JPH02141950A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH02141950A JPH02141950A JP29562288A JP29562288A JPH02141950A JP H02141950 A JPH02141950 A JP H02141950A JP 29562288 A JP29562288 A JP 29562288A JP 29562288 A JP29562288 A JP 29562288A JP H02141950 A JPH02141950 A JP H02141950A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気記録を光−磁気記録相互作用によって読
み出す光磁気記録媒体に係る。
み出す光磁気記録媒体に係る。
本発明は、磁気記録を光−磁気記録相互作用によって読
み出す光磁気記録媒体に係わり、高いキュリー温度で低
保磁力のGdFeCo系の垂直磁化膜より成る第1の磁
性層と、これに比し低いキュリー温度で高保磁力のTb
FeCo系で、少なくともCrまたはTiのいずれか1
種以上を含む第2の磁性層とが相互に磁気的に交換結合
するように積層されて成り、高記録密度、高感度、高C
/Nを保持しつつ耐蝕性にすぐれ信頼性の高い光磁な記
録媒体を提供するものである。
み出す光磁気記録媒体に係わり、高いキュリー温度で低
保磁力のGdFeCo系の垂直磁化膜より成る第1の磁
性層と、これに比し低いキュリー温度で高保磁力のTb
FeCo系で、少なくともCrまたはTiのいずれか1
種以上を含む第2の磁性層とが相互に磁気的に交換結合
するように積層されて成り、高記録密度、高感度、高C
/Nを保持しつつ耐蝕性にすぐれ信頼性の高い光磁な記
録媒体を提供するものである。
であってZl<Z[とされた光磁気記録媒体。
従来の、磁気記録情報を光−磁気相互作用によって、す
なわち光のカー回転角によって読み出す光磁気記録媒体
としては、Tb−FeCo系アモルファス合金の磁性材
料が多く用いられている。この材料は、信号量に対応す
るカー回転角はさほど太き(ないが、キュリー温度が低
(、大きな垂直磁気異方性を有するため、高感度で高密
度な記録を行うことができる。したがって、さほど高い
C/Nを必要としないデジタル符号化されたコード・デ
ータファイルとしての用途としては期待される材料であ
る。ところが、このTb−FeCo系磁性材料による光
磁気記録媒体は、例えばアナログ・ファイルとしては信
号不充分である。そこで材料的には更にカー回転角の大
きなGd−Fe系の磁性材料を用いて、高いC/Nを目
指す方向にある。しかしながら、この場合、例えばGd
FeCo等は高いカー回転角を有するが、キュリー温度
が高く高い記録パワーを必要とし、また保磁力が低いこ
とから高密度記録化に課題があり、低ノイズ記録が難し
いとされて来た。またGdFeにTbを少量添加するこ
とにより、比較的記録ノイズの低減化がはかられるもの
の、TbFe系の磁性材料による光磁気記録媒体に比し
ては、やはり、ノイズが高く感度が低い。
なわち光のカー回転角によって読み出す光磁気記録媒体
としては、Tb−FeCo系アモルファス合金の磁性材
料が多く用いられている。この材料は、信号量に対応す
るカー回転角はさほど太き(ないが、キュリー温度が低
(、大きな垂直磁気異方性を有するため、高感度で高密
度な記録を行うことができる。したがって、さほど高い
C/Nを必要としないデジタル符号化されたコード・デ
ータファイルとしての用途としては期待される材料であ
る。ところが、このTb−FeCo系磁性材料による光
磁気記録媒体は、例えばアナログ・ファイルとしては信
号不充分である。そこで材料的には更にカー回転角の大
きなGd−Fe系の磁性材料を用いて、高いC/Nを目
指す方向にある。しかしながら、この場合、例えばGd
FeCo等は高いカー回転角を有するが、キュリー温度
が高く高い記録パワーを必要とし、また保磁力が低いこ
とから高密度記録化に課題があり、低ノイズ記録が難し
いとされて来た。またGdFeにTbを少量添加するこ
とにより、比較的記録ノイズの低減化がはかられるもの
の、TbFe系の磁性材料による光磁気記録媒体に比し
ては、やはり、ノイズが高く感度が低い。
また、TbFeCo単体の磁性材料による場合でも高C
/N化の試みはなされている。例えばSiN等による透
明誘電体薄膜層や、^!反射膜等による多重干渉効果を
利用するものであるが、この場合でも数dB程度のC/
Nの向上ははかられるものの未だ不充分なものである。
/N化の試みはなされている。例えばSiN等による透
明誘電体薄膜層や、^!反射膜等による多重干渉効果を
利用するものであるが、この場合でも数dB程度のC/
Nの向上ははかられるものの未だ不充分なものである。
これに対し、高保磁力の垂直磁化膜の書き込みと磁気光
学効果が大で低保磁力の垂直磁化膜による読み出し層と
の積層構造を採ってC/Nの向上、高密度化をはかるよ
うにした磁気記録媒体が例えば特開昭56−15354
6号、特開昭61−117747号等に開示されている
。
学効果が大で低保磁力の垂直磁化膜による読み出し層と
の積層構造を採ってC/Nの向上、高密度化をはかるよ
うにした磁気記録媒体が例えば特開昭56−15354
6号、特開昭61−117747号等に開示されている
。
本発明は、磁性層の積層構造をとる光磁気記録媒体にお
いて、高記録密度、高感度、高C/N化を保持しつつ、
加えて耐蝕性の向上をはかり、信頼性の向上をはかるこ
とを目的とする。
いて、高記録密度、高感度、高C/N化を保持しつつ、
加えて耐蝕性の向上をはかり、信頼性の向上をはかるこ
とを目的とする。
すなわち、例えばGdFeCo系磁性材においてCrや
Tjを添加することにより耐蝕性が向上する。ところが
、反面その磁気光学効果の低下すなわちカー回転角度θ
にの低下を招来し、再生感度の低下を来す。
Tjを添加することにより耐蝕性が向上する。ところが
、反面その磁気光学効果の低下すなわちカー回転角度θ
にの低下を招来し、再生感度の低下を来す。
本発明は、このような感度の低下を抑制して耐蝕性の向
上をはかることができるようにした光磁気記録媒体を提
供する。
上をはかることができるようにした光磁気記録媒体を提
供する。
本発明による光磁気記録媒体〔3)は、例えば第1図に
その路線的断面図を示すように、第1の磁性! (1)
と1、第2の磁性FJ(2)とが互いに磁気的に交換結
合するように積層されて成る。
その路線的断面図を示すように、第1の磁性! (1)
と1、第2の磁性FJ(2)とが互いに磁気的に交換結
合するように積層されて成る。
第1の磁性層(1)は、Gdxt(Pe+oo−yI−
z、CoylXzt) +110−XIなる組成を有し
、磁気光学効果、すなわちカー回転角θkが大で高キュ
リー点及び低保磁力の垂直磁化膜より成る。
z、CoylXzt) +110−XIなる組成を有し
、磁気光学効果、すなわちカー回転角θkが大で高キュ
リー点及び低保磁力の垂直磁化膜より成る。
第2の磁性層(2)は、Tbzl(Fe+oa−g−z
wcOFlXzl) 1116−XIなる組成を有し、
第1の磁性Fl (1)に比し低キ二す−点及び高保磁
力の垂直磁化膜より成る。
wcOFlXzl) 1116−XIなる組成を有し、
第1の磁性Fl (1)に比し低キ二す−点及び高保磁
力の垂直磁化膜より成る。
そして、両磁性Fj (1)及び(2)の各組成式中、
XはCr及びTiのいずれか一種以上の元素で、〔作用
〕 上述の構成による光磁気記録媒体(3)は、第1の磁性
層(1)がいわば読み出し層として機能し、第2の磁性
層(2)がいわば書き込み(記録)層として機能する。
XはCr及びTiのいずれか一種以上の元素で、〔作用
〕 上述の構成による光磁気記録媒体(3)は、第1の磁性
層(1)がいわば読み出し層として機能し、第2の磁性
層(2)がいわば書き込み(記録)層として機能する。
この媒体(3)に対する書き込みは、例えば媒体(3)
に対して所要の垂直外部磁場印加の下で記録すべき情報
に応じて発生するレーザー光照射によって行う。すなわ
ち、その照射部において第1の磁性層(1)に比しキュ
リー温度の低い第2の磁性層(2)について、そのキュ
リー温度より高く加熱し、媒体(3〕上のレーザー光照
射部の移行ないし照射停止による冷却過程で外部印加磁
場による磁化を発生させて記録を行う。このとき、第1
の磁性層(1)は、その保磁力が小に選定されていて、
かつ第2の磁性層(2)と交換結合していることから第
2磁性層(2)の磁化パターンが第1の磁性層(1)に
転写される。したがってその読み出しく再生)に当たっ
ては、例えばレーザー光による直線偏光を媒体(3)に
照射すれば第1の磁性層(1)の磁気光学効果が大であ
ることから記録情報すなわち磁化の向きに応じてカー回
転する。したがって照射光の反射光のカー回転角θkを
検出することによって記録情報の読み出しを行うことが
できる。
に対して所要の垂直外部磁場印加の下で記録すべき情報
に応じて発生するレーザー光照射によって行う。すなわ
ち、その照射部において第1の磁性層(1)に比しキュ
リー温度の低い第2の磁性層(2)について、そのキュ
リー温度より高く加熱し、媒体(3〕上のレーザー光照
射部の移行ないし照射停止による冷却過程で外部印加磁
場による磁化を発生させて記録を行う。このとき、第1
の磁性層(1)は、その保磁力が小に選定されていて、
かつ第2の磁性層(2)と交換結合していることから第
2磁性層(2)の磁化パターンが第1の磁性層(1)に
転写される。したがってその読み出しく再生)に当たっ
ては、例えばレーザー光による直線偏光を媒体(3)に
照射すれば第1の磁性層(1)の磁気光学効果が大であ
ることから記録情報すなわち磁化の向きに応じてカー回
転する。したがって照射光の反射光のカー回転角θkを
検出することによって記録情報の読み出しを行うことが
できる。
上述したように本発明においても、第1及び第2の磁性
層(1)及び(2)による2層構造とし、一方の磁性層
(2)をいわば書き込みの磁性層とし、他方の磁性B(
1)を読み出しの磁性層としたことにより、書き込みの
磁性層(2)については、カー回転角を考慮することな
く、高保磁力、低キュリー点に選定でき、高密度高感度
記録ができ、また読み出しの磁性B(1)については、
保磁力を考慮することなく磁気光学効果すなわちカー効
果の大きい磁性材料としたことによって再生感度の向上
、C/Nの向上をはかることができるが、特に本発明に
おいては、大きな磁気光学効果を必要とする第1の磁性
層(1)については、これに影響を与えるCrやTiを
含まないか少量添加するのみで、主として第2の磁性層
(2)にCrやTiの添加を行うことで、槍層磁性屡全
体の耐蝕性の向上がはかられることが確かめられた。し
たがって、長期に亘って安定した信頼性の高い磁気記録
媒体を構成することができる。
層(1)及び(2)による2層構造とし、一方の磁性層
(2)をいわば書き込みの磁性層とし、他方の磁性B(
1)を読み出しの磁性層としたことにより、書き込みの
磁性層(2)については、カー回転角を考慮することな
く、高保磁力、低キュリー点に選定でき、高密度高感度
記録ができ、また読み出しの磁性B(1)については、
保磁力を考慮することなく磁気光学効果すなわちカー効
果の大きい磁性材料としたことによって再生感度の向上
、C/Nの向上をはかることができるが、特に本発明に
おいては、大きな磁気光学効果を必要とする第1の磁性
層(1)については、これに影響を与えるCrやTiを
含まないか少量添加するのみで、主として第2の磁性層
(2)にCrやTiの添加を行うことで、槍層磁性屡全
体の耐蝕性の向上がはかられることが確かめられた。し
たがって、長期に亘って安定した信頼性の高い磁気記録
媒体を構成することができる。
第1図を参照して本発明の詳細な説明する。
この例では、ガラス板、アクリル板等の光透過性の基板
(4)上に、光透過性の下層誘電体膜(5)、第1の磁
性層(1)、第2の磁性層(2)、上層誘電体膜(6)
及び表面の保護膜(7)を順次被着形成する。
(4)上に、光透過性の下層誘電体膜(5)、第1の磁
性層(1)、第2の磁性層(2)、上層誘電体膜(6)
及び表面の保護膜(7)を順次被着形成する。
第1の磁性層(1)と、第2の磁性層(2)とは互いに
磁気的に交換結合するように積層されて成る。
磁気的に交換結合するように積層されて成る。
第1の磁性層(1)は
Gd)+1(Fjlg(1−yl−zHcOylXzl
)+oo−XI ””(1)なる組成を有し、磁気光
学効果が大で、高キュリー温度及び低保磁力の垂直磁化
膜より成る。
)+oo−XI ””(1)なる組成を有し、磁気光
学効果が大で、高キュリー温度及び低保磁力の垂直磁化
膜より成る。
第2の磁性層(2)は、
TbxI(FJoo−g−zHcOyJzu) 1G+
1−Lm ++ H(2)なる組成を有し、低キュリ
ー温度及び高保磁力の垂直磁化膜より成る。
1−Lm ++ H(2)なる組成を有し、低キュリ
ー温度及び高保磁力の垂直磁化膜より成る。
上記組成式(1)及び(2)中Xは、Cr及びTiのい
ずれか一種以上の元素で、 実施例1 スパッタ処理装置内を、5 Xl0−’Pa (パスカ
ル)にまで排気した後に、直径130mmのディスク状
のガラス基板(4)上に、順次SiN例えばSI3N4
を800人の厚さにスパッタして下層の誘電体膜(5〕
を被着形成し、これの上にGd (FeCo、) を
500人の厚さにスパッタして′fJJ1の磁性層(1
)を被着形成し、更にこれの上にTb (FeCo、C
r lo) を500人の厚さにスパッタして第2の
磁性層(2)を被着形成し、これの上にSiN例えばS
i、N、を500人の厚さにスパッタして上層の誘電体
膜(5)を被着形成した。更にこの誘電体膜(5)上に
は、例えば紫外線硬化型の樹脂を塗布して保護膜(7)
を被着形成した。
ずれか一種以上の元素で、 実施例1 スパッタ処理装置内を、5 Xl0−’Pa (パスカ
ル)にまで排気した後に、直径130mmのディスク状
のガラス基板(4)上に、順次SiN例えばSI3N4
を800人の厚さにスパッタして下層の誘電体膜(5〕
を被着形成し、これの上にGd (FeCo、) を
500人の厚さにスパッタして′fJJ1の磁性層(1
)を被着形成し、更にこれの上にTb (FeCo、C
r lo) を500人の厚さにスパッタして第2の
磁性層(2)を被着形成し、これの上にSiN例えばS
i、N、を500人の厚さにスパッタして上層の誘電体
膜(5)を被着形成した。更にこの誘電体膜(5)上に
は、例えば紫外線硬化型の樹脂を塗布して保護膜(7)
を被着形成した。
下層(DSrJ* ll’a74体膜(3)ハ屈折率n
カ約2゜oで、吸収係数は、はぼ0とした。そして、
この下層誘電体(5)としてのSiN膜のスパッタは、
120人/分のスパッタ速度で行った。このときの圧力
は、2、5 xlO−’Paで、アルゴンArと窒素N
2ガスの8=2の混合ガスを用いた。このSi、N、膜
の形成後、−旦5 Xl0−’Paまで排気した後に、
再び后ガスを3.0X10″”Paまで導入して200
人/分のスパッタ速度により上述のGd (FeCos
) 層による第1の磁性層(1)と、Tb (F ec
otcr I o) による第2の磁性層(2)とを
順次直流スパッタによって成膜した。この第1の磁性1
1!(1)のGd (FeCOs) のキュリー温度
は250℃、保磁力Hcは500 (Oe)で、第2の
磁性層(2)のTb(FeCotCr+o)のキュリー
温度は155℃、Hcは25kOeで、両磁性層(1)
及び(2)は共に遷移金rt4優勢膜の性質を示した。
カ約2゜oで、吸収係数は、はぼ0とした。そして、
この下層誘電体(5)としてのSiN膜のスパッタは、
120人/分のスパッタ速度で行った。このときの圧力
は、2、5 xlO−’Paで、アルゴンArと窒素N
2ガスの8=2の混合ガスを用いた。このSi、N、膜
の形成後、−旦5 Xl0−’Paまで排気した後に、
再び后ガスを3.0X10″”Paまで導入して200
人/分のスパッタ速度により上述のGd (FeCos
) 層による第1の磁性層(1)と、Tb (F ec
otcr I o) による第2の磁性層(2)とを
順次直流スパッタによって成膜した。この第1の磁性1
1!(1)のGd (FeCOs) のキュリー温度
は250℃、保磁力Hcは500 (Oe)で、第2の
磁性層(2)のTb(FeCotCr+o)のキュリー
温度は155℃、Hcは25kOeで、両磁性層(1)
及び(2)は共に遷移金rt4優勢膜の性質を示した。
次に再び^rとN2 の混合ガスでスパッタ装置内を2
.5X10−’Paとし、高周波スパッタによってSi
、N、をスパッタして誘電体膜(6)を生膜した。
.5X10−’Paとし、高周波スパッタによってSi
、N、をスパッタして誘電体膜(6)を生膜した。
第2図は第1及び第2の磁性層(1)及び■)を構成す
るGaPeCo及びTbPeC0Crの各保磁力Hcの
温度依存性をそれぞれ鎖線(21)及び実線(22)で
示したものである。
るGaPeCo及びTbPeC0Crの各保磁力Hcの
温度依存性をそれぞれ鎖線(21)及び実線(22)で
示したものである。
このようにして作製した光磁気記録媒体に対し信号評価
を行った。この信号評価は、開口数N、^。
を行った。この信号評価は、開口数N、^。
=0.53、波長λ=780nmで、PINダイオード
による差動型光検出装置による光学系に依った。そして
、最初にメインキャリアに対し2倍の周波数での2次高
調波のゲインが最小となる記録パワーを最適記録パワー
として感度を評価した。第3図曲線(32)は、比較の
為に実施例1の構成において、第1の磁性WJ(1)を
除いて磁性層が第2の磁性層(2)のみの単層とした光
磁気記録媒体(以下これを比較例という)の同様の記録
パワーを示したもので、本発明の実施例1に右ける第1
及び第2の磁性層(1)及び0)の2層構造としても比
較例1と何ら遜色なく記録感度に殆ど影響がないことが
わかる。
による差動型光検出装置による光学系に依った。そして
、最初にメインキャリアに対し2倍の周波数での2次高
調波のゲインが最小となる記録パワーを最適記録パワー
として感度を評価した。第3図曲線(32)は、比較の
為に実施例1の構成において、第1の磁性WJ(1)を
除いて磁性層が第2の磁性層(2)のみの単層とした光
磁気記録媒体(以下これを比較例という)の同様の記録
パワーを示したもので、本発明の実施例1に右ける第1
及び第2の磁性層(1)及び0)の2層構造としても比
較例1と何ら遜色なく記録感度に殆ど影響がないことが
わかる。
また、第4図はC/Hの記録周波数との関係の測定結果
を示したもので、曲線(41)及び(42)は、上述の
実施例1及び比較例1による光磁気記録媒体についての
ものであり、両者を比較して明らかなように、本発明の
それは、比較例1のCrを含む磁性層のみの単層構造と
したものに比し、格段にC/Nの向上がはかられている
。また同図において曲線(43)は、実施例1による光
磁気記録媒体と同様の構成とするも第1の磁性層(1)
として第2の磁性層(2)と同量のCrを添加したGd
(Fe(07Cr r o) を用いた光磁気記録
媒体(以下比較例2)というについての測定結果を示し
、この場合比較例1に比してはC/Hの向上がはかられ
るが、実施例1のように読み出し層としての第1の磁性
層(1)にCrが添加されないものに比してはC/Nが
低い。尚、この場合のC/Hの周波数特性の測定は、光
磁気記録媒体(ディスク)の回転数を360Orpm(
線速17m/s)、読み出しパワー2.0IIIW1ス
ヘクトラムアナライザーのRBWは30k)lz とし
た。この場合、ピット長駒0.75μmで、約54dB
の良好なC/Nが得られた。
を示したもので、曲線(41)及び(42)は、上述の
実施例1及び比較例1による光磁気記録媒体についての
ものであり、両者を比較して明らかなように、本発明の
それは、比較例1のCrを含む磁性層のみの単層構造と
したものに比し、格段にC/Nの向上がはかられている
。また同図において曲線(43)は、実施例1による光
磁気記録媒体と同様の構成とするも第1の磁性層(1)
として第2の磁性層(2)と同量のCrを添加したGd
(Fe(07Cr r o) を用いた光磁気記録
媒体(以下比較例2)というについての測定結果を示し
、この場合比較例1に比してはC/Hの向上がはかられ
るが、実施例1のように読み出し層としての第1の磁性
層(1)にCrが添加されないものに比してはC/Nが
低い。尚、この場合のC/Hの周波数特性の測定は、光
磁気記録媒体(ディスク)の回転数を360Orpm(
線速17m/s)、読み出しパワー2.0IIIW1ス
ヘクトラムアナライザーのRBWは30k)lz とし
た。この場合、ピット長駒0.75μmで、約54dB
の良好なC/Nが得られた。
また、上述の実施例1と比較例1と、更に実施例1にお
ける第1及び第2の磁性層(1)及び(2)の双方に全
<Crを添加しない従来の光磁気記録媒体との各腐蝕性
を1規定のNaC12溶液に浸したときの透過光量の変
化として測定した結果を、第5図に曲線(51) (5
2) (53)に示した。これより明らかなように、曲
線(52)で示される第1及び第2の磁性層(1)及び
(2)に、共に同量のCrを添加したものは、最も優れ
た耐蝕性を示すものの、曲線(51)で示される第2の
磁性層(2)にのみCrを添加した本発明による実施例
1のものも、殆ど遜色がなく、曲線(53)で示される
従来例のCrを全く添加しないものに比して格段に耐蝕
性が向上している。
ける第1及び第2の磁性層(1)及び(2)の双方に全
<Crを添加しない従来の光磁気記録媒体との各腐蝕性
を1規定のNaC12溶液に浸したときの透過光量の変
化として測定した結果を、第5図に曲線(51) (5
2) (53)に示した。これより明らかなように、曲
線(52)で示される第1及び第2の磁性層(1)及び
(2)に、共に同量のCrを添加したものは、最も優れ
た耐蝕性を示すものの、曲線(51)で示される第2の
磁性層(2)にのみCrを添加した本発明による実施例
1のものも、殆ど遜色がなく、曲線(53)で示される
従来例のCrを全く添加しないものに比して格段に耐蝕
性が向上している。
そして、第4図及び第5図の結果から、第2の磁性層(
2)にCrすなわち、前記組成式(1)及び(2)の元
素Xを添加し、第1の磁性層(1)には元素Xを添加し
ないが第2の磁性層(2)より少量に元素Xの添加を行
うつまり前記組成式(1)及び(2)において2■<z
Hとすることによって少(とも第4図の曲線(43)よ
り優れたC/N特性が得られ、しかも第5図曲線(51
)より優れた耐蝕性が得られることがわかる。
2)にCrすなわち、前記組成式(1)及び(2)の元
素Xを添加し、第1の磁性層(1)には元素Xを添加し
ないが第2の磁性層(2)より少量に元素Xの添加を行
うつまり前記組成式(1)及び(2)において2■<z
Hとすることによって少(とも第4図の曲線(43)よ
り優れたC/N特性が得られ、しかも第5図曲線(51
)より優れた耐蝕性が得られることがわかる。
尚、上述の例では耐蝕性を上げる元素XとしてCrを添
加した場合であるが、これ7に換えて或いはこれと共に
Tiを添加する場合においても殆ど同様の結果が得られ
ることが確かめられた。
加した場合であるが、これ7に換えて或いはこれと共に
Tiを添加する場合においても殆ど同様の結果が得られ
ることが確かめられた。
そして、前記組成式(1)に示すように、第1の磁性層
(1)においてGdのm X Iを15〜25原子%と
するときは、垂直磁性膜としての特性にすぐれCoO量
yXを5〜20原子%とするときは、大きなカー回転角
を示すことができる。また、Cr、Ti の元素つまり
X (D fil Z IはlO原子%を越えると磁気
的特性が低下し、C/Nの低下が著しくなる。また、前
記組成式(2)に示すように、第2の磁性層(2)に沿
いてTbのi X rxを15〜26原子%とするとき
は、垂直磁化膜としての特性にすぐれCr、Ti の元
素つまりXのffi Z xは10原子%を越えると耐
蝕性の効果は飽和し、しかも磁気的特性の低下を来すこ
とが確かめられた。
(1)においてGdのm X Iを15〜25原子%と
するときは、垂直磁性膜としての特性にすぐれCoO量
yXを5〜20原子%とするときは、大きなカー回転角
を示すことができる。また、Cr、Ti の元素つまり
X (D fil Z IはlO原子%を越えると磁気
的特性が低下し、C/Nの低下が著しくなる。また、前
記組成式(2)に示すように、第2の磁性層(2)に沿
いてTbのi X rxを15〜26原子%とするとき
は、垂直磁化膜としての特性にすぐれCr、Ti の元
素つまりXのffi Z xは10原子%を越えると耐
蝕性の効果は飽和し、しかも磁気的特性の低下を来すこ
とが確かめられた。
上述したように本発明によれば、第1及び第2の磁性層
(1)及び(2)による2層構造とし、一方の磁性層(
2)をいわば書き込みの磁性層とし、他方の磁性層(1
)を読み出しの磁性層としたことにより、書き込みの磁
性層(2)については、カー回転角を考慮することなく
、高保磁力、低キュリー点に選定でき、高密度高感度記
録ができ、また読み出しの磁性層〔1)については、保
磁力を考慮することなく磁気光学効果すなわちカー効果
の大きい磁性材料としたことによって再生感度の向上、
C/Hの向上をはかることができるが、特に本発明にお
いては、大きな磁気光学効果を必要とする第1の磁性層
(1)については、これに影響を与えるCrやTiを含
まないか、少量含ましめるのみで、主として第2の磁性
層(2)にCrやTiの添加を行うことで、積層磁性層
全体の耐蝕性の向上がはかられた。したがって、長期に
亘って安定した信頼性の高い磁気記録媒体を構成でき、
実用上に大きな効果を有する。
(1)及び(2)による2層構造とし、一方の磁性層(
2)をいわば書き込みの磁性層とし、他方の磁性層(1
)を読み出しの磁性層としたことにより、書き込みの磁
性層(2)については、カー回転角を考慮することなく
、高保磁力、低キュリー点に選定でき、高密度高感度記
録ができ、また読み出しの磁性層〔1)については、保
磁力を考慮することなく磁気光学効果すなわちカー効果
の大きい磁性材料としたことによって再生感度の向上、
C/Hの向上をはかることができるが、特に本発明にお
いては、大きな磁気光学効果を必要とする第1の磁性層
(1)については、これに影響を与えるCrやTiを含
まないか、少量含ましめるのみで、主として第2の磁性
層(2)にCrやTiの添加を行うことで、積層磁性層
全体の耐蝕性の向上がはかられた。したがって、長期に
亘って安定した信頼性の高い磁気記録媒体を構成でき、
実用上に大きな効果を有する。
第1図は本発明による光磁気記録媒体の一例の路線的断
面図、第2図は磁性層の保磁力Haの温度特性曲線図、
第3図は感度の線速度依存性を示す特性曲線図、第4図
はC/Nの記録周波数依存性を示す特性曲線図、第5図
は透過率変化を示す曲線図である。 (1)及び(2)は第1及び第2の磁性層である。 ネ舟eAl:よる尤モa負鉄l端j茎体の一イテjの新
ff1lコ第1図 感度の韓連柴4岑1 第3図 省!+i管e+ (J m71JHc ’ ijn/l
j’) a第2図 周波六(MHz ) C/Nの記i士」H数依4]1 第4図
面図、第2図は磁性層の保磁力Haの温度特性曲線図、
第3図は感度の線速度依存性を示す特性曲線図、第4図
はC/Nの記録周波数依存性を示す特性曲線図、第5図
は透過率変化を示す曲線図である。 (1)及び(2)は第1及び第2の磁性層である。 ネ舟eAl:よる尤モa負鉄l端j茎体の一イテjの新
ff1lコ第1図 感度の韓連柴4岑1 第3図 省!+i管e+ (J m71JHc ’ ijn/l
j’) a第2図 周波六(MHz ) C/Nの記i士」H数依4]1 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第1の磁性層と、第2の磁性層とが互いに磁気的に交換
結合するように積層されて成り、 上記第1の磁性層はGd_x_ I (Fe_1_0_0
_−_y_ I −_z_ I Co_y_ I X_z_ I )
_1_0_0_−_x_ I なる組成を有し、磁気光学
効果が大で高キュリー温度及び低保磁力の垂直磁化膜よ
り成り、 上記第2の磁性層は、Tb_x_II(Fe_1_0_0
_−_y_II_−_z_IICo_y_IIX_z_II)_
1_0_0_−_X_IIなる組成を有し、低キュリー温
度及び高保磁力の垂直磁化膜より成り、 上記組成式中Xは、Cr及びTiのいずれか一種以上の
元素で、 〔X_ I は15〜25原子% y_ I は5〜20原子% z_ I は0〜10原子% 〔x_IIは15〜26原子% y_IIは5〜10原子% z_IIは5〜15原子% であってz_ I <z_IIとされた光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29562288A JPH02141950A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29562288A JPH02141950A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02141950A true JPH02141950A (ja) | 1990-05-31 |
Family
ID=17823017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29562288A Pending JPH02141950A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02141950A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02273347A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-07 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
JPH03122850A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-24 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP29562288A patent/JPH02141950A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02273347A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-07 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
JPH03122850A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-24 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
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