JPH07105578A - 光ディスクの成膜方法および成膜装置 - Google Patents
光ディスクの成膜方法および成膜装置Info
- Publication number
- JPH07105578A JPH07105578A JP24934793A JP24934793A JPH07105578A JP H07105578 A JPH07105578 A JP H07105578A JP 24934793 A JP24934793 A JP 24934793A JP 24934793 A JP24934793 A JP 24934793A JP H07105578 A JPH07105578 A JP H07105578A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- mask
- substrate
- optical disk
- recording
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- Pending
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機保護膜と記録膜との高い密着性が得ら
れ、かつ、反射率の変動幅の小さい信頼性に優れた光デ
ィスクを得ること。 【構成】 基板２の外周部に非成膜エリアを設けるため
にマスク１が配置され、基板２の薄膜形成面３と該マス
ク１とのクリアランス〔ｍｍ〕をＸで表し、薄膜形成面
３とマスク１のエッジとでなす角度をθ〔度〕で表した
場合、Ｘとθとが下記の式 １＜Ｘ≦０．５ ０＜θ≦４５ を満足することを特徴とする。
れ、かつ、反射率の変動幅の小さい信頼性に優れた光デ
ィスクを得ること。 【構成】 基板２の外周部に非成膜エリアを設けるため
にマスク１が配置され、基板２の薄膜形成面３と該マス
ク１とのクリアランス〔ｍｍ〕をＸで表し、薄膜形成面
３とマスク１のエッジとでなす角度をθ〔度〕で表した
場合、Ｘとθとが下記の式 １＜Ｘ≦０．５ ０＜θ≦４５ を満足することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスクの成膜方法お
よび成膜装置に関する。
よび成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、レーザー光を照射して情報を記録
し、記録された情報を再生する光ディスクが広く用いら
れるようになってきた。その中で磁気光学効果を利用し
た光磁気ディスクは書換えが可能であるばかりではな
く、オーバーライトができることもあり、今後、用途が
拡大する期待が大きい。光磁気ディスクに用いられる記
録膜材料は希土類金属および遷移金属からなるアモルフ
ァス合金であるために、容易に酸化される。酸化を防止
するために、記録膜の両側に耐蝕性に優れた窒化物また
は酸化物からなる保護膜を積層することが一般的であ
る。
し、記録された情報を再生する光ディスクが広く用いら
れるようになってきた。その中で磁気光学効果を利用し
た光磁気ディスクは書換えが可能であるばかりではな
く、オーバーライトができることもあり、今後、用途が
拡大する期待が大きい。光磁気ディスクに用いられる記
録膜材料は希土類金属および遷移金属からなるアモルフ
ァス合金であるために、容易に酸化される。酸化を防止
するために、記録膜の両側に耐蝕性に優れた窒化物また
は酸化物からなる保護膜を積層することが一般的であ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、記録膜の内外
周端面部は、窒化膜または酸化膜で覆われていないた
め、内外周端面部からの酸化を防止することができなか
った。そのため、成膜時に基板の内外周端面部に非成膜
エリアを設けるためにマスクを設置して記録膜、保護膜
等を形成し、その後、記録膜等の全面上に有機保護膜を
形成することにより、内外周端面部からの酸化を防止す
る技術がある。しかしながら、市場での光磁気ディスク
の小型化、高密度化の要求が強まるにしたがい、記録可
能な領域を拡大するために、基板外周部の非記録領域
（マスク設置領域に対応）をできるだけ小さくする必要
が生じてきた。
周端面部は、窒化膜または酸化膜で覆われていないた
め、内外周端面部からの酸化を防止することができなか
った。そのため、成膜時に基板の内外周端面部に非成膜
エリアを設けるためにマスクを設置して記録膜、保護膜
等を形成し、その後、記録膜等の全面上に有機保護膜を
形成することにより、内外周端面部からの酸化を防止す
る技術がある。しかしながら、市場での光磁気ディスク
の小型化、高密度化の要求が強まるにしたがい、記録可
能な領域を拡大するために、基板外周部の非記録領域
（マスク設置領域に対応）をできるだけ小さくする必要
が生じてきた。
【０００４】ところで、光磁気ディスクにおける表面反
射率にばらつきがあると、記録特性が低下する。記録可
能な領域を拡大するため、基板外周部の非記録領域を小
さくすると、基板の外周部で反射率の変動幅が大きくな
るという問題が生じる。
射率にばらつきがあると、記録特性が低下する。記録可
能な領域を拡大するため、基板外周部の非記録領域を小
さくすると、基板の外周部で反射率の変動幅が大きくな
るという問題が生じる。
【０００５】本発明は上記従来技術の課題に鑑みてなさ
れたもので、有機保護膜と記録膜との高い密着性が得ら
れ、かつ、反射率の変動幅の小さい信頼性に優れた光デ
ィスクを製造するための成膜方法を提供することを目的
とする。
れたもので、有機保護膜と記録膜との高い密着性が得ら
れ、かつ、反射率の変動幅の小さい信頼性に優れた光デ
ィスクを製造するための成膜方法を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記の
目的は、基板の外周部に非成膜エリアを設けるためにマ
スクを配置し、基板の薄膜形成面と該マスクとのクリア
ランス〔ｍｍ〕をＸで表し、該薄膜形成面と該マスクの
エッジとでなす角度をθ（度）で表した場合、Ｘとθと
が下記の式 ０＜Ｘ≦０．５ ０＜θ≦４５ を満足する条件で基板上に薄膜を形成することを特徴と
する光ディスクの成膜方法を提供することにより達成さ
れる。
目的は、基板の外周部に非成膜エリアを設けるためにマ
スクを配置し、基板の薄膜形成面と該マスクとのクリア
ランス〔ｍｍ〕をＸで表し、該薄膜形成面と該マスクの
エッジとでなす角度をθ（度）で表した場合、Ｘとθと
が下記の式 ０＜Ｘ≦０．５ ０＜θ≦４５ を満足する条件で基板上に薄膜を形成することを特徴と
する光ディスクの成膜方法を提供することにより達成さ
れる。
【０００７】
【作用】基板上に成膜された記録膜の外周端面部を光学
顕微鏡により詳細に観察した結果を図２に概略図として
示す。図２に示すように、基板の最外周端面部より非成
膜領域（４）、若干成膜されている中間領域（５）、成
膜領域（６）が認められる。ここで、有機保護膜と記録
膜との密着性および記録膜表面の反射率変動の幅は中間
領域（５）の広さと密接な関係があることが見だされ
た。すなわち、非成膜領域と成膜領域との境目に存在す
る中間領域を小さくすることにより有機保護膜と記録膜
との密着性を高め、かつ反射率のばらつきを小さくする
ことができる。上記のＸおよびθが上記の式の範囲内で
あれば、中間領域を小さくすることができる。なお、Ｘ
が０であると、成膜時にマスクエッジと基板とが接触
し、マスクを基板から離したときに記録膜が剥離するこ
とがあるので好ましくない。
顕微鏡により詳細に観察した結果を図２に概略図として
示す。図２に示すように、基板の最外周端面部より非成
膜領域（４）、若干成膜されている中間領域（５）、成
膜領域（６）が認められる。ここで、有機保護膜と記録
膜との密着性および記録膜表面の反射率変動の幅は中間
領域（５）の広さと密接な関係があることが見だされ
た。すなわち、非成膜領域と成膜領域との境目に存在す
る中間領域を小さくすることにより有機保護膜と記録膜
との密着性を高め、かつ反射率のばらつきを小さくする
ことができる。上記のＸおよびθが上記の式の範囲内で
あれば、中間領域を小さくすることができる。なお、Ｘ
が０であると、成膜時にマスクエッジと基板とが接触
し、マスクを基板から離したときに記録膜が剥離するこ
とがあるので好ましくない。
【０００８】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 （実施例１）本発明におけるマスクの一例と基板との配
置図を図１に示す。図１において、基板２の薄膜形成面
３とマスク１とのクリアランスをＸで表し、薄膜形成面
３とマスク１とのなす角度をθで表す。インライン式マ
グネトロンスパッタ装置において上記のＸが０．２ｍ
ｍ、θが３０度であるマスクを使用し、直径（Ｒ）２．
５インチ（約６４ｍｍ）、厚さ１．２ｍｍのポリカーボ
ネート基板上に、誘電体保護膜（ＳｉＮ膜：１００ｎ
ｍ）、光磁気記録膜（ＴｂＦｅＣｏのアモルファス合金
膜：２５ｎｍ）、誘電体保護膜（ＳｉＮ膜：３５ｎｍ）
および反射膜（Ａｌ膜：５０ｎｍ）を積層し、これらの
膜上に紫外線硬化樹脂をスピンコート法により膜厚が１
０μｍになるように形成して光磁気ディスクを作製し
た。
る。 （実施例１）本発明におけるマスクの一例と基板との配
置図を図１に示す。図１において、基板２の薄膜形成面
３とマスク１とのクリアランスをＸで表し、薄膜形成面
３とマスク１とのなす角度をθで表す。インライン式マ
グネトロンスパッタ装置において上記のＸが０．２ｍ
ｍ、θが３０度であるマスクを使用し、直径（Ｒ）２．
５インチ（約６４ｍｍ）、厚さ１．２ｍｍのポリカーボ
ネート基板上に、誘電体保護膜（ＳｉＮ膜：１００ｎ
ｍ）、光磁気記録膜（ＴｂＦｅＣｏのアモルファス合金
膜：２５ｎｍ）、誘電体保護膜（ＳｉＮ膜：３５ｎｍ）
および反射膜（Ａｌ膜：５０ｎｍ）を積層し、これらの
膜上に紫外線硬化樹脂をスピンコート法により膜厚が１
０μｍになるように形成して光磁気ディスクを作製し
た。
【０００９】（実施例２、３）使用した成膜用マスクと
薄膜形成面とのクリアランスＸおよびマスクと薄膜形成
面とのなす角度θを、Ｘが０．４ｍｍ、θが２５度（実
施例２）、またＸが０．２ｍｍ、θが２０度（実施例
３）とした以外は実施例１と同一の方法で光磁気ディス
クを作製した。
薄膜形成面とのクリアランスＸおよびマスクと薄膜形成
面とのなす角度θを、Ｘが０．４ｍｍ、θが２５度（実
施例２）、またＸが０．２ｍｍ、θが２０度（実施例
３）とした以外は実施例１と同一の方法で光磁気ディス
クを作製した。
【００１０】（比較例１〜２）上記のＸおよびθを、Ｘ
が０．６ｍｍ、θが５０度（比較例１）、またＸが０．
８ｍｍ、θが５５度（比較例２）とした以外は実施例１
と同一の方法で光磁気ディスクを作製した。
が０．６ｍｍ、θが５０度（比較例１）、またＸが０．
８ｍｍ、θが５５度（比較例２）とした以外は実施例１
と同一の方法で光磁気ディスクを作製した。
【００１１】以上の方法で作製した光ディスクについ
て、記録膜外周部の中間領域の広さを光学顕微鏡で直接
観察して測定した。また、記録膜外周部の反射率の変動
幅を測定した。さらに、ディスクの信頼性評価として８
０℃、８５％の高温高湿条件下で２０００時間放置した
後のＢｙＥＲ（Ｂｙｔｅ Ｅｒｒｏｒ Ｒａｔｅ）を測
定した。以上の結果をまとめて表１に示す。
て、記録膜外周部の中間領域の広さを光学顕微鏡で直接
観察して測定した。また、記録膜外周部の反射率の変動
幅を測定した。さらに、ディスクの信頼性評価として８
０℃、８５％の高温高湿条件下で２０００時間放置した
後のＢｙＥＲ（Ｂｙｔｅ Ｅｒｒｏｒ Ｒａｔｅ）を測
定した。以上の結果をまとめて表１に示す。
【表１】 表１より、本発明によれば、記録膜外周部における反射
率のばらつきが小さく、かつ、高温高湿下に長時間晒さ
れた後においても、低いＢｙＥＲを維持する光磁気ディ
スクが得られることが明らかである。
率のばらつきが小さく、かつ、高温高湿下に長時間晒さ
れた後においても、低いＢｙＥＲを維持する光磁気ディ
スクが得られることが明らかである。
【００１２】以上、光磁気ディスクについて詳細に説明
したが、本発明に従って追記型光ディスク等を製造して
も同様の効果が得られる。
したが、本発明に従って追記型光ディスク等を製造して
も同様の効果が得られる。
【００１３】
【発明の効果】本発明の光ディスクの成膜方法によれ
ば、有機保護膜と記録膜との高い密着性が得られ、か
つ、反射率の変動幅の小さい信頼性に優れた光ディスク
が得られる。
ば、有機保護膜と記録膜との高い密着性が得られ、か
つ、反射率の変動幅の小さい信頼性に優れた光ディスク
が得られる。
【図１】本発明におけるマスクの一例と基板との配置図
である。
である。
【図２】記録膜の外周端面部の概略図である。
１ マスク ２ 基板 ３ 薄膜形成面
Claims (2)
- 【請求項１】 基板の外周部に非成膜エリアを設けるた
めにマスクを配置し、基板の薄膜形成面と該マスクとの
クリアランス〔ｍｍ〕をＸで表し、該薄膜形成面と該マ
スクのエッジとでなす角度をθ〔度〕で表した場合、Ｘ
とθとが下記の式 ０＜Ｘ≦０．５ ０＜θ≦４５ を満足する条件で基板上に薄膜を形成することを特徴と
する光ディスクの成膜方法。 - 【請求項２】 基板の外周部に非成膜エリアを設けるた
めにマスクが配置され、基板の薄膜形成面と該マスクと
のクリアランス〔ｍｍ〕をＸで表し、該薄膜形成面と該
マスクのエッジとでなす角度をθ〔度〕で表した場合、
Ｘとθとが下記の式 ０＜Ｘ≦０．５ ０＜θ≦４５ を満足することを特徴とする光ディスクの成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24934793A JPH07105578A (ja) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | 光ディスクの成膜方法および成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24934793A JPH07105578A (ja) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | 光ディスクの成膜方法および成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07105578A true JPH07105578A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17191682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24934793A Pending JPH07105578A (ja) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | 光ディスクの成膜方法および成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105578A (ja) |
-
1993
- 1993-10-05 JP JP24934793A patent/JPH07105578A/ja active Pending
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