JPH05225626A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH05225626A JPH05225626A JP2685992A JP2685992A JPH05225626A JP H05225626 A JPH05225626 A JP H05225626A JP 2685992 A JP2685992 A JP 2685992A JP 2685992 A JP2685992 A JP 2685992A JP H05225626 A JPH05225626 A JP H05225626A
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- Japan
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- magneto
- layer
- recording medium
- optical recording
- recording
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光磁気記録媒体において、信号の記録時に記
録レーザーパワーを大きくすると記録層面内に熱は伝導
し、マークの形状は悪化したりマーク間隔が狭くなるこ
とから読み出し信号としては波形干渉を起こし、この波
形干渉によってジッタが大きくなる。つまり位相マージ
ンが狭くなる。これを改善し、位相マージンが狭くなる
ことを防ぐことを目的とする。 【構成】 基板上に磁性体からなる記録層を有する光磁
気記録媒体において、記録層が窒素を含有する希土類−
遷移金属の非晶質磁性合金膜であって、非晶質磁性合金
膜中の窒素の含有量が５at％未満の範囲にあることを特
徴とする光磁気記録媒体。
録レーザーパワーを大きくすると記録層面内に熱は伝導
し、マークの形状は悪化したりマーク間隔が狭くなるこ
とから読み出し信号としては波形干渉を起こし、この波
形干渉によってジッタが大きくなる。つまり位相マージ
ンが狭くなる。これを改善し、位相マージンが狭くなる
ことを防ぐことを目的とする。 【構成】 基板上に磁性体からなる記録層を有する光磁
気記録媒体において、記録層が窒素を含有する希土類−
遷移金属の非晶質磁性合金膜であって、非晶質磁性合金
膜中の窒素の含有量が５at％未満の範囲にあることを特
徴とする光磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板上に形成された多層
の薄膜よりなる記録膜上にレーザー光を照射し、情報の
記録、再生、消去を行なうことができる光磁気記録媒体
に関する。
の薄膜よりなる記録膜上にレーザー光を照射し、情報の
記録、再生、消去を行なうことができる光磁気記録媒体
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報量の増加に伴い大容量の情報
を記録することができる記録媒体の開発が急がれてい
る。その中でもレーザー光を利用して高密度な情報の記
録再生ができる光ディスクが既に実用化されている。
を記録することができる記録媒体の開発が急がれてい
る。その中でもレーザー光を利用して高密度な情報の記
録再生ができる光ディスクが既に実用化されている。
【０００３】光ディスクには、一回だけ記録が可能な追
記型と、記録した情報を消去でき何度も書き換えること
ができる書き換え可能型があるが、今後コンピュータの
外部メモリとして使用する場合、情報の書き換えを行な
うことができる書き換え可能型が有望視されている。
記型と、記録した情報を消去でき何度も書き換えること
ができる書き換え可能型があるが、今後コンピュータの
外部メモリとして使用する場合、情報の書き換えを行な
うことができる書き換え可能型が有望視されている。
【０００４】書き換え可能な光ディスクとしては、情報
の記録及び消去をレーザー光による加熱と外部磁界の印
加により磁性体層の磁化方向を変えることで行ない、磁
気光カー効果によるレーザー光の偏光方向の回転を利用
して情報を読み出すことにより高密度な情報の記録再生
ができる方式が実用化されている。例えば、特開昭５９
−２１７２４８号公報等には、基板上に誘電体からなる
保護層を設け、次に強磁性体よりなる記録層を設け、更
に誘電体からなる保護層を介して、反射層を設けてカー
効果に加え、磁性体層を透過した光のファラディー効果
を併用して磁気光効果を大きくした構造のものが提案さ
れている。
の記録及び消去をレーザー光による加熱と外部磁界の印
加により磁性体層の磁化方向を変えることで行ない、磁
気光カー効果によるレーザー光の偏光方向の回転を利用
して情報を読み出すことにより高密度な情報の記録再生
ができる方式が実用化されている。例えば、特開昭５９
−２１７２４８号公報等には、基板上に誘電体からなる
保護層を設け、次に強磁性体よりなる記録層を設け、更
に誘電体からなる保護層を介して、反射層を設けてカー
効果に加え、磁性体層を透過した光のファラディー効果
を併用して磁気光効果を大きくした構造のものが提案さ
れている。
【０００５】一般に、上記の目的に用いられる強磁性体
からなる記録層には、希土類金属（RE）と３ｄ遷移金属
（TM）からなる非晶質合金（以下、RE−TM膜という。）
が用いられている。これは、RE−TM膜は非晶質であるた
め、粒界によるノイズが少なく、また磁化容易軸が膜面
に対し垂直になる組成領域を広く持つという利点を持っ
ているためである。また、上記の目的に用いられる強磁
性体からなる記録層の製膜には、一般にスパッタ法が用
いられ、スパッタガスとしてＡｒが用いられる。これは
Ａｒが化学的に不活性なため、ターゲットから飛び出す
物質がＡｒとの化合物となることがないからである。逆
に、このことは、もしスパッタガス中に化学的に活性な
不純物が混入した場合、ターゲットから飛び出す物質と
化合する場合があり、これが強磁性体からなる記録層の
磁気特性を変化させてしまう場合があることを示してい
る。そこで従来は、記録層を製膜する時には、スパッタ
が行われるスパッタリング装置内を高真空度にまで排気
し、スパッタリング装置内の不純物を可能な限り取り除
くことが必要とされていた。
からなる記録層には、希土類金属（RE）と３ｄ遷移金属
（TM）からなる非晶質合金（以下、RE−TM膜という。）
が用いられている。これは、RE−TM膜は非晶質であるた
め、粒界によるノイズが少なく、また磁化容易軸が膜面
に対し垂直になる組成領域を広く持つという利点を持っ
ているためである。また、上記の目的に用いられる強磁
性体からなる記録層の製膜には、一般にスパッタ法が用
いられ、スパッタガスとしてＡｒが用いられる。これは
Ａｒが化学的に不活性なため、ターゲットから飛び出す
物質がＡｒとの化合物となることがないからである。逆
に、このことは、もしスパッタガス中に化学的に活性な
不純物が混入した場合、ターゲットから飛び出す物質と
化合する場合があり、これが強磁性体からなる記録層の
磁気特性を変化させてしまう場合があることを示してい
る。そこで従来は、記録層を製膜する時には、スパッタ
が行われるスパッタリング装置内を高真空度にまで排気
し、スパッタリング装置内の不純物を可能な限り取り除
くことが必要とされていた。
【０００６】一方で、スパッタガス中に混合物として窒
素を含むことにより特性を向上させようと試みたものも
ある。（例えば、特開平３−６６０４８号公報、特開平
２−２３５２３２号公報、特開昭６１−１０４４４６号
公報参照。）これらは、いずれもスパッタガス中の窒素
の混合比がある程度大きく、磁気特性や反射率の制御、
カー回転角の向上を目的にしているため、後述する記録
層に微量の窒素を含有することで位相マージンの向上を
目的としたものとは異なる。
素を含むことにより特性を向上させようと試みたものも
ある。（例えば、特開平３−６６０４８号公報、特開平
２−２３５２３２号公報、特開昭６１−１０４４４６号
公報参照。）これらは、いずれもスパッタガス中の窒素
の混合比がある程度大きく、磁気特性や反射率の制御、
カー回転角の向上を目的にしているため、後述する記録
層に微量の窒素を含有することで位相マージンの向上を
目的としたものとは異なる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】スパッタリング装置内
を高真空度にまで排気して不純物を取り除き、Ａｒのみ
のスパッタガスで記録層の製膜を行った記録膜をもつ光
ディスクは、記録再生装置の記録レーザーパワーが大き
くなるにつれて位相マージンが狭くなるという問題点を
有する。これは、記録レーザーパワーが大きくなるにつ
れて記録層の面内方向に熱が伝導するため、マークの形
状が悪化し、マーク間隔が狭くなることから読み出し信
号としては波形干渉を起こしジッタが大きくなるためで
ある。ここで言う位相マージンとは、同期信号によって
作られる検出窓の幅と発生する最大のジッタとの差を表
わす。現在、記録再生装置の負担を軽減するためにも、
再生信号の位相マージンの広いメディアが要求されてい
る。
を高真空度にまで排気して不純物を取り除き、Ａｒのみ
のスパッタガスで記録層の製膜を行った記録膜をもつ光
ディスクは、記録再生装置の記録レーザーパワーが大き
くなるにつれて位相マージンが狭くなるという問題点を
有する。これは、記録レーザーパワーが大きくなるにつ
れて記録層の面内方向に熱が伝導するため、マークの形
状が悪化し、マーク間隔が狭くなることから読み出し信
号としては波形干渉を起こしジッタが大きくなるためで
ある。ここで言う位相マージンとは、同期信号によって
作られる検出窓の幅と発生する最大のジッタとの差を表
わす。現在、記録再生装置の負担を軽減するためにも、
再生信号の位相マージンの広いメディアが要求されてい
る。
【０００８】本発明が解決しようとする課題は、記録レ
ーザーパワーが大きくなっても、記録マークの形状が良
好で、マーク間隔が一定で、読み取り時に波形干渉が発
生しない位相マージンの広い光磁気記録媒体を提供する
ことにある。
ーザーパワーが大きくなっても、記録マークの形状が良
好で、マーク間隔が一定で、読み取り時に波形干渉が発
生しない位相マージンの広い光磁気記録媒体を提供する
ことにある。
【０００９】
【発明を解決するための手段】本発明者は、種々検討し
た結果、基板上にスパッタ法で製膜された透明な誘電体
層、磁性体からなる記録層及び反射層を有する光磁気記
録媒体状の光磁気記録媒体において、記録層の製膜時に
スパッタガスとしてＡｒを主とするスパッタガスにＮ2
を微量（混合比０．０３％以上３．００％以下）混入す
ることによって上記課題を解決できることを見い出し、
本発明を完成するに至った。
た結果、基板上にスパッタ法で製膜された透明な誘電体
層、磁性体からなる記録層及び反射層を有する光磁気記
録媒体状の光磁気記録媒体において、記録層の製膜時に
スパッタガスとしてＡｒを主とするスパッタガスにＮ2
を微量（混合比０．０３％以上３．００％以下）混入す
ることによって上記課題を解決できることを見い出し、
本発明を完成するに至った。
【００１０】即ち、本願発明は上記課題を解決するため
に、基板上に磁性体からなる記録層を有する光磁気記録
媒体において、記録層が窒素を含有する希土類−遷移金
属の非晶質磁性合金膜であって、非晶質磁性合金膜中の
窒素の含有量が５at％未満の範囲にあることを特徴とす
る光磁気記録媒体を提供する。更に本発明は、スパッタ
法によって基板上に透明誘電体層、磁性体からなる記録
層及び反射層を設けて成る光磁気記録媒体の製造方法に
おいて、誘電体層を製膜した後、Ａｒを主とするスパッ
タガス中にＮ2 を微量（混合比０．０３％以上３．００
％以下）混入して、RE−TM膜の磁性体を主体とする記録
層を製膜することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方
法を提供する。
に、基板上に磁性体からなる記録層を有する光磁気記録
媒体において、記録層が窒素を含有する希土類−遷移金
属の非晶質磁性合金膜であって、非晶質磁性合金膜中の
窒素の含有量が５at％未満の範囲にあることを特徴とす
る光磁気記録媒体を提供する。更に本発明は、スパッタ
法によって基板上に透明誘電体層、磁性体からなる記録
層及び反射層を設けて成る光磁気記録媒体の製造方法に
おいて、誘電体層を製膜した後、Ａｒを主とするスパッ
タガス中にＮ2 を微量（混合比０．０３％以上３．００
％以下）混入して、RE−TM膜の磁性体を主体とする記録
層を製膜することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方
法を提供する。
【００１１】本発明の光磁気記録媒体の層構成は、例え
ば、基板上に、少なくとも、誘電体層、記録層及び必要
に応じて反射層からなる構造を有する。更に、記録層又
は反射層の上に保護コート層を、基板の記録層とは反対
側の面にハードコート層を夫々設けることもできる。し
かしながら、本発明の光磁気記録媒体の層構成は、これ
に限定されるものではない。
ば、基板上に、少なくとも、誘電体層、記録層及び必要
に応じて反射層からなる構造を有する。更に、記録層又
は反射層の上に保護コート層を、基板の記録層とは反対
側の面にハードコート層を夫々設けることもできる。し
かしながら、本発明の光磁気記録媒体の層構成は、これ
に限定されるものではない。
【００１２】本発明で使用する基板としては、例えば、
ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、アモル
ファスポリオレフィンの如き樹脂又はガラスに直接案内
溝を形成した基板、ガラス又は樹脂の平板上にフォトポ
リマー法により案内溝を形成した基板が挙げられる。
ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、アモル
ファスポリオレフィンの如き樹脂又はガラスに直接案内
溝を形成した基板、ガラス又は樹脂の平板上にフォトポ
リマー法により案内溝を形成した基板が挙げられる。
【００１３】誘電体層の材料としては、一般に光学定数
及び透過率が大きく、記録層を保護する効果の大きいＳ
ｉＮX、ＳｉＯX、ＡｌＳｉＯＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＮ、
ＡｌＴｉＮ、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＳ等が挙げられる。
及び透過率が大きく、記録層を保護する効果の大きいＳ
ｉＮX、ＳｉＯX、ＡｌＳｉＯＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＮ、
ＡｌＴｉＮ、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＳ等が挙げられる。
【００１４】誘電体層は、スパッタリング、イオンプレ
ーティング等の物理蒸着法（ＰＶＤ）、プラズマＣＶＤ
等の化学蒸着法（ＣＶＤ）等によって形成する。
ーティング等の物理蒸着法（ＰＶＤ）、プラズマＣＶＤ
等の化学蒸着法（ＣＶＤ）等によって形成する。
【００１５】磁性体から成る記録層を構成する材料とし
ては、例えば、ＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ等の遷
移金属と希土類金属の合金等、あるいはこれに Ｔｉ、
Ｔａ、Ｃｒ等の耐食性付与金属を添加した合金が挙げら
れる。特に耐食性の優れたＴｉが好ましい。更に、これ
らの中でも、一般式（Ｉ） ｛Ｒx（ＦｅyＣｏ1-y）1-x｝zＮ1-z （式中、x、y及びzは、以下の範囲にあり、Ｒは希土類
金属である。0.16＜x＜0.25、0.70＜y＜0.90、0.95＜z
＜1.00）で表わされる非晶質磁性合金及び一般式（II） ［｛Ｒx（ＦｅyＣｏ1-y）1-x｝zＴｉ1-z］sＮ1-s （式中、x、y、z及びsは、以下の範囲にあり、Ｒは希土
類金属である。0.16＜x＜0.25、0.70＜y＜0.90、0.85＜
z＜1.00、0.95＜s＜1.00）で表わされる非晶質磁性合金
が好ましい。
ては、例えば、ＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ等の遷
移金属と希土類金属の合金等、あるいはこれに Ｔｉ、
Ｔａ、Ｃｒ等の耐食性付与金属を添加した合金が挙げら
れる。特に耐食性の優れたＴｉが好ましい。更に、これ
らの中でも、一般式（Ｉ） ｛Ｒx（ＦｅyＣｏ1-y）1-x｝zＮ1-z （式中、x、y及びzは、以下の範囲にあり、Ｒは希土類
金属である。0.16＜x＜0.25、0.70＜y＜0.90、0.95＜z
＜1.00）で表わされる非晶質磁性合金及び一般式（II） ［｛Ｒx（ＦｅyＣｏ1-y）1-x｝zＴｉ1-z］sＮ1-s （式中、x、y、z及びsは、以下の範囲にあり、Ｒは希土
類金属である。0.16＜x＜0.25、0.70＜y＜0.90、0.85＜
z＜1.00、0.95＜s＜1.00）で表わされる非晶質磁性合金
が好ましい。
【００１６】記録層製膜時のスパッタガスとしてＡｒの
中に反応性のガスＮ2 を混合比０．０３％以上混入させ
て用いると記録層が僅かに窒化され、熱伝導率が小さく
なる。これによって記録レーザーパワーを大きくしても
記録層の面内方向に熱が伝導しにくくなり、反射層へ熱
が逃げることから、比較的大きな記録レーザーパワーで
記録した場合であっても、マークの形状が悪化したりマ
ーク間隔が狭くはならず、読み出し時に波形干渉を起こ
さない。従って、ジッタは大きくならず、位相マージン
が狭くなることはない。しかし、このときに混入するＮ
2 の分圧が高すぎると記録層のＴｂが選択的に窒化され
るために保磁力が下がりＣＮＲが低下することから混合
比３．００％以下にする必要がある。
中に反応性のガスＮ2 を混合比０．０３％以上混入させ
て用いると記録層が僅かに窒化され、熱伝導率が小さく
なる。これによって記録レーザーパワーを大きくしても
記録層の面内方向に熱が伝導しにくくなり、反射層へ熱
が逃げることから、比較的大きな記録レーザーパワーで
記録した場合であっても、マークの形状が悪化したりマ
ーク間隔が狭くはならず、読み出し時に波形干渉を起こ
さない。従って、ジッタは大きくならず、位相マージン
が狭くなることはない。しかし、このときに混入するＮ
2 の分圧が高すぎると記録層のＴｂが選択的に窒化され
るために保磁力が下がりＣＮＲが低下することから混合
比３．００％以下にする必要がある。
【００１７】反射層の材質としては、Ａｌ、Ａｌと他の
金属との合金等が挙げられるが、記録膜を保護する効果
の大きいと思われるＡｌにＴｉを加えた合金が特に好ま
しい。
金属との合金等が挙げられるが、記録膜を保護する効果
の大きいと思われるＡｌにＴｉを加えた合金が特に好ま
しい。
【００１８】反射層は、スパッタリング、イオンプレー
ティング等の物理蒸着法（ＰＶＤ）、プラズマＣＶＤ等
の化学蒸着法（ＣＶＤ）等によって形成する。
ティング等の物理蒸着法（ＰＶＤ）、プラズマＣＶＤ等
の化学蒸着法（ＣＶＤ）等によって形成する。
【００１９】保護コート層の材料には有機系、無機系の
双方が用いられている。有機系の保護コート層を形成す
る場合には、ディッピング法、スピンコート法、ロール
コーター法、蒸着法等の手法が用いられている。一方、
無機系の保護コート層を形成する場合には、スパッタリ
ング法や蒸着法、含浸法等の手法が用いられる。
双方が用いられている。有機系の保護コート層を形成す
る場合には、ディッピング法、スピンコート法、ロール
コーター法、蒸着法等の手法が用いられている。一方、
無機系の保護コート層を形成する場合には、スパッタリ
ング法や蒸着法、含浸法等の手法が用いられる。
【００２０】これらの保護コート法のうち、紫外線硬化
樹脂を用いたスピンコート法は簡便で迅速な方法である
ので好ましい。この方法は、ディスペンサーを用いて基
板上に紫外線硬化樹脂を吐出し、光磁気記録媒体を高速
回転して遠心力により樹脂を広げて塗布を行なう。塗布
された樹脂は、その後、紫外線照射によって硬化させ
る。また、スピンコート法は、紫外線硬化樹脂以外の樹
脂に対しても好適に用いることができる。いずれの場合
においても、保護コート層に用いる樹脂は、硬化後に鉛
筆硬度でＨ以上の硬度を有するものが好ましい。
樹脂を用いたスピンコート法は簡便で迅速な方法である
ので好ましい。この方法は、ディスペンサーを用いて基
板上に紫外線硬化樹脂を吐出し、光磁気記録媒体を高速
回転して遠心力により樹脂を広げて塗布を行なう。塗布
された樹脂は、その後、紫外線照射によって硬化させ
る。また、スピンコート法は、紫外線硬化樹脂以外の樹
脂に対しても好適に用いることができる。いずれの場合
においても、保護コート層に用いる樹脂は、硬化後に鉛
筆硬度でＨ以上の硬度を有するものが好ましい。
【００２１】プラスチック製基板は、耐擦傷性が不十分
であり、このような欠点を克服するために、記録層とは
反対側の面に硬度の高い透明材質を用いてハードコート
層を設けることが望ましい。ハードコートの手段として
はスピンコート法、２Ｐ法等により多官能ウレタンアク
リレート及び光重合開始剤を含有する紫外線硬化樹脂等
の有機高分子を塗布、硬化する方法、析出法やスパッタ
リング法等により二酸化珪素等のセラミックハードコー
ト層を設ける方法が挙げられるが、セラミック製のハー
ドコート層は、生産性が悪いため、大量生産には不向き
であるので、紫外線硬化樹脂を用いたハードコート層が
好ましい。
であり、このような欠点を克服するために、記録層とは
反対側の面に硬度の高い透明材質を用いてハードコート
層を設けることが望ましい。ハードコートの手段として
はスピンコート法、２Ｐ法等により多官能ウレタンアク
リレート及び光重合開始剤を含有する紫外線硬化樹脂等
の有機高分子を塗布、硬化する方法、析出法やスパッタ
リング法等により二酸化珪素等のセラミックハードコー
ト層を設ける方法が挙げられるが、セラミック製のハー
ドコート層は、生産性が悪いため、大量生産には不向き
であるので、紫外線硬化樹脂を用いたハードコート層が
好ましい。
【００２２】このようにして製膜した光ディスクは、単
体で使用しても良く、２枚を貼り合わせて使用しても良
い。
体で使用しても良く、２枚を貼り合わせて使用しても良
い。
【００２３】
【作用】以上のような方法により、記録レーザーパワー
が大きくなるにつれてジッタが大きくなること、つまり
位相マージンを狭くなることを防ぐことができる。
が大きくなるにつれてジッタが大きくなること、つまり
位相マージンを狭くなることを防ぐことができる。
【００２４】
【実施例】以下に本発明の実施例と比較例により詳細に
説明する。
説明する。
【００２５】（実施例１）厚さ１．２mm、外径９０mmの
円板で片面に１．６μｍピッチのスパイラル状のグルー
ブを有するポリカーボネート樹脂よりなる基板を、自公
転可能な基板取り付け部を有するスパッタリング装置内
に配置し、スパッタリング装置内を５．０×１０-7Ｔｏ
ｒｒまで排気し、ＡｒとＮ2 の混合ガスの圧力が１０．
０ミリＴｏｒｒで、かつ窒素ガスの混合割合が１０．０
％のスパッタガス中でＳｉターゲットを用いて反応性ス
パッタを行ない、厚さが１００nmのＳｉＮx 層を製膜し
た。次に、スパッタリング装置内を再び５．０×１０-7
Ｔｏｒｒまで排気し、ＡｒとＮ2 の混合ガスの圧力が
３．０ミリＴｏｒｒで、かつＮ2 の混合比が０．１％の
スパッタガス中でＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用いて
反応性スパッタを行ない、厚さが２５nmのＴｂＦｅＣｏ
Ｎx 層を製膜し、更に前記と同等の方法で厚さが３０nm
のＳｉＮx 層を製膜した。最後に、ＡｌＴｉ合金ターゲ
ットを用いて厚さ５０nmの反射層を製膜した。
円板で片面に１．６μｍピッチのスパイラル状のグルー
ブを有するポリカーボネート樹脂よりなる基板を、自公
転可能な基板取り付け部を有するスパッタリング装置内
に配置し、スパッタリング装置内を５．０×１０-7Ｔｏ
ｒｒまで排気し、ＡｒとＮ2 の混合ガスの圧力が１０．
０ミリＴｏｒｒで、かつ窒素ガスの混合割合が１０．０
％のスパッタガス中でＳｉターゲットを用いて反応性ス
パッタを行ない、厚さが１００nmのＳｉＮx 層を製膜し
た。次に、スパッタリング装置内を再び５．０×１０-7
Ｔｏｒｒまで排気し、ＡｒとＮ2 の混合ガスの圧力が
３．０ミリＴｏｒｒで、かつＮ2 の混合比が０．１％の
スパッタガス中でＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用いて
反応性スパッタを行ない、厚さが２５nmのＴｂＦｅＣｏ
Ｎx 層を製膜し、更に前記と同等の方法で厚さが３０nm
のＳｉＮx 層を製膜した。最後に、ＡｌＴｉ合金ターゲ
ットを用いて厚さ５０nmの反射層を製膜した。
【００２６】以上の方法で製膜を行った光磁気記録媒体
について、光ディスク評価装置を用いて記録レーザーパ
ワーを変化させながら誤り率が１０-4以下となる領域と
定義した位相マージンを測定した。位相マージンの測定
は、波長８３０nmの半導体レーザーを用い、光磁気記録
媒体の回転数は２４００ｒｐｍ、再生レーザーパワーは
１．５mW、記録バイアス磁界は３２５Ｇ、パルス幅は６
０ナノ秒の条件において半径２４mmの位置で記録レーザ
ー出力−位相マージンを調べた。その結果を表１及び図
１に示した。
について、光ディスク評価装置を用いて記録レーザーパ
ワーを変化させながら誤り率が１０-4以下となる領域と
定義した位相マージンを測定した。位相マージンの測定
は、波長８３０nmの半導体レーザーを用い、光磁気記録
媒体の回転数は２４００ｒｐｍ、再生レーザーパワーは
１．５mW、記録バイアス磁界は３２５Ｇ、パルス幅は６
０ナノ秒の条件において半径２４mmの位置で記録レーザ
ー出力−位相マージンを調べた。その結果を表１及び図
１に示した。
【００２７】表１及び図１に示した結果から、実施例１
の光磁気記録媒体は、記録レーザーパワーが大きくても
位相マージン４５ナノ秒以上と十分に広いことがわかっ
た。
の光磁気記録媒体は、記録レーザーパワーが大きくても
位相マージン４５ナノ秒以上と十分に広いことがわかっ
た。
【００２８】なお、以上の方法で製膜した記録層の組成
は、 ｛Ｔｂx（ＦｅyＣｏ1-y）1-x｝zＮ1-z （式中、x＝0.20、y＝0.80、z＝0.99）であった。
は、 ｛Ｔｂx（ＦｅyＣｏ1-y）1-x｝zＮ1-z （式中、x＝0.20、y＝0.80、z＝0.99）であった。
【００２９】（実施例２）実施例１で用いたポリカーボ
ネート樹脂よりなる基板上に、実施例１と同様の方法で
ＳｉＮx 層を製膜した。次に、スパッタリング装置内を
５．０×１０-7Ｔｏｒｒまで排気し、ＡｒとＮ2 の混合
ガスの圧力が５．０ミリＴｏｒｒで、かつＮ2 の混合割
合が２．５％のスパッタガス中でＴｂＦｅＣｏ合金ター
ゲットを用いて反応性スパッタを行ない、厚さが２５nm
のＴｂＦｅＣｏＮx 層を製膜し、更に実施例１と同様の
方法で厚さが３０nmのＳｉＮx 層、５０nmの反射層を製
膜した。
ネート樹脂よりなる基板上に、実施例１と同様の方法で
ＳｉＮx 層を製膜した。次に、スパッタリング装置内を
５．０×１０-7Ｔｏｒｒまで排気し、ＡｒとＮ2 の混合
ガスの圧力が５．０ミリＴｏｒｒで、かつＮ2 の混合割
合が２．５％のスパッタガス中でＴｂＦｅＣｏ合金ター
ゲットを用いて反応性スパッタを行ない、厚さが２５nm
のＴｂＦｅＣｏＮx 層を製膜し、更に実施例１と同様の
方法で厚さが３０nmのＳｉＮx 層、５０nmの反射層を製
膜した。
【００３０】以上の方法で製膜した光磁気記録媒体につ
いて実施例１と同様の方法で、位相マージンを測定を行
った。その結果を表１及び図１に示した。
いて実施例１と同様の方法で、位相マージンを測定を行
った。その結果を表１及び図１に示した。
【００３１】表１及び図１に示した結果から、実施例２
の光磁気記録媒体は、記録レーザーパワーが大きくても
位相マージン４５ナノ秒以上と十分に広いことがわかっ
た。
の光磁気記録媒体は、記録レーザーパワーが大きくても
位相マージン４５ナノ秒以上と十分に広いことがわかっ
た。
【００３２】なお、以上の方法で製膜した記録層の組成
は、 ｛Ｔｂx（ＦｅyＣｏ1-y）1-x｝zＮ1-z （式中、x＝0.20、y＝0.80、z＝0.96）であった。
は、 ｛Ｔｂx（ＦｅyＣｏ1-y）1-x｝zＮ1-z （式中、x＝0.20、y＝0.80、z＝0.96）であった。
【００３３】（実施例３）実施例１で用いたポリカーボ
ネート樹脂よりなる基板上に、実施例１と同様の方法で
ＳｉＮx 層を製膜した。次に、スパッタリング装置内を
５．０×１０-7Ｔｏｒｒまで排気し、ＡｒとＮ2 の混合
ガスの圧力が５．０ミリＴｏｒｒで、かつＮ2 の混合割
合が２．５％のスパッタガス中でＴｂＦｅＣｏＴｉ合金
ターゲットを用いて反応性スパッタを行ない、厚さが２
５nmのＴｂＦｅＴｉＣｏＮx 層を製膜し、更に実施例１
と同様の方法で厚さが３０nmのＳｉＮx 層、５０nmの反
射層を製膜した。
ネート樹脂よりなる基板上に、実施例１と同様の方法で
ＳｉＮx 層を製膜した。次に、スパッタリング装置内を
５．０×１０-7Ｔｏｒｒまで排気し、ＡｒとＮ2 の混合
ガスの圧力が５．０ミリＴｏｒｒで、かつＮ2 の混合割
合が２．５％のスパッタガス中でＴｂＦｅＣｏＴｉ合金
ターゲットを用いて反応性スパッタを行ない、厚さが２
５nmのＴｂＦｅＴｉＣｏＮx 層を製膜し、更に実施例１
と同様の方法で厚さが３０nmのＳｉＮx 層、５０nmの反
射層を製膜した。
【００３４】以上の方法で製膜した光磁気記録媒体につ
いて実施例１と同様の方法で、位相マージンを測定を行
った。その結果を表１及び図１に示した。
いて実施例１と同様の方法で、位相マージンを測定を行
った。その結果を表１及び図１に示した。
【００３５】表１及び図１に示した結果から、実施例２
の光磁気記録媒体は、記録レーザーパワーが大きくても
位相マージン４５ナノ秒以上と十分に広いことがわかっ
た。
の光磁気記録媒体は、記録レーザーパワーが大きくても
位相マージン４５ナノ秒以上と十分に広いことがわかっ
た。
【００３６】なお、以上の方法で製膜した記録層の組成
は、 ［｛Ｒx（ＦｅyＣｏ1-y）1-x｝zＴｉ1-z］sＮ1-s （式中、x＝0.20、y＝0.80、z＝0.95、s＝0.96）であっ
た。
は、 ［｛Ｒx（ＦｅyＣｏ1-y）1-x｝zＴｉ1-z］sＮ1-s （式中、x＝0.20、y＝0.80、z＝0.95、s＝0.96）であっ
た。
【００３７】（比較例１）実施例１に用いたポリカーボ
ネート樹脂よりなる基板上に、実施例１と同様の方法で
ＳｉＮx 層を製膜した。次に、スパッタリング装置内を
５．０×１０-7Ｔｏｒｒまで排気し、Ａｒの圧力が３．
０ミリＴｏｒｒのスパッタガス中でＴｂＦｅＣｏ合金タ
ーゲットを用いて厚さが２５nmのＴｂＦｅＣｏ層を製膜
し、更に実施例１と同様の方法で厚さが３０nmのＳｉＮ
x 層、厚さが４５nmの反射層を製膜した。
ネート樹脂よりなる基板上に、実施例１と同様の方法で
ＳｉＮx 層を製膜した。次に、スパッタリング装置内を
５．０×１０-7Ｔｏｒｒまで排気し、Ａｒの圧力が３．
０ミリＴｏｒｒのスパッタガス中でＴｂＦｅＣｏ合金タ
ーゲットを用いて厚さが２５nmのＴｂＦｅＣｏ層を製膜
し、更に実施例１と同様の方法で厚さが３０nmのＳｉＮ
x 層、厚さが４５nmの反射層を製膜した。
【００３８】以上の方法で製膜した光磁気記録媒体につ
いて実施例１と同様の方法で、位相マージンを測定を行
った。その結果を表１及び図１に示した。
いて実施例１と同様の方法で、位相マージンを測定を行
った。その結果を表１及び図１に示した。
【００３９】表１及び図１に示した結果から、比較例１
の光磁気記録媒体は、記録レーザーパワーが大きくなる
と位相マージンは４０ナノ秒以下と狭くなることがわか
った。これは記録層の熱伝導率が大きいため記録レーザ
ーパワーを大きくすると記録層の面内方向に熱が伝導し
易くなるため、マークの形状が悪化しマーク間隔が狭く
なるため、読み出し信号として波形干渉を起こし、ジッ
タは大きくなることが原因であると考えられる。
の光磁気記録媒体は、記録レーザーパワーが大きくなる
と位相マージンは４０ナノ秒以下と狭くなることがわか
った。これは記録層の熱伝導率が大きいため記録レーザ
ーパワーを大きくすると記録層の面内方向に熱が伝導し
易くなるため、マークの形状が悪化しマーク間隔が狭く
なるため、読み出し信号として波形干渉を起こし、ジッ
タは大きくなることが原因であると考えられる。
【００４０】なお、以上の方法で製膜した記録層の組成
は、 Ｔｂx（ＦｅyＣｏ1-y）1-x （式中、x＝0.20、y＝0.80）であった。
は、 Ｔｂx（ＦｅyＣｏ1-y）1-x （式中、x＝0.20、y＝0.80）であった。
【００４１】（比較例２）実施例１に用いたポリカーボ
ネート樹脂よりなる基板上に、実施例１と同様の方法で
ＳｉＮx 層を製膜した。次に、スパッタリング装置内を
５．０×１０-7Ｔｏｒｒまで排気し、ＡｒとＮ2 の混合
ガスの圧力が５．０ミリＴｏｒｒで、かつＮ2 の混合割
合が５．０％のスパッタガス中でＴｂＦｅＣｏ合金ター
ゲットを用いて反応性スパッタを行ない、厚さが２５nm
のＴｂＦｅＣｏＮx 層を製膜し、更に実施例１と同様の
方法で厚さが３０nmのＳｉＮx 層、５０nmの反射層を製
膜した。
ネート樹脂よりなる基板上に、実施例１と同様の方法で
ＳｉＮx 層を製膜した。次に、スパッタリング装置内を
５．０×１０-7Ｔｏｒｒまで排気し、ＡｒとＮ2 の混合
ガスの圧力が５．０ミリＴｏｒｒで、かつＮ2 の混合割
合が５．０％のスパッタガス中でＴｂＦｅＣｏ合金ター
ゲットを用いて反応性スパッタを行ない、厚さが２５nm
のＴｂＦｅＣｏＮx 層を製膜し、更に実施例１と同様の
方法で厚さが３０nmのＳｉＮx 層、５０nmの反射層を製
膜した。
【００４２】以上の方法で製膜した光磁気記録媒体につ
いて実施例１と同様の方法で、位相マージンを測定を行
った。その結果を表１及び図１に示した。
いて実施例１と同様の方法で、位相マージンを測定を行
った。その結果を表１及び図１に示した。
【００４３】表１及び図１に示した結果から、比較例２
の光磁気記録媒体は、記録レーザーパワーが大きくなる
と位相マージンは４０ナノ秒以下と狭くなることがわか
った。これは記録層に含まれる窒素量が多すぎると記録
層のＴｂが選択的に窒化されるために保磁力が下がりＣ
ＮＲが低下することが原因であると考えられる。
の光磁気記録媒体は、記録レーザーパワーが大きくなる
と位相マージンは４０ナノ秒以下と狭くなることがわか
った。これは記録層に含まれる窒素量が多すぎると記録
層のＴｂが選択的に窒化されるために保磁力が下がりＣ
ＮＲが低下することが原因であると考えられる。
【００４４】なお、以上の方法で製膜した記録層の組成
は、 ｛Ｔｂx（ＦｅyＣｏ1-y）1-x｝zＮ1-z （式中、x＝0.20、y＝0.80、z＝0.93）であった。
は、 ｛Ｔｂx（ＦｅyＣｏ1-y）1-x｝zＮ1-z （式中、x＝0.20、y＝0.80、z＝0.93）であった。
【００４５】
【表１】
【００４６】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は、僅かなＮ2
を含むＡｒ中で記録層を製膜することにより、記録層を
窒化させて従来のＴｂＦｅＣｏ層に代えてＴｂＦｅＣｏ
Ｎx 層を形成すると記録層の熱伝導率が小さくなるた
め、記録層の面内方向に熱が伝導しにくくなり、記録レ
ーザーパワーを大きくした時の熱量に対してマーク形状
の悪化やマーク間隔が狭くなることを抑えることができ
る。また、読み出し信号としては波形干渉が少なくなる
ことからジッタが小さく、つまり位相マージンを広くす
ることができる。
を含むＡｒ中で記録層を製膜することにより、記録層を
窒化させて従来のＴｂＦｅＣｏ層に代えてＴｂＦｅＣｏ
Ｎx 層を形成すると記録層の熱伝導率が小さくなるた
め、記録層の面内方向に熱が伝導しにくくなり、記録レ
ーザーパワーを大きくした時の熱量に対してマーク形状
の悪化やマーク間隔が狭くなることを抑えることができ
る。また、読み出し信号としては波形干渉が少なくなる
ことからジッタが小さく、つまり位相マージンを広くす
ることができる。
【図１】各実施例及び各比較例で得られた光磁気記録媒
体の位相マージンの記録レーザーパワー依存性を示した
図表である。
体の位相マージンの記録レーザーパワー依存性を示した
図表である。
● 実施例１の光磁気記録媒体 ○ 実施例１の光磁気記録媒体 □ 実施例２の光磁気記録媒体 △ 比較例１の光磁気記録媒体 ▽ 比較例２の光磁気記録媒体
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に磁性体からなる記録層を有する
光磁気記録媒体において、記録層が窒素を含有する希土
類−遷移金属の非晶質磁性合金膜であって、非晶質磁性
合金膜中の窒素の含有量が５at％未満の範囲にあること
を特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 窒素を含有する希土類−遷移金属の非晶
質磁性合金膜が一般式（Ｉ） ｛Ｒx（ＦｅyＣｏ1-y）1-x｝zＮ1-z （式中、x、y及びzは、以下の範囲にあり、Ｒは希土類
金属である。0.160＜x＜0.250、0.700＜y＜0.900、0.95
0＜z＜0.999）で表わされる非晶質磁性合金膜であるこ
とを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 窒素を含有する希土類−遷移金属の非晶
質磁性合金膜が一般式（II） ［｛Ｒx（ＦｅyＣｏ1-y）1-x｝zＴｉ1-z］sＮ1-s （式中、x、y、z及びsは、以下の範囲にあり、Ｒは希土
類金属である。0.160＜x＜0.250、0.700＜y＜0.900、0.
850＜z＜1.000、0.950＜s＜0.999）で表わされる非晶質
磁性合金膜であることを特徴とする請求項１記載の光磁
気記録媒体。 - 【請求項４】 Ａｒを主成分とし、その中に微量の窒素
を含有するスパッタガス中で、一般式（Ｉ）で表わされ
る非晶質磁性合金膜を形成することを特徴とする請求項
１記載の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】 スパッタガス中の窒素の混合比が０．０
３〜３．００容量％の範囲にあることを特徴とする請求
項４記載の光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2685992A JPH05225626A (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2685992A JPH05225626A (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05225626A true JPH05225626A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12205011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2685992A Pending JPH05225626A (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05225626A (ja) |
-
1992
- 1992-02-13 JP JP2685992A patent/JPH05225626A/ja active Pending
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