JPH0334140A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は、書き換えが可能な光磁気記録媒体に関し、特
に帯電防止及び吸湿防止にすぐれた光磁気記録媒体に関
するものである。

ｆ従来の技術ｌ 近年、半導体レーザー光により磁気記録を行う光磁気記
録媒体が高密度記録用として種々研究され、また一部で
は商品化が行われる段階に至っている。特に高密度記録
用として使用されるためには記録層がその膜面に垂直な
方向に磁化容易軸を有するいわゆる垂直磁化膜であるこ
とが必要とされる。そして、このような記録層として、
遷移金属（Ｆｅ、Ｃｏ）と希土類金属（Ｇｄ、　ｏｙ、
　Ｔｂ等）とを組合せた種々の非晶質（アモルファス）
磁性合金膜が提案されている。

一方、光磁気記録媒体の基板としては、ポリメチルメタ
クリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）な
どのプラスチック、あるいはガラス等が用いられている
が、その中でもポリカーボネートが代表的な基板材料と
なっている。これは、コストが低い、ガイドトラックと
なるグループや、プレフォーマットを構成するビットの
形成がインジェクション工法を用いることにより、比較
的容易である等の理由による。

〔発明が解決しようとする課題］ しかしながら、ポリカーボネートのようなプラスチック
を基板に用いた場合、記録層、保護層の成膜時における
膜の応力によるソリの発生、あるいは吸水、透湿による
ソリの発生が起こりやすい。

例えばポリカーボネート基板上に下側誘電層を介して光
磁気記録層を設け、さらに上側誘電層及び保護層（カバ
ー層）を設けた単板構成の光磁気ディスクを作製し、こ
の光磁気ディスクを３０℃、９０％ＲＨの高湿下に所定
時間放置し、その後３０℃、１２〜１７％ＲＨの低湿下
に放置したときのチルト（Ｔｉ（２ｔ）変化の一例を第
３図に示す。この図かられかるように、ポリカーボネー
トを用いた単板構成の光磁気ディスクでは、大きな湿度
変化があったとき、吸水あるいは脱水によりソリが発生
し、場合によってはチルトが！ｌ＋ｇ＋ｒａｄを超えて
しまう場合がある。このようなソリの発生はトラッキン
グ精度、書込感度。

ビット・エラー・レートに影響を与える。その為、基板
２枚を貼り合せ１両面タイプとする事により、記憶容量
を倍増すると共にソリの発生を抑制している。

ところが、近年、光磁気ディスクにおいて、３．５イン
チ単板ディスクの開発が行なわれ、標準化ではチルトの
規格値が５ｍｒａｄ以下に決まっており、ソリの発生を
極力おさえることが望しい。

一方、ポリカーボネート等からなるプラスチック基板は
表面抵抗が高いため、静電気により表面にゴミやほこり
が吸着されやすく、このような基板を用いた光磁気記録
媒体を長期使用した場合、ドライブ内のピックアップの
レンズに媒体のゴミやほこりや付着し、記録、再生が困
難になったり、媒体に大きなゴミが付着して信号が読め
なくなる等の不都合が生じてしまう。

本発明は、このような従来技術の問題点を解決するため
になされたもので、静電気によるゴミ、はこり等の付着
及び透水、吸湿によるソリの発生を防止した信頼性の高
い光磁気記録媒体を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するため、本発明によれば、膜面に垂直
な方向に磁化容易軸を有する非晶質の希土類金属−遷移
金属合金薄膜を記録層とする光磁気記録媒体において、
当該光磁気記録媒体の基板面上に導電透明無機膜を設け
たことを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。

以下本発明を図面に基づき詳細に説明する。

本発明による光磁気記録媒体の構成例の概略断面図を第
１図に示す。この光磁気記録媒体は基板ｌの一方の面上
に第１誘電層２．記録層３、第２誘電層４及び保護層（
カバー層）５が順次形成され、基板ｌの反対側面上に導
電透明無機！！Ｘ６が形成された構成になっている。

基板１の材料としては記録再生に用いるレーザ光に対し
て透明度が高くかつ複屈折の小さい光学特性の良好なポ
リカーボネート（ＰＣ）が好ましく使用され、ポリメチ
ルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、エポキシ、ポリオレフ
ィン等のプラスチックも使用可能である。

第１誘電層２は基板１側からの水、酸素の侵入により記
録層３の磁気特性が劣化するのを防止するとともに、磁
気光学効果（カー回転角θｋ〉をエンハンスメントする
役割を行う。このため第１誘電層２は屈折率ｎの大きい
Ｓｉｎ、　５ｉＡＱＯＮ等の材料あるいはそれらを組合
せたものを用い、スパッタ法、蒸着法、イオンブレーテ
ィング法等により、５００〜２０００人の膜厚に形成さ
れる。

記録層３として、　Ｔｂ％Ｇｄ、　Ｄｙ、　Ｎｄ等の希
土類金属を少なくとも１種以上と、遷移金属であるＦｅ
、ｃｏの少なくとも１種以上とを組合せた非晶質の磁性
合金膜（垂直磁化膜）が使用される。具体的にはＴｂＦ
ｅＣｏ、　ＧｄＴｂＦｅＣｏ、　ＴｂＤｙＦｅＣｏ、　
ＮｄＤｙＦｅＣｏ等が使用される。そして成膜法として
はスパッタ法、蒸着法等が使用され、５００〜＋０００
人の膜厚に形成される。

第２誘電層４は大気中の水、酸素等の侵入による記録層
３の磁気特性の劣化防止を目的として設けられるもので
、第１誘電層２の材料と同じＳｉＮ、　５ｉＡＱＯＮ等
の材料あるいはそれらを組合せたものを使用し同様の方
法により５００〜２０００　、Ａ、の膜厚に形成される
。

保護層５は下層の保護及び透湿性や酸素透過性を改善し
、長期安定性を確保する目的で設けられる。この保護層
５は紫外線硬化樹脂、熱可塑性樹脂、ホットメルトレジ
ン、プラズマ重合樹脂等を用い塗布法などの方法で３〜
３〇−程度の膜厚に形成される。

導電透明無機膜６は本発明の特徴となるもので、帯電防
止及び吸湿防止を目的として設けられる。

この導電透明無機膜６は帯電防止及び吸湿防止の効果に
加え、反射防止効果を持たせる観点から少なくとも２層
以上の積層で構成することが好ましく、この場合、最上
層（基板ｌから最も遠い側の層）にはＭｇＦ、、　Ｓｉ
ｎ、、Ａ１２．　Ｏ，、ＭｇＯ，ＣａＦ、、　ＮａＦ等
の材料が使用され、下層（基板ｌに近い側の層）にはＩ
ｎ。

０、．５ｉＯ１ＳｎＯ，、Ｚｎ０（ＡＱドープ）、　Ｉ
ＴＯ，Ｔｉｅ、等の材料が使用される。その成膜法とし
てはスパッタ法、蒸着法、プラズマ蒸着法等が用いられ
、各層は３０００〜５００ＯＡの膜厚に成膜されるが、
多重反射によるカー′回転角θにのエンハンスメントの
ためλ／４ｎ（λ：使使用レーザ波波長ｎ：屈折率）程
度の膜厚に形成されることが好ましい。

以上本発明の一構成例につき述べてきたが、本発明はこ
の構成例に限定されるものではなく、種々の変形、変更
が可能であることはいうまでもない。

たとえば、反射層やヒートシンク層を備えた層構成とし
てもよいし、単板構成のみならず貼り合せ構成としても
よい。貼り合せ構成の場合にはチルト変化がほとんどな
いので帯電防止のみに着目して材料を選択し成膜するこ
とで所期の目的を達成することができる。また単板構成
において透喝性の小さいアモルファスポリオレフィン（
ＡＰＯ）を基板に用いた場合も同様である。

また、第１図の例では導電透明無機膜を光の入射側に設
けたが、その反対側の媒体面にも設けるような構成とし
てもよい。さらに、導電透明無機膜は媒体の全面に設け
てもよいし、記録領域のみに設けてもよい。

〔作用ｌ 導１１透明無機膜を設けたことにより、光磁気記録媒体
の表面抵抗率が改善されるため、吸湿の防止に加えて帯
電が効果的に防止できるようになり、ゴミ、はこり等の
付着が防止され、長期安定外が得られるようになり、上
記課題が解決される。

【実施例］ 以下に実施例をあげて本発明をさらに説明するが、本発
明はここに例示の実施例に限定されるものではない。

基板としてポリカーボネート板（直径８６■）を用い、
９０℃・２時間の脱水処理を行った後、チャンバー内に
その基板をセットした。セット後、真空引きを行い、真
空度が３Ｘ　１０−”Ｔｏｒｒ以下となった時に＾ｒ外
ガス１０−’−１ｏ−”Ｔｏｒｒのガス圧となるように
導入し、次いで基板の表面をイオンボンバードし、清浄
化した。その後、Ａｒ＋Ｎ、ガス雰囲気とし、Ｓｉター
ゲットを用いてＲＦマグネトロンスパッタにより第１誘
電層としてＳｉＮ膜を８００人の厚さに形成した。次に
、＾「雰囲気中でＴｂＤｙＦｅＣｏターゲットを用いて
ＤＣマグネトロンスパッタにより記録層としてＴｂＤｙ
ＦｅＣｏ膜（非晶質垂直磁化膜）を９００人の厚さに形
成し、さらに第１誘電層形成と同様にして第２誘電層と
してＳｉＮ膜を８００人の厚さに形成した。その後、基
板上に第１誘電層、記録層及び第２誘電層が形成された
ディスク体を取り出し、真空蒸着装置にセットし、　ｌ
　Ｘ　１０−”　Ｔｏｒｒ以下の真空度としてからＯ，
ガスを１Ｏ−１〜１０−’Ｔｏｒｒのガス圧となるよう
に導入し、次いでＩｎ、０．ベレットを蒸着源としてプ
ラズマ蒸着によりＩｎ、０．を形成した。その後、同様
にしてＩｎ、　０．膜上にＭｇＦ、　ＷＸを形成し、Ｉ
ｎ、Ｏ，膜とＭｇＦ、膜との積層膜をもって導電透明無
機膜とした。

次に、導電透明無機膜が形成されたディスク体を取り出
し、スピンコーターにセットし、第２誘電層上に保護層
として下記組成の紫外線硬化樹脂を約１０μｓの厚さに
塗布し、硬化させて、第１図に示す構成の光磁気ディス
クを得た。

紫外線硬化樹脂の組成 ・ビスフェノール＾型エポキシ ・脂環式エポキシ（２官能基／ｌ官能基）（ただしＲ１
はエステル結合含有アルキル基、Ｒ１ はビニル結合含有アルキル基） ・光重合開始剤 （Ｒ，はチオエーテル結合を含む） ・シラン化合物 （Ｒ，、Ｒ６はアルキル基） 以上のようにして作製した光磁気ディスクの帯電防止効
果を評価するために、表面抵抗率を測定したところ、１
０’〜１０６Ω／口（ポリカーボネートは１０１〜１０
１）の値が得られた。この数値は帯電防止の目安となる
１０＠Ω１口より小さく、帯電防止に対して十分な性能
であった。また、第３図に示したと同様なテストを本実
施例の光磁気ディスクに対して行った結果を第２図に示
す。この図から１本実施例の光ディスクのチルト変化は
±５ｍｒａｄ以内となっており、第３図のチルト変化を
示す従来の光磁気ディスクと比べて、防湿効果が優れて
いることが確認できた。

〔発明の効果Ｊ 以上Ｊ￥細に説明したように、本発明の光磁気記録媒体
によれば、基板面に導電透明無機膜を設けたので、帯電
防止及び吸湿防止の効果が得られ、静電気によりゴミや
ほこりが媒体に付着することがなくなり、ドライブ内の
ピックアップのレンズ等を汚染することがなくなり、さ
らに、保存、使用環境内での湿度変化があってもソリ等
の変形が防止され、信頼性の高い光磁気記録媒体の提供
が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光磁気記録媒体の一構成例を示す断面
図、第２図は本発明の実施例の光磁気ディスクにおいて
湿度を大きく変化させたときのチルト変化を示すグラフ
、第３図は従来の光磁気ディスクにおける第２図と同様
のグラフである。 ！・・基板 ２・・・第１誘電層 ３・・・記録層 ４・・・第２誘電層 ５・・・保護層 ６・・・導電透明無機膜

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質の
   希土類金属−遷移金属合金薄膜を記録層とする光磁気記
   録媒体において、 当該光磁気記録媒体の基板面上に導電透明無機膜を設け
   たことを特徴とする光磁気記録媒体。