JPH01217745A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記録媒体の構造に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、密着貼合わせ構造の光磁気記録媒体において
、光磁気記録層を形成した透明基板Ａを紫外線硬化樹脂
を用いて別の透明基板Ｂと密着貼合わせをした光磁気記
録媒体の全面に、下地層と有機高分子からなる２層を形
成したこと、または透明基板Ａの全面もしくは記録面側
と透明基板Ｂの全面もしくは貼合わせ面側に下地層と有
機高分子層からなる２層を形成した後、透明基板ＡとＢ
を密着貼合わせをすることにより、強度及び耐候性を向
上させたものである。

〔従来の技術〕

近年、大容量メモリの１つとして光ディスクの商品化が
活発であり、その中でも特に書換え可能なタイプが主流
となりつつある。特に書換え可能なタイプの中でも垂直
磁化膜となり高密度記録が可能であり、また粒界ノイズ
が少なく、キュリー温度が１２０°Ｃ〜２００℃までと
半導体レーザでも十分書き込めるという特徴から、希土
類−遷移金属非晶質材料を記録膜とする光記録が主流で
ある。しかしながらこのような優れた特徴を持つ反面、
希土類−遷移金属非晶質は非常に酸化及び腐食され易い
という欠点を有する。このため前記希土類−遷移金属非
晶質材料を記録膜として透明基板上に単層で用いると、
短時間で酸化及び腐食を引き起こし、耐候性に劣る信頼
性の低い光磁気記録媒体となってしまう、このため従来
は透明基板と光磁気記録層間や、光磁気記録層の上下面
に、保護膜を形成する方法が用いられている。そしてこ
の様な保護膜としては、特開昭５８−２１５７４４号公
報、特開昭６０−１３１６５９号公報のようにアルミニ
ウムの窒化物、珪素の窒化物、ＭｇＦｑ　、ＺｎＳ、Ｃ
ｅＦｓ　、Ａ、ｇＦ−３ＮａＦなとの非酸化物が、スパ
ッタリング法、蒸着法、イオンブレーティング法などの
真空薄膜形成法により形成されてきた。

また他の手法として、特開昭６１−３９９４９号公報の
ように、光記録媒体の全面もしくは光記録層の表面に、
カップリング剤からなる下地層及び有機高分子層の２層
を形成することにより、記録層の酸化及び腐食を防ぐ検
討がなされている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし前述の保護膜を形成するという従来技術では、保
護膜に発生したピンホールを通して透明基板側から水分
が浸透して、記＃ｊ膜が腐食されるという問題点を有す
る。

また、前述の光記録媒体の全面もしくは光記録層の表面
に、下地層及び有機高分子層からなる２層を形成すると
いう従来技術では、２層が数μｍ厚と非常に薄いため、
引っかいたりすることにより破壊されてしまい、この部
分から記録膜が腐食されるという問題点を有する。

そこで本発明はこのような問題点を解決するためのもの
で、その目的とするところは、引っかきなどに強いと同
時に、耐候性に優れた光磁気記録媒体を提供するところ
にある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の光磁気記録媒体は、光磁気記録層を形成した透
明基板Ａを紫外線硬化樹脂を用いて別の透明基■Ｂと密
着貼合わせをした光磁気記録媒体の全面に下地層と有機
高分子からなる２層を形成したこと、または透明基板Ａ
の全面もしくは記録面側と透明基板Ｂの全面もしくは貼
合わせ面側に下地層と有機高分子層からなる２層を形成
した後、透明基板ＡとＢを密着貼合わせをすることを特
徴とする。

〔実　施　例〕

以下本発明について実施例に基づいて詳細に説明する。

第１図から第８図に本発明の光磁気記録媒体の基本構成
図をしめす。

第１図の１はＰＣ（ポリカーボネート）の透明基板であ
り、図には特に示さないが、射出成形により形成し、ト
ラッキング用の溝がある。２はＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉの
合金ターゲットを用いて、アルゴンガスを導入すること
によるＤＣスパッタリング法により成膜した光磁気記録
層である。３は紫外線硬化樹脂層、４は１と同様に射出
成形により形成したＰＣ透明基板である。５は下地層、
６は有機高分子層である。

第２図の７は第１図の１と全く同様な方法により形成し
たＰＣ透明基板で、トラッキング用の溝がある。８は下
地層、９は有機高分子層、１０は第１図の２と全く同様
の方法により成膜した光磁気記録層、１１は紫外線硬化
樹脂層、１２は有機高分子層、１３は下地層、１４は第
１図の１と同様に射出成形により形成したＰＣ透明基板
である。

第３図の１５は第１図の１と同様な方法により形成した
ＰＣ透明基板であり、トラッキング用の溝がある。１６
は下地層、１７は有機高分子層、１８は第１図の２と全
く同様の方法により成膜した光磁気記録層、１９は紫外
線硬化樹脂層、２０は第１図の１と同様な方法により形
成したＰＣ透明基板である。２１は下地層、２２は有機
高分子層である。

第４図の２３は注型形成により形成されたエポキシ透明
基板、２４は下地層、２５は有機高分子層、２６は図に
は示さないが、Ｎｉのスタンパを用いた２２法によりト
ラッキング用の溝を形成したものである。尚、２２層に
は、ヘキサンジオールジアクリレート５０部、トリメチ
ロールプロパントリアクリレート４０部、トリプロピレ
ングリコールジアクリレート５部、ベンジルジメチルケ
タール５部の組成で配合したものを用いた４２７は第１
図の２と全く同様の方法により成膜した光磁気記録層、
２８は紫外線硬化樹脂層、２９は有機高分子層、３０は
下地層゛、３１は２３と同様に注型形成により形成され
たエポキシ透明基板である。

第５図の３２は第４図の２３と同様に注型形成により形
成されたエポキシ透明基板、３３は下地層、３４は有機
高分子層、３５は第４図の２６と同様の２Ｐ法によりト
ラッキング用の溝を形成したもので、２部層の材料は第
４図の２６と全く同様である。３６は第１図の２と全く
同様の方法により成膜した光磁気記録層、３７は紫外線
硬化樹脂層、３８は第４図の２３と同様に注型形成によ
り形成されたエポキシ透明基板、３９は下地層、４０は
有機高分子層である。

第６図の４１は第４図の２３と同様に注型形成により形
成されたエポキシ透明基板、４２は第４図の２６と同様
の２Ｐ法によりトラッキング用の清を形成したものであ
る。４３は第１図の２と全く同様の方法により成膜した
光磁気記録層、４４は下地層、４５は有機高分子層、４
６は紫外線硬化樹脂層、４７は第４図の２３と同様に注
型形成により形成されたエポキシ透明基板、４８は下地
層、４９は有機高分子層である。

第７図の５０は第１図の１と同様な方法により形成した
ＰＣ透明基板で、トラッキング用の溝がある。５１は下
地層、５２は有機高分子層、５３は第１図の２と全く同
様の方法により成膜した光磁気記録層、５４は紫外線硬
化樹脂層、５５は第１図の１と同様な方法により形成し
たＰＣ透明基板、５６は下地層、５７は有機高分子層で
ある。

第８図の５８は第１図の１と同様な方法により形成した
ＰＣ透明基板でトラッキング用の溝がある。５９は下地
層、６０は有機高分子層、６１は第１図の２と全く同様
の方法により成膜した光磁気記録層、６２は紫外線硬化
樹脂層、６３は第１図の１と同様な方法により形成した
ＰＣ透明基板、６４は下地層、６５は有機高分子層であ
る。

また第９図及び第１０図に従来技術における光磁気記録
層体の基本構成Ｐ１の断面図を示す。

第９図の６６は第１図の１と同様な方法により形成した
ＰＣ透明基板でトラッキング用の溝がある。６７はＳ　
１−Ａｊの焼結体ターゲットを用いて、窒素とアルゴン
の混合気体を用いることによる、ＲＦ反応性マグネトロ
ンスパッタリング法により成膜した、ＡｊＳｉＮの第１
層保護膜である。

６８は第１図の２と全く同様の方法により成膜した光磁
気記録層、６９は６７と同様にして成膜した第２層保護
膜、７０は紫外線硬化樹脂層、７１は６７と同様にして
成膜したＡｊＳｉＮの保護膜、７２は第１図の１と同様
な方法により形成したＰＣ透明基板である。

第１０図の７３は第１図の１と同様な方法により形成し
たＰＣ透明基板でトラッキング用の溝がある、７４は第
１図の２と全く同様の方法により成膜した光磁気記録層
、７５は下地層、７６は有機高分子層である。

本発明において、下地層として、イソプロピルトリス（
ジオクチルパイロホスフェート）チタネートのチタン系
カップリング剤から成る層を用い、有機高分子層として
、ポリフッ化ビニリデンまたはポリフッ化ビニリデン変
成物またはフッ化ビニリデン−フッ化ビニル共重合物の
いずれか１種、または２種以上の混合物層を用い、第１
図〜第８図までの構造で試料１〜２５を形成した。また
従来例として第９図、第１０図の構造で比較例１〜６を
形成した。試料１〜２５及び比較例１〜６の構成を第１
表に示す。

第　　１　　表 ここで試料１〜２４及び比較例２．４．６のカップリン
グ剤層及び有機高分子層の２Ｎの形成は、以下のように
行った。

まず透明基板または光磁気記録媒体の表面もしくは全面
に１％のイソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフ
ェート）チタネート溶液を塗布する。塗布の方法として
は、スピンコード法、デイツプ法、ロールコート法、な
どが挙げられる０次にイソプロピルトリス（ジオクチル
パイロホスフェート）チタネート層が単〜数分子層にな
るよう前記イソプロとルトリス（ジオクチルパイロホス
フェート）チタネート層の表面をエタノール、メタノー
ル等の溶、刑で洗い流す、その後、８０℃〜９０℃で１
時間加熱乾燥を行い溶媒を完全に除去する０次に前記イ
ソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チ
タネート層上にポリフッ化ビニリデンまたはポリフッ化
ビニリデン変成物またはフッ化ビニリデン−フッ化ビニ
ル共重合物の酢酸エチル溶液を塗布し、その後６０℃〜
７０℃で１時間加熱乾燥を行い数μｍ被膜を形成した。

ここで前記ポリフッカビニリデンまたはポリフッ化ビニ
リデン変成物またはフッ化ビニリデン−フッ化ビニル共
重合物の酢酸エチルＭ液の塗布法としては、スピンコー
ド法、デイツプ法、ロールコート法、などが挙げられる
。各試料及び比較例の６０℃９０％ＲＨ粂件での加速試
験による表面状態の変化を第２表に示す。

第　　２　　表 まな第１１図に試料１〜８及び比較例１〜２の６０℃９
０％ＲＨ条件下での加速試験による初期値で規格化した
ＣＮＨの経時変化を、第１２図には同試験でのピットエ
ラーレート（ＢＢＲ）の経時変化を示す。

第２表及び第１１図、第１２図から明らかな如く、本発
明による光磁気記録媒体は、６０℃９０％ＲＨ下約２０
００　［Ｈ］の加速試験でも、Ｎ’ｄＤｙＰｅＣｏＴｉ
光磁気記録層が腐食されること　　１がなく、ＣＮＲ，
ＢＥＲも全く変化していない。

第１１図及び第１２図には試料１〜８しか示していない
が、試料９〜２５についても試料１〜８と全く同じ結果
が得られた。

比較例については、比較例１〜６のサンプル全て、６０
℃９０％ＲＨ粂件下約１０００［Ｈ］で、光磁気記録層
が腐食され始め、その後成長して行った。これに伴い、
第１１図及び第１２図に示すように、比較例１．２のＢ
ＥＲが急激に劣下し、また少し遅れＣＮＲが劣下した。

第１１図及び第１２図には比較例１．２しか示していな
いが、比較例３〜６についても同様に、約１０００［Ｈ
］付近からＢＢＲ，ＣＮＨ共に劣化し始めた。

このように本発明の光磁気記録媒体が、長期の加速試験
において、光磁気記録層が酸化、腐食されることがなく
、ＢＥＲ，ＣＮＲが全く変化しない理由として、ＰＣ透
明基板上もしくは全面に、カップリング剤層であるイソ
プロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタ
ネート層を形成し、その上に有機高分子層としてフッ化
ビニリデン−フッ化ビニル共重合物を形成することによ
り、透明基板が外部の水分を吸収することがなくなり、
それ故透明基板を通して光磁気記録層へ腐食の原因とな
る水分が浸透しなくなったことが挙げられる。また密着
貼合わせ構造をとることにより、透明基板上のゴミや、
透明基板を引っかくことで、カップリング剤層及び有機
高分子層が存在しない部分が一部生じても、光磁気記録
層が直接傷つけられることがないことが挙げられる。

尚、本発明に用いたカップリング剤としてイソプロピル
トリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネートを
用いたがその他にシランカップリング剤として ビニルトリクロルシラン ＣＨ２＝’ＣＨ８ｉ　ＣＪ　３ ビニルトリス（βメトキシエトキシ）シランＣＨ２＝Ｃ
Ｈ３ｉ　（ＯＣ２Ｈａ　０ＣＨｓ　）ｓビニルトリエト
キシシラン ＣＨ２＝ＣＨＳ　ｉ　（ＱＣ２Ｈ５）　ｓビニルトリメ
トキシシラン ＣＨ２＝ＣＨ３ｔ　（ＯＣＨｔ　）ｓ γ−メタクリロキシプロピル トリメトキシシラン ＣＨ３ ＣｌＩ２　＝ＣＣＯＣ３Ｈｓ　５ｉ（ＯＣＲｓ　）　ｓ
β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメト
キシシラン γ−グリシドキシプロピル トリメトキシシラン γ−グリシドキシグロビル メチルジェトキシシラン 　Ｈｓ Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキ
シシラン Ｈ２ＮＣ２Ｈａ　ＮＨＣｓ　Ｈａ　Ｓ　ｉ　（ＯＣＨ３
）　ｓＮ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチ
ルジメトキシシラン 　Ｈｓ ■ Ｈ２ＮＣ２Ｈａ　ＮＨＯ２Ｈ６Ｓ　ｉ　（ＯＣＨ３）　
２γ−アミノプロピルトリエトキシシランＨ２ＮＣｓ　
Ｈ６Ｓ　Ｌ　（ＱＣ２Ｈ５）　ｓＮ−フェニル−γ−ア
ミノプロピル トリメトキシシラン Ｃｓ　Ｈ５ＮＨＣｓ　Ｈａ　Ｓ　ｔ　（ＯＣＨｓ　）ｓ
γ−メルカプト１０ピルトリメトキシシランＨ３Ｃ３Ｈ
ｓ　Ｓｉ　Ｃ０ＣＨｓ　）ｓγ−クロロプロピルトリメ
トキシシランＣＪ　Ｃｓ　Ｈｅ　Ｓ　ｉ　（ＯＣＨｓ　
）　ｓＮ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン塩酸塩 ＨＣｌ　−Ｃ１ｈ　ＣＨ２ＣｌＩ２５ｉ（ＯＣＨｓ　）
　ｓ　］メチルトリメトキシシラン ＣＨｓ　Ｓ　ｉ　（ＯＣＨｓ　）　ｓ メチルトリエトキシシラン ＣＨ３Ｓ　ｉ　（ＯＣＨｚ　ＣＨｓ）１ビニルトリアセ
トキシシラン ＣＨ２＝ＣＨ−３１（ＱＣＣＨｓ　）ｓヘキサメチルジ
シラザン （ＣＨ３）　ｓ　Ｓ　ｉ　−ＮＨ−３ｉ　（ＣＨ３）　
ｓγ−クロロプロピルメチルジメトキシシランＣＪ　　
ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓ　Ｌ　（ＯＣ１１３）　２１゜ 　Ｈｓ γ−メルカプトプロピル メチルジメトキシラン ＨＳ−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓ　ｌ　（ＯＣｈ　）　２Ｃ
Ｈｓ メチルトリクロロシラン ＜ＣＨｓ　）　Ｓ　ｉ　ＣＪ　ｓ ジメチルジクロロシラン （ＣＨ３）　２　Ｓ　ｉ　Ｃｊ２ トリメチルクロロシラン （ＣＨｓ　）　ｓ　Ｓ　ｉ　Ｃｊ またチタンカップリング剤の例を以下に挙げる。

イソプロピルトリイソステマロイルチタネートイソプロ
ピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チ
タネート テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタ
ネート （Ｃ＠　Ｈｌ？　　　Ｏ）ａ　　　　Ｔｉ　　・　［Ｐ
−（０−Ｃ１３Ｈ２〕）　　２　０Ｈ］　　２テトラ（
２，２・ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジ
−トリデシル）ホスファイビス（ジオクチルパイロホス
フェート）オキシビス（ジオクチルパイロホスフェート
）エチレイソプロビルトリオクタイノルチタネートイン
１０ピルジメタクリルイソステアロイルチタネート ０　　ｃ）ｌ。

イソグロビルイソステアロイルジアクリルチタネート イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）イソプロ
ピルトリクミルフェニルチタネートイソプロピルトリ（
Ｎ・アミドエチル・アミノエチル）チタネート ＣＨｓ ＣＨ３−ＣＨ−０−Ｔｉ（−０−Ｃ２Ｈａ　−ＮＨ−Ｃ
２Ｈ４−ＮＨ２］　３ジクミルフェニルオキシアセテー
トチタネートジイソステアロイルエチレンチタネートま
たアルミカップリング剤の例としては、アセトアルコキ
シアルミニウムジイソプロピレート Ｈ１ が挙げられる。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明によれば、光磁気記録層を形成
した透明基板Ａを紫外線硬化樹脂を用いて別の透明基板
Ｂと密着貼合わせをした光磁気記録媒体の全面に、下地
層と有機高分子層からなる２層を形成したこと、または
透明基板Ａの全面もしくは記録面側と透明基板Ｂの全面
もしくは貼合わせ面側に下地層と有機高分子層からなる
２層を形成した後、透明基板ＡとＢを密着貼合わせをす
ることにより、表面の強度及び耐候性を著しく向上させ
る効果を有するものである。

尚、本発明は光磁気記録媒体について述べたが、光磁気
記録以外の記録媒体、例えばＡｅＣ，Ｃ＃Ｃ相変化型等
の光記録全般に、ついても、同様の効果があることはい
うもまでもない。

また本発明の実施例においては、光磁気記録層を片面に
用いた貼合わせ構造についてのべたが、両面貼合わせ構
造についても同様の効果が得られることはいうまでもな
い。

【図面の簡単な説明】

第１図から第８図は、本発明の光磁気記録媒体の基本構
成例の断面図を示す、第９図及び第１０図は従来光磁気
記録媒体の断面図を示す、第１１図は、第１図から第１
０図に示す構造で形成した光磁気記録媒体の、６０℃Ｃ
９０％ＲＨの環境下における、ＣＮＨの初期値で規格化
した値の経時変化図を示す、第１２図は、６０℃Ｃ９０
％ＲＨの環境下におけるＢＥＲの経時変化図を示す。 １・・・ｐｃ透明基板 ２・・・光磁気記録層 ３・・・紫外線硬化樹脂層 ４・・・ｐｃ透明基板 ５・・・下地層 ６・・・有機高分子層 ７・・・ｐｃ透明基板 ８・・・下地層 ９・・・有機高分子層 １０・・・光磁気記録層 １１・・・紫外線硬化樹脂層 １２・・・有機高分子層 １３・・・下地層 １４・・・ｐｃ透明基板 １５・・・ｐｃ透明基板 １６・・・下地層 １７・・・有機高分子層 １８・・・光磁気記録層 １９・・・紫外線硬化樹脂層 ２０・・・ｐｃ透明基板 ２１・・・下地層 ２２・・・有機高分子層 ２３・・・エポキシ透明基板 ２４・・・下地層 ２５・・・有機高分子層 ２６・・・２層層 ２７・・・光磁気記録層 ２８・・・紫外線硬化樹脂層 ２９・・・有機高分子層 ３０・・・下地層 ３１・・・エポキシ透明基板 ３２・・・エポキシ透明基板 ３３・・・下地層 ３４・・・有機高分子層 ３５・・・２２層 ３６・・・光磁気記録層 ３７・・・紫外線硬化樹脂層 ３８・・・エポキシ透明基板 ３９・・・下地層 ４０・・・有機高分子層 ４１・・・エポキシ透明基板 ４２・・・２Ｐ層 ４３・・・光磁気記録層 ４４・・・下地層 ４５・・・有機高分子層 ４６・・・紫外線硬化樹脂層 ４７・・・エポキシ透明基板 ４８・・・下地層 ４９・・・有機高分子層 ５０・・・ＰＣ透明基板 ５１・・・下地層 ５２・・・有機高分子層 ５３・・・光磁気記録層 ５４・・・紫外線硬化樹脂層 ５５・・・ｐｃ透明基板 ５６・・・下地層 ５７・・・有機高分子層 ５８・・・ＰＣ透明基板 ５９・・・下地層 ６０・・・有機高分子層 ６１・・・光磁気記録層 ６２・・・紫外線硬化樹脂層 ６３・・・ＰＣ透明基板 ６４・・・下地層 ６５・・・有機高分子層 ６６・・・ＰＣ透明基板 ６７・・・ＡｊＳｉＮの第−要保護膜 ６８・・・光磁気記録層 ６９・・・ＡｊＳｉＮの第二層保護膜 ７０・・・紫外線硬化樹脂層 ７１・　・　・ＡｊＳｉＮの゛保護膜 ７２・・・ＰＣ透明基板 ７３・・・ＰＣ透明基板 ７４・・・光磁気記録層 ７５・・・下地層 ７６・・・有機高分子層 ７７・・・試料１の場合 ７８・・・試料２の場合 ７９・・・試料３の場合 ８０・・・試料４の場合 ８１・・・試料５の場合 ８２・・・試料６の場合 ８３・・・試料７の場合 ８４・・・試料８の場合 ８５・・・比較例１の場合 ８６・・・比較例２の場合 ８７・・・試料１の場合 ８８・・・試料２の場合 ８９・・・試料３の場合 ９０・・・試料４の場合 ９１・・・試料５の場合 ９２・・・試料６の場合 ９３・・・試料７の場合 ９４・・・試料８の場合 ９５・・・比較例１の場合 ９６・・・比較例２の場合 第１図 躬２団 易′７図 第７０図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）磁気ファラデー効果もしくは磁気カー効果を用い
   て記録、再生、消去を行う希土類−遷移金属系の光磁気
   記録媒体において、光磁気記録層を形成した透明基板Ａ
   を紫外線硬化樹脂を用いて別の透明基板Ｂと密着貼合わ
   せをした光磁気記録媒体の全面に、下地層と有機高分子
   層から成る２層を形成したことを特徴とする光磁気記録
   媒体。
2. （２）前記下地層がシラン系、チタン系、アルミニウム
   系のいずれかのカップリング剤からなる層である第１項
   記載の光磁気記録媒体。
3. （３）前記有機高分子層がポリフッ化ビニリデン、ポリ
   フッカ化ビニリデン変成物またはフッ化ビニリデン共重
   合物から選ばれた１種もしくは２種以上の混合物を含有
   する層である第１項記載の光磁気記録媒体。
4. （４）磁気ファラデー効果もしくは磁気カー効果を用い
   て記録、再生、消去を行う希土類−遷移金属系の光磁気
   記録媒体において、光磁気記録層を形成した透明基板Ａ
   を紫外線硬化樹脂を用いて別の透明基板Ｂと密着貼合わ
   せをしたことと、前記透明基板Ａの全面もしくは記録面
   側と前期透明基板Ｂの全面もしくは貼合わせ面側に下地
   層と有機高分子層から成る２層を形成したことを特徴と
   する光磁気記録媒体。
5. （５）前記下地層がシラン系、チタン系、アルミニウム
   系のいずれかのカップリング剤からなる層である第４項
   記載の光磁気記録媒体。
6. （６）前記有機高分子層がポリフッ化ビニリデン、ポリ
   フッカ化ビニリデン変成物またはフッ化ビニリデン共重
   合物から選ばれた１種もしくは２種以上の混合物を含有
   する層である第４項記載の光磁気記録媒体。