JPH0334141A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

（産業上の利用分野） 本発明は、書き換えが可能な光磁気記録媒体に関し、特
に長期安定性にすぐれた単板構成の光磁気記録媒体に関
するものである。

【従来の技術］ 近年、半導体レーザー光により磁気記録を行う光磁気デ
ィスクが高密度記録用として種々研究され、一部では商
品化が行われている。特に高密度記録用として使用され
るためには記録層がその膜面に垂直な方向に磁化容易軸
を有するいわゆる垂直磁化膜であることが必要とされる
。そして、このような記録層として、遷移金属（Ｆｅ、
Ｃｏ）と希土類金属（Ｇｄ、　Ｄｙ、　Ｔｂ等）とを組
合せた種々の非晶質（アモルファス）磁性合金膜が提案
されている。 一方、光磁気ディスクに用いられる基板として、ポリカ
ーボネート（以下ＰＣと記す。）、ＰＣ−スチレン共重
合体、ポリオレフィンがよく知られている。 その中でも、ＰＣは５．２５インチディスク（貼り合わ
せタイプ）として実用化されており、３．５インチディ
スク（単板タイプ）も実用化間近かである。 【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、３．５インチディスクは単板タイプであ
るため、ｐｃ、　ｐｃ−スチレン共重合体を基板に用い
た場合、急な湿度変化（たとえば３０℃・９０％ＲＨ＝
３０℃・１０％ＲＨ）があったときには、基板内の記録
層側とその反対側で含水量の勾配が生じ、板厚方向に寸
法増加の分布ができるためソリ（チルト〉が発生し、規
格値（チルト（５＠ｒａｄ）をオーバーしてしまうとい
う欠点があった。上記３種の樹脂の飽和吸水率（３０℃
−９０％ＲＨ）を比較すると、　ＰＣ（０，３４ｉｖｔ
％））ＰＣ−スチレン共重合体（０，２５ｉｖｔ％）　
＞ポリオレフィン（０，０１−α以下）であり、ソリが
発生しやすい順番としては、ＰＣ）　ＰＣ−スチレン共
重合体〉ポリオレフィンである。ポリオレフィンは材料
の特性としては、複屈折が小さく吸水率も小さいため、
ディスク基板として理想的な材料であるが、現在では成
形性の点や価格の点で問題があり、実°用化にはまだ時
間がかかる。 本発明は１以上のような従来技術の問題点を解決するも
ので、急な湿度変化があってもソリの発生を少なくし、
かつ経時劣化のない信頼住の高い光磁気記録媒体を提供
することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成するため、本発明によれば、高分子基板
上に、第１の無機保護層、希土類金属−遷移金属非晶質
合金薄膜からなる記録層及び第２の無機保護層を順次積
層してなる光磁気記録媒体において、前記第２の無機保
護層上に、エポキシ系紫外線Ｈ化樹脂からなる第１の高
分子保護層と、前記基板材料以上の吸水率を有しかつ前
記基板材料よりも高い硬度の第２の高分子保護層を設け
たことを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。 以下本発明を図面に基づき詳細に説明する。 本発明による光磁気記録媒体の構成例の概略断面図を第
１図に示す。この光磁気記録媒体は、高分子基板１の一
方の面上に第１の無機保護層２、記録層３及び第２の無
機保護層４が順次形成され、さらにその上にエポキシ系
紫外線硬化樹脂からなる第１の高分子保護層５及び基板
材料以上の吸水率を有しかつ基板材料よりも高い硬度の
第２の高分子保護層すを設けた構成となっている。 基板１の材料としてはＰＣ，ＰＣ−スチレン共重合体が
好ましく使用されるが、これに限定されるものではない
。 第１の無機保護層２は基板ｌ側からの水、酸素の侵入に
より記録層３の磁気特性が劣化するのを防止するととも
に、磁気光学効果をエンハンスメントする役割を行う。 二のため第１の無機保護層２は屈折率ｎの大きいＳｉＮ
％５ｉＡｆｆｉＯＮ等の材料あるいはそれらを組合せた
ものを用い、スパッタ法、蒸着法、イオンブレーティン
グ法等により、５００’−２０００人の膜厚に形成され
る。 記録層３には、　Ｔｂ％Ｇｄ、　Ｄｙ、　Ｎｄ等の希土
類金属を少なくとも１種以上と、遷移金属であるＦｅ、
Ｃｏの少なくとも１種以上とを組合せた非晶質の磁性合
金膜（垂直磁化膜）が使用される。具体的にはＴｂＦｅ
Ｃｏ、　ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、　Ｎｄ
ＤｙＦｅＣｏ等が使用される。そして成膜法としてはス
パッタ法、蒸着法等が使用され、５００〜１００ＯＡの
膜厚に形成される。 第２の無機保護層４は大気中の水、酸素等の侵入による
記録層３の磁気特性の劣化防止を目的として設けられる
もので、第１の無機保護層２の材料と同じＳｉＮ、　Ｓ
、１ＡｊｌＯＮ等の材料あるいはそれらを組合せたもの
を使用し同様の成膜法により５００〜２０００人の膜厚
に形成される。 第１の高分子保護層５は下層の保護及び透湿性や酸素透
過性を改善し、長期安定性を確保する目的で設けられる
。このため、第１の高分子保護層５はエポキシ系紫外線
硬化樹脂が使用され、スピンコード、ロールコートなど
の塗布法でｌ〜２０−の膜厚に形成される。 第２の高分子保護層６は第１の高分子保護層５を設けた
ことと同様の目的の他、吸湿にともなう膨張をキャンセ
ルして、ソリの発生を少なくし、チルトを規格値以下に
する目的で設けられる。このため、第２の高分子保護層
６は、基板材料以し−の吸水率を有しかつ基板材料より
硬度が高い高分子膜である必要がある。たとえば、ｐｃ
、　ｐｃ−スチレン共重合体を基板に用いた場合には、
第２の高分子保護層６にはＰＣ以上の吸水率でＰＣより
も高い硬度の高分子膜とする。第２の高分子保護層６の
材料としては、アクリル系或いはエポキシ系光硬化性ｌ
ＩＩ！ｌｉが好ましく使用される。そしてその成膜法に
はスピンコード、ロールコート等の塗布法が使用され。 膜厚は２００／Ｊ１〜３００−が適当である。 以上本発明の一構成例につき述べてきたが、本発明はこ
の構成例に限定されるものではなく、種々の変形、変更
が可能であることはいうまでもない。

【作用】

第２の無機保護層上に設ける篩分を保護膜を２層構成と
し、その一方を、基板材料以上の吸水率を有しかつ基板
材料より高い硬度の膜としたこと

【こより、単層構成の
高分子保護層の場合に比べてソリの発生が極めて少なく
なり、また下層の充分な保護が行えるようになり、長期
信頼性が得ることができ、上記課題が解決される。 【実施例） 以下に実施例をあげて本発明をさらに説明するが、本発
明はここに例示の実施例に限定されるものではない。 （実施例１） 基板としてＰＣ板（直径８６ｉｎ、厚さ１．２鯖、グル
ープ付）を用い、クリーンオーブン内で９０℃・２時間
の脱水処理を行った後、スパッタ装＠（インターバック
式ＤＣ，ＲＦマグネトロンスパッタ装［）のチャンバー
内にその基板をセットした。セット後、真空引きを行い
、真空度が３　Ｘ　１０−”　Ｔｏｒｒ以下となった時
にＡｒガスを導入し５次いで基板の表面をイオンボンバ
ードし、清浄化した。その後、Ａｒ＋Ｎ。 の反応スパッタにより第１の無機保護層としてＳｉＮ膜
を８００への厚さに形成した。次に、へｒ雰囲気中でＯ
Ｃマグネトロンスパッタにより記録層としてＴｂ＋　Ｉ
　Ｄ！／ｌ　ｌ　Ｆｅ−Ｃｏ、膜（非晶質垂直磁化膜）
を９００人の厚さに形成し、さらに第！の無機保護層形
成と同様にして第２の無機保護層としてＳｉＮ膜を８０
ＯＡの厚さに形成し、３つの層が形成されたディスク体
を得た。 次に、このディスク体をスピンコーターにセットし、第
２の無機保護層上に、下記組成からなるエポキシ系紫外
線硬化樹脂液を１０μｓ厚に塗布した後、紫外線を照射
して硬化させ、第１の高分子保護層を形成した。 紫外線硬化樹脂の組成 ・ビスフェノールＡ型工□ボキシ ・脂環式エポキシ（２官能基／１官能基）（ただしＲ１
はエステル結合含有アルキル基、Ｒ，は ビニル結合含有アルキル基） ・光重合開始剤 （Ｒ，はチオエーテル結合を含む） さらに、第１の高分子保護層の上に、光硬化性樹脂液（
大日本インキ社製５Ｄ−３０１）をロールコータ−によ
り２５０−厚に塗布した後、紫外線を照射して硬化させ
、第２の高分子保護層を形成し、光磁気ディスクを得た
。 （実施例２） 実施例１において、上記と同組成のエポキシ系紫外線硬
化樹脂液の塗布、硬化を３回繰り返し、２００−厚の第
２の高分子保護層を形成したこと以外は同様にして光磁
気ディスクを得た。 （比較例１） 実施例Ｉにおいて、第２の高分子保護層を設けないこと
以外は同様にして光磁気ディスクを得た。 （比較例２〉 実施例１において、第１の高分子保護層としてエポキシ
系紫外線硬化樹脂液の代わりにアクリル系光硬化性樹脂
液（大日本インキ社製５Ｄ−３０１）を２５〇−厚に塗
布した後、紫外線を照射して硬化させこと、及び第２の
高分子保護層を設けないこと以外は同様にして光磁気デ
ィスクを得た。 以上のようにして作製した４種の光磁気ディスクについ
て信頼性試験（８０℃・８０＄ＲＨ加速試験）と保管環
境内（３０℃・９０％Ｒ）１．：’　３０℃・ＩＯ％Ｒ
）１）でのチルト評価を行った。第２図に信頼性試験（
ＤＥＲ（ディフヱクト・エラー・レート；欠陥率）の経
時変化）を示し、第３図に湿度変化にともなうチルトの
変化を示す。 第２図に示すように、ＤＥＲは実施例１．２及び比較例
１ともほぼ変化はないが、比較例２の光磁気ディスクは
部分的に第２の無機保護層（ＳｉＮ膜）とアクリル樹脂
膜との界面で剥離が生じた。これはアクリル系樹脂の硬
化収縮が大きいことと、ＳｉＮ膜との密着性がエポキシ
系樹脂に比べてよくないことに帰因していると考えられ
る。また、第３図に示すように、チルトの湿度変化に対
する変化は比較例！を除いて、規格値（５ｍｒａｄ以下
）を満足している。 以上のよう、に比較例１では信頼性試験結果は良いがチ
ルト評価の結果が悪く、比較例２ではチルト評価の結果
は良いが信頼性試験結果が悪く、一方、実施例１及び２
は信頼性試験結果及びチルト評価結果の両方がすぐれて
いることが確認された。 【発明の効果】 以上詳細に説明したように、本発明によれば。 エポキシ系紫外線硬化樹脂からなる第！の高分子保護層
と、基板材料以上の吸水率を有しかつ基板材料よりも高
い硬度の第２の高分子保護層との２層構成の高分子保護
層を設けたので、ｐｃ、　ｐｃ−スチレン共重合体等か
らなる高分子基板の吸湿にともなう膨張がキャンセルさ
れソリの発生を少なくすることができ、したがって長期
信頼性にすぐれた光磁気記録媒体の提供が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光磁気記録媒体の一構成例を示す断面
図、第２図は実施例と比較例の信頼性試験の結果を示す
グラフ、第３図は実施例と比較例のチルト評価結果を示
すグラフである。 １・・・高分子基板 ２・・・第１の無機保護層 ３・・・記録層 ４・・・第２の無機保護層 ５・・・第１の高分子保護層 ６・・・第２の高分子保護層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）高分子基板上に、第１の無機保護層、希土類金属
   −遷移金属非晶質合金薄膜からなる記録層及び第２の無
   機保護層を順次積層してなる光磁気記録媒体において、 前記第２の無機保護層上に、エポキシ系紫外線硬化樹脂
   からなる第１の高分子保護層と、前記基板材料以上の吸
   水率を有しかつ前記基板材料よりも高い硬度の第２の高
   分子保護層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体。