JP2850727B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JP2850727B2 JP2850727B2 JP5298183A JP29818393A JP2850727B2 JP 2850727 B2 JP2850727 B2 JP 2850727B2 JP 5298183 A JP5298183 A JP 5298183A JP 29818393 A JP29818393 A JP 29818393A JP 2850727 B2 JP2850727 B2 JP 2850727B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光により記録を行
うライトワンス型光記録媒体に係り、記録層表面の腐食
が少なく、信頼性の高い光記録媒体に関するものであ
る。
うライトワンス型光記録媒体に係り、記録層表面の腐食
が少なく、信頼性の高い光記録媒体に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】光記録媒体の一種として、レーザー光の
熱により記録層に穴を開けて情報の記録を行うライトワ
ンス型記録媒体がある。記録層の材料としては、一般に
ＴｅＳｅ系の合金が用いられる。Ｔｅは低融点金属であ
り、ＳｅはＴｅの酸化防止の役割を果たす。さらに基板
と記録層の間に下地層としてフルオロカーボン膜が用い
られる場合がある。フルオロカーボン膜は、基板と記録
層の密着力を弱め、媒体の記録感度を向上させる働きが
ある。
熱により記録層に穴を開けて情報の記録を行うライトワ
ンス型記録媒体がある。記録層の材料としては、一般に
ＴｅＳｅ系の合金が用いられる。Ｔｅは低融点金属であ
り、ＳｅはＴｅの酸化防止の役割を果たす。さらに基板
と記録層の間に下地層としてフルオロカーボン膜が用い
られる場合がある。フルオロカーボン膜は、基板と記録
層の密着力を弱め、媒体の記録感度を向上させる働きが
ある。
【０００３】フルオロカーボン膜の形成手段として、六
フッ化プロピレンガスをプラズマ重合させる方法があ
る。下地層および記録層が形成された基板は、膜形成面
どうしを対向させて、空気の層を介して貼合せられる
（エア・サンドイッチ方式）。ライトワンス型媒体の場
合は、レーザの熱で記録層を溶かすという性質上、直接
貼合せるわけにはいかず、このような貼合せ方法が採用
されている。
フッ化プロピレンガスをプラズマ重合させる方法があ
る。下地層および記録層が形成された基板は、膜形成面
どうしを対向させて、空気の層を介して貼合せられる
（エア・サンドイッチ方式）。ライトワンス型媒体の場
合は、レーザの熱で記録層を溶かすという性質上、直接
貼合せるわけにはいかず、このような貼合せ方法が採用
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】記録層が空気を介して
貼合せられている場合、当然のことながら空気中の酸
素、水分による記録層の酸化が起こる。記録層中のＳｅ
は酸化防止のために添加されているわけであるが、これ
も金属であり、長時間経過による酸化は免れない。記録
層が酸化されると、反射率等の光学特性の変化、記録ピ
ット形状の悪化等の経時劣化を招く。これにより記録、
再生特性が悪化し、媒体の信頼性が低下する。
貼合せられている場合、当然のことながら空気中の酸
素、水分による記録層の酸化が起こる。記録層中のＳｅ
は酸化防止のために添加されているわけであるが、これ
も金属であり、長時間経過による酸化は免れない。記録
層が酸化されると、反射率等の光学特性の変化、記録ピ
ット形状の悪化等の経時劣化を招く。これにより記録、
再生特性が悪化し、媒体の信頼性が低下する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の問題
を解決すべく鋭意検討を行った結果、記録層上にテトラ
フルオロエチレンのスパッタ膜、あるいは六フッ化プロ
ピレンの重合膜を、１０ｎｍ以下の膜厚で形成すること
により、経時劣化の少ないライトワンス型光記録媒体が
得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。
以下、本発明の内容につき詳細に説明する。ライトワン
ス型に限らず、一般に光記録媒体は長期間の保存安定性
が要求されており、１０年以上経過しても酸化されない
ような耐候性が要求される。
を解決すべく鋭意検討を行った結果、記録層上にテトラ
フルオロエチレンのスパッタ膜、あるいは六フッ化プロ
ピレンの重合膜を、１０ｎｍ以下の膜厚で形成すること
により、経時劣化の少ないライトワンス型光記録媒体が
得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。
以下、本発明の内容につき詳細に説明する。ライトワン
ス型に限らず、一般に光記録媒体は長期間の保存安定性
が要求されており、１０年以上経過しても酸化されない
ような耐候性が要求される。
【０００６】光磁気記録媒体の場合、記録層である希土
類−遷移金属膜を酸化膜、窒化膜、等の保護膜で挟んだ
構造にすることにより、記録層の酸化を防止している。
しかしながらライトワンス型の場合は記録層を熱で溶か
すという性質上、融点の高い保護膜で覆うことができ
ず、通常は記録層むき出しのままで使用されることが多
い。これによりライトワンス型記録媒体は、光磁気記録
媒体等と比較して長期保存安定性に劣るという欠点があ
った。
類−遷移金属膜を酸化膜、窒化膜、等の保護膜で挟んだ
構造にすることにより、記録層の酸化を防止している。
しかしながらライトワンス型の場合は記録層を熱で溶か
すという性質上、融点の高い保護膜で覆うことができ
ず、通常は記録層むき出しのままで使用されることが多
い。これによりライトワンス型記録媒体は、光磁気記録
媒体等と比較して長期保存安定性に劣るという欠点があ
った。
【０００７】本発明者らは記録層上に、下地層と同一の
材料を比較的薄い膜厚で形成することにより、記録媒体
本来の記録再生特性を変化させることなしに長期保存安
定性を確保できることを見出した。下地層の材料として
は、フルオロカーボン膜が使用されることが多く、これ
はテトラフルオロエチレンのスパッタリングや六フッ化
プロピレンのプラズマ重合により形成される。下地層の
目的は記録層と基板との密着力を弱めることであるが、
この密着力が弱すぎると、記録ピットの形成は容易にな
るものの、記録レーザパワー依存性の増大による分解能
の低下および連続再生時の膜の剥離を招く。
材料を比較的薄い膜厚で形成することにより、記録媒体
本来の記録再生特性を変化させることなしに長期保存安
定性を確保できることを見出した。下地層の材料として
は、フルオロカーボン膜が使用されることが多く、これ
はテトラフルオロエチレンのスパッタリングや六フッ化
プロピレンのプラズマ重合により形成される。下地層の
目的は記録層と基板との密着力を弱めることであるが、
この密着力が弱すぎると、記録ピットの形成は容易にな
るものの、記録レーザパワー依存性の増大による分解能
の低下および連続再生時の膜の剥離を招く。
【０００８】この意味で、フルオロカーボン下地層とし
ては、比較的密着力の強い六フッ化プロピレンのプラズ
マ重合膜が適当である。記録層としてはＴｅＳｅ系合金
のスパッタ膜を使用する。これはライトワンス型光記録
媒体の記録層として最も一般的なものである。勿論Ｔｅ
Ｓｅに他の成分を加えた合金であっても良い。保護層と
して、下地層と同じフルオロカーボン膜を使用する。こ
ちらは保護効果のみが求められるので、テトラフルオロ
エチレンのスパッタ膜および六フッ化プロピレンのプラ
ズマ重合膜の両方が使用可能である。
ては、比較的密着力の強い六フッ化プロピレンのプラズ
マ重合膜が適当である。記録層としてはＴｅＳｅ系合金
のスパッタ膜を使用する。これはライトワンス型光記録
媒体の記録層として最も一般的なものである。勿論Ｔｅ
Ｓｅに他の成分を加えた合金であっても良い。保護層と
して、下地層と同じフルオロカーボン膜を使用する。こ
ちらは保護効果のみが求められるので、テトラフルオロ
エチレンのスパッタ膜および六フッ化プロピレンのプラ
ズマ重合膜の両方が使用可能である。
【０００９】記録層上に保護層を設けた場合、ピット記
録の際には当然保護層も溶解されることになる。保護層
が比較的厚い場合にはこれを溶解するための熱が必要で
あり、それにより記録特性が変化する。そこで保護層の
膜厚は、記録特性の変化が無視できるほど小さく、かつ
記録層の保護効果があるという条件を満たす膜厚でなけ
ればならない。この条件を満たすフルオロカーボン膜厚
の範囲としては、２ｎｍ以上５ｎｍ以下が望ましい。
録の際には当然保護層も溶解されることになる。保護層
が比較的厚い場合にはこれを溶解するための熱が必要で
あり、それにより記録特性が変化する。そこで保護層の
膜厚は、記録特性の変化が無視できるほど小さく、かつ
記録層の保護効果があるという条件を満たす膜厚でなけ
ればならない。この条件を満たすフルオロカーボン膜厚
の範囲としては、２ｎｍ以上５ｎｍ以下が望ましい。
【００１０】スパッタによる保護膜は、ターゲットとし
てＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）を使用し、
これをアルゴン雰囲気中で高周波スパッタすることによ
り得られる。プラズマ重合による保護膜は、六フッ化プ
ロピレン雰囲気中で高周波プラズマを発生させることに
より得られる。光記録媒体の評価方法としては、一般に
Ｃ／Ｎ（キャリア、ノイズ比）が用いられる。記録パワ
ーを変化させたときのＣ／Ｎを測定することにより、媒
体の感度が評価される。
てＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）を使用し、
これをアルゴン雰囲気中で高周波スパッタすることによ
り得られる。プラズマ重合による保護膜は、六フッ化プ
ロピレン雰囲気中で高周波プラズマを発生させることに
より得られる。光記録媒体の評価方法としては、一般に
Ｃ／Ｎ（キャリア、ノイズ比）が用いられる。記録パワ
ーを変化させたときのＣ／Ｎを測定することにより、媒
体の感度が評価される。
【００１１】耐候性の評価方法としては、加速試験（高
温高湿雰囲気中における特性劣化）が一般的である。加
速試験前後の、Ｃ／Ｎの変化を見ることにより、耐候性
が評価される。本発明の層構成を採用した光記録媒体
を、同じ構成でフルオロカーボン保護層のないものと比
較すると、まず加速前のＣ／Ｎの値においては有意差が
ない。これは、フルオロカーボン保護膜形成による記録
特性の変化がないことを示している。さらに加速試験を
実施した後に両者を比較すると、保護層のないものでは
Ｃ／Ｎの劣化が見られるが、保護層のあるものについて
は劣化が少ない。これは、フルオロカーボン保護層が媒
体の耐候性を向上させたことを示している。
温高湿雰囲気中における特性劣化）が一般的である。加
速試験前後の、Ｃ／Ｎの変化を見ることにより、耐候性
が評価される。本発明の層構成を採用した光記録媒体
を、同じ構成でフルオロカーボン保護層のないものと比
較すると、まず加速前のＣ／Ｎの値においては有意差が
ない。これは、フルオロカーボン保護膜形成による記録
特性の変化がないことを示している。さらに加速試験を
実施した後に両者を比較すると、保護層のないものでは
Ｃ／Ｎの劣化が見られるが、保護層のあるものについて
は劣化が少ない。これは、フルオロカーボン保護層が媒
体の耐候性を向上させたことを示している。
【００１２】
【実施例】以下に実施例をもって本発明をさらに説明す
るが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に
限定されるものではない。 実施例１ 基板は光ディスク用ポリカーボネート基板を使用した。
前処理として、基板中の水分を除去するために、８０℃
のオーブン中で３時間加熱した。続いて１０-5Ｔｏｒｒ
の減圧槽内で１時間排気した後、減圧状態を保ったまま
膜形成を行った。まず真空槽内に六フッ化プロピレン・
ガスを５×１０-3Ｔｏｒｒまで導入し、ステンレスのタ
ーゲットを装着したスパッタリングカソードに、３００
Ｗの高周波電力を印加し、基板上に３０ｎｍのフルオロ
カーボン下地層を形成した。続いて真空槽内にアルゴン
・ガスを５×１０-3Ｔｏｒｒまで導入し、ＴｅＳｅ合金
ターゲットを装着したスパッタリングカソードに、３０
０Ｗの高周波電力を印加し、基板上に２５ｎｍのＴｅＳ
ｅ記録層を形成した。最後に再び真空槽内に六フッ化プ
ロピレン・ガスを５×１０-3Ｔｏｒｒまで導入し、ステ
ンレスのターゲットを装着したスパッタリングカソード
に、１００Ｗの高周波電力を印加し、基板上にフルオロ
カーボン保護層を形成した。
るが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に
限定されるものではない。 実施例１ 基板は光ディスク用ポリカーボネート基板を使用した。
前処理として、基板中の水分を除去するために、８０℃
のオーブン中で３時間加熱した。続いて１０-5Ｔｏｒｒ
の減圧槽内で１時間排気した後、減圧状態を保ったまま
膜形成を行った。まず真空槽内に六フッ化プロピレン・
ガスを５×１０-3Ｔｏｒｒまで導入し、ステンレスのタ
ーゲットを装着したスパッタリングカソードに、３００
Ｗの高周波電力を印加し、基板上に３０ｎｍのフルオロ
カーボン下地層を形成した。続いて真空槽内にアルゴン
・ガスを５×１０-3Ｔｏｒｒまで導入し、ＴｅＳｅ合金
ターゲットを装着したスパッタリングカソードに、３０
０Ｗの高周波電力を印加し、基板上に２５ｎｍのＴｅＳ
ｅ記録層を形成した。最後に再び真空槽内に六フッ化プ
ロピレン・ガスを５×１０-3Ｔｏｒｒまで導入し、ステ
ンレスのターゲットを装着したスパッタリングカソード
に、１００Ｗの高周波電力を印加し、基板上にフルオロ
カーボン保護層を形成した。
【００１３】膜厚は、２．５ｎｍ、５ｎｍの２種類のも
のを作成した。また比較のため保護層のないもの、つま
りＴｅＳｅ系記録層むき出しのものも用意した。膜形成
後の基板は、記録層を結晶化させるために９０℃のオー
ブン中で１時間加熱した。その後、基板内周、外周部に
スペーサーを設置した上で、層形成面を対向させて２枚
の基板を貼合せた（エア・サンドイッチ構造）。さらに
ディスク内周部にハブを接着し、ドライブ評価が可能な
形にした。こうして作成したディスクについて、Ｃ／Ｎ
の記録パワー（ｗｒｉｔｅ ｐｏｗｅｒ）依存性を測定
した。そして、各ディスクを８０℃、８０ＲＨ％という
条件で５００時間加速した後、同じ測定を行った。測定
に際しては、加速前に記録した信号を再生したのではな
く、加速後に新たに信号を記録してそれを再生した。こ
の方が条件としてはより厳しくなる。
のを作成した。また比較のため保護層のないもの、つま
りＴｅＳｅ系記録層むき出しのものも用意した。膜形成
後の基板は、記録層を結晶化させるために９０℃のオー
ブン中で１時間加熱した。その後、基板内周、外周部に
スペーサーを設置した上で、層形成面を対向させて２枚
の基板を貼合せた（エア・サンドイッチ構造）。さらに
ディスク内周部にハブを接着し、ドライブ評価が可能な
形にした。こうして作成したディスクについて、Ｃ／Ｎ
の記録パワー（ｗｒｉｔｅ ｐｏｗｅｒ）依存性を測定
した。そして、各ディスクを８０℃、８０ＲＨ％という
条件で５００時間加速した後、同じ測定を行った。測定
に際しては、加速前に記録した信号を再生したのではな
く、加速後に新たに信号を記録してそれを再生した。こ
の方が条件としてはより厳しくなる。
【００１４】図１（保護層２．５ｎｍ）、図２（保護層
５ｎｍ）、図３（保護層なし）に、各ディスクについて
の、加速前後Ｃ／Ｎ値の変化を示した。図１より、保護
層厚さ２．５ｎｍのディスク１の記録パワー５ｍＷ、６
ｍＷ、７ｍＷにおける加速前のＣ／Ｎはそれぞれ約５２
ｄＢ、５１ｄＢ、５０ｄＢであった。そして８０℃、８
０ＲＨ％で５００時間加速した後のＣ／Ｎは約５１ｄ
Ｂ、５０ｄＢ、４９ｄＢであった。ディスク２について
もほぼ同じであった。図２より、保護層厚さ５ｎｍのデ
ィスク１の記録パワー５ｍＷ、６ｍＷ、７ｍＷにおける
加速前のＣ／Ｎはそれぞれ約５２ｄＢ、５２ｄＢ、５０
ｄＢであった。そして８０℃、８０ＲＨ％で５００時間
加速した後のＣ／Ｎは約５０ｄＢ、５１ｄＢ、５０ｄＢ
であった。ディスク２についてもほぼ同じであった。図
３より、保護層なしのディスク１の記録パワー５ｍＷ、
６ｍＷ、７ｍＷにおける加速前のＣ／Ｎはそれぞれ約５
１ｄＢ、５０ｄＢ、４９ｄＢであった。そして８０℃、
８０ＲＨ％で５００時間加速した後のＣ／Ｎは約４３ｄ
Ｂ、４６ｄＢ、４６ｄＢであった。ディスク２について
は、加速前のＣ／Ｎはディスク１とほぼ同じであり、加
速後のＣ／Ｎは約４５ｄＢ、４７ｄＢ、４６ｄＢであっ
た。加速前の各ディスクのＣ／Ｎを比較すると、保護層
なしのものと保護層２．５ｎｍのものでは特性の差はほ
とんど見られない。保護層５ｎｍのものは他のものと比
較してＣ／Ｎの立ち上がりパワーがやや高パワー側にず
れている。これは、保護層の溶解のためにレーザのパワ
ーが消費されていることを示している。しかしながらそ
の差はわずかであり、問題となるレベルではない。
５ｎｍ）、図３（保護層なし）に、各ディスクについて
の、加速前後Ｃ／Ｎ値の変化を示した。図１より、保護
層厚さ２．５ｎｍのディスク１の記録パワー５ｍＷ、６
ｍＷ、７ｍＷにおける加速前のＣ／Ｎはそれぞれ約５２
ｄＢ、５１ｄＢ、５０ｄＢであった。そして８０℃、８
０ＲＨ％で５００時間加速した後のＣ／Ｎは約５１ｄ
Ｂ、５０ｄＢ、４９ｄＢであった。ディスク２について
もほぼ同じであった。図２より、保護層厚さ５ｎｍのデ
ィスク１の記録パワー５ｍＷ、６ｍＷ、７ｍＷにおける
加速前のＣ／Ｎはそれぞれ約５２ｄＢ、５２ｄＢ、５０
ｄＢであった。そして８０℃、８０ＲＨ％で５００時間
加速した後のＣ／Ｎは約５０ｄＢ、５１ｄＢ、５０ｄＢ
であった。ディスク２についてもほぼ同じであった。図
３より、保護層なしのディスク１の記録パワー５ｍＷ、
６ｍＷ、７ｍＷにおける加速前のＣ／Ｎはそれぞれ約５
１ｄＢ、５０ｄＢ、４９ｄＢであった。そして８０℃、
８０ＲＨ％で５００時間加速した後のＣ／Ｎは約４３ｄ
Ｂ、４６ｄＢ、４６ｄＢであった。ディスク２について
は、加速前のＣ／Ｎはディスク１とほぼ同じであり、加
速後のＣ／Ｎは約４５ｄＢ、４７ｄＢ、４６ｄＢであっ
た。加速前の各ディスクのＣ／Ｎを比較すると、保護層
なしのものと保護層２．５ｎｍのものでは特性の差はほ
とんど見られない。保護層５ｎｍのものは他のものと比
較してＣ／Ｎの立ち上がりパワーがやや高パワー側にず
れている。これは、保護層の溶解のためにレーザのパワ
ーが消費されていることを示している。しかしながらそ
の差はわずかであり、問題となるレベルではない。
【００１５】以上より、５ｎｍ以下の保護層形成による
特性の変化は無視できるほど小さいことがわかる。保護
層としてポリテトラフルオロエチレンをターゲットと
し、２．５ｎｍ、５ｎｍの膜を形成したものも六フッ化
プロピレンのプラズマ重合膜の保護層の場合とほぼ同様
の結果が得られた。加速後の特性では、保護層を形成し
ていないディスクのＣ／Ｎの劣化が大きい。保護膜を形
成したディスクでは特性劣化が小さく、保護層により耐
候性が改善されていることがわかる。
特性の変化は無視できるほど小さいことがわかる。保護
層としてポリテトラフルオロエチレンをターゲットと
し、２．５ｎｍ、５ｎｍの膜を形成したものも六フッ化
プロピレンのプラズマ重合膜の保護層の場合とほぼ同様
の結果が得られた。加速後の特性では、保護層を形成し
ていないディスクのＣ／Ｎの劣化が大きい。保護膜を形
成したディスクでは特性劣化が小さく、保護層により耐
候性が改善されていることがわかる。
【００１６】
【発明の効果】本発明の層構成を採用することにより、
耐候性に優れたライトワンス型光記録媒体を提供するこ
とができる。
耐候性に優れたライトワンス型光記録媒体を提供するこ
とができる。
【図１】保護層＝２．５ｎｍのディスクの加速試験前後
のＣ／Ｎの変化
のＣ／Ｎの変化
【図２】保護層＝５．０ｎｍのディスクの加速試験前後
のＣ／Ｎの変化
のＣ／Ｎの変化
【図３】保護層なしのディスクの加速試験前後のＣ／Ｎ
の変化
の変化
１ ディスク１（加速前） ２ ディスク２（加速前） ３ ディスク１（加速後） ４ ディスク２（加速後）
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に、六フッ化プロピレンのプラズ
マ重合膜の下地層、ＴｅＳｅ系合金の記録層、および膜
厚が２ｎｍ以上５ｎｍ以下の六フッ化プロピレンのプラ
ズマ重合膜の保護層をこの順番で積層してなり、記録パ
ワー５〜７ｍＷの範囲において初期Ｃ／Ｎが５０ｄＢ以
上あり、８０℃、８０ＲＨ％で５００時間おいた後のＣ
／Ｎの低下が３ｄＢ未満であることを特徴とするライト
ワンス型光記録媒体。 - 【請求項２】 基板上に、六フッ化プロピレンのプラズ
マ重合膜の下地層、ＴｅＳｅ系合金の記録層、および膜
厚が２ｎｍ以上５ｎｍ以下のテトラフルオロエチレンの
スパッタ膜の保護層をこの順番で積層してなり、記録パ
ワー５〜７ｍＷの範囲において初期Ｃ／Ｎが５０ｄＢ以
上あり、８０℃、８０ＲＨ％で５００時間おいた後のＣ
／Ｎの低下が３ｄＢ未満であることを特徴とするライト
ワンス型光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5298183A JP2850727B2 (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5298183A JP2850727B2 (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07153118A JPH07153118A (ja) | 1995-06-16 |
| JP2850727B2 true JP2850727B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=17856296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5298183A Expired - Fee Related JP2850727B2 (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2850727B2 (ja) |
-
1993
- 1993-11-29 JP JP5298183A patent/JP2850727B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07153118A (ja) | 1995-06-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081113 Year of fee payment: 10 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101113 Year of fee payment: 12 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |