JPH0434747A - 光磁気ディスクおよび該光磁気ディスクに用いる光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気ディスクおよび該光磁気ディスクに用いる光磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH0434747A JPH0434747A JP14271490A JP14271490A JPH0434747A JP H0434747 A JPH0434747 A JP H0434747A JP 14271490 A JP14271490 A JP 14271490A JP 14271490 A JP14271490 A JP 14271490A JP H0434747 A JPH0434747 A JP H0434747A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording layer
- magneto
- layer
- oxide film
- optical disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 29
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 112
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 15
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 11
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 abstract description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004859 Copal Substances 0.000 description 1
- 229910017112 Fe—C Inorganic materials 0.000 description 1
- GOQFGEHFZBDYEC-UHFFFAOYSA-N [AlH2+] Chemical compound [AlH2+] GOQFGEHFZBDYEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVRLBVUHNKCEQQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Gd].[Tb] Chemical compound [Fe].[Gd].[Tb] XVRLBVUHNKCEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
光磁気ディスクおよび該光磁気ディスクに用いる光磁気
記録媒体の製造方法に関し、 光磁気記録したビットが、時間の経過とともに劣化する
のを防止する光磁気ディスクおよび該光磁気ディスクに
用いる光磁気記録媒体の製造方法を目的とし、 基板上に下部保護層、記録層、干渉層および上部保護層
をこの順に順次積層形成した光磁気ディスクに於いて、 前記記録層の表面に、該記録層の一部を面内に磁化容易
軸を持つような記録層の酸化膜を設けて構成する。
記録媒体の製造方法に関し、 光磁気記録したビットが、時間の経過とともに劣化する
のを防止する光磁気ディスクおよび該光磁気ディスクに
用いる光磁気記録媒体の製造方法を目的とし、 基板上に下部保護層、記録層、干渉層および上部保護層
をこの順に順次積層形成した光磁気ディスクに於いて、 前記記録層の表面に、該記録層の一部を面内に磁化容易
軸を持つような記録層の酸化膜を設けて構成する。
本発明は光磁気ディスクおよび該光磁気ディスクに用い
る光磁気記録媒体の製造方法に関する。
る光磁気記録媒体の製造方法に関する。
アルミニウム(i)のような非磁性基板上に−F−)L
t ヒウムー二酸化珪素(Tb−3iOz)のような下
部保護層、テルビウム−鉄−コハルト(Tb−Fe−C
o)のような記録層、Tb−5iOzのような干渉層、
紫外線硬化型樹脂層よりなる上部保護層を設けた光磁気
ディスクが開発されている。
t ヒウムー二酸化珪素(Tb−3iOz)のような下
部保護層、テルビウム−鉄−コハルト(Tb−Fe−C
o)のような記録層、Tb−5iOzのような干渉層、
紫外線硬化型樹脂層よりなる上部保護層を設けた光磁気
ディスクが開発されている。
従来の光磁気ディスクとして、第5図に図示するように
透明ガラス、或いは透明プラスチックのような透明基板
1上にTb−5iOzのような干渉層2、Tb−Fe−
Coのような希土類−遷移金属の非晶質合金より成る記
録層3、Tb−5in、のような保護層4がスパッタ方
法でこの順に積層形成された構造がある。
透明ガラス、或いは透明プラスチックのような透明基板
1上にTb−5iOzのような干渉層2、Tb−Fe−
Coのような希土類−遷移金属の非晶質合金より成る記
録層3、Tb−5in、のような保護層4がスパッタ方
法でこの順に積層形成された構造がある。
上記希土類−遷移金属の非晶質合金より成る記録層は読
みだし特性が充分で無く、記録、および消去用のレーザ
光線が入射する基板側にTb−5in2のような干渉層
2を設けて磁気光学効果を大きくしている。また記録層
の希土類−遷移金属の非晶質合金1膜は酸化されやすい
ために、その表面をTb−5iO□のような保護層4で
被覆している。そして記録、或いは消去用のレーザ光は
透明基板1側より入射する光磁気ディスクが開発されて
いる。
みだし特性が充分で無く、記録、および消去用のレーザ
光線が入射する基板側にTb−5in2のような干渉層
2を設けて磁気光学効果を大きくしている。また記録層
の希土類−遷移金属の非晶質合金1膜は酸化されやすい
ために、その表面をTb−5iO□のような保護層4で
被覆している。そして記録、或いは消去用のレーザ光は
透明基板1側より入射する光磁気ディスクが開発されて
いる。
然し、上記基板に透明なガラス基板やプラスチック基板
を用いた場合、この基板は割れ易く、使用中に破損の恐
れがあり、この基板に代わって非磁性で比較的軽く、か
つ機械的強度の大きいへ1基板が、最近開発されている
。
を用いた場合、この基板は割れ易く、使用中に破損の恐
れがあり、この基板に代わって非磁性で比較的軽く、か
つ機械的強度の大きいへ1基板が、最近開発されている
。
第6図はこのような非磁性で不透明なへ1基板を用いた
光磁気ディスクの構造を示す断面図である。
光磁気ディスクの構造を示す断面図である。
図示するように、A!よりなる不透明基板11上にはT
b−5insが下部保護層12として形成され、その上
にはTb−Fe−Co、ジスプロシウム−鉄−コパル)
(Dy −Fe−Co) 、ガドリニウム−テルビウム
−鉄(Gd−Tb−Fe)のような希土類−遷移金属の
非晶質合金薄膜より記録層13がスパッタ法等を用いて
形成されている。
b−5insが下部保護層12として形成され、その上
にはTb−Fe−Co、ジスプロシウム−鉄−コパル)
(Dy −Fe−Co) 、ガドリニウム−テルビウム
−鉄(Gd−Tb−Fe)のような希土類−遷移金属の
非晶質合金薄膜より記録層13がスパッタ法等を用いて
形成されている。
またこの記録層13上にはTb−5iOzのような干渉
層14が形成され、更にその上にはレーザ光を透過し、
紫外線硬化型の樹脂よりなる上部保護層15が形成され
ている。このような光磁気ディスクに於いては、レーザ
光は基板の上部より照射し、また機械的強度の大きいA
f基板を用いているので、破損の少ない光磁気ディスク
が得られる。
層14が形成され、更にその上にはレーザ光を透過し、
紫外線硬化型の樹脂よりなる上部保護層15が形成され
ている。このような光磁気ディスクに於いては、レーザ
光は基板の上部より照射し、また機械的強度の大きいA
f基板を用いているので、破損の少ない光磁気ディスク
が得られる。
このような従来の光磁気ディスクに於いて、ディスクの
回転速度を線速度に変換した線速10m/s(s =
5ec)、ビット長1μmで信号を記録したところ、そ
の信号のC/Nの値は49dBであった。また記録した
ビット(ビット長1μll1)にレーザ光を照射し、記
録した信号を再生する過程で信号の劣下を測定したとこ
ろ、しきい値パワー(信号を記録できる最小のレーザパ
ワー)の30%の値で信号の劣化が見られた。
回転速度を線速度に変換した線速10m/s(s =
5ec)、ビット長1μmで信号を記録したところ、そ
の信号のC/Nの値は49dBであった。また記録した
ビット(ビット長1μll1)にレーザ光を照射し、記
録した信号を再生する過程で信号の劣下を測定したとこ
ろ、しきい値パワー(信号を記録できる最小のレーザパ
ワー)の30%の値で信号の劣化が見られた。
このような光磁気ディスクに於いても、最近、益々記録
再生に依って劣化しない長寿命な光磁気記録媒体を有す
る光磁気ディスクが要望されるように成っている。
再生に依って劣化しない長寿命な光磁気記録媒体を有す
る光磁気ディスクが要望されるように成っている。
本発明は上記した事項を満足し、記録されたビットが、
時間の経過によって変動しないようにした光磁気ディス
ク、および該光磁気ディスクに用いる光磁気記録媒体の
製造方法を目的とする。
時間の経過によって変動しないようにした光磁気ディス
ク、および該光磁気ディスクに用いる光磁気記録媒体の
製造方法を目的とする。
〔課題を解決するための手段]
上記目的を達成する本発明の光磁気ディスクは、第1図
に示すように基板21上に下部保護層22、記録層23
、干渉層25および上部保護層26をこの順に順次積層
形成した光磁気ディスクに於いて、前記記録層23と干
渉層25との境界面に、前記記録層の一部を、面内に磁
化容易軸を持つような面内磁化層24を設ける。
に示すように基板21上に下部保護層22、記録層23
、干渉層25および上部保護層26をこの順に順次積層
形成した光磁気ディスクに於いて、前記記録層23と干
渉層25との境界面に、前記記録層の一部を、面内に磁
化容易軸を持つような面内磁化層24を設ける。
また第2図および第3図に示すように、前記面内磁化層
が記録層23上に形成された半導体元素、或いは金属元
素の酸化膜27中の遊離酸素と前記記録層との酸化物か
、或いは記録層形成用スパッタガス中の酸素ガスか、或
いは記録層形成後、雰囲気ガスを酸素ガスとして該酸素
ガスによる記録層酸化膜31であるかを特徴とするもの
である。
が記録層23上に形成された半導体元素、或いは金属元
素の酸化膜27中の遊離酸素と前記記録層との酸化物か
、或いは記録層形成用スパッタガス中の酸素ガスか、或
いは記録層形成後、雰囲気ガスを酸素ガスとして該酸素
ガスによる記録層酸化膜31であるかを特徴とするもの
である。
また上記本発明の光磁気ディスクの製造方法は、第1図
、第2図、第3図に示すように、基板21上に記録層2
3よりなる光磁気記録媒体をスパッタ法、或いは蒸着法
の真空成膜方法で形成後、該記録層23上に半導体元素
の酸化膜、或いは金属元素の酸化膜27を形成して該酸
化膜からの遊離酸素と記録層の反応により、該記録層2
3と干渉層25との境界面に前記記録層の一部を面内に
磁化容易軸を持つような面内磁化層24を形成する方法
を特徴とするものである。
、第2図、第3図に示すように、基板21上に記録層2
3よりなる光磁気記録媒体をスパッタ法、或いは蒸着法
の真空成膜方法で形成後、該記録層23上に半導体元素
の酸化膜、或いは金属元素の酸化膜27を形成して該酸
化膜からの遊離酸素と記録層の反応により、該記録層2
3と干渉層25との境界面に前記記録層の一部を面内に
磁化容易軸を持つような面内磁化層24を形成する方法
を特徴とするものである。
また上記製造方法は基板21上に記録層23よりなる光
磁気記録媒体をスパッタ法で形成後、スパッタ容器内に
スパッタガスと共に酸素ガスを導入して前記記録層23
と干渉層25の間に記録層酸化膜31を形成することで
、前記記録層の一部を面内に磁化容易軸を持つような面
内磁化層24を形成する。
磁気記録媒体をスパッタ法で形成後、スパッタ容器内に
スパッタガスと共に酸素ガスを導入して前記記録層23
と干渉層25の間に記録層酸化膜31を形成することで
、前記記録層の一部を面内に磁化容易軸を持つような面
内磁化層24を形成する。
また基板21上に記録層23をスパッタ法で形成後、ス
パッタ容器内に酸素ガスのみを導入して前記記録層23
と干渉層25との境界面に、前記記録層の一部を面内に
磁化容易軸を持つような記録層酸化膜31を形成する方
法を特徴とするものである。
パッタ容器内に酸素ガスのみを導入して前記記録層23
と干渉層25との境界面に、前記記録層の一部を面内に
磁化容易軸を持つような記録層酸化膜31を形成する方
法を特徴とするものである。
本発明の光磁気ディスク、および該光磁気ディスクに用
いる光磁気記録媒体は、第2図および第3図に示すよう
に、記録層23と干渉層25との間に半導体元素の酸化
膜、或いは金属元素の酸化膜27を設ける。または記録
層自体の記録層酸化膜31を設ける。この半導体元素の
酸化膜の5iOzや、金属元素の酸化物のZrO2はス
パッタや蒸着等の真空成膜過程に於いて酸素が遊離し易
く、この遊離した酸素によって記録層の表面に酸化膜が
容易に形成でき、この記録層の表面の酸化膜が面内方向
に磁化容易軸を有する磁性体と成る。
いる光磁気記録媒体は、第2図および第3図に示すよう
に、記録層23と干渉層25との間に半導体元素の酸化
膜、或いは金属元素の酸化膜27を設ける。または記録
層自体の記録層酸化膜31を設ける。この半導体元素の
酸化膜の5iOzや、金属元素の酸化物のZrO2はス
パッタや蒸着等の真空成膜過程に於いて酸素が遊離し易
く、この遊離した酸素によって記録層の表面に酸化膜が
容易に形成でき、この記録層の表面の酸化膜が面内方向
に磁化容易軸を有する磁性体と成る。
上記記録層の表面酸化膜は、上記の方法の他にスパッタ
ガスに添加した酸素ガス、或いは記録層形成後の雰囲気
ガスとして酸素ガスを用いることで、記録層の表面に記
録層自体の記録層酸化膜を形成しても良い。
ガスに添加した酸素ガス、或いは記録層形成後の雰囲気
ガスとして酸素ガスを用いることで、記録層の表面に記
録層自体の記録層酸化膜を形成しても良い。
この記録層の表面に形成された酸化膜は記録層が垂直磁
化膜で有るのに対して、面内方向に磁化容易軸を有する
磁性体膜と成り、この磁性体膜によってレーザ光で記録
した後、再びレーザ光で記録した信号を読みだす際に前
記ビットに記録した信号が安定して変動しなくなり、高
信顛度の光磁気ディスクおよび光磁気記録媒体が得られ
る。
化膜で有るのに対して、面内方向に磁化容易軸を有する
磁性体膜と成り、この磁性体膜によってレーザ光で記録
した後、再びレーザ光で記録した信号を読みだす際に前
記ビットに記録した信号が安定して変動しなくなり、高
信顛度の光磁気ディスクおよび光磁気記録媒体が得られ
る。
以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳細に説明す
る。
る。
第2図は本発明の光磁気ディスクの構造を示す第1実施
例の断面図である。
例の断面図である。
図示するようにA!の基板21上に、厚さが90nmの
Tb−SiO□膜よりなる下部保護N22とその上には
厚さが90nmのDy25−Fe6O−Co15より成
る記録層23が何れもスパッタ法で形成されている。
Tb−SiO□膜よりなる下部保護N22とその上には
厚さが90nmのDy25−Fe6O−Co15より成
る記録層23が何れもスパッタ法で形成されている。
このDy25−Fe6O−Co15の数値は、Dy−F
e−Co合金のうちの各元素が占める原子%である。
e−Co合金のうちの各元素が占める原子%である。
この記録層23の上には5iOz膜よりなる半導体元素
の酸化膜27が10nmの厚さでスパッタにより形成さ
れ、その上にはTb−SiO□膜よりなる干渉層25が
90nmの厚さでスパッタ法により形成されている。
の酸化膜27が10nmの厚さでスパッタにより形成さ
れ、その上にはTb−SiO□膜よりなる干渉層25が
90nmの厚さでスパッタ法により形成されている。
そしてこの上には紫外線で硬化する樹脂保護膜26(大
日本インキ株式会社製:商品名、5D−301)が数1
0μmの厚さでスピンコード法により形成されている。
日本インキ株式会社製:商品名、5D−301)が数1
0μmの厚さでスピンコード法により形成されている。
このようにすれば、スバツタ工程に於いて前記した5i
02の酸化膜27中の遊離酸素と記録層23との間に反
応が生じて記録層の面内方向に磁化容易軸を有する磁性
体が前記記録層と干渉層との間に形成され、これによっ
てビットの安定化が行われる。
02の酸化膜27中の遊離酸素と記録層23との間に反
応が生じて記録層の面内方向に磁化容易軸を有する磁性
体が前記記録層と干渉層との間に形成され、これによっ
てビットの安定化が行われる。
このような光磁気ディスクに於いて、ディスクの回転速
度を線速に変換した線速10m/sec 、ビット長1
μmで、波長830nmの半導体レーザを照射して記録
したところC/Nが50dBの信号が得られた。
度を線速に変換した線速10m/sec 、ビット長1
μmで、波長830nmの半導体レーザを照射して記録
したところC/Nが50dBの信号が得られた。
また記録したビットに上記レーザ光を入射し、信号の劣
化を測定したところ、第4図の曲線42に示すようにし
きい値パワー(信号を記録できる最小のレーザパワー)
の65%まで信号の劣化が認められなかった。因みに従
来の光磁気ディスクに於いて同様の実験を行ったところ
、第4図の曲線゛41に示すようにしきい値パワーの3
0%で信号の劣化が見られた。
化を測定したところ、第4図の曲線42に示すようにし
きい値パワー(信号を記録できる最小のレーザパワー)
の65%まで信号の劣化が認められなかった。因みに従
来の光磁気ディスクに於いて同様の実験を行ったところ
、第4図の曲線゛41に示すようにしきい値パワーの3
0%で信号の劣化が見られた。
上記第3図は横軸に読みだしレーザ光線のパワー(出力
)としきい値レーザ光線のパワーの比を示し、縦軸は読
みだしレーザパワーの出力の変化量とそれに伴って雑音
が増加する変化量との割合を示す。
)としきい値レーザ光線のパワーの比を示し、縦軸は読
みだしレーザパワーの出力の変化量とそれに伴って雑音
が増加する変化量との割合を示す。
第3図は本発明の光磁気ディスクの第2実施例の構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
図示するようにArの基板21上に、厚さが90nmの
Tb−Si0g膜よりなる下部保護層22とその上には
厚さが80nmのTb2O−Fe72−Co8より成る
記録層23が何れもスパッタ法で形成されている。
Tb−Si0g膜よりなる下部保護層22とその上には
厚さが80nmのTb2O−Fe72−Co8より成る
記録層23が何れもスパッタ法で形成されている。
このTb2O−Fe72−Co8の数値は、Tb−Fe
−Co合金のうちの各元素が占める原子%である。
−Co合金のうちの各元素が占める原子%である。
この80nmの記録層23の上にはArガスのスパッタ
ガス中に10%の容量比で酸素ガスを混入して、この混
入した酸素ガスによって10nmの記録層酸化膜31が
形成されている。そしてその上にはTb−SiO□膜よ
りなる干渉層25が90nmの厚さでスパッタ法により
形成されている。
ガス中に10%の容量比で酸素ガスを混入して、この混
入した酸素ガスによって10nmの記録層酸化膜31が
形成されている。そしてその上にはTb−SiO□膜よ
りなる干渉層25が90nmの厚さでスパッタ法により
形成されている。
そしてこの上には紫外線で硬化する樹脂保護膜26(大
日本インキ株式会社製;商品名、5D−301)が数1
0μmの厚さでスピンコード法により形成されている。
日本インキ株式会社製;商品名、5D−301)が数1
0μmの厚さでスピンコード法により形成されている。
このようにすれば、スバツタ工程に於いて前記した記録
層酸化膜31が記録層の面内方向に磁化容易軸を有する
磁性体と成って前記記録層と干渉層との間に形成され、
これによってビットの安定化が行われる。
層酸化膜31が記録層の面内方向に磁化容易軸を有する
磁性体と成って前記記録層と干渉層との間に形成され、
これによってビットの安定化が行われる。
このような光磁気ディスクに於いて、ディスクの回転速
度を線速に変換した線速10m/sec 、ビット長1
μ和で、波長830n霧の半導体レーザを照射して記録
したところC/Nが49dBの信号が得られた。
度を線速に変換した線速10m/sec 、ビット長1
μ和で、波長830n霧の半導体レーザを照射して記録
したところC/Nが49dBの信号が得られた。
また記録したビットに上記レーザ光を入射し、信号の劣
化を測定したところ、第4図の曲線43に示すようにし
きい値パワー(信号を記録できる最小のレーザパワー)
の70%まで信号の劣化が認められなかった。因みに従
来の光磁気ディスクに於いて同様の実験を行ったところ
、第4図の曲線41に示すようにしきい値パワーの30
%で信号の劣化が見られた。
化を測定したところ、第4図の曲線43に示すようにし
きい値パワー(信号を記録できる最小のレーザパワー)
の70%まで信号の劣化が認められなかった。因みに従
来の光磁気ディスクに於いて同様の実験を行ったところ
、第4図の曲線41に示すようにしきい値パワーの30
%で信号の劣化が見られた。
また上記第2実施例に於いて、ANの基板21上に、厚
さが90nmのTb−StO□膜よりなる下部保護層2
2とその上に厚さが9Or++wのTb2O−Fe72
−Co8より成る記録層23を何れもスパッタ法で形成
後、スパッタガスのArガスの代わりに、酸素ガスに切
り換えてこの酸素ガスをスパッタ容器内に0.2paの
圧力で5分間導入し、この酸素ガスによって90nmの
記録層23の表面から10nw+が酸化され記録層酸化
膜31を形成する。
さが90nmのTb−StO□膜よりなる下部保護層2
2とその上に厚さが9Or++wのTb2O−Fe72
−Co8より成る記録層23を何れもスパッタ法で形成
後、スパッタガスのArガスの代わりに、酸素ガスに切
り換えてこの酸素ガスをスパッタ容器内に0.2paの
圧力で5分間導入し、この酸素ガスによって90nmの
記録層23の表面から10nw+が酸化され記録層酸化
膜31を形成する。
そしてその上には第2実施例と同様にTb−SiO2膜
よりなる干渉層25を90na+の厚さでスパッタ法に
より形成し、更にその上に紫外線で硬化する樹脂保護膜
26(大日本インキ株式会社製:商品名、SD−301
)を数10μmの厚さでスピンコード法により形成する
。
よりなる干渉層25を90na+の厚さでスパッタ法に
より形成し、更にその上に紫外線で硬化する樹脂保護膜
26(大日本インキ株式会社製:商品名、SD−301
)を数10μmの厚さでスピンコード法により形成する
。
このような光磁気ディスクに於いて、ディスクの回転速
度を線速に変換した線速10Il/sec 、ビット長
1μ−で、波長830nmの半導体レーザを照射して記
録したところCハが51dBの信号が得られた。
度を線速に変換した線速10Il/sec 、ビット長
1μ−で、波長830nmの半導体レーザを照射して記
録したところCハが51dBの信号が得られた。
また記録したビットに上記レーザ光を入射し、信号の劣
化を測定したところ、しきい値パワー(信号を記録でき
る最小のレーザパワー)の60%まで信号の劣化が認め
られなかった。因みに従来の光磁気ディスクに於いて同
様の実験を行ったところ、第4図の曲線41に示すよう
にしきい値パワーの30%で信号の劣化が見られた。
化を測定したところ、しきい値パワー(信号を記録でき
る最小のレーザパワー)の60%まで信号の劣化が認め
られなかった。因みに従来の光磁気ディスクに於いて同
様の実験を行ったところ、第4図の曲線41に示すよう
にしきい値パワーの30%で信号の劣化が見られた。
以上の説明から明らかなように本発明によれば記録層上
に面内磁化容易軸を有する磁性体が形成され、これによ
ってビットが安定化し、記録特性の向上した高信頼性の
光磁気ディスクが得られる効果がある。
に面内磁化容易軸を有する磁性体が形成され、これによ
ってビットが安定化し、記録特性の向上した高信頼性の
光磁気ディスクが得られる効果がある。
第1図は本発明の光磁気ディスクの原理図、第2図は本
発明の第1実施例の構造を示す断面図、 第3図は本発明の第2実施例の構造を示す断面図、 第4図は本発明の光磁気記録媒体の特性図、第5図、お
よび第6図は従来の光磁気ディスクの構造を示す断面図
である。 図において、 21はAf基板、22は下部保護層、23は記録層、2
4は面内磁化層、25は干渉層、26は樹脂保護膜、2
7は半導体、または金属元素の酸化膜、31は記録層酸
化膜、41.42.43は光磁気記録媒体の特性曲線を
示す。 釦辷&斂しし−サンぐツー/しにす信パワ(シ)
発明の第1実施例の構造を示す断面図、 第3図は本発明の第2実施例の構造を示す断面図、 第4図は本発明の光磁気記録媒体の特性図、第5図、お
よび第6図は従来の光磁気ディスクの構造を示す断面図
である。 図において、 21はAf基板、22は下部保護層、23は記録層、2
4は面内磁化層、25は干渉層、26は樹脂保護膜、2
7は半導体、または金属元素の酸化膜、31は記録層酸
化膜、41.42.43は光磁気記録媒体の特性曲線を
示す。 釦辷&斂しし−サンぐツー/しにす信パワ(シ)
Claims (5)
- (1)基板(21)上に下部保護層(22)、記録層(
23)、干渉層(25)および上部保護層(26)をこ
の順に順次積層形成した光磁気ディスクに於いて、 前記記録層(23)と干渉層(25)との境界面に、前
記記録層の一部を面内に磁化容易軸を持つようにした面
内磁化層(24)を設けたことを特徴とする光磁気ディ
スク。 - (2)前記面内磁化層(24)が記録層(23)上に形
成された半導体元素、或いは金属元素の酸化膜(27)
中の遊離酸素と前記記録層との酸化物か、或いは記録層
形成用スパッタガス中の酸素ガスか、或いは記録層形成
後の雰囲気ガスを酸素ガスとし、該酸素ガスによる記録
層の酸化膜(31)であるかを特徴とする請求項(1)
記載の光磁気ディスク。 - (3)基板(21)上に記録層(23)よりなる光磁気
記録媒体をスパッタ法、或いは蒸着法の真空成膜方法で
形成後、該記録層(23)上に半導体元素の酸化膜、或
いは金属元素の酸化膜(27)を形成して該酸化膜(2
7)からの遊離酸素と記録層(23)の反応により、該
記録層(23)と干渉層(25)との境界面に前記記録
層の一部を面内に磁化容易軸を持つようにした面内磁化
層(24)を形成することを特徴とする光磁気ディスク
に用いる光磁気記録媒体の製造方法。 - (4)基板(21)上に記録層(23)よりなる光磁気
記録媒体をスパッタ法で形成後、スパッタ容器内にスパ
ッタガスと共に酸素ガスを導入して前記記録層(23)
と干渉層(25)の間に記録層酸化膜(31)を形成す
ることで、前記記録層の一部を面内に磁化容易軸を持つ
ようにした面内磁化層(24)を形成することを特徴と
する請求項(3)記載の光磁気ディスクに用いる光磁気
記録媒体の製造方法。 - (5)基板(21)上に記録層(23)をスパッタ法で
形成後、スパッタ容器内に酸素ガスのみを導入して前記
記録層(23)と干渉層(25)との境界面に、前記記
録層の一部を面内に磁化容易軸を持つようにした記録層
酸化膜(31)を形成することを特徴とする請求項(3
)記載の光磁気ディスクに用いる光磁気記録媒体の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14271490A JPH0434747A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 光磁気ディスクおよび該光磁気ディスクに用いる光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14271490A JPH0434747A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 光磁気ディスクおよび該光磁気ディスクに用いる光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0434747A true JPH0434747A (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=15321870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14271490A Pending JPH0434747A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 光磁気ディスクおよび該光磁気ディスクに用いる光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0434747A (ja) |
-
1990
- 1990-05-30 JP JP14271490A patent/JPH0434747A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH04935B2 (ja) | ||
EP0530913B1 (en) | Magneto-optical recording medium | |
JPH0434747A (ja) | 光磁気ディスクおよび該光磁気ディスクに用いる光磁気記録媒体の製造方法 | |
JPS5857646A (ja) | 垂直磁気記録・再生方法 | |
JPH02778B2 (ja) | ||
EP0516178B1 (en) | Optical information recording medium in which a protective layer comprises a mixture layer containing ZnS and SiO2 | |
AU649818B2 (en) | Optical information recording medium in which a protective layer comprises a Ni-Cr alloy layer | |
JP2606729B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JP2532274B2 (ja) | 光ディスク | |
JPS59210547A (ja) | 光メモリ素子の製造方法 | |
JPS5857645A (ja) | 垂直磁気記録用デイスク状媒体 | |
JPH08180497A (ja) | 光磁気記録媒体の再生方法および光磁気記録媒体 | |
JP2665295B2 (ja) | 磁気光学記憶素子 | |
JP3115088B2 (ja) | 水素化シリコン膜を設けた光情報記録媒体 | |
JP2551620B2 (ja) | 光磁気ディスク | |
JPS6129439A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH02179947A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH02141950A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH0689474A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH06124488A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
Tsukuda et al. | 50 GB read only memory disc with dual layer structure | |
JPS62298954A (ja) | 光磁気デイスク | |
JP2001216685A (ja) | 記録媒体 | |
JPH0458662B2 (ja) | ||
JPS62277642A (ja) | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 |