JPS6129439A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS6129439A JPS6129439A JP15059584A JP15059584A JPS6129439A JP S6129439 A JPS6129439 A JP S6129439A JP 15059584 A JP15059584 A JP 15059584A JP 15059584 A JP15059584 A JP 15059584A JP S6129439 A JPS6129439 A JP S6129439A
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- Japan
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- layer
- magneto
- optical recording
- recording medium
- interference layer
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ産業上の利用分野）
本発明は、レーザー光を用いて情報の記録再生消去をお
こなう光磁気記録媒体に関する。
こなう光磁気記録媒体に関する。
であるということから、現在の磁気ディスクメモリに代
わる新規なメモリとして考えられている。
わる新規なメモリとして考えられている。
中でも光磁気記録媒体を用いた光磁気ディスクは省き替
え性を有していることから最も注目され、近年活発に研
究開発がおこなわれている。
え性を有していることから最も注目され、近年活発に研
究開発がおこなわれている。
従来よシ知られている光磁気記録媒体の構成は、第１図
に示したように支持基板１としてガラスあるいは有機物
樹脂を用い、支持基板１上に基板に対して垂直方向に磁
化を有する垂直磁化膜から成る光磁気記録層２を形成し
たものである。光磁気記録層としてはＭｎＢ１ ｐ Ｍ
ｎＣｕＢ１ ｔ ＭｎＴｉＢｉｊＭｎＡＩＧｅ ＋Ｐｔ
Ｃｏなどの結晶体磁性薄膜、あるいはＧｄｊＴｂｊＤｙ
ｊＨｏなどの希土類とＦｅ ｓ Ｃｏ ｊＮｉ などの
遷移金属との合金として得られるアモルファス磁性薄膜
が知られている。また、第２図に示したように、支持基
板１に深さ６００〜１０００Ｘ周期１．６〜２．５ Ａ
ｍの溝を同心円状もしくはうず巻き状に形成し、前記
支持基板１上に光磁気記録層２を形成した媒体構成も知
られている。ここで形成されている溝は、記録媒体への
情報の記録、あるいは再生・消去に用いるレーザー集光
ビームのトラッキングアクセスに用いられるものである
。また、第３図に示したように、第２図と同様の支持基
板１上に光磁気記録層のカー回転角増幅用に誘電体など
の干渉層３を設け、前記干渉層３の上に光磁気記録層２
を形成した媒体構成も知られている。
に示したように支持基板１としてガラスあるいは有機物
樹脂を用い、支持基板１上に基板に対して垂直方向に磁
化を有する垂直磁化膜から成る光磁気記録層２を形成し
たものである。光磁気記録層としてはＭｎＢ１ ｐ Ｍ
ｎＣｕＢ１ ｔ ＭｎＴｉＢｉｊＭｎＡＩＧｅ ＋Ｐｔ
Ｃｏなどの結晶体磁性薄膜、あるいはＧｄｊＴｂｊＤｙ
ｊＨｏなどの希土類とＦｅ ｓ Ｃｏ ｊＮｉ などの
遷移金属との合金として得られるアモルファス磁性薄膜
が知られている。また、第２図に示したように、支持基
板１に深さ６００〜１０００Ｘ周期１．６〜２．５ Ａ
ｍの溝を同心円状もしくはうず巻き状に形成し、前記
支持基板１上に光磁気記録層２を形成した媒体構成も知
られている。ここで形成されている溝は、記録媒体への
情報の記録、あるいは再生・消去に用いるレーザー集光
ビームのトラッキングアクセスに用いられるものである
。また、第３図に示したように、第２図と同様の支持基
板１上に光磁気記録層のカー回転角増幅用に誘電体など
の干渉層３を設け、前記干渉層３の上に光磁気記録層２
を形成した媒体構成も知られている。
従来よシ知られている支持基板上への溝形成方法は、−
有機物樹脂（たとえば、ポリメチルメタクリレ−トナポ
リカーボネート、エポキシ）においては、金−金型を用
いたスタンパ成形法・インジェクション成型法が用いら
れる。また、ガラス基板を用いる場合には、第４図のよ
うに、ガラス基板４上に設けたフォトレジストなどの有
機物層５により溝を形成する方法が用いられる。
有機物樹脂（たとえば、ポリメチルメタクリレ−トナポ
リカーボネート、エポキシ）においては、金−金型を用
いたスタンパ成形法・インジェクション成型法が用いら
れる。また、ガラス基板を用いる場合には、第４図のよ
うに、ガラス基板４上に設けたフォトレジストなどの有
機物層５により溝を形成する方法が用いられる。
しかしながら溝が形成された有機物樹脂を基板として用
いた場合、基板の熱変形温度がポリメチルメタクリレー
トでは約８０℃、ポリカーボネートでは約１４０℃と低
いために、光磁気記録層として、多元の希土類遷移金属
合金アモルファス薄膜を形成するときに用いるＲＦスパ
ッタ成膜法は使用できないという欠点がある。すなわち
、ＲＦスパッタでは基板温度が２００℃近くまで上昇す
るために成膜中に基板が変形してしまうのである。
いた場合、基板の熱変形温度がポリメチルメタクリレー
トでは約８０℃、ポリカーボネートでは約１４０℃と低
いために、光磁気記録層として、多元の希土類遷移金属
合金アモルファス薄膜を形成するときに用いるＲＦスパ
ッタ成膜法は使用できないという欠点がある。すなわち
、ＲＦスパッタでは基板温度が２００℃近くまで上昇す
るために成膜中に基板が変形してしまうのである。
また、他の成膜法によって光磁気記録層を形成したとし
ても有機物樹脂基板は吸水性を通気性に富むために、水
分や大気に弱い光磁気記録層に対しては保護層になシ得
ず、他に保護層が必要であるという欠点を持っている。
ても有機物樹脂基板は吸水性を通気性に富むために、水
分や大気に弱い光磁気記録層に対しては保護層になシ得
ず、他に保護層が必要であるという欠点を持っている。
また、ガラス基板上に形成した有機物層による溝におい
ては、有機物樹脂の溝間様、光磁気記録層形成時の温度
上昇により変形すること、有機物層からの溶剤残留ガス
が光磁気記録層の特性劣化を早めるという欠点を有して
いる。
ては、有機物樹脂の溝間様、光磁気記録層形成時の温度
上昇により変形すること、有機物層からの溶剤残留ガス
が光磁気記録層の特性劣化を早めるという欠点を有して
いる。
（発明の目的）
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去せしめて
、光磁気記録層作成時の基板温度上昇に対して強く、ま
た光磁気記録層の経時変化を抑え、レーザー光集光ビー
ムのトラックアクセス用の溝を有しさらには光磁気記録
層のカー回転角増幅機能を持つ新規な光磁気記録媒体を
提供することにある。
、光磁気記録層作成時の基板温度上昇に対して強く、ま
た光磁気記録層の経時変化を抑え、レーザー光集光ビー
ムのトラックアクセス用の溝を有しさらには光磁気記録
層のカー回転角増幅機能を持つ新規な光磁気記録媒体を
提供することにある。
（発明の構成）
本発明によれば、レーザー光を用いて情報の記録再生消
去をおこなう光磁気記録媒体において透明基板上に高屈
折率材料による干渉層を設け、前記干渉層に同心円もし
くはうず巻き状の溝を形成し、さらに前記干渉層上に光
磁気記録層を設け、さらに前記光磁気記録層上に保護層
を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体が得られる。
去をおこなう光磁気記録媒体において透明基板上に高屈
折率材料による干渉層を設け、前記干渉層に同心円もし
くはうず巻き状の溝を形成し、さらに前記干渉層上に光
磁気記録層を設け、さらに前記光磁気記録層上に保護層
を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体が得られる。
（構成の詳細な説明）
本発明は上述の構成をとることによシ、従来技術の問題
点を解決した。まず、透明基板としてはガラスが望しく
、また耐熱性のある高屈折率材料による干渉層に溝を形
成していることによシ、光磁気記録層作成時の基板温度
上昇に対して強い。
点を解決した。まず、透明基板としてはガラスが望しく
、また耐熱性のある高屈折率材料による干渉層に溝を形
成していることによシ、光磁気記録層作成時の基板温度
上昇に対して強い。
また、干渉層として用いる材料は基板よシも屈折率が大
きく、干渉層上に設けた光磁気記録層のカー回転角を増
幅する機能を有する。第５図は本発明に係る光磁気記録
媒体の形成手順を示したものである。まず、第５図（ａ
）のように光学研摩されたガラス基板６上に干渉層７を
真空蒸着法あるいはスパッタリング法により形成する。
きく、干渉層上に設けた光磁気記録層のカー回転角を増
幅する機能を有する。第５図は本発明に係る光磁気記録
媒体の形成手順を示したものである。まず、第５図（ａ
）のように光学研摩されたガラス基板６上に干渉層７を
真空蒸着法あるいはスパッタリング法により形成する。
干渉層７としては、ガラス基板よシも屈折率の大きい８
ｉ０ ｐＣｅ０２ ｊＺｒＯ，ｒ ＴｉＯ２ｊＢｉ２０
３１ｗｏ、 ｐ ８ｎＯ，ｊｓｂ２ｏ３ｊＡｌ ｚ０３
ｙ ＭｇＯｐ Ｔｈａ２ｐ Ｌａ２０ｇ、 Ｉｎ２（
、、、Ｎｄ、０３すどの酸化物、ＡＩＮ ｊ８ｉ、Ｎ４
などの窒化物、ＺｎＳ ＋ｓｂ、ｓ、ｌ ｃｄｓ ｉ
どの硫化物、ＴｈＦ４ ｔ ＭｇＦ２ ｒ ＬａＦ３
ｊＮｄＦ３ ｓ ＣｅＦ３ ｊｐｂｐ２などのフッ化物
、８ｉｚＧｅなどの半導体が使用される。次に、第５図
（ｂ）のように、干渉層７上にフォトレジスト８をスピ
ン塗布する。つづいて、第５図（ｃ）のように、レーザ
ー光９による直接露光あるいはフォトマスクを用いたー
活露光をおこない、現像処理後、第５図（ｄ）のような
フォトレジストパターンを形成する。次に、Ａｒイオン
ミリング法あるいは反応性エツチング法によって干渉層
７に第５図（ｅ）のような溝を形成し、つづいて０．ガ
ス灰化処理によシフオドレジスト８を除去する（第５図
（ｆ））。このあと、連続の真空蒸着あるいは、スパッ
タリングによシ光磁気記録層１０、保護層１１を形成す
る。（第５図（ｇ））光磁気記録層１０としては既知の
ＭｎＢ１ ｙ ＭｎＣｕＢ１ ｐＭｎＴｉＢｉ ｐ Ｍ
ｎＡｌＧｅ ｊＰｔＣｏなどの結晶性磁性薄膜、あるい
はＧｄνＴｂ ｊ ＧＹツＨＯなどの希土類とＦｅνＣ
ａｐＮｉなどの遷移金属との合金として得られるアモル
ファス磁性薄膜が用いられ、１０〜２００ｎｍの膜厚に
形成される。保護層１１は光磁気記録層１０の保護のた
めに積層されるものであり、たとえば５ｉ０２ ｊＳｉ
Ｏｔ Ａｌ２Ｏ２ｊＺｒ０２ ｓ ＴｉＯ２ｐ ＭｇＦ
２あるいは８ｉなどが使用できる。
ｉ０ ｐＣｅ０２ ｊＺｒＯ，ｒ ＴｉＯ２ｊＢｉ２０
３１ｗｏ、 ｐ ８ｎＯ，ｊｓｂ２ｏ３ｊＡｌ ｚ０３
ｙ ＭｇＯｐ Ｔｈａ２ｐ Ｌａ２０ｇ、 Ｉｎ２（
、、、Ｎｄ、０３すどの酸化物、ＡＩＮ ｊ８ｉ、Ｎ４
などの窒化物、ＺｎＳ ＋ｓｂ、ｓ、ｌ ｃｄｓ ｉ
どの硫化物、ＴｈＦ４ ｔ ＭｇＦ２ ｒ ＬａＦ３
ｊＮｄＦ３ ｓ ＣｅＦ３ ｊｐｂｐ２などのフッ化物
、８ｉｚＧｅなどの半導体が使用される。次に、第５図
（ｂ）のように、干渉層７上にフォトレジスト８をスピ
ン塗布する。つづいて、第５図（ｃ）のように、レーザ
ー光９による直接露光あるいはフォトマスクを用いたー
活露光をおこない、現像処理後、第５図（ｄ）のような
フォトレジストパターンを形成する。次に、Ａｒイオン
ミリング法あるいは反応性エツチング法によって干渉層
７に第５図（ｅ）のような溝を形成し、つづいて０．ガ
ス灰化処理によシフオドレジスト８を除去する（第５図
（ｆ））。このあと、連続の真空蒸着あるいは、スパッ
タリングによシ光磁気記録層１０、保護層１１を形成す
る。（第５図（ｇ））光磁気記録層１０としては既知の
ＭｎＢ１ ｙ ＭｎＣｕＢ１ ｐＭｎＴｉＢｉ ｐ Ｍ
ｎＡｌＧｅ ｊＰｔＣｏなどの結晶性磁性薄膜、あるい
はＧｄνＴｂ ｊ ＧＹツＨＯなどの希土類とＦｅνＣ
ａｐＮｉなどの遷移金属との合金として得られるアモル
ファス磁性薄膜が用いられ、１０〜２００ｎｍの膜厚に
形成される。保護層１１は光磁気記録層１０の保護のた
めに積層されるものであり、たとえば５ｉ０２ ｊＳｉ
Ｏｔ Ａｌ２Ｏ２ｊＺｒ０２ ｓ ＴｉＯ２ｐ ＭｇＦ
２あるいは８ｉなどが使用できる。
干渉層７に形成される溝の形状は、レジスト露光、現像
条件やＡｒイオンミリング法あるいは反応性エツチング
法の条件設定により任意に決定できを満たすように選ば
れる。ここでλはレーザー光の波長である。まだ、溝幅
は０．８〜１．５μｍ１溝ピツチは１．６〜２．５μｍ
に選ばれる。
条件やＡｒイオンミリング法あるいは反応性エツチング
法の条件設定により任意に決定できを満たすように選ば
れる。ここでλはレーザー光の波長である。まだ、溝幅
は０．８〜１．５μｍ１溝ピツチは１．６〜２．５μｍ
に選ばれる。
また、記録領域における干渉層の膜厚は光磁気記録層の
カー回転角を増幅できるように最適化される。
カー回転角を増幅できるように最適化される。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第６図は本発明の適用された光磁気記録媒体の断面図
である。第６図において６はガラス基板、７はＳｉから
成る干渉層、１０はＴｂＦｅかも成る光磁気記録層、１
１はＳｉから成る保護層である。第６図に示した光磁気
記録媒体は次の手順によって形成された。まず、厚さ１
，２ｒｒＩｍ１直径１２０”ｍの光学研磨されたガラス
基板ディスク上に高周波スパッタ法により８ｉを７５０
Ｘ形成した。
。第６図は本発明の適用された光磁気記録媒体の断面図
である。第６図において６はガラス基板、７はＳｉから
成る干渉層、１０はＴｂＦｅかも成る光磁気記録層、１
１はＳｉから成る保護層である。第６図に示した光磁気
記録媒体は次の手順によって形成された。まず、厚さ１
，２ｒｒＩｍ１直径１２０”ｍの光学研磨されたガラス
基板ディスク上に高周波スパッタ法により８ｉを７５０
Ｘ形成した。
次にフォトレジストをＳｉ形成後のディスク全面に１５
００ Ｘの厚さでスピン塗布しプリベーク後、Ａｒレー
ザーカッティングシステムを用いてうず巻状の溝パター
ンを直接露光した。このときの溝幅は１．６μｍ１溝の
ピッチは２５μｍとした。つづいてレジスト現像液を用
いて現像後、ポストベークをおこなった。
００ Ｘの厚さでスピン塗布しプリベーク後、Ａｒレー
ザーカッティングシステムを用いてうず巻状の溝パター
ンを直接露光した。このときの溝幅は１．６μｍ１溝の
ピッチは２５μｍとした。つづいてレジスト現像液を用
いて現像後、ポストベークをおこなった。
次にＡｒイオンエツチング法を用いてレジストをマスク
としてＳｉを３５０Ｘエツチングした。
としてＳｉを３５０Ｘエツチングした。
つづいて、ディスクを０２ガスプラズマアッシャ−に入
れ、レジストの剥離をおこなったのち、再びディスクを
高周波スパッタ装置に入れ、５Ｘ１０−７Ｔｏｒｒ以下
に排気したあと、複合ターゲットを用いた高周波スパッ
タ法によ′＃）ＴｂＦｅ膜をＳｉ上に１５００に形成し
、真空を破らずにつづけて高周波スパッタ法によ、！１
）Ｓｉ膜を２０００Ｘ形成した。
れ、レジストの剥離をおこなったのち、再びディスクを
高周波スパッタ装置に入れ、５Ｘ１０−７Ｔｏｒｒ以下
に排気したあと、複合ターゲットを用いた高周波スパッ
タ法によ′＃）ＴｂＦｅ膜をＳｉ上に１５００に形成し
、真空を破らずにつづけて高周波スパッタ法によ、！１
）Ｓｉ膜を２０００Ｘ形成した。
作成した光磁気記録媒体の記録再生特性は、光磁気記録
再生装置によって測定された。Ｓｉ上に形成された溝か
らは良好なトラッキング信号が得られ、また、８４層が
干渉層であることから、光磁気記録層のカー回転角は３
〜４倍に増幅され良好な記録再生特性が得られた。
再生装置によって測定された。Ｓｉ上に形成された溝か
らは良好なトラッキング信号が得られ、また、８４層が
干渉層であることから、光磁気記録層のカー回転角は３
〜４倍に増幅され良好な記録再生特性が得られた。
本発明の適用された他の実施例として第６図の干渉層７
と保護層１１としてＡＩＮを用いた光磁気記録媒体を作
成した。まず、厚さ１．２１１１＋、直径１２０器の光
学研磨されたガラス基板ディスク上に高周波スパッタ法
によってＡＩＮを１２７０Ｘ形成した。次に前記レジス
トパターン形成方法と同一手法によシ、レジストパター
ンを作成した。つづいて反応性プラズマエツチング法を
用いてレジストパターンをマスクとしてＡＩＮを４７０
Ｘエツチングした。エツチングガスとしてＣＣｌ４
＋ Ｎｘ混合ガスを使用した。
と保護層１１としてＡＩＮを用いた光磁気記録媒体を作
成した。まず、厚さ１．２１１１＋、直径１２０器の光
学研磨されたガラス基板ディスク上に高周波スパッタ法
によってＡＩＮを１２７０Ｘ形成した。次に前記レジス
トパターン形成方法と同一手法によシ、レジストパター
ンを作成した。つづいて反応性プラズマエツチング法を
用いてレジストパターンをマスクとしてＡＩＮを４７０
Ｘエツチングした。エツチングガスとしてＣＣｌ４
＋ Ｎｘ混合ガスを使用した。
つづいて０２ガスプラズマアノシヤーを用いてレジスト
を剥離したのち、再びディスクを高周波スパッタ装置に
入れ、５ Ｘ １０−７Ｔｏｒｒ 以下に排気し、ま
ず、ＡＩＮ膜上に複合ターゲットを用いてＴｂＦｅ膜を
１５００ Ｘ形成し、つづけてＡＩＮ膜を２０００Ｘ形
成した。
を剥離したのち、再びディスクを高周波スパッタ装置に
入れ、５ Ｘ １０−７Ｔｏｒｒ 以下に排気し、ま
ず、ＡＩＮ膜上に複合ターゲットを用いてＴｂＦｅ膜を
１５００ Ｘ形成し、つづけてＡＩＮ膜を２０００Ｘ形
成した。
以上の手順によって作成した光磁気記録媒体は前記実施
例と同様良好なトラッキング特性、記録再生特性を示し
た。
例と同様良好なトラッキング特性、記録再生特性を示し
た。
（発明の効果）
以上、説明したように本発明によれば従来例と比較して
次のような効果がある。
次のような効果がある。
■ また耐熱性のある高屈折率材料からなる干渉層に溝
を形成しているので、光磁気記録層成膜時の温度上昇に
対して強く、光磁気記録層成膜方法の自由度が増す。
を形成しているので、光磁気記録層成膜時の温度上昇に
対して強く、光磁気記録層成膜方法の自由度が増す。
■ 基板上に形成した高屈折材料は屈折率が基板材料に
比べて高いことから、基板側からレーザー光を入射する
方式において有効な干渉層になる。レーザ光アクセス領
域のこの干渉層の膜厚を最適化することによシ、干渉層
のない場合に比べて３〜４倍のカー回転角増幅効果が得
られ、信号再生Ｓ／Ｎが向上する。また記録感度も向上
する。
比べて高いことから、基板側からレーザー光を入射する
方式において有効な干渉層になる。レーザ光アクセス領
域のこの干渉層の膜厚を最適化することによシ、干渉層
のない場合に比べて３〜４倍のカー回転角増幅効果が得
られ、信号再生Ｓ／Ｎが向上する。また記録感度も向上
する。
■ 基板、干渉層ともに気密性があシ、水分も通さない
ことから基板側から光磁気記録層が劣化することがない
。
ことから基板側から光磁気記録層が劣化することがない
。
このように本発明に係る光磁気記録媒体は成膜時の自由
度、記録再生特性に優れ、さらには耐候性に優れている
。
度、記録再生特性に優れ、さらには耐候性に優れている
。
第１図り第２図を第３図は、従来の光磁気記録媒体の断
面図、第４図は従来の光磁気記録媒体の溝形成時の断面
図、第５図は、本発明の係る光磁気記録媒体の形成手順
を示しだ断面図、第６図は本発明の一実施例の断面図で
ある。 図中１ｓ４ｊ６・・・基板、２７１０・・・光磁気記録
層、３・・・干渉層、５・・・有機物層、７・・・干渉
層、８・・・フォトレジスト、９・・・レーザー光、１
１・・・保護層 である。 オ １ 図 オ ２ 図 オ ３ 図 ７１−４ 図 オ ５ 図 （Ｃ） （ｄ）（ｅ）
（ｆ）７Ｉ−６図
面図、第４図は従来の光磁気記録媒体の溝形成時の断面
図、第５図は、本発明の係る光磁気記録媒体の形成手順
を示しだ断面図、第６図は本発明の一実施例の断面図で
ある。 図中１ｓ４ｊ６・・・基板、２７１０・・・光磁気記録
層、３・・・干渉層、５・・・有機物層、７・・・干渉
層、８・・・フォトレジスト、９・・・レーザー光、１
１・・・保護層 である。 オ １ 図 オ ２ 図 オ ３ 図 ７１−４ 図 オ ５ 図 （Ｃ） （ｄ）（ｅ）
（ｆ）７Ｉ−６図
Claims (2)
- （１）レーザー光を用いて情報の記録再生消去をおこな
う光磁気記録媒体において平坦な透明基板上に高屈折率
材料からなる干渉層が設けられ、この干渉層に同心円も
しくはうず巻き状の溝が形成され、さらに、この干渉層
上に光磁気記録層、保護層がこの順に設けられているこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。 - （２）透明基板はガラスであり、高屈折率材料は前記ガ
ラス基板材料より屈折率の大きい材料である特許請求の
範囲第１項記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59150595A JPH0664763B2 (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59150595A JPH0664763B2 (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6129439A true JPS6129439A (ja) | 1986-02-10 |
| JPH0664763B2 JPH0664763B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=15500313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59150595A Expired - Fee Related JPH0664763B2 (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664763B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61162844A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-23 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH01287848A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-20 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60175228A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-09 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気デイスク用基板 |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP59150595A patent/JPH0664763B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60175228A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-09 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気デイスク用基板 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61162844A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-23 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH01287848A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-20 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0664763B2 (ja) | 1994-08-22 |
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