で３時間乾燥させる方法、あるいはゾルゲル
法による方法があるが、本実施例では多管能アクリレー
トを用いて紫外線硬化によシ作製する方法を例にとる。
多管能アクリレートとして、トリメチルグロハントリア
クリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、
ヘキサンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコ
ールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアク
リレートの混合物に、反応性希釈剤としてテトラヒドロ
フリルアクリレートを添加して、光重合開始剤として、
ベンゾフェノンおよびベンジルジメチルケタールを用い
、光増感剤としてミヒラーズケトンを用いて、透明導電
性セラミックスとして粒径（Ｌ１〜０．５μのＺｎＯ粉
末を５重量パーセント添加して作製した光記録媒体（表
１の本発明）、透明導電性セラミックスを添加しないで
表面コートした光記録媒体（表１の従来例）および表面
コートしない光記録媒体の各種試験後のビットエラーレ
ートを表１に示す。表１の結果かられかるように本発明
になる表面コート層をほどこした場合は表面を布でふい
たり、ホコリの多い部屋で長時間使用してもビットエラ
ーレートの経時変化がないことがわかる。
クリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、
ヘキサンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコ
ールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアク
リレートの混合物に、反応性希釈剤としてテトラヒドロ
フリルアクリレートを添加して、光重合開始剤として、
ベンゾフェノンおよびベンジルジメチルケタールを用い
、光増感剤としてミヒラーズケトンを用いて、透明導電
性セラミックスとして粒径（Ｌ１〜０．５μのＺｎＯ粉
末を５重量パーセント添加して作製した光記録媒体（表
１の本発明）、透明導電性セラミックスを添加しないで
表面コートした光記録媒体（表１の従来例）および表面
コートしない光記録媒体の各種試験後のビットエラーレ
ートを表１に示す。表１の結果かられかるように本発明
になる表面コート層をほどこした場合は表面を布でふい
たり、ホコリの多い部屋で長時間使用してもビットエラ
ーレートの経時変化がないことがわかる。
尚、本発明において表面コート層に添加する透明導電性
セラミックスはＺｎＯを例にとったが、Ｉ ｎ１ｏｚ、
Ｉ ｎｚｏｓ（Ｓｎ ）、 Ｚｎ０（Ａｔ）、Ｚｎ０
（Ｇａ）。
セラミックスはＺｎＯを例にとったが、Ｉ ｎ１ｏｚ、
Ｉ ｎｚｏｓ（Ｓｎ ）、 Ｚｎ０（Ａｔ）、Ｚｎ０
（Ｇａ）。
Ｚｎ０（Ｉｎ）、５ｎ０１などの透明導電性セラミック
スであれば何ら問題ない。また、本発明において表面コ
ート層の製造方法として、紫外線硬化法を例にとってい
るが、加熱硬化、電子線硬化、蒸着などの方法を用いて
もかまわない。さらに、本発明における光記録媒体は、
５ＩＡｔＮを第１および第２保護層、ＮｄＤｙＦｅＣｏ
Ｔｊを記録層、アクリレートおよびメタクリレートを用
いた接着層、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレ
ート、およびエポキシを透光性支持体、Ａｔ層を反射層
とした場合を例にとっであるが、これらに限定されるも
のではなく、本発明の主旨を選脱しない限シ種々の変更
は可能である。例えば保護層としてはＳＩｏ、８１０１
．ＺｎＳ、ＡｔＮ、ＳＩ３Ｎ４およびこれらの混合物で
もよく、記録層はＴｂＦ・ＣｏＧｄＦｅＣｏ。
スであれば何ら問題ない。また、本発明において表面コ
ート層の製造方法として、紫外線硬化法を例にとってい
るが、加熱硬化、電子線硬化、蒸着などの方法を用いて
もかまわない。さらに、本発明における光記録媒体は、
５ＩＡｔＮを第１および第２保護層、ＮｄＤｙＦｅＣｏ
Ｔｊを記録層、アクリレートおよびメタクリレートを用
いた接着層、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレ
ート、およびエポキシを透光性支持体、Ａｔ層を反射層
とした場合を例にとっであるが、これらに限定されるも
のではなく、本発明の主旨を選脱しない限シ種々の変更
は可能である。例えば保護層としてはＳＩｏ、８１０１
．ＺｎＳ、ＡｔＮ、ＳＩ３Ｎ４およびこれらの混合物で
もよく、記録層はＴｂＦ・ＣｏＧｄＦｅＣｏ。
ＧｄＣｏ等の光磁気型の他に、ＴｅＯｘ、ＩｎＡＰなど
の相変化型のものでもかまわないし、透光性支持体とし
てはプラスチック基板の他に、ガラスを用いてもかまわ
ない。ＴｅＯｘやＴｎ−４ｆのように耐酸化性が比較的
強い記録層を用いる場合や、透光性支持体としてガラス
を用いる場合は保護層はない場合でもよい。
の相変化型のものでもかまわないし、透光性支持体とし
てはプラスチック基板の他に、ガラスを用いてもかまわ
ない。ＴｅＯｘやＴｎ−４ｆのように耐酸化性が比較的
強い記録層を用いる場合や、透光性支持体としてガラス
を用いる場合は保護層はない場合でもよい。
表１ 各種の試験後のビットエラーレート〔発明の効果
〕 以上のように本発明によれば、光を用いて記録、再生ま
たは消去を行なう光記録媒体において、その光記録媒体
の表面の傷、ゴミやホコリによる信号の耐薬品性を向上
させる目的で、その光記録媒体の表面に被覆するコート
剤の中に、透明で電気伝導度を有するセラミックスを含
有させて被覆して前記光記録媒体の表面の比抵抗を１０
Ω備以下にすることによシ、光記録媒体の傷、及び静電
気によるゴミやホコリの付着を防ぐとともに、コート剤
自身の特性を失うことがない光記録媒体を提供するとい
う効果を有する。
〕 以上のように本発明によれば、光を用いて記録、再生ま
たは消去を行なう光記録媒体において、その光記録媒体
の表面の傷、ゴミやホコリによる信号の耐薬品性を向上
させる目的で、その光記録媒体の表面に被覆するコート
剤の中に、透明で電気伝導度を有するセラミックスを含
有させて被覆して前記光記録媒体の表面の比抵抗を１０
Ω備以下にすることによシ、光記録媒体の傷、及び静電
気によるゴミやホコリの付着を防ぐとともに、コート剤
自身の特性を失うことがない光記録媒体を提供するとい
う効果を有する。
第１図から第８図は本発明の光記録媒体の基本構成図で
ある。第１図は本発明の光記録媒体を最も藺潔に示す図
である。第２図は貼シ合わせる側の透光性支持体にセラ
ミックス層を用いた場合、第３図は光記録媒体の側端面
に表面コート層がない場合、第４図は光の反射を利用し
て信号の記録再生を行なう場合、第５図は記録層の側端
面が保ｔ！層によって覆われている場合、第６図は２Ｐ
法を用いてトラッキング用の溝を形成した場合、第７図
は光記録媒体の側端面にＲをほどこした場合、第８図は
光記録媒体の両面を用いて記録、再生または消去を行な
う場合をそれぞれ示す。 １・・・ポリカーボネートの透光性支持体２・・・５Ｉ
ＡｔＮの第１保膜層 ３・＝ＮｄＤｙＦ＠ＣｏＴｉの記録層 ４・・・５ｉＡｔＮの第２保護層 ５・・・接着層 ６・・・ポリカーボネートの透光性支持体７・・・本発
明になる表面コート層 ８・・・ディスクのセンターホール ９・・・ポリメチルメタクリレートの透光性支持体 １０・・５ＩＡｔＮの第１保護層 １１−ＮｄＤｙＦｅＣｏＴｌの記録層 １２・・・５ｉＡｔＮの第２保護層 １３・・・接着層 １４・・・５１０１層 １５・・・ポリメチルメタクリレートの透光性支持体 １６・・・本発明になる表面コート層 １７・・・ディスクのセンターホール １８・・・ポリカーボネートの透光性支持体１９・・・
５ｉＡｔＮの第１保護層 ２０ ・＝ＮｄＤｙＦ＊、ＣｏＴｌの記録層２１・・・
５ＩＡｔＮの第２保護層 ２２・・・接着層 ２６・・・ポリカーボネートの透光性支持体２４・・・
本発明になる表面コート層 ２５・・・ディスクのセンターホール ２６ ・・・ボ１ルカーボネートの透光性支持体２７−
８ｉＡｔＮの第１保護層 ２８ ・＝ＮｄＤｙＦｅＣｏＴＩの記録層２９−３ＩＡ
ＡＮの第２保護層 ３０・・・ｈＬの反射層 ３１・−接着層 ３２・・・ポリカーボネートの透光性支持体３３・・・
本発明になる表面コート層 ３４・・・ディスクのセンターホール ３５・・・ポリカーボネートの透光性支持体５６・・・
５ｉＡｔＮの第１保護層 ３７−ＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉの記録層 ３８・−８ｉＡＡＮの第２保膜層 ３９・・・接着層 ４０・・・ポリカーボネートの透光性支持体４１・・・
本発明になる表面コート層 ４２−・・ディスクのセンターホール ４３・・・エポキシの透光性支持体 ４４−２ Ｐ層 ４５・・・５ｉＡｔＮの第１保獲層 ４６＝・ＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉの記録層４７・・・５Ｉ
ＡｔＮの第２保護層 ４８・・・接着層 ４９ ・・・エポキシの透光性支持体 ５０・・・本発明になる表面コート層 ５１・・・ディスクのセンターホール ５２ ・・・ポリカーボネートの透光性支持体５３・−
８ＩＡｔＮの第１保護層 ５４−ＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉの記録層 ５ｓ−ｓｘｈｔＮの第２保護層 ５６−・・擬着層 ５７−・・ポリカーボネートの透光性支持体５８・・・
本発明になる表面コート層 ５９・・・ディスクのセンターホール ６０・・・ポリカーボネートの透光性支持体６１・−３
ＩＡｔＮの第１保護層 ６２ ＝ＮｄＤｙＦｓＣｏＴｉの記録層６５・・・５ｉ
ＡｔＮの第２保護層 ６４−Ａ Ｌ反射層 ６５・−接着層 ６６・一本発明になる表面コート層 ６７・・・ディスクのセンターホール。 以上 １６１札ビ５ｂ コートメ階 偶２図 ２４−Ｍｌりコーー管 ３３表合コーし１ ４１ 表面ロー１
ある。第１図は本発明の光記録媒体を最も藺潔に示す図
である。第２図は貼シ合わせる側の透光性支持体にセラ
ミックス層を用いた場合、第３図は光記録媒体の側端面
に表面コート層がない場合、第４図は光の反射を利用し
て信号の記録再生を行なう場合、第５図は記録層の側端
面が保ｔ！層によって覆われている場合、第６図は２Ｐ
法を用いてトラッキング用の溝を形成した場合、第７図
は光記録媒体の側端面にＲをほどこした場合、第８図は
光記録媒体の両面を用いて記録、再生または消去を行な
う場合をそれぞれ示す。 １・・・ポリカーボネートの透光性支持体２・・・５Ｉ
ＡｔＮの第１保膜層 ３・＝ＮｄＤｙＦ＠ＣｏＴｉの記録層 ４・・・５ｉＡｔＮの第２保護層 ５・・・接着層 ６・・・ポリカーボネートの透光性支持体７・・・本発
明になる表面コート層 ８・・・ディスクのセンターホール ９・・・ポリメチルメタクリレートの透光性支持体 １０・・５ＩＡｔＮの第１保護層 １１−ＮｄＤｙＦｅＣｏＴｌの記録層 １２・・・５ｉＡｔＮの第２保護層 １３・・・接着層 １４・・・５１０１層 １５・・・ポリメチルメタクリレートの透光性支持体 １６・・・本発明になる表面コート層 １７・・・ディスクのセンターホール １８・・・ポリカーボネートの透光性支持体１９・・・
５ｉＡｔＮの第１保護層 ２０ ・＝ＮｄＤｙＦ＊、ＣｏＴｌの記録層２１・・・
５ＩＡｔＮの第２保護層 ２２・・・接着層 ２６・・・ポリカーボネートの透光性支持体２４・・・
本発明になる表面コート層 ２５・・・ディスクのセンターホール ２６ ・・・ボ１ルカーボネートの透光性支持体２７−
８ｉＡｔＮの第１保護層 ２８ ・＝ＮｄＤｙＦｅＣｏＴＩの記録層２９−３ＩＡ
ＡＮの第２保護層 ３０・・・ｈＬの反射層 ３１・−接着層 ３２・・・ポリカーボネートの透光性支持体３３・・・
本発明になる表面コート層 ３４・・・ディスクのセンターホール ３５・・・ポリカーボネートの透光性支持体５６・・・
５ｉＡｔＮの第１保護層 ３７−ＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉの記録層 ３８・−８ｉＡＡＮの第２保膜層 ３９・・・接着層 ４０・・・ポリカーボネートの透光性支持体４１・・・
本発明になる表面コート層 ４２−・・ディスクのセンターホール ４３・・・エポキシの透光性支持体 ４４−２ Ｐ層 ４５・・・５ｉＡｔＮの第１保獲層 ４６＝・ＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉの記録層４７・・・５Ｉ
ＡｔＮの第２保護層 ４８・・・接着層 ４９ ・・・エポキシの透光性支持体 ５０・・・本発明になる表面コート層 ５１・・・ディスクのセンターホール ５２ ・・・ポリカーボネートの透光性支持体５３・−
８ＩＡｔＮの第１保護層 ５４−ＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉの記録層 ５ｓ−ｓｘｈｔＮの第２保護層 ５６−・・擬着層 ５７−・・ポリカーボネートの透光性支持体５８・・・
本発明になる表面コート層 ５９・・・ディスクのセンターホール ６０・・・ポリカーボネートの透光性支持体６１・−３
ＩＡｔＮの第１保護層 ６２ ＝ＮｄＤｙＦｓＣｏＴｉの記録層６５・・・５ｉ
ＡｔＮの第２保護層 ６４−Ａ Ｌ反射層 ６５・−接着層 ６６・一本発明になる表面コート層 ６７・・・ディスクのセンターホール。 以上 １６１札ビ５ｂ コートメ階 偶２図 ２４−Ｍｌりコーー管 ３３表合コーし１ ４１ 表面ロー１
Claims (1)
- 光を用いて記録、再生または消去を行なう光記録媒体
において、前記光記録媒体の表面に被覆するコート剤の
中に、透明で電気伝導度を有するセラミックスを含有さ
せ被覆して前記光記録媒体の表面の比抵抗を１０＾１＾
０Ωｃｍ以下にしたことを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61214328A JPH07105069B2 (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61214328A JPH07105069B2 (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 光記録媒体 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9358623A Division JP2973990B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6369044A true JPS6369044A (ja) | 1988-03-29 |
| JPH07105069B2 JPH07105069B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=16653930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61214328A Expired - Lifetime JPH07105069B2 (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105069B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6430041A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Hitachi Ltd | Optical disk |
| JPH0276329U (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-12 | ||
| JPH02203436A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-13 | Kyocera Corp | 光ディスク |
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| JPH07105069B2 (ja) | 1995-11-13 |
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