JPH0325738A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0325738A JPH0325738A JP16201989A JP16201989A JPH0325738A JP H0325738 A JPH0325738 A JP H0325738A JP 16201989 A JP16201989 A JP 16201989A JP 16201989 A JP16201989 A JP 16201989A JP H0325738 A JPH0325738 A JP H0325738A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- thermal conductivity
- alloy
- optical recording
- alau
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 14
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 7
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000254032 Acrididae Species 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 241001133287 Artocarpus hirsutus Species 0.000 description 1
- 206010008631 Cholera Diseases 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く利用分野〉
本発明はレーザー等の光により、情報の記録、再生、消
去等を行なう光磁気記録媒体に関する.更に詳細には、
透明基板上に膜面に垂直な方向に磁化容易方向を有した
金属薄1摸よりなる記録層を形成し、光熱磁気効果によ
り情報を記録し、磁気光学効果により再生する光磁気記
録媒体に関する.く従来技術〉 光記録媒体は高密度・大容量の情報記録媒体として種々
の研究開発が行なわれている.特に情報の消去可能な光
磁気記録媒体は応用分野が広く種々の材料・システムが
発表されており、その実用化が待望されている. 上述の光磁気記録材料としては、例えば、特開昭52−
31703号公報記載のFeTb、特開昭56−126
907号公報記載のFeTbGd、特開昭58−737
46号公報記載のFclbCo、FeCoDy、特17
F+昭61−165846号公報記載のFeed等既に
多くの提案がある.しかし、これらの↑a報の消去可能
な光磁気記録媒体の実用化には、記録、再生特性のより
一層の向上が必要である.これに対し、光磁気記録層上
、もくしはその−Lに誘電体層を介して金属反射層を設
ける方法か提案されている.この方式はカー効果とファ
ラデー効果の併用により高いC/N比を得る点で潰れて
いる.従来この金属反射層として、^1を用いたらのく
特開昭58−83346号公報、特開昭59−1324
34号公報、) 、Cuを用いたもの(特開昭59−8
150号公報)、Ai系合金を用いたもの(特開昭62
−137743号公報)、ステンレスを用いたもの(特
開昭59−171054号公報)、1eを用いたもの(
特開昭62−52744号公報)、非晶質金属膜を用い
たもの(特開昭61−57053号公報)等が提案され
ている.しかしながら、高反射率のAI, Cu等を用
いた場合にはその高熱伝導性のため記録感度が大幅に低
下し、一方比較的熱伝導性の低いステンレス、1eを用
いた場合には記録感度は向上するが反射率が低いため、
十分なC/N比が得られないという欠点を有する. これに対し、特開昭61−194664号公報.特開昭
64−4938号公報、特開昭64−86348号公報
、特開昭64−86349号公報ではAINi, AI
Ta、^IPt、^lHo、AICr, AIZr,
AIV合金が提案されテイル.コレラの合金膜は^1の
高反射率をある程度維持しながら、又は多少の反射率の
低下があるらのの八1よりも熟伝導率を低下させること
に成功しており、前述の欠点を解消し、光磁気記録媒体
の特性向上に効果が期待される. しかしながら、実用化を目指してスパッタリング法で前
述のAi合金膜を形成するには、均一な組成の合金ター
ゲットの得難いことが大きな欠点となる.すなわち、真
空熔解で前述のAi合金を形或するには、Aiと添加元
素との融点差の非常に大きいことが障害となる.すなわ
ちAiの660゜Cの融点に対して、前記の添加元素は
Niの1453℃を最低として、Taの2977℃の範
囲の融点を有する.この理由等により、前述のAi合金
系では均一に混合できる添加元素の量は非常に少く、た
とえ熱伝導率の低下に効果のあるだけの量を添加しても
、漏析の多い不均一な組成分布を有するターゲットしか
得られない. すなわち、前述した従来のAi合金系の熱伝導率低下の
効果の発現は、添加元素の高融点に由来していると考え
られ、本質的に組成が均一な良好な合金ターゲットを得
ることは相矛盾しており、工業化面で大きな問題を有し
ている. く発明の目的〉 本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、合金ターゲ
ットの作成が容易で大蓋生産に適した新規なAi合金系
反射膜により高感度で高C/N比の光磁気記録媒体を提
供することを目的としたものである. く発明の構戒及び作用〉 即ち本発明は、金属反射層を有する光磁気記触媒体にお
いて、該金属反射層が旧にAull.05〜5.O a
t%〈原子%〉含有せしめた^IAu合金からなること
を特徴とする光磁気記録媒体を第1発明とし、該金属反
射層がAIにAuを0.05 〜4.0 at%,TI
を0.3〜3.O at%含有せしめたAiAuTi合
金からなることを特徴とする光磁気記録媒体を第2発明
とするものである. 以下本発明の詳細を発明に到った経過と共に説明する. 本発明者らは、AIに添加する種々の元素を、特に均一
な合金ターゲットの得やすい低融点の金属に着目して検
討し、融点1063℃のAuが顕著な効果を有すること
を見い出した.従来は高融点及び/又はそれ自体く単体
金属として)熱伝導率の小さい添加金属が検討されて来
たが、低融点であり、^1よりも高熱伝導率の八〇を添
加したAiAu合金膜が低熱伝導率を示したことは驚く
べきことであった.そして、この理由が^1^U金属間
化合物の生成に山来することが判明した.例えば、八1
ターゲッ)・上にTa, lr又は■1の小片を置いて
スパッタリングで得た従来の合金膜のX線回折では、い
ずれら面心立方結晶格子[fcc) AIの(1,1.
1 )面からの回折ピークのみかi察されたが、本発明
のAiAulQではfcc^1の回折ピークは消滅し、
新たに而間隔3.49入と2.14六に山来する回折ピ
ークがi!!察され、AiAu金属間化合物が形威され
ていることが確認された.そしてこのAiAu金属間化
合物が熱伝導率の低下に寄与しているのである。
去等を行なう光磁気記録媒体に関する.更に詳細には、
透明基板上に膜面に垂直な方向に磁化容易方向を有した
金属薄1摸よりなる記録層を形成し、光熱磁気効果によ
り情報を記録し、磁気光学効果により再生する光磁気記
録媒体に関する.く従来技術〉 光記録媒体は高密度・大容量の情報記録媒体として種々
の研究開発が行なわれている.特に情報の消去可能な光
磁気記録媒体は応用分野が広く種々の材料・システムが
発表されており、その実用化が待望されている. 上述の光磁気記録材料としては、例えば、特開昭52−
31703号公報記載のFeTb、特開昭56−126
907号公報記載のFeTbGd、特開昭58−737
46号公報記載のFclbCo、FeCoDy、特17
F+昭61−165846号公報記載のFeed等既に
多くの提案がある.しかし、これらの↑a報の消去可能
な光磁気記録媒体の実用化には、記録、再生特性のより
一層の向上が必要である.これに対し、光磁気記録層上
、もくしはその−Lに誘電体層を介して金属反射層を設
ける方法か提案されている.この方式はカー効果とファ
ラデー効果の併用により高いC/N比を得る点で潰れて
いる.従来この金属反射層として、^1を用いたらのく
特開昭58−83346号公報、特開昭59−1324
34号公報、) 、Cuを用いたもの(特開昭59−8
150号公報)、Ai系合金を用いたもの(特開昭62
−137743号公報)、ステンレスを用いたもの(特
開昭59−171054号公報)、1eを用いたもの(
特開昭62−52744号公報)、非晶質金属膜を用い
たもの(特開昭61−57053号公報)等が提案され
ている.しかしながら、高反射率のAI, Cu等を用
いた場合にはその高熱伝導性のため記録感度が大幅に低
下し、一方比較的熱伝導性の低いステンレス、1eを用
いた場合には記録感度は向上するが反射率が低いため、
十分なC/N比が得られないという欠点を有する. これに対し、特開昭61−194664号公報.特開昭
64−4938号公報、特開昭64−86348号公報
、特開昭64−86349号公報ではAINi, AI
Ta、^IPt、^lHo、AICr, AIZr,
AIV合金が提案されテイル.コレラの合金膜は^1の
高反射率をある程度維持しながら、又は多少の反射率の
低下があるらのの八1よりも熟伝導率を低下させること
に成功しており、前述の欠点を解消し、光磁気記録媒体
の特性向上に効果が期待される. しかしながら、実用化を目指してスパッタリング法で前
述のAi合金膜を形成するには、均一な組成の合金ター
ゲットの得難いことが大きな欠点となる.すなわち、真
空熔解で前述のAi合金を形或するには、Aiと添加元
素との融点差の非常に大きいことが障害となる.すなわ
ちAiの660゜Cの融点に対して、前記の添加元素は
Niの1453℃を最低として、Taの2977℃の範
囲の融点を有する.この理由等により、前述のAi合金
系では均一に混合できる添加元素の量は非常に少く、た
とえ熱伝導率の低下に効果のあるだけの量を添加しても
、漏析の多い不均一な組成分布を有するターゲットしか
得られない. すなわち、前述した従来のAi合金系の熱伝導率低下の
効果の発現は、添加元素の高融点に由来していると考え
られ、本質的に組成が均一な良好な合金ターゲットを得
ることは相矛盾しており、工業化面で大きな問題を有し
ている. く発明の目的〉 本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、合金ターゲ
ットの作成が容易で大蓋生産に適した新規なAi合金系
反射膜により高感度で高C/N比の光磁気記録媒体を提
供することを目的としたものである. く発明の構戒及び作用〉 即ち本発明は、金属反射層を有する光磁気記触媒体にお
いて、該金属反射層が旧にAull.05〜5.O a
t%〈原子%〉含有せしめた^IAu合金からなること
を特徴とする光磁気記録媒体を第1発明とし、該金属反
射層がAIにAuを0.05 〜4.0 at%,TI
を0.3〜3.O at%含有せしめたAiAuTi合
金からなることを特徴とする光磁気記録媒体を第2発明
とするものである. 以下本発明の詳細を発明に到った経過と共に説明する. 本発明者らは、AIに添加する種々の元素を、特に均一
な合金ターゲットの得やすい低融点の金属に着目して検
討し、融点1063℃のAuが顕著な効果を有すること
を見い出した.従来は高融点及び/又はそれ自体く単体
金属として)熱伝導率の小さい添加金属が検討されて来
たが、低融点であり、^1よりも高熱伝導率の八〇を添
加したAiAu合金膜が低熱伝導率を示したことは驚く
べきことであった.そして、この理由が^1^U金属間
化合物の生成に山来することが判明した.例えば、八1
ターゲッ)・上にTa, lr又は■1の小片を置いて
スパッタリングで得た従来の合金膜のX線回折では、い
ずれら面心立方結晶格子[fcc) AIの(1,1.
1 )面からの回折ピークのみかi察されたが、本発明
のAiAulQではfcc^1の回折ピークは消滅し、
新たに而間隔3.49入と2.14六に山来する回折ピ
ークがi!!察され、AiAu金属間化合物が形威され
ていることが確認された.そしてこのAiAu金属間化
合物が熱伝導率の低下に寄与しているのである。
Auの添加量が0. 05at%より少いと、ががる熟
伝導低下の効果は小さく、逆に4.0 at%より多イ
ト旧^U合金膜の反射率の低下か大きく不都合である.
単体金属としてはともに高反射率である八1と八Uを合
金膜にした時の反射率の低下は、同様にAiAu金属間
化合物の生或により説明される.Al^U合金膜の反射
率の低下を最小限に抑えること、かっ^Uは高価である
ことから、Auの添加量は最小限にとどめるべきである
.かかる目的で本発明者らはTを補助的に添加すること
を試み、その効果を確認した.11の添加量は3.O
at%以内にとどめるべきであり、これより多いとAi
AuTiliの反射率が低下し、また均一なAi^uT
i合金ターゲットの作製が困難どなる, 3.0 at
%以内では光磁気記録再生装置で使用される半導体レー
ザーの波長である830nlMでの反射率の低下は、A
lAu膜の86〜82%の反射率の2%以内の低下幅に
とどまる, 0.3 at%より少いと、Auを節約し
たことによる熱伝導率の上昇分を補うことができない. さらに、^Uと11の合計の含有量は、記録感度向上効
果が大きく、且つ反射膜の反射率の低下によるC/Hの
低下が軽微である1.0〜6.0at%の範囲がより好
ましい. なお、以上の本発明の金属反射膜には経時安定性を更に
改善するために、Cr, Nb, Reなどの他の元素
を少量添加してもよい.この金属反射層の膜厚は200
〜1000八が好まし(、300〜aOO入が更に好ま
しい.厚すぎる場合には感度が低下し、薄すぎる場合に
は反射膜の反射率が低下しC/Nが劣化する. これら金属反射層の形或方法としては、公知の真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンビームスパッタリング法
、CVD法などが考えられるが、下地層との接着性、合
金組或の制御性、紹成分布などの点でスパッタリング法
が好ましい.また膜の堆積速度、スバッタガス圧などは
、生産性、膜応力を考慮し、適宜選択される. 本発明の光磁気記録層としては、光熱磁気効果により記
録できるものであればよく、公知の、膜面に垂直な方向
に磁化容易方向を有し、磁気光学効果の大きい磁性金属
薄膜、例えば前述のFeTb合金、FeTbCo合金、
FeTbGd合金及びNdDyFeCo合金、等の希土
類元素一遷移金属元素の非品質合金が代表例として挙げ
られる.光磁気記録層の膜厚は150〜iooo入、好
ましくは200〜500^である.本発明における光磁
気記録媒体は、その金属反射層が光磁気記録層の光入射
面と反対開に形或される点を除いてその横成は特に限定
されない.なお、金属反射層は光磁気記録層上に直接設
けても、またその上に感度、C/N向上の目的で透明誘
電体層を介して設けてもよい.しかし本発明のAiAu
,AiAuTi合金からなる金属反射膜は光磁気記録層
に接して直接設けた構成で、その記録感度とC/Hにお
いて実用上充分と云われる性能を示し、上記透明誘電体
層が不要となるので、この横或が生産性と媒体コストの
観点より好ましい. なお、光磁気記録層と金属反射層との間に、透明誘電体
層を設ける場合においても、この透明誘電体層はaa性
能を得るためには600人以下と薄くする必要があり、
その断熱作用が小さくなるため、本発明は効果的である
.また、一般的に、該透明誘電体層が厚くなる程、その
i!Ir熱効果が高くなり、本発明の金属反射膜のAu
及び11の含有址は少なくてよい. 本発明の光磁気記録媒体は、また、基板と光磁気記録層
の間に、C/N向上、媒体の反射率低減、さらには透湿
防止の目的で透明誘電体層を設けてもよい. 上記構成に用いる基板側,金属反射層醐の両透明誘電体
層としては、その目的により光干渉効果、力一効果エン
ハンスメント等の効果を奏することが必要で、ある程度
以上の高屈折率を有することが好ましい.また使用する
レーザー光に透明であることが必要であり、透明誘電体
層としては公知の通り金属の酸化物、窒化物、硫化物、
炭化物、弗化物もしくはこれらの複合体が適用できる.
具体的には酸化ケイ素、酸化インジウム、酸化タンタル
、酸化アルミニウム、チッ化ケイ素、チッ化アルミニウ
ム、チッ化チタン、硫化亜鉛、フ・ソ化マグネシウム、
フッ化アルミニウム、炭化ケイ素及びこれらの複合物が
挙げられるが、これに限定されないことは言うまでもな
い。またパリレン、ポリイミド、パラフィンなど有m物
も適用できる.これら透明誘電体層の膜厚は、媒体構或
、屈折率により最適値が変化し、一R的に決めることは
できないが、通常400〜1500八程度、特に500
〜iooo入が好適に用いられる.これら透明透電体廖
は常法により達成される.例えば前述の無ahよりなる
ものは公知の真空蒸着法、スパッタリング法、イオンビ
ームスパッタリング法、CVD法等で作製される. また基板としては、ガラス、アクリル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、エボキシ樹脂、4−メチルベンテン樹脂及
びそれらの変成品などが好適に用いられるが、R械的強
度、価格、耐候性、耐熱性、透湿量の点でポリカーボネ
ート樹脂が好ましい.以下、本発明の実施例を説明する
が、本発明は以下の実施飼に限定されるものではない.
〈実施例1〜4,比較飼〉 直径130ii、厚さ1.2間の円盤で1.6μmピッ
チのグループを有するポリカーボネート樹脂(PC)製
のディスク基板を、3ターゲット設置可能な高周波マグ
ネトロンスバッタ装置(アネルバ■製SPF−4301
1型)の真空槽内に配置し、4X10’10#になるま
で排気した. 次にAr,NZの混合ガス(八r: N2=70: 3
0vol%〉を真空槽内に導入し、圧力101 Tor
rになるようにAr/ N 2混合ガス流蓬を調整した
.夕一ゲットとしては直径100關、厚さ5閤のAls
oSlso(以下、添数字は組成(原子%)を示す)の
焼結体からなる円盤を用い、放電電力50014、放電
周波数13. 56MHzで高周波スパッタリングを行
ない、PC基板を回転(自転)させながら、透明誘電体
としてAISiN WAを800 入堆積した.続いて
光磁気記録層として、Tb2tFe71COs合金ター
ゲットを用い、^rガス圧2+1Torr、放電電力1
5師の条件で高周波スパッタリングを行ない、約300
八のTbFeCo合金膜を堆積した.更に引き続いて、
^1ターゲットを用い、適宜3關角X 1 nag t
のAuチヅプをターゲット上に配し、八『ガス圧2l1
orr、放電電力100−の条件で高周波スパッタリン
グを行い、表−1の実施例1〜4比教例2の各組或で4
00人の金属反射層を堆積し、pc基板/^lsiN
/TbFeCo/金属反射層の積層構成の光磁気ディス
クを得た.金属反射層の各Ai合金膜のAuJlは八1
ターゲット上の^Uチップの数を変化させて表1の実施
例1〜4,比較例2の各組成に調整した. これら各層の形成時において、PC基板は20rpl1
で回転させた. 得られた光磁気ディスクは光磁気記録再生装置(ナカミ
チ■製OHS−1000型)を用い、下記条件でC/N
とj&適記録レーザーバワーを評価した.書込み時の半
樺体レーザーパワーを変化させ、再生信号の二次高調波
が最小となる時が最適記録条件とした. [記録粂P1−] ディスク回転速度: 1800rpll、記録トラック
位置二半径30m位置、記録周波数:3.7Hl1z、
記録時の印加磁界=500エルステッド し再生条件] ディスク回転速度+ 1800rpI.続出レザーバワ
ー: 1.21W 最適記録レーザーパワー及びC/Hの測定結果を表−1
に示す. なお、表−1の比較例1は金属反射層以外は実施例1〜
4と同じ構成で、金属反射層を実施例1〜4のAuチッ
プを除去して形成した八〇を含有しない単なるAi反射
膜を有する光磁気ディスクである.またその最適記録レ
ーザーバワーの欄の10nl4以上は、用いたレーザー
の最大出力1011Wでも記録できなかったことを表わ
す. 表 1 また実施例l゜と比較例1のディスクの金属反射層−E
に、スピンコーターで紫外線硬化型のフェノールノボラ
ックエボキシアクリレート樹脂を塗布し、その後紫外線
照射により硬化させ、約20μmの有機ciA護層を設
けた.これらのサンプルを、温度aoo’c,湿度85
%の条件で1000時間の加速試験を行なったところ、
実施例1では全く変化か見t)れなかったが、比較例1
ではピンホールが多数発生した. く実施例5〉 金属反射層を、実施例1へ4のAiターゲットにかえて
均一な組或分布を面方向,厚さ方向ともに有する100
+++g+φx 5tの^1^uTi合金ターゲット
を用いて、実施例1〜4と同じ高周波スパッタリングで
形成した”96.0Au2.5 ”1.5合金膜とした
以外は実施例1〜4と同じ構成の光磁気記録ディスクを
実施例1〜4と同様にして作製した.実施例1〜4と同
じように評価し、i&適記録レーザーパワー5. 7n
WでC / N = 46.8dBを得た.表−1と比
較して判断される様に、実施例4のAu4at%並の記
録感度であり、C/N 4J良好であった.以上、実施
例に示した如く、本発明のAu史にはTiを含有した訓
合金からなる金属反射膜ではC/N、感度が優れ、かつ
耐久性も高い光磁気記録媒体を得ることができ、さらに
均一な合金ターゲッ1・も容易に得られる。特にAu又
はAuと11の合計の含有量が1.0 at%以上の範
囲では、fi適記録レーザーバワーの低下すなわち記録
感度の向上が顕著で、C/Nも良好である. かかる効果の点で^UとTIの合計の含有量は1。0〜
6.0 at%が特に好ましい.
伝導低下の効果は小さく、逆に4.0 at%より多イ
ト旧^U合金膜の反射率の低下か大きく不都合である.
単体金属としてはともに高反射率である八1と八Uを合
金膜にした時の反射率の低下は、同様にAiAu金属間
化合物の生或により説明される.Al^U合金膜の反射
率の低下を最小限に抑えること、かっ^Uは高価である
ことから、Auの添加量は最小限にとどめるべきである
.かかる目的で本発明者らはTを補助的に添加すること
を試み、その効果を確認した.11の添加量は3.O
at%以内にとどめるべきであり、これより多いとAi
AuTiliの反射率が低下し、また均一なAi^uT
i合金ターゲットの作製が困難どなる, 3.0 at
%以内では光磁気記録再生装置で使用される半導体レー
ザーの波長である830nlMでの反射率の低下は、A
lAu膜の86〜82%の反射率の2%以内の低下幅に
とどまる, 0.3 at%より少いと、Auを節約し
たことによる熱伝導率の上昇分を補うことができない. さらに、^Uと11の合計の含有量は、記録感度向上効
果が大きく、且つ反射膜の反射率の低下によるC/Hの
低下が軽微である1.0〜6.0at%の範囲がより好
ましい. なお、以上の本発明の金属反射膜には経時安定性を更に
改善するために、Cr, Nb, Reなどの他の元素
を少量添加してもよい.この金属反射層の膜厚は200
〜1000八が好まし(、300〜aOO入が更に好ま
しい.厚すぎる場合には感度が低下し、薄すぎる場合に
は反射膜の反射率が低下しC/Nが劣化する. これら金属反射層の形或方法としては、公知の真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンビームスパッタリング法
、CVD法などが考えられるが、下地層との接着性、合
金組或の制御性、紹成分布などの点でスパッタリング法
が好ましい.また膜の堆積速度、スバッタガス圧などは
、生産性、膜応力を考慮し、適宜選択される. 本発明の光磁気記録層としては、光熱磁気効果により記
録できるものであればよく、公知の、膜面に垂直な方向
に磁化容易方向を有し、磁気光学効果の大きい磁性金属
薄膜、例えば前述のFeTb合金、FeTbCo合金、
FeTbGd合金及びNdDyFeCo合金、等の希土
類元素一遷移金属元素の非品質合金が代表例として挙げ
られる.光磁気記録層の膜厚は150〜iooo入、好
ましくは200〜500^である.本発明における光磁
気記録媒体は、その金属反射層が光磁気記録層の光入射
面と反対開に形或される点を除いてその横成は特に限定
されない.なお、金属反射層は光磁気記録層上に直接設
けても、またその上に感度、C/N向上の目的で透明誘
電体層を介して設けてもよい.しかし本発明のAiAu
,AiAuTi合金からなる金属反射膜は光磁気記録層
に接して直接設けた構成で、その記録感度とC/Hにお
いて実用上充分と云われる性能を示し、上記透明誘電体
層が不要となるので、この横或が生産性と媒体コストの
観点より好ましい. なお、光磁気記録層と金属反射層との間に、透明誘電体
層を設ける場合においても、この透明誘電体層はaa性
能を得るためには600人以下と薄くする必要があり、
その断熱作用が小さくなるため、本発明は効果的である
.また、一般的に、該透明誘電体層が厚くなる程、その
i!Ir熱効果が高くなり、本発明の金属反射膜のAu
及び11の含有址は少なくてよい. 本発明の光磁気記録媒体は、また、基板と光磁気記録層
の間に、C/N向上、媒体の反射率低減、さらには透湿
防止の目的で透明誘電体層を設けてもよい. 上記構成に用いる基板側,金属反射層醐の両透明誘電体
層としては、その目的により光干渉効果、力一効果エン
ハンスメント等の効果を奏することが必要で、ある程度
以上の高屈折率を有することが好ましい.また使用する
レーザー光に透明であることが必要であり、透明誘電体
層としては公知の通り金属の酸化物、窒化物、硫化物、
炭化物、弗化物もしくはこれらの複合体が適用できる.
具体的には酸化ケイ素、酸化インジウム、酸化タンタル
、酸化アルミニウム、チッ化ケイ素、チッ化アルミニウ
ム、チッ化チタン、硫化亜鉛、フ・ソ化マグネシウム、
フッ化アルミニウム、炭化ケイ素及びこれらの複合物が
挙げられるが、これに限定されないことは言うまでもな
い。またパリレン、ポリイミド、パラフィンなど有m物
も適用できる.これら透明誘電体層の膜厚は、媒体構或
、屈折率により最適値が変化し、一R的に決めることは
できないが、通常400〜1500八程度、特に500
〜iooo入が好適に用いられる.これら透明透電体廖
は常法により達成される.例えば前述の無ahよりなる
ものは公知の真空蒸着法、スパッタリング法、イオンビ
ームスパッタリング法、CVD法等で作製される. また基板としては、ガラス、アクリル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、エボキシ樹脂、4−メチルベンテン樹脂及
びそれらの変成品などが好適に用いられるが、R械的強
度、価格、耐候性、耐熱性、透湿量の点でポリカーボネ
ート樹脂が好ましい.以下、本発明の実施例を説明する
が、本発明は以下の実施飼に限定されるものではない.
〈実施例1〜4,比較飼〉 直径130ii、厚さ1.2間の円盤で1.6μmピッ
チのグループを有するポリカーボネート樹脂(PC)製
のディスク基板を、3ターゲット設置可能な高周波マグ
ネトロンスバッタ装置(アネルバ■製SPF−4301
1型)の真空槽内に配置し、4X10’10#になるま
で排気した. 次にAr,NZの混合ガス(八r: N2=70: 3
0vol%〉を真空槽内に導入し、圧力101 Tor
rになるようにAr/ N 2混合ガス流蓬を調整した
.夕一ゲットとしては直径100關、厚さ5閤のAls
oSlso(以下、添数字は組成(原子%)を示す)の
焼結体からなる円盤を用い、放電電力50014、放電
周波数13. 56MHzで高周波スパッタリングを行
ない、PC基板を回転(自転)させながら、透明誘電体
としてAISiN WAを800 入堆積した.続いて
光磁気記録層として、Tb2tFe71COs合金ター
ゲットを用い、^rガス圧2+1Torr、放電電力1
5師の条件で高周波スパッタリングを行ない、約300
八のTbFeCo合金膜を堆積した.更に引き続いて、
^1ターゲットを用い、適宜3關角X 1 nag t
のAuチヅプをターゲット上に配し、八『ガス圧2l1
orr、放電電力100−の条件で高周波スパッタリン
グを行い、表−1の実施例1〜4比教例2の各組或で4
00人の金属反射層を堆積し、pc基板/^lsiN
/TbFeCo/金属反射層の積層構成の光磁気ディス
クを得た.金属反射層の各Ai合金膜のAuJlは八1
ターゲット上の^Uチップの数を変化させて表1の実施
例1〜4,比較例2の各組成に調整した. これら各層の形成時において、PC基板は20rpl1
で回転させた. 得られた光磁気ディスクは光磁気記録再生装置(ナカミ
チ■製OHS−1000型)を用い、下記条件でC/N
とj&適記録レーザーバワーを評価した.書込み時の半
樺体レーザーパワーを変化させ、再生信号の二次高調波
が最小となる時が最適記録条件とした. [記録粂P1−] ディスク回転速度: 1800rpll、記録トラック
位置二半径30m位置、記録周波数:3.7Hl1z、
記録時の印加磁界=500エルステッド し再生条件] ディスク回転速度+ 1800rpI.続出レザーバワ
ー: 1.21W 最適記録レーザーパワー及びC/Hの測定結果を表−1
に示す. なお、表−1の比較例1は金属反射層以外は実施例1〜
4と同じ構成で、金属反射層を実施例1〜4のAuチッ
プを除去して形成した八〇を含有しない単なるAi反射
膜を有する光磁気ディスクである.またその最適記録レ
ーザーバワーの欄の10nl4以上は、用いたレーザー
の最大出力1011Wでも記録できなかったことを表わ
す. 表 1 また実施例l゜と比較例1のディスクの金属反射層−E
に、スピンコーターで紫外線硬化型のフェノールノボラ
ックエボキシアクリレート樹脂を塗布し、その後紫外線
照射により硬化させ、約20μmの有機ciA護層を設
けた.これらのサンプルを、温度aoo’c,湿度85
%の条件で1000時間の加速試験を行なったところ、
実施例1では全く変化か見t)れなかったが、比較例1
ではピンホールが多数発生した. く実施例5〉 金属反射層を、実施例1へ4のAiターゲットにかえて
均一な組或分布を面方向,厚さ方向ともに有する100
+++g+φx 5tの^1^uTi合金ターゲット
を用いて、実施例1〜4と同じ高周波スパッタリングで
形成した”96.0Au2.5 ”1.5合金膜とした
以外は実施例1〜4と同じ構成の光磁気記録ディスクを
実施例1〜4と同様にして作製した.実施例1〜4と同
じように評価し、i&適記録レーザーパワー5. 7n
WでC / N = 46.8dBを得た.表−1と比
較して判断される様に、実施例4のAu4at%並の記
録感度であり、C/N 4J良好であった.以上、実施
例に示した如く、本発明のAu史にはTiを含有した訓
合金からなる金属反射膜ではC/N、感度が優れ、かつ
耐久性も高い光磁気記録媒体を得ることができ、さらに
均一な合金ターゲッ1・も容易に得られる。特にAu又
はAuと11の合計の含有量が1.0 at%以上の範
囲では、fi適記録レーザーバワーの低下すなわち記録
感度の向上が顕著で、C/Nも良好である. かかる効果の点で^UとTIの合計の含有量は1。0〜
6.0 at%が特に好ましい.
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)金属反射層を有する光磁気記録媒体において、該金
属反射層がAiにAuを0.05〜5.0at%含有せ
しめたAiAu合金からなることを特徴とする光磁気記
録媒体。 2)金属反射層を有する光磁気記録媒体において、該金
属反射層がAlにAuを0.05〜4.0at%含有せ
しめ、さらにTiを0.3〜3.0at%含有せしめた
AlAuTi合金からなることを特徴とする光磁気記録
媒体。 3)前記AuとTiの合計の含有量が1.0〜6.0a
t%である請求項第2項記載の光磁気記録媒体。 4)前記金属反射層が光磁気記録層に接して設けられた
請求項第1項、第2項もしくは第3項記載の光磁気記録
媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16201989A JPH0325738A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16201989A JPH0325738A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0325738A true JPH0325738A (ja) | 1991-02-04 |
Family
ID=15746515
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16201989A Pending JPH0325738A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0325738A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03130947A (ja) * | 1989-07-04 | 1991-06-04 | Teijin Ltd | 光記録媒体 |
-
1989
- 1989-06-23 JP JP16201989A patent/JPH0325738A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03130947A (ja) * | 1989-07-04 | 1991-06-04 | Teijin Ltd | 光記録媒体 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA2017284C (en) | Optical recording medium | |
JPH0325737A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH0325738A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JP2541677B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JPH03288346A (ja) | 光記録媒体 | |
JPH03122845A (ja) | 光記録媒体 | |
JP2507592B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP2527762B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH03142728A (ja) | 光記録媒体 | |
JP2559871B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP2754658B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH02308454A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPS63176185A (ja) | 情報記録材料 | |
JPH02128346A (ja) | 光磁気デイスク | |
KR100194131B1 (ko) | 광학 기록 매체 | |
JP2528188B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP2775853B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH0430343A (ja) | 光記録媒体用保護膜 | |
JP2834846B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
JP2663167B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JPS61172236A (ja) | 光磁気記録素子 | |
JPS62222445A (ja) | 光ディスク | |
JPH02110842A (ja) | 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 | |
JPH04219619A (ja) | 薄層透明な腐食防止膜およびその製造法 | |
JPS63197043A (ja) | 光デイスク |