JPS63302445A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記録媒体の構造に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、密着貼合わせ構造の光磁気記録媒体において
、光磁気記録層を形成した透明基板Ａを紫外線硬化樹脂
を用いて別の透明基板Ｂと密着貼合わせをした光磁気記
録媒体の全面に、下地層とを機高分子からなる２Ｊｉｉ
ｉｉを形成したとと、または透明基板への全面もしくは
記録面側と透明基板Ｂの全面もしくは貼合わせ面側に下
″地層と￥ｌ有機高分子層からなる２層を形成した後、
基板ＡとＢを密行貼合わせをすることにより、強度及び
耐候性を向上させたものである。

〔従来の技術〕

近年、大容量メモリの１つとして光ディスクの商品化が
活発であり、その中でも特に書換え可能なタイプが主流
となりつつある。　特に古換え可能なタイプの中でも、
垂直磁化膜となり高密度記録が可能であり、また粒界ノ
イズが少なく、キュリ一温度が１２０°Ｃ〜２００°Ｃ
までと半４体レーザでも十分書き込めるという特徴から
、希土顕−遷移金属非晶質材料を記録膜とする光記録が
主流である。しかしながらこのような優れた特徴を持つ
反面、希土類−遷移金属非晶質は非常に酸化及び腐食さ
れ易いという欠点を有する。このため前記希土類−遷移
金屑非晶質材料を記録膜として透明基板上に単層で用い
ると、短時間で酸化及び腐食を引き起こし、耐候性に劣
る信頼性の低い光磁気記録媒体となってしまう。　この
ため従来は透明基板と光磁気記録層間や、光磁気記録層
の上下面に、保護膜を形成する方法が用いられている。

そしてこの様な保護膜としては、特開昭５８−２１５７
４４号公報、特開昭６０−１３１６５９号公報のように
アルミニウムの窒化物、珪素の窒化物、ＭｇＦ＊　、Ｚ
ｎ５ｓ　ＣｅＦｓ　、ＡＩＦ＊３ＮａＦなどの非酸化物
が、スパッタリング法、蒸着法、イオンブレーティング
法などのＸ空Ｆｉｇ形成法により形成されてきた。

また他の手法として、特開昭６１−３９９４９号公報の
ように、光磁気記録媒体の全面もしくは光記録層の表面
に、　カップリング剤からなる下地層及び有機高分子層
の２層を形成することにより、記録層の酸化及び腐食を
防ぐ検討がなされている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし前述の保護膜を形成するという従来技術では、保
護膜に発生したピンホールを通して透明基板側から水分
が浸透して、記録膜が腐食されるという問題点を有する
。

また、前述の光磁気記録媒体の全面もしくは光磁気記録
層の表面に、下地層及び有機高分子層からなる２ＴＡを
形成するという従来技術では、２層が数μｍ厚と非常に
薄いため、引っかいたりすることにより破壊されていま
い、この部分から記録膜が腐食されるという問題点を有
する。

そこで本発明はこのような問題点を解決するためのもの
で、その目的とするところは、引っかきなどに強いと同
時に、耐候性に優れた光磁気記録媒体を提供するところ
にある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の光磁気記録媒体は、光磁気配Ｏ層を形成した透
明基板Ａを紫外Ｉ！硬化樹脂を用いて別の透明基板Ｂと
密行貼合わせをした光磁気記録媒体の全面に下地層と「
機高分子からなる２層を形成したこと、または、透明基
板Ａの全面もしくは記録面側と透明基板Ｂの全面もしく
は貼合わせ面倒に下地層とを機高分子層からなる２層を
形成した後、透明基板ＡとＢを密着貼合わせをすること
を特徴とする。

〔実施例〕

以下本発明について実施例に基づいて詳細に説明する。

第１図から第８図に本発明の光磁気記録媒体の基本構成
図をしめす。

第１図の１はＰＣ（ポリカーボネート）の透明基液であ
り、図には特に示さないが、射出成形により形成し、ト
ラッキング用の溝がある。２はＮｄＤｙＦｅｃｏＴｉの
合金ターゲットを用いて、アルゴンガスを４人すること
によるＤＣスパッタリング法により成膜した光磁気記録
層である。３は紫外線硬化樹脂層、４は１と同様に射出
成形により形成したＰＣ透明基板である。５は下地層、
６は有機高分子層である。

第２図の７は第１図の１と全く同様な方法により形成し
たＰＣ透明基板で、トラッキング用の溝がある。　８は
下地層、９はを機高分子層、１０は第１図の２と全く同
様の方法により成膜した光磁気記録層、１１は紫外線硬
化樹脂層、１２は有機高分子層、１３は下地層、１４は
第１図の１と同様に射出成形により形成したＰＣ透明基
板である。

第３図の１５は第１図の１と同様な方法により形成した
ＰＣ透明基板であり、トラッキング用の溝がある。１６
は下地層、１７は有機高分子層、１８は第１図の２と全
く同様の方法により成膜した光磁気記録層、１９は紫外
線硬化樹脂層、２０は第１図の１と同様な方法により形
成したＰＣ透明基板である。２１は下地層、２２は有機
高分子層である。

第４図の２３は注型形成により形成されたエポキシ透明
基板、２４は下地層、２５はを機高分子層、２６は図に
は示さないが、Ｎｉのスタンバを用いた２Ｐ法によりト
ラッキング用の溝を形成したものである。尚、２部層に
は、ヘキサンジオールジアクリレート５０部、トリメチ
ロールプロパントリアクリレート４０部、トリプロピレ
ングリコールジアクリレート５部、ベンジルジメチルケ
タール５部の組成で配合したものを用いた。２７は第１
図の２と全く同様の方法により成膜した光磁気記録層、
２８は紫外線硬化樹脂層、２９は有機高分子層、３０は
下地層、３１は２３と同様壱注型形成により形成された
エポキシ透明基板である。

第５図の３２は第４図の２３と同様に注型形成により形
成されたエポキシ透明基板、３３は下地層、３４は有機
高分子層、３５は第４図の２６と同様の２Ｐ法によりト
ラッキング用の溝を形成したもので、２部層の材料は第
４図の２６と全く同様である。３６は第１図の２と全く
同様の方法により成膜した光磁気記録層、３７は紫外線
硬化（Ａ脂層、３８は第４図の２３と同様に注型形成に
より形成されたエポキシ透明基板、３９は下地層、４０
は有機高分子層である。

第６図の４１は第４図の２３と同様に注型形成により形
成されたエポキシ透明基板、４２は第４図の２６と同様
の２Ｐ法によりトラッキング用の溝を形成したものであ
る。４３は第１図の２と全く同様の方法により成膜した
光磁気記録層、４４は下地層、４５は有機高分子層、４
６は紫外線硬化樹脂層、４７は第４図の２３と同様に注
型形成により形成されたエポキシ透明基板、４８は下地
層、４９は有機高分子層である。

第７図の５０は第１図の１と同様な方法により形成した
ＰＣ透明基板で、トラッキング用の溝がある。５１は下
地層、５２はを機高分子層、５３は第１図の２と全く同
様の方法により成膜した光磁気配り層、５４は紫外線硬
化樹脂層、５５は第１図・の１と同様な方法により形成
したＰＣ透明基板、５６は下地層、５７は有機高分子層
である。

第８図の５８は第１図の１と同様な方法により形成した
ＰＣ透明基板でトラッキング用の溝がある。　５９は下
地層、６０は有機高分子層、６１は第１図の２と全（同
様の方法により成膜した光磁気記録層、６２は紫外線硬
化樹脂層、６３は第１図の１と全く同様な方法により形
成したＰＣ透明基板、８４は下地層、６５はを機高分子
層である。

また第８図及び第１０図に従来技術における光磁気記録
媒体の基本構成例の断面図を示す。

第９図の６６は第１図の１と同様な方法により形成した
ＰＣ透明基板でトラッキング用の溝がある。　６７は５
ｉ−ＡＩの焼結体ターゲットを用いて、窒素とアルゴン
の混合気体を用いることによる、ＲＦ反応性マグネトロ
ンスパッタリング法により成膜した、Ａ　Ｉ　Ｓ　ｒ　
Ｎの第１層保護膜である。６８は第１図の２と全く同様
の方法により成膜した光磁気記録層、６９は６７と同様
にして成膜した第２層保護膜、７０は紫外線硬化樹脂層
、７１は６７と同様にして成膜したＡｌ５ｉＮの保護膜
、７２は第１図の１と同様な方法により形成したＰＣ透
明基板である。

第１０図の７３は第１図の１と同様な方法により形成し
たＰＣ透明基板でトラッキング用の溝がある。７４は第
１図の２と全く同様の方法により成膜した光磁気記録層
、７５は下地層、７６は仔機高分子層である。

本発明において、下地層として、　インプロピルトリス
（ジオクチルパイロホスフェート）チタネートのチタン
系カップリング剤から成る届を用い、「機高分子層とし
て、ポリスチレンまたはポリスチレン変成物またはスチ
レン共重合物のいずれか１種、または、２ｇｉ以上の混
合物層を用い、第１図〜第８図までの構造で試料１〜２
５を形成した。また従来例として第９図、第１０図の構
造で比較例１〜６を形成した。試料１〜２５及び比較例
１〜６の溝底を第１表に示す。

第１表 ここで、試料１〜２４及び比較例２．４．６のカップリ
ング剤層及び有機高分子層の２層の形成は、以下のよう
に行った。

まず透明基板または光磁気記録媒体の表面もしくは全面
に１％のイソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフ
ェート）チタネート溶液を塗布する。塗布の方法として
は、スピンコード法、ディップ法、ロールコート法、な
どが挙げられる。次にインプロピルトリス（ジオクチル
パイロホスフェート）チタネート層が単〜数分子層にな
るよう前記イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホス
フェート）チタネート層の表面をエタノール、メタノー
ル等の溶剤で洗い流す。　その後、８０１Ｃ〜９０°Ｃ
で１時間加熱乾燥を行い溶媒を完全に除去する。　この
ような方法で下地層を形成した。

次に真空チャンバー内で仔機高分子層を形成する。まず
チャンバー内を５０ｍｔｏ　ｒ　ｒ程度の真空とした後
、ポリスチレンまたはポリスチレン変成物またはスチレ
ン共重合物またはポリスチレンとボリスチレ／混合物の
モノマーガスを１００ｍ１／ｍｉｎの流量で導入し、チ
ャンバー内圧力を０．１ｔｏｒｒにする。その後高周波
（１３，５８ＭＨｚ）電力を１００Ｗ加え、モノマーを
プラズマ化し重合を起こさせる。このような方法で仔機
高分子層を５０〜２００人厚形成した。

各試料及び比較例の６０°Ｃ９０％ＲＨ条件での加速試
験による表面状態の変化を、第２表に示す。

第２表 また第１１図に試料１〜８及び比較例１〜２の６０°Ｃ
９０％ＲＨ条件下での加速試験による初期値で規格化し
たＣＮＨの経時変化を、第１２図には同試験でのピット
エラーレート（ＢＥＲ）の経時変化を示す。

第２表、及び第１１図、第１２図から明かな如く、本発
明による光磁気記録媒体は、６０°　Ｃ９０％ＲＨ下約
２０００［Ｈ］の加速試験でも、ＮｄＤｙＦｅｃｏＴｉ
光磁気記録層が腐食されることがなく、　　ＣＮＲ，Ｂ
ＥＲも全く変化していない。第１１図及び第１２図には
試料１〜８しか示していないが、試料９〜２５について
も試料１〜８と全く同じ結果が得られた。

比較例については、比較例１〜６のサンプル全て、６０
＠Ｃ９０％ＲＨ条件下約ＩＱＯＯ［Ｈコで、光磁気配ａ
届が腐食され始め、その後成長して行った。これに伴い
、第１１図及び第１２図に示すように、比較例１．２０
ＢＥＲが急激に劣下し、また少し遅れＣＮＲが劣下した
。　第１１図及び第１２図シニは比較例１．２しか示し
ていないが、比較例３〜６についても同様に、約ｉｏｏ
。

［Ｈ］付近からＢＥＲ，ＣＮＨ共に劣化し始めた。

このように本発明の光磁気記録媒体が、長期の加速試験
において、光磁気記録層が酸化、腐食されることがなく
、ＢＥＲ，ＣＮＲが全く変化しない理由として、ＰＣ透
明基板上もしくは全面に、カップリング剤層であるイソ
プロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタ
ネート層を形成し、その上に有機高分子層としてポリス
チレンまたはポリスチレン変成物またはスチレン共重合
物またはポリスチレンとポリスチレンの混合物を形成す
ることにより、透明基板が外部の水分を吸収することが
なくなり、それ故透明基板を通して光磁気記録層へ腐食
の原因となる水分が浸透しなくなったことが挙げられる
。また密着貼合わせ（Ｍ造をとることにより、透明基板
上のゴミや、透明基板を引っかくことで、カップリング
剤層及び有機高分子層が存在しない部分が一部生じても
、光磁気記録層が直接傷つけられることがないことが挙
げられる。

尚、本発明に用いたカップリング剤としてイソプロピル
トリス（ジオクチルパイロホスフェート）チクネートを
用いたがその他に シランカップリング剤として ビニルトリクロルシラン ＣＨ−＝　　ＣＨＳ　　Ｉ　　Ｃ１ｍ ビニルトリス（βメトキシエトキシ）シランＣＨ，＝Ｃ
Ｈ８ｉ　（ＱＣ，Ｈ，ＯＣＨ，）ビニルトリエトキシシ
ラン ＣＨ，＝ＣＨ８ｉ　（ＱＣ，Ｈ，）− ビニルトリメトキシシラン ＣＨ，”ＣＨ３ｉ　（ＯＣＨｓ　）。

γ−メタクリロキシプロピル トリメトキシシラン ＣＨ。

ＣＨ。

ＣＨ，＝Ｃ−Ｃ−０−Ｃ，Ｈ，Ｓ　ｉ　（ＱＣＨ５）。

β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメト
キシシラン γ−グリシドキシプロピル トリメトキシシラン γ−グリシドキシプロピル メチルジェトキシシラン ？Ｈ・ Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキ
シシラン Ｈ，ＮＣ，Ｈ，ＮＨＣ，Ｈｓ　　Ｓ　１（ＯＣＨ，） Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメ
トキシシラン 冒 Ｈ２ＮＣｚＨ４ＮＨＣ３ＨｓＳｉ（ＯＣＨｓ）ｚγ−ア
ミノプロピルトリエトキシシランＨ＊　Ｎ　Ｃｓ　Ｈｓ
　Ｓ　１　　（ＯＣＩ　ｌ−１１）　ｓＮ−フェニル−
γ−アミノプロピル トリメトキシシラン Ｃｍ　　Ｈｓ　　ＮＨＣｓ　　Ｈｓ　　Ｓ　　ｉ　　Ｃ
０ＣＨｓ　　）　　ｓγ−メルカプトプロピルトリメト
キシシランＨ３Ｃ，Ｈ，Ｓ　ｉ　　（ＯＣＨ，）ｓγ−
クロロプロピルトリメトキシシランＣＩＣ，Ｈ，Ｓｉ　
（ＯＣＲ，）ｓ Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン０ＨＣＩ−ＣＨｚＣＨ
ｚＣＨｚＳｉ（ＯＣＨ３）ｉ］メチルトリメトキシシラ
ン ＣＨ，Ｓ　ｉ　（ＯＣＨｓ　）ｓ メチルトリエトキシシラン ＣＨｓ　Ｓ　ｉ　（ＯＣＲ−ＣＨ−）ｓビニルトリアセ
トキシラン ＣＨ，”ＣＨ”　　Ｓ　　ｉ　　（ＱＣ−ＣＨｓ　　）
ｓヘキサメチルジシラザン （ＣＨｓ　　）　　、　　Ｓ　　ｉ　　−ＮＨ−３ｉ　
　（ＣＨ，）　　ｓγ−アニリノプ口ピルトリメトキシ
シランγ−クロロプロピルメチルジメトキシシランＣｌ
−ＣＨ，ＣＨ，ＣＨ，Ｓ　ｉ ＣＨ。

（ＯＣＨ３）。

γ−メルカプトプロピル メチルジメトキシラン Ｈ５・ｃＨ＊　ＣＨｍ　ＣＨｍ　Ｓ　ｉＣＨ。

（ＯＣＲ，）。

メチルトリクロロシラン （ＣＨｓ）ＳｉＣ１ｓ ジメチルジクロロシラン （ＣＨｓ　）　＊　Ｓ　ｉｃ　Ｉｔ トリメチルクロロシラン （ＣＨ，）、５ｉＣ１ またチタンカップリング剤の例を以下に挙げる。

イソプロピルトリイソステアロイル チタネート インプロビルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネー
ト テトライソプロビルビス（ジオクチルホスファイト）チ
タネート テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタ
ネート （Ｃｓ　Ｈｌｔ　　Ｏ）　−−Ｔ　Ｉ　（Ｐ　　（０−
Ｃ，、Ｈ，、）、ＯＨ）。

テトラ（２，２０ジアリルオキシメチル−１−ブチル）
ビス（ジ−トリデシル）ホスファイトチタネート ビス（ジオクチルパイロホスフェート）ビス（ジオクチ
ルパイロホスフェート）インプロビルジメタクリルイソ
ステアロイルチタネート イソブロビルインステアロイルジアクリルチタネート ■ イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェ−インプロピル
トリクミルフェニルチタネートイソプロビルトリ（Ｎ−
アミドエチル・アミノエチル）チタネート ジクミルフェ二ルオキシアセテート チタネート アセトアルコキシアルミニウム ジイソプロピレート ？Ｈ３ が挙げられる。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明によれば、光磁気記録層を形成
した透明基板Ａを紫外線硬化樹脂を用いて別の透明基板
Ｂと密着貼合わせをした光磁気記録媒体の全面に、下地
層と有機高分子層からなる２層を形成したこと、または
透明基板Ａの全面もしくは記録面側と透明基板Ｂの全面
もしくは貼合わせ面倒に下地層と有機高分子層からなる
２層を形成した後、透明基板ＡとＢを密着貼合わせをす
ることにより、表面の強度及び耐候性を著しく向上させ
る効果を存するものである。

尚、本発明は、光磁気記録媒体について述べたが、光磁
気記録以外の記録媒体、例えばＡ与ｃｓＣ”５　Ｃ相変
化型等の光記録全般についても、同様の効果がをること
はいうまでもない。

また本発明の実施例においては、光磁気記録層を片面に
用いた貼合わせ構造についてのべたが、両面貼合わせ構
造についても同様の効果が得られることは、いうまでも
ない。

【図面の簡単な説明】

第１図から第８図は、本発明の光磁気記録媒体の基本構
成例の断面図を示す。第９図及び第１０図は従来光磁気
記録媒体の断面図を示す。第１１図は、ｍ１図から第１
０図に示す構造で形成した光磁気記録媒体の、６０’　
Ｃ９０％ＲＨの環境下における、ＣＮＲの初期値で規格
化した値の経時変化図を示す。第１２図は、６０°Ｃ９
０％ＲＨの環境下におけるＢＥＲの経時変化図を示す。 １・・・・・・ＰＣ透明基板 ２・・・・・・光磁気気記録層 ３・・・・・・紫外線硬化樹脂層 ４・・・・・・ＰＣ透明基板 ５・・・・・・下地層 ６・・・・・・有機高分子層 ７・・・・・・ＰＣ透明基板 ８・・・・・・下地層 ９・・・・・・有機高分子層 １０・・・・・・光磁気気記録層 １１・・・・・・紫外線硬化樹脂層 １２・・・・・・有機高分子層 １３・・・・・・下地層 １４・・・・・・ＰＣ透明基板 １５・・・・・・ＰＣ透明基板 １６・・・・・・下地層 １７・・・・・・有機高分子層 １８・・・・・・光磁気気記録層 １９・・・・・・紫外線硬化樹脂層 ２０・・・・・・ＰＣ透明基板 ２１・・・・・・下地層 ２２・・・・・・有機高分子層 ２３・・・・・・エポキシ透明基板 ２４・・・・・・下地層 ２５・・・・・・有機高分子層 ２６・・・・・・２層層 ２７・・・・・・光磁気気記録層 ２８・・・・・・紫外線硬化樹脂層 ２９・・・・・・有機高分子層 ３０・・・・・・下地層 ３１・・・・・・エポキシ透明基板 ３２・・・・・・エポキシ透明基板 ３３・・・・・・下地層 ３４・・・・・・有機高分子層 ３５・・・・・・２層層 ３Ｇ・・・・・・光磁気気記録層 ３７・・・・・・紫外線硬化樹脂層 ３８・・・・・・エポキシ透明基板 ３９・・・・・・下地層 ４０・・・・・・育種高分子層 ４１・・・・・・エポキシ透明基板 ４２・・・・・・２Ｐ層 ４３・・・・・・光磁気気記録層 ４４・・・・・・下地層 ４５・・・・・・を機高分子層 ４６・・・・・・紫外線硬化樹脂層 ４７・・・・・・エポキシ透明基板 ４８・・・・・・下地層 ４９・・・・・・有機高分子層 ５０・・・・・・ＰＣ透明基板 ５１・・・・・・下地層 ５２・・・・・・ｌｌｒ機高分子層 ５３・・・・・・光磁気気記録層 ５４・・・・・・紫外線硬化樹脂層 ５５・・・・・・ＰＣ透明基板 ５６・・・・・・下地層 ５７・・・・・・を機高分子層 ５９・・・・・・下地層 ５８・・・・・・ＰＣ透明基板 ６０・・・・・・打機高分子層 ６１・・・・・・光磁気気記録層 ６２・・・・・・紫外線硬化樹脂層 ６３・・・・・・ＰＣ透明基板 ６４・・・・・・下地層 ６５・・・・・・打機高分子層 ６６・・・・・・ｐ　’ｃ透明基板 ６７・・・・・・Ａｌ５ｉＮの第一層保護膜６８・・・
・・・光磁気気記録層 ６９・・・・・・Ａｌ５ｉＮの第二層保護膜７０・・・
・・・紫外線硬化樹脂層 ７１・・・・・・Ａｌ５ｉＮの保護膜 ７２・・・・・・ＰＣ透明基板 ７３・・・・・・ＰＣ透明基板 ７４・・・・・・光磁気気記録層 ７５・・・・・・下Ｊｔ！！層 ７６・・・・・・仲種高分子層 ７７・・・・・・試料１の場合 ７８・・・・・・試料２の場合 ７９・・・・・・試料３の場合 ８０・・・・・・試料４の場合 ８１・・・・・・試料５の場合 ８２・・・・・・試料６の場合 ８３・・・・・・試料７の場合 ８４・・・・・・試料８の場合 ８５・・・・・・比較例１の場合 ８６・・・・・・比較例２の場合 ８７・・・・・・試料１の場合 ８８・・・・・・試料２の場合 ８９・・・・・・試料３の場合 ９０・・・・・・試料４の場合 ９１・・・・・・試料５の場合 ９２・・・・・・試料６の場合 ９３・・・・・・試料７の場合 ９４・・・・・・試料８の場合 ９５・・・・・・比較例１の場合 ９６・・・・・・比較例２の場合 ３　葉タ呻ｌビｔイヒ」（１１介１４ン第２図 第３０ 笛４図 名６図 第８図 第９図 地１０図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）磁気ファラデー効果もしくは磁気カー効果を用い
   て記録、再生、消去を行う希土類−遷移金属系の光磁気
   記録媒体において、光磁気記録層を形成した透明基板Ａ
   を紫外線硬化樹脂を用いて別の透明基板Ｂと密着貼合わ
   せをした光磁気記録媒体の全面に、下地層と有記高分子
   層から成る２層を形成したことを特徴とする光磁気記録
   媒体。
2. （２）前記下地層がシラン系、チタン系、アルミニウム
   系のいずれかのカップリング剤からなる層である特許請
   求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体。
3. （３）前記有機高分子層がポリスチレン、ポリスチレン
   変成物またはスチレン共重合物から選ばれた１種もしく
   は２種以上の混合物を含有する層である特許請求の範囲
   第１項記載の光磁気記録媒体。
4. （４）磁気ファラデー効果もしくは磁気カー効果を用い
   て記録、再生、消去を行う希土類−遷移金属系の光磁気
   記録媒体において、光磁気記録層を形成した透明基板Ａ
   を紫外線硬化樹脂を用いて別の透明基板Ｂと密着貼合わ
   せをしたことと、前記透明基板Ａの全面もしくは記録面
   側と前期透明基板Ｂの全面もしくは貼合わせ面側に下地
   層と有機高分子層から成る２層を形成したことを特徴と
   する光磁気記録媒体。
5. （５）前記下地層がシラン系、チタン系、アルミニウム
   系のいずれかのカップリング剤からなる層である特許請
   求の範囲第４項記載の光磁気記録媒体。
6. （６）前記有機高分子層がポリスチレン、ポリスチレン
   変成物またはスチレン共重合物から選ばれた１種もしく
   は２種以上の混合物を含有する層である、特許請求の範
   囲第４項記載の光磁気記録媒体。