JPH11185312A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH11185312A JPH11185312A JP9345085A JP34508597A JPH11185312A JP H11185312 A JPH11185312 A JP H11185312A JP 9345085 A JP9345085 A JP 9345085A JP 34508597 A JP34508597 A JP 34508597A JP H11185312 A JPH11185312 A JP H11185312A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
- G11B11/10593—Details for improving read-out properties, e.g. polarisation of light
Abstract
(57)【要約】
【課題】 信号を光磁気記録媒体に記録する場合に、記
録層以外の磁性層からの磁気的影響を除去し、記録層の
磁気特性にのみ起因して記録条件を決定できるととも
に、再生時に、静磁結合と交換結合により記録層の磁化
を再生層へ転写して信号を再生できる光磁気記録媒体を
提供する。 【解決手段】 透光性の基板１上に、再生層３、転写層
４、磁気遮断層５、および記録層６を、この順序で光磁
気記録媒体１０に含み、再生層３と転写層４とが面内磁
化膜から垂直磁化膜へ変化する温度を、それぞれ、第２
の転写温度、第１の転写温度とした場合に、第１の転写
温度で記録層６から転写層４へ静磁結合により磁区６０
が転写され、第１の転写温度より高い第２の転写温度で
転写層４から再生層３へ交換結合により磁区４５が転写
されるように第１の転写温度と第２の転写温度を設定す
る。
録層以外の磁性層からの磁気的影響を除去し、記録層の
磁気特性にのみ起因して記録条件を決定できるととも
に、再生時に、静磁結合と交換結合により記録層の磁化
を再生層へ転写して信号を再生できる光磁気記録媒体を
提供する。 【解決手段】 透光性の基板１上に、再生層３、転写層
４、磁気遮断層５、および記録層６を、この順序で光磁
気記録媒体１０に含み、再生層３と転写層４とが面内磁
化膜から垂直磁化膜へ変化する温度を、それぞれ、第２
の転写温度、第１の転写温度とした場合に、第１の転写
温度で記録層６から転写層４へ静磁結合により磁区６０
が転写され、第１の転写温度より高い第２の転写温度で
転写層４から再生層３へ交換結合により磁区４５が転写
されるように第１の転写温度と第２の転写温度を設定す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、信号を高密度に記
録および／または再生が可能な光磁気記録媒体に関す
る。
録および／または再生が可能な光磁気記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は、書き換え可能で、記
憶容量が大きく、且つ、信頼性の高い記録媒体として注
目されており、コンピュータメモリ等として実用化さ
れ、普及し始めている。しかし、情報量の増大と装置の
ダウンサイジング化に伴い、より一層の高密度記録再生
技術が要請されている。
憶容量が大きく、且つ、信頼性の高い記録媒体として注
目されており、コンピュータメモリ等として実用化さ
れ、普及し始めている。しかし、情報量の増大と装置の
ダウンサイジング化に伴い、より一層の高密度記録再生
技術が要請されている。
【０００３】高密度記録再生技術は、装置側の技術と媒
体側の技術とから成り、前者の技術としては、レーザ光
の回折限界を超える集光スポットを得る光学的超解像手
法やレーザ光の短波長化などがある。後者の技術として
は、媒体の狭ピッチ化や磁気多層膜による再生分解能の
向上化の技術があり、例えば、Y. Murayama et al.:”S
UPER RESOLUTION READOUT OF A MAGNETO-OPTICAL DISK
WITH AN IN-PLANE MAGNETIZATION LAYER”:Proceedings
of Magneto-Optical Recording International Sympos
ium ’92, J. Magn. Soc. Jpn., Vol.17, Supplement N
o. S1(1993),pp201-204に詳しい。ここで、磁気多層膜
による再生分解能の向上化技術は、レーザ スポットの
温度分布が中心付近において最高となるガウス分布を成
すことを利用して、記録層の磁区を再生層に選択的に転
写して、再生するものである。
体側の技術とから成り、前者の技術としては、レーザ光
の回折限界を超える集光スポットを得る光学的超解像手
法やレーザ光の短波長化などがある。後者の技術として
は、媒体の狭ピッチ化や磁気多層膜による再生分解能の
向上化の技術があり、例えば、Y. Murayama et al.:”S
UPER RESOLUTION READOUT OF A MAGNETO-OPTICAL DISK
WITH AN IN-PLANE MAGNETIZATION LAYER”:Proceedings
of Magneto-Optical Recording International Sympos
ium ’92, J. Magn. Soc. Jpn., Vol.17, Supplement N
o. S1(1993),pp201-204に詳しい。ここで、磁気多層膜
による再生分解能の向上化技術は、レーザ スポットの
温度分布が中心付近において最高となるガウス分布を成
すことを利用して、記録層の磁区を再生層に選択的に転
写して、再生するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、記録層と再生
層とが接した従来の光磁気記録媒体の構造では、記録層
と再生層とが交換結合しているため、レーザビームによ
り記録層をキュリー温度以上に昇温した状態で外部磁界
を印加することにより信号を記録する場合、再生層の磁
化が記録層の磁化に影響を与えることになり、信号が安
定して記録できないという問題があった。また、再生層
のキュリー温度は記録層のキュリー温度より高いため、
再生層の磁化の影響を少なくするために再生層をキュリ
ー温度以上にまで昇温して記録しようとするとレーザパ
ワーを高くしなければならないという問題があった。
層とが接した従来の光磁気記録媒体の構造では、記録層
と再生層とが交換結合しているため、レーザビームによ
り記録層をキュリー温度以上に昇温した状態で外部磁界
を印加することにより信号を記録する場合、再生層の磁
化が記録層の磁化に影響を与えることになり、信号が安
定して記録できないという問題があった。また、再生層
のキュリー温度は記録層のキュリー温度より高いため、
再生層の磁化の影響を少なくするために再生層をキュリ
ー温度以上にまで昇温して記録しようとするとレーザパ
ワーを高くしなければならないという問題があった。
【０００５】一方、再生時においても、記録層と再生層
とが交換結合しているため、記録層の磁区を選択的に再
生層へ転写して再生しようとした場合、再生層への転写
温度をある程度高く設定する必要があった。そのため、
レーザパワーを高くする必要があり、その結果、記録層
の温度を昇温させ、再生しようとする記録層の磁区の選
択性を低下させるという問題があった。
とが交換結合しているため、記録層の磁区を選択的に再
生層へ転写して再生しようとした場合、再生層への転写
温度をある程度高く設定する必要があった。そのため、
レーザパワーを高くする必要があり、その結果、記録層
の温度を昇温させ、再生しようとする記録層の磁区の選
択性を低下させるという問題があった。
【０００６】そこで、本発明は、かかる問題を解決し、
記録時には、再生層の磁化に影響されることなく低パワ
ーのレーザビームにより高密度な記録を行うことがで
き、再生時には、記録層の磁化の選択性を向上させ、高
密度な再生が可能な光磁気記録媒体を提供することを目
的とする。
記録時には、再生層の磁化に影響されることなく低パワ
ーのレーザビームにより高密度な記録を行うことがで
き、再生時には、記録層の磁化の選択性を向上させ、高
密度な再生が可能な光磁気記録媒体を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
記録層と再生層との間に非磁性層を設けることにより再
生層と磁気的に遮断して信号を記録可能な光磁気記録媒
体である。また、請求項２に係る発明は、記録層と再生
層との間に非磁性層を設けることにより、記録時には再
生層と磁気的に遮断して信号を記録し、再生時には静磁
結合により記録層から再生層に磁区を転写して信号を再
生する光磁気記録媒体である。
記録層と再生層との間に非磁性層を設けることにより再
生層と磁気的に遮断して信号を記録可能な光磁気記録媒
体である。また、請求項２に係る発明は、記録層と再生
層との間に非磁性層を設けることにより、記録時には再
生層と磁気的に遮断して信号を記録し、再生時には静磁
結合により記録層から再生層に磁区を転写して信号を再
生する光磁気記録媒体である。
【０００８】また、請求項３に係る発明は、信号を記録
する記録層と、再生時に記録層から磁区を転写される再
生層と、記録層と再生層との間に設けられ、記録時に記
録層と再生層とを磁気的に遮断する遮断層とを含む光磁
気記録媒体である。遮断層は、記録時に記録層と再生層
とを磁気的に遮断するため、信号は再生層の磁気特性に
影響されずに記録され、再生時には、記録層から再生層
へ静磁結合により転写される。
する記録層と、再生時に記録層から磁区を転写される再
生層と、記録層と再生層との間に設けられ、記録時に記
録層と再生層とを磁気的に遮断する遮断層とを含む光磁
気記録媒体である。遮断層は、記録時に記録層と再生層
とを磁気的に遮断するため、信号は再生層の磁気特性に
影響されずに記録され、再生時には、記録層から再生層
へ静磁結合により転写される。
【０００９】また、請求項４に係る発明は、請求項３に
記載された光磁気記録媒体の構成において、記録層が磁
性膜と非磁性膜とを交互に積層した多層膜である光磁気
記録媒体である。また、請求項５に係る発明は、記録層
と再生層との間に非磁性層を設けることにより、記録時
には再生層と磁気的に遮断して信号を記録し、再生時に
は静磁結合と交換結合とにより記録層から再生層に磁区
を転写して信号を再生する光磁気記録媒体である。
記載された光磁気記録媒体の構成において、記録層が磁
性膜と非磁性膜とを交互に積層した多層膜である光磁気
記録媒体である。また、請求項５に係る発明は、記録層
と再生層との間に非磁性層を設けることにより、記録時
には再生層と磁気的に遮断して信号を記録し、再生時に
は静磁結合と交換結合とにより記録層から再生層に磁区
を転写して信号を再生する光磁気記録媒体である。
【００１０】また、請求項６に係る発明は、信号を記録
する記録層と、記録層の磁区が第１の転写温度で転写さ
れる転写層と、記録層と転写層との間に設けられた遮断
層と、転写層に転写された磁区が第１の転写温度より高
い第２の転写温度で転写される再生層とを含む光磁気記
録媒体光磁気記録媒体である。
する記録層と、記録層の磁区が第１の転写温度で転写さ
れる転写層と、記録層と転写層との間に設けられた遮断
層と、転写層に転写された磁区が第１の転写温度より高
い第２の転写温度で転写される再生層とを含む光磁気記
録媒体光磁気記録媒体である。
【００１１】また、請求項７に係る発明は、請求項６に
記載された光磁気記録媒体の構成において、記録層が第
１の転写温度で飽和磁化が最大となる材料から成る光磁
気記録媒体である。また、請求項８に係る発明は、請求
項６に記載された光磁気記録媒体において、記録層が補
償組成から成る第１の層と、第１の転写温度で飽和磁化
が最大となる材料から成る第２の層とを含み、第２の層
が遮断層側に設けられている光磁気記録媒体である。
記載された光磁気記録媒体の構成において、記録層が第
１の転写温度で飽和磁化が最大となる材料から成る光磁
気記録媒体である。また、請求項８に係る発明は、請求
項６に記載された光磁気記録媒体において、記録層が補
償組成から成る第１の層と、第１の転写温度で飽和磁化
が最大となる材料から成る第２の層とを含み、第２の層
が遮断層側に設けられている光磁気記録媒体である。
【００１２】また、請求項９に係る発明は、請求項６に
記載された光磁気記録媒体の構成において、記録層が磁
性膜と非磁性膜とを交互に積層した多層膜である光磁気
記録媒体である。また、請求項１０に係る発明は、請求
項７から請求項９のいずれか１項に記載された光磁気記
録媒体の構成において、転写層が室温で面内磁化膜であ
り、第１の転写温度で垂直磁化膜となる磁性膜である光
磁気記録媒体である。
記載された光磁気記録媒体の構成において、記録層が磁
性膜と非磁性膜とを交互に積層した多層膜である光磁気
記録媒体である。また、請求項１０に係る発明は、請求
項７から請求項９のいずれか１項に記載された光磁気記
録媒体の構成において、転写層が室温で面内磁化膜であ
り、第１の転写温度で垂直磁化膜となる磁性膜である光
磁気記録媒体である。
【００１３】また、請求項１１に係る発明は、請求項７
から請求項９のいずれか１項に記載された光磁気記録媒
体の構成において、再生層が室温で面内磁化膜であり、
第２の転写温度で垂直磁化膜となる磁性膜である光磁気
記録媒体である。また、請求項１２に係る発明は、請求
項７から請求項９のいずれか１項に記載された光磁気記
録媒体の構成において、転写層が室温で面内磁化膜であ
り、第１の転写温度で垂直磁化膜となる磁性膜から成
り、再生層が室温で面内磁化膜であり、第２の転写温度
で垂直磁化膜となる磁性膜から成る光磁気記録媒体であ
る。
から請求項９のいずれか１項に記載された光磁気記録媒
体の構成において、再生層が室温で面内磁化膜であり、
第２の転写温度で垂直磁化膜となる磁性膜である光磁気
記録媒体である。また、請求項１２に係る発明は、請求
項７から請求項９のいずれか１項に記載された光磁気記
録媒体の構成において、転写層が室温で面内磁化膜であ
り、第１の転写温度で垂直磁化膜となる磁性膜から成
り、再生層が室温で面内磁化膜であり、第２の転写温度
で垂直磁化膜となる磁性膜から成る光磁気記録媒体であ
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】第１の実施の形態 図を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
図１を参照して本発明に係る光磁気記録媒体１０の断面
構造について説明する。光磁気記録媒体１０は、透光性
のポリカーボネートから成る基板１上にＳｉＮから成る
干渉層２、Ｇｄ 33（Ｆｅ70Ｃｏ30）67から成る再生層
３、Ｇｄ28（Ｆｅ90Ｃｏ10）72から成る転写層４、Ｓｉ
Ｎから成る磁気遮断層５、Ｔｂ20（Ｆｅ90Ｃｏ10）80か
ら成る記録層６、ＳｉＮから成る保護層７を、この順序
で積層した断面構造である。干渉層２、再生層３、転写
層４、磁気遮断層５、記録層６、および保護層７は、Ｒ
Ｆスパッタリング法により形成される。また、各層の膜
厚は、干渉層２が７００Å、再生層３が１０００Å、転
写層４が５００Å、磁気遮断層５が１５０Å、記録層６
が５００Å、および保護層７が７００Åである。また、
再生層３と転写層４とは室温で面内磁化膜であり、所定
の温度以上で垂直磁化膜となる性質を有する磁性膜であ
る。本実施の形態においては、再生層３が面内磁化膜か
ら垂直磁化膜に変化する転移温度は１５０℃程度であ
り、転写層４のそれは５０℃程度に設定する。光磁気記
録媒体１０は、記録層６と再生層３との間に磁気遮断層
５が挿入されている点に１つの特徴がある。
図１を参照して本発明に係る光磁気記録媒体１０の断面
構造について説明する。光磁気記録媒体１０は、透光性
のポリカーボネートから成る基板１上にＳｉＮから成る
干渉層２、Ｇｄ 33（Ｆｅ70Ｃｏ30）67から成る再生層
３、Ｇｄ28（Ｆｅ90Ｃｏ10）72から成る転写層４、Ｓｉ
Ｎから成る磁気遮断層５、Ｔｂ20（Ｆｅ90Ｃｏ10）80か
ら成る記録層６、ＳｉＮから成る保護層７を、この順序
で積層した断面構造である。干渉層２、再生層３、転写
層４、磁気遮断層５、記録層６、および保護層７は、Ｒ
Ｆスパッタリング法により形成される。また、各層の膜
厚は、干渉層２が７００Å、再生層３が１０００Å、転
写層４が５００Å、磁気遮断層５が１５０Å、記録層６
が５００Å、および保護層７が７００Åである。また、
再生層３と転写層４とは室温で面内磁化膜であり、所定
の温度以上で垂直磁化膜となる性質を有する磁性膜であ
る。本実施の形態においては、再生層３が面内磁化膜か
ら垂直磁化膜に変化する転移温度は１５０℃程度であ
り、転写層４のそれは５０℃程度に設定する。光磁気記
録媒体１０は、記録層６と再生層３との間に磁気遮断層
５が挿入されている点に１つの特徴がある。
【００１５】図２を参照して、記録層６と再生層３とが
接した従来の光磁気記録媒体１００への信号記録につい
て説明する。光磁気記録媒体１００に信号が記録される
場合、記録層６側から磁界１１が印加され、再生層３側
からレーザビーム１２が照射される。通常、記録層のキ
ュリー温度は、再生層のキュリー温度より低いため、光
磁気記録媒体１００に信号が記録されるとき、光磁気記
録媒体１００の温度は、記録層のキュリー温度と再生層
のキュリー温度との間の温度になっているか、再生層の
キュリー温度より高い温度になっているかのいずれかで
ある。このような状態で、外部から磁界１１が印加され
ると、まず、再生層３に記録のために外部から印加され
た磁界と同じ方向に磁化された磁区３０が形成される
（図２の（ａ）参照）。その後、磁区３０が形成された
領域の温度が下がり、記録層６のキュリー温度より低く
なると再生層３の磁区３０は交換結合により記録層６へ
転写され、記録層６に磁区６０が形成される（図２の
（ｂ）参照）。従って、従来の光磁気記録媒体１００に
信号を記録しようとした場合、再生層３と記録層６との
条件を考慮して記録条件を決定する必要がある。具体的
には、記録時の温度を再生層３のキュリー温度より高い
温度に設定しようとすれば、高いレーザパワーが必要に
なること、また、正確な信号を記録するためには、ま
ず、再生層３に正確に磁区を形成することが必要であ
り、再生層３の磁気特性が信号記録に影響すること、更
に、再生層３に形成された磁区３０を記録層６に交換結
合により転写しようとすれば、記録層６のキュリー温度
と再生層３のキュリー温度との関係を考慮して光磁気記
録媒体１００を作製しなければならない、という点等で
ある。
接した従来の光磁気記録媒体１００への信号記録につい
て説明する。光磁気記録媒体１００に信号が記録される
場合、記録層６側から磁界１１が印加され、再生層３側
からレーザビーム１２が照射される。通常、記録層のキ
ュリー温度は、再生層のキュリー温度より低いため、光
磁気記録媒体１００に信号が記録されるとき、光磁気記
録媒体１００の温度は、記録層のキュリー温度と再生層
のキュリー温度との間の温度になっているか、再生層の
キュリー温度より高い温度になっているかのいずれかで
ある。このような状態で、外部から磁界１１が印加され
ると、まず、再生層３に記録のために外部から印加され
た磁界と同じ方向に磁化された磁区３０が形成される
（図２の（ａ）参照）。その後、磁区３０が形成された
領域の温度が下がり、記録層６のキュリー温度より低く
なると再生層３の磁区３０は交換結合により記録層６へ
転写され、記録層６に磁区６０が形成される（図２の
（ｂ）参照）。従って、従来の光磁気記録媒体１００に
信号を記録しようとした場合、再生層３と記録層６との
条件を考慮して記録条件を決定する必要がある。具体的
には、記録時の温度を再生層３のキュリー温度より高い
温度に設定しようとすれば、高いレーザパワーが必要に
なること、また、正確な信号を記録するためには、ま
ず、再生層３に正確に磁区を形成することが必要であ
り、再生層３の磁気特性が信号記録に影響すること、更
に、再生層３に形成された磁区３０を記録層６に交換結
合により転写しようとすれば、記録層６のキュリー温度
と再生層３のキュリー温度との関係を考慮して光磁気記
録媒体１００を作製しなければならない、という点等で
ある。
【００１６】図３を参照して、光磁気記録媒体１０への
信号記録について説明する。光磁気記録媒体１０に信号
を記録する場合は、光磁気記録媒体１０の温度が記録層
６のキュリー温度より高くなるパワーのレーザビームを
照射する。この場合、転写層４、および再生層３は、そ
のキュリー温度より高い温度になっている。かかる状態
で記録のために外部から磁界１１が印加され、光磁気記
録媒体１０の温度が記録層６のキュリー温度より低下す
ると転写層４と記録層６とに印加磁界と同じ方向の磁化
を有する磁区４０、６０が形成される。しかし、記録層
６と転写層４との間には、磁気遮断層５が存在するため
転写層４に形成された磁区４０と記録層６に形成された
磁区６０とは交換結合されることはない。磁区４０が磁
区６０に磁気的に与える影響としては磁区４０からの漏
洩磁界４１が考えられるが、この漏洩磁界４１は記録の
ために外部から印加される磁界１１より小さい。従っ
て、磁区６０は、転写層４に形成された磁区４０から磁
気的影響を何ら受けることなく、外部から印加される磁
界１１にのみ起因して形成される。即ち、記録層６への
信号の記録条件は、記録層６の特性で決定されることに
なり、従来の光磁気記録媒体１００のように、再生層
３、および記録層６の両層の特性を考慮して決定する必
要はない。
信号記録について説明する。光磁気記録媒体１０に信号
を記録する場合は、光磁気記録媒体１０の温度が記録層
６のキュリー温度より高くなるパワーのレーザビームを
照射する。この場合、転写層４、および再生層３は、そ
のキュリー温度より高い温度になっている。かかる状態
で記録のために外部から磁界１１が印加され、光磁気記
録媒体１０の温度が記録層６のキュリー温度より低下す
ると転写層４と記録層６とに印加磁界と同じ方向の磁化
を有する磁区４０、６０が形成される。しかし、記録層
６と転写層４との間には、磁気遮断層５が存在するため
転写層４に形成された磁区４０と記録層６に形成された
磁区６０とは交換結合されることはない。磁区４０が磁
区６０に磁気的に与える影響としては磁区４０からの漏
洩磁界４１が考えられるが、この漏洩磁界４１は記録の
ために外部から印加される磁界１１より小さい。従っ
て、磁区６０は、転写層４に形成された磁区４０から磁
気的影響を何ら受けることなく、外部から印加される磁
界１１にのみ起因して形成される。即ち、記録層６への
信号の記録条件は、記録層６の特性で決定されることに
なり、従来の光磁気記録媒体１００のように、再生層
３、および記録層６の両層の特性を考慮して決定する必
要はない。
【００１７】以上説明したように本発明に係る光磁気記
録媒体１０においては、記録条件を記録層６の特性のみ
に起因して決定できるという効果がある。次に、光磁気
記録媒体１０からの信号再生について説明する。図４
は、記録層６に用いられるＴｂ20（Ｆｅ90Ｃｏ10）
80と、転写層４に用いられるＧｄ28（Ｆｅ90Ｃｏ10）72
との飽和磁化の温度依存性を示したものである。曲線６
０は、記録層６、曲線３０は転写層４の特性を示す。記
録層６としてのＴｂ20（Ｆｅ90Ｃｏ10）80は、室温から
温度が上昇すると共に飽和磁化が増加し、５０℃付近で
最大となり、５０℃以上では、温度上昇と共に飽和磁化
は小さくなる。一方、転写層４としてのＧｄ28（Ｆｅ90
Ｃｏ10）72は、室温から２６０℃付近までは温度上昇と
共に飽和磁化は小さくなる。飽和磁化が大きいというこ
とは、漏洩磁界が大きいことに相当し、静磁結合による
磁気転写が起こり易いことを意味する。また、転写層４
としてのＧｄ28（Ｆｅ90Ｃｏ10）72は室温で面内磁化膜
であり５０℃付近で垂直磁化膜となる性質を持つ磁性膜
である。従って、光磁気記録媒体１０にレーザビームが
照射され、記録層６、転写層４の温度が５０℃付近まで
昇温されると記録層６から転写層４へ静磁結合により磁
区が転写されることになる。
録媒体１０においては、記録条件を記録層６の特性のみ
に起因して決定できるという効果がある。次に、光磁気
記録媒体１０からの信号再生について説明する。図４
は、記録層６に用いられるＴｂ20（Ｆｅ90Ｃｏ10）
80と、転写層４に用いられるＧｄ28（Ｆｅ90Ｃｏ10）72
との飽和磁化の温度依存性を示したものである。曲線６
０は、記録層６、曲線３０は転写層４の特性を示す。記
録層６としてのＴｂ20（Ｆｅ90Ｃｏ10）80は、室温から
温度が上昇すると共に飽和磁化が増加し、５０℃付近で
最大となり、５０℃以上では、温度上昇と共に飽和磁化
は小さくなる。一方、転写層４としてのＧｄ28（Ｆｅ90
Ｃｏ10）72は、室温から２６０℃付近までは温度上昇と
共に飽和磁化は小さくなる。飽和磁化が大きいというこ
とは、漏洩磁界が大きいことに相当し、静磁結合による
磁気転写が起こり易いことを意味する。また、転写層４
としてのＧｄ28（Ｆｅ90Ｃｏ10）72は室温で面内磁化膜
であり５０℃付近で垂直磁化膜となる性質を持つ磁性膜
である。従って、光磁気記録媒体１０にレーザビームが
照射され、記録層６、転写層４の温度が５０℃付近まで
昇温されると記録層６から転写層４へ静磁結合により磁
区が転写されることになる。
【００１８】図５を参照して、光磁気記録媒体１０の信
号の再生機構について説明する。図５の（ａ）は、光磁
気記録媒体１０の温度が室温の場合の再生層３、転写層
４、磁気遮断層５、および記録層６の断面を示したもの
である。室温の場合、再生層３と転写層４は、面内磁化
膜となっており、記録層６は磁化の向きが異なる磁区が
形成され信号が記録された状態になっている。また、記
録層６の磁区６０からは漏洩磁界５０が生成されてい
る。
号の再生機構について説明する。図５の（ａ）は、光磁
気記録媒体１０の温度が室温の場合の再生層３、転写層
４、磁気遮断層５、および記録層６の断面を示したもの
である。室温の場合、再生層３と転写層４は、面内磁化
膜となっており、記録層６は磁化の向きが異なる磁区が
形成され信号が記録された状態になっている。また、記
録層６の磁区６０からは漏洩磁界５０が生成されてい
る。
【００１９】次に、図５の（ｂ）を参照して、再生層３
側からレーザビームが照射され、光磁気記録媒体１０の
温度が上昇し、５０℃付近になると記録層６の磁区６０
からの漏洩磁界５０が最大となり、転写層４に漏洩磁界
５０により磁気的影響を及ぼす。また、転写層４はこの
温度で面内磁化膜から垂直磁化膜になろうという性質が
強くなっている。従って、転写層４には、静磁結合によ
り磁区６０の磁化方向と同じ磁化を持つ磁区４５が転写
される。この場合、再生層３は面内磁化膜となってい
る。
側からレーザビームが照射され、光磁気記録媒体１０の
温度が上昇し、５０℃付近になると記録層６の磁区６０
からの漏洩磁界５０が最大となり、転写層４に漏洩磁界
５０により磁気的影響を及ぼす。また、転写層４はこの
温度で面内磁化膜から垂直磁化膜になろうという性質が
強くなっている。従って、転写層４には、静磁結合によ
り磁区６０の磁化方向と同じ磁化を持つ磁区４５が転写
される。この場合、再生層３は面内磁化膜となってい
る。
【００２０】更に、図５の（ｃ）を参照して、光磁気記
録媒体１０の温度が更に上昇して１５０℃程度になる
と、再生層３が面内磁化膜から垂直磁化膜に変化する性
質が強くなっているので、転写層４から再生層３へ交換
結合による転写が起こり、再生層３に磁区３５が形成さ
れる。その結果、再生層３に転写された磁区３５がレー
ザビームにより検出されることにより記録層６に記録さ
れた磁区６０が再生されることになる。なお、１５０℃
程度の温度になると記録層６の磁区６０の飽和磁化が低
下するため（上記図４参照）、磁区６０からの漏洩磁界
５０も小さくなっている。
録媒体１０の温度が更に上昇して１５０℃程度になる
と、再生層３が面内磁化膜から垂直磁化膜に変化する性
質が強くなっているので、転写層４から再生層３へ交換
結合による転写が起こり、再生層３に磁区３５が形成さ
れる。その結果、再生層３に転写された磁区３５がレー
ザビームにより検出されることにより記録層６に記録さ
れた磁区６０が再生されることになる。なお、１５０℃
程度の温度になると記録層６の磁区６０の飽和磁化が低
下するため（上記図４参照）、磁区６０からの漏洩磁界
５０も小さくなっている。
【００２１】従って、光磁気記録媒体１０においては、
再生時に記録層６から転写層４に５０℃程度の温度
（「第１の転写温度」という。）で静磁結合により磁区
が転写され、１５０℃程度の温度（「第２の転写温度」
という。）で交換結合により転写層４から再生層３に磁
区が転写されて信号が再生される点が第２の特徴であ
る。また、第１の転写温度、第２の転写温度は、それぞ
れ、５０℃、１５０℃に限定されることはなく、一般的
に、第１の転写温度が第２の転写温度より低ければよ
い。
再生時に記録層６から転写層４に５０℃程度の温度
（「第１の転写温度」という。）で静磁結合により磁区
が転写され、１５０℃程度の温度（「第２の転写温度」
という。）で交換結合により転写層４から再生層３に磁
区が転写されて信号が再生される点が第２の特徴であ
る。また、第１の転写温度、第２の転写温度は、それぞ
れ、５０℃、１５０℃に限定されることはなく、一般的
に、第１の転写温度が第２の転写温度より低ければよ
い。
【００２２】本発明に係る光磁気記録媒体は、図１に示
す光磁気記録媒体１０に限らず、図６に示す光磁気記録
媒体２０であってもよい。光磁気記録媒体２０は、光磁
気記録媒体１０において、記録層６が補償組成（保持力
が無限大となる組成）である第１の磁性層６６２と、第
１の転写温度付近で飽和磁化が最大となる第２の磁性膜
６６１とから成る光磁気記録媒体である。従って、干渉
層２、再生層３、転写層４、及び磁気遮断層５について
は図１と同じであるので、その説明を省略する。第１の
磁性層６６２としてはＴｂ25（Ｆｅ87Ｃｏ13）75が、第
２の磁性層６６１としてはＴｂ20（Ｆｅ90Ｃｏ10）80が
用いられる。
す光磁気記録媒体１０に限らず、図６に示す光磁気記録
媒体２０であってもよい。光磁気記録媒体２０は、光磁
気記録媒体１０において、記録層６が補償組成（保持力
が無限大となる組成）である第１の磁性層６６２と、第
１の転写温度付近で飽和磁化が最大となる第２の磁性膜
６６１とから成る光磁気記録媒体である。従って、干渉
層２、再生層３、転写層４、及び磁気遮断層５について
は図１と同じであるので、その説明を省略する。第１の
磁性層６６２としてはＴｂ25（Ｆｅ87Ｃｏ13）75が、第
２の磁性層６６１としてはＴｂ20（Ｆｅ90Ｃｏ10）80が
用いられる。
【００２３】図７を参照して、第１の磁性層６６２、第
２の磁性層６６１、および転写層４の飽和磁化の温度依
存性について説明する。曲線３０は転写層４の特性を示
し、上記図４と同じであるので、その説明は省略する。
また、曲線６０は、第２の磁性層６６１の特性を示し、
図４の曲線６０と同じであるので、その説明を省略す
る。曲線８０は、第１の磁性膜６６２の特性を示し、第
２の磁性層６６１の特性（曲線６０で示す）に比べ、室
温では飽和磁化が零、即ち、保持力が無限大であり、５
０℃付近でも飽和磁化が低い磁気的特性を有している。
２の磁性層６６１、および転写層４の飽和磁化の温度依
存性について説明する。曲線３０は転写層４の特性を示
し、上記図４と同じであるので、その説明は省略する。
また、曲線６０は、第２の磁性層６６１の特性を示し、
図４の曲線６０と同じであるので、その説明を省略す
る。曲線８０は、第１の磁性膜６６２の特性を示し、第
２の磁性層６６１の特性（曲線６０で示す）に比べ、室
温では飽和磁化が零、即ち、保持力が無限大であり、５
０℃付近でも飽和磁化が低い磁気的特性を有している。
【００２４】光磁気記録媒体２０では、保持力が無限大
である第１の磁性層６６２は、磁気遮断層５とは反対側
に配置し、５０℃付近で飽和磁化が最大となる第２の磁
性膜６６１を磁気遮断層５と接するように配置してい
る。かかる構造を採用することにより、第１の磁性層６
６２に安定して信号を記録できるとともに、再生時に
は、第２の磁性層６６１からの漏洩磁界が第１の転写温
度付近で最大となることを利用して静磁結合により記録
層６６から転写層４へ磁区を転写することを特徴とす
る。その他については、光磁気記録媒体１０と同じであ
る。
である第１の磁性層６６２は、磁気遮断層５とは反対側
に配置し、５０℃付近で飽和磁化が最大となる第２の磁
性膜６６１を磁気遮断層５と接するように配置してい
る。かかる構造を採用することにより、第１の磁性層６
６２に安定して信号を記録できるとともに、再生時に
は、第２の磁性層６６１からの漏洩磁界が第１の転写温
度付近で最大となることを利用して静磁結合により記録
層６６から転写層４へ磁区を転写することを特徴とす
る。その他については、光磁気記録媒体１０と同じであ
る。
【００２５】図８を参照して、光磁気記録媒体２０から
の信号の再生について説明する。図８の（ａ）を参照し
て、光磁気記録媒体２０の温度が室温の場合、再生層３
と転写層４は、面内磁化膜となっており、記録層６６は
磁化の向きが異なる磁区が形成され信号が記録された状
態になっている。また、記録層６６の第１の磁性層６６
２の磁区６１からは漏洩磁界は生成されず、第２の磁性
層６６１の磁区６２からは漏洩磁界５１が生成されてい
る。
の信号の再生について説明する。図８の（ａ）を参照し
て、光磁気記録媒体２０の温度が室温の場合、再生層３
と転写層４は、面内磁化膜となっており、記録層６６は
磁化の向きが異なる磁区が形成され信号が記録された状
態になっている。また、記録層６６の第１の磁性層６６
２の磁区６１からは漏洩磁界は生成されず、第２の磁性
層６６１の磁区６２からは漏洩磁界５１が生成されてい
る。
【００２６】次に、図８の（ｂ）を参照して、再生層３
側からレーザビームが照射され、光磁気記録媒体２０の
温度が上昇し、５０℃付近になると記録層６の磁区６２
からの漏洩磁界５１が最大となり、転写層４に漏洩磁界
５１により磁気的影響を及ぼす。また、転写層４はこの
温度で面内磁化膜から垂直磁化膜になろうという性質が
強くなっている。従って、転写層４には、静磁結合によ
り磁区６２の磁化方向と同じ磁化を持つ磁区４６が転写
される。この場合、再生層３は面内磁化膜となってい
る。
側からレーザビームが照射され、光磁気記録媒体２０の
温度が上昇し、５０℃付近になると記録層６の磁区６２
からの漏洩磁界５１が最大となり、転写層４に漏洩磁界
５１により磁気的影響を及ぼす。また、転写層４はこの
温度で面内磁化膜から垂直磁化膜になろうという性質が
強くなっている。従って、転写層４には、静磁結合によ
り磁区６２の磁化方向と同じ磁化を持つ磁区４６が転写
される。この場合、再生層３は面内磁化膜となってい
る。
【００２７】更に、図８の（ｃ）を参照して、光磁気記
録媒体２０の温度が更に上昇して１５０℃程度になる
と、再生層３が面内磁化膜から垂直磁化膜に変化する性
質が強くなっているので、転写層４から再生層３へ交換
結合による転写が起こり、再生層３に磁区３６が形成さ
れる。その結果、再生層３に転写された磁区３６がレー
ザビームにより検出されることにより記録層６６の第１
の磁性層６６２に安定にに記録された磁区６１が再生さ
れることになる。なお、１５０℃程度の温度になると記
録層６６の第２の磁性層６６１の磁区６２の飽和磁化が
低下するため（上記図４参照）、磁区６２からの漏洩磁
界５０も小さくなっている。
録媒体２０の温度が更に上昇して１５０℃程度になる
と、再生層３が面内磁化膜から垂直磁化膜に変化する性
質が強くなっているので、転写層４から再生層３へ交換
結合による転写が起こり、再生層３に磁区３６が形成さ
れる。その結果、再生層３に転写された磁区３６がレー
ザビームにより検出されることにより記録層６６の第１
の磁性層６６２に安定にに記録された磁区６１が再生さ
れることになる。なお、１５０℃程度の温度になると記
録層６６の第２の磁性層６６１の磁区６２の飽和磁化が
低下するため（上記図４参照）、磁区６２からの漏洩磁
界５０も小さくなっている。
【００２８】また、光磁気記録媒体２０への信号記録に
おいては、光磁気記録媒体１０と同様に記録層６６の条
件のみに起因して記録条件を決定できる。以上説明した
ように、光磁気記録媒体２０においては、信号を保持力
が無限大である第１の磁性層６６２に記録でき、再生時
には、第１の磁性層６６２に安定に信号が記録された磁
区を、漏洩磁界が温度上昇に伴い大きくなる第２の磁性
層６６１を介して転写層４へ静磁結合により転写し、更
に、交換結合により転写層４から再生層３へ磁区を転写
して信号を再生できるものである。
おいては、光磁気記録媒体１０と同様に記録層６６の条
件のみに起因して記録条件を決定できる。以上説明した
ように、光磁気記録媒体２０においては、信号を保持力
が無限大である第１の磁性層６６２に記録でき、再生時
には、第１の磁性層６６２に安定に信号が記録された磁
区を、漏洩磁界が温度上昇に伴い大きくなる第２の磁性
層６６１を介して転写層４へ静磁結合により転写し、更
に、交換結合により転写層４から再生層３へ磁区を転写
して信号を再生できるものである。
【００２９】なお、記録層６と、記録層６６の第２の磁
性層６６１とに用いる磁性膜は、５０℃付近で飽和磁化
が最大となるとして説明したが、これに限られるもので
はなく、一般的に、転写層４が面内磁化膜から垂直磁化
膜に転移する温度と実質的に一致する温度で飽和磁化が
最大となる磁性膜であればよい。また、上記説明した光
磁気記録媒体１０、２０では、記録層の磁区が低温（５
０℃程度）で転写層へ転写されるので、再生時のレーザ
パワーを低減できる。その結果、記録層の温度が所定温
度以上になる領域を小さくするすることができ、記録ド
メインを小さくしても、再生時に十分に再生しようとす
る磁区を選択することが可能となる。従って、本発明に
係る光磁気記録媒体によれば、従来より高密度な信号再
生が可能となる。 第２の実施の形態 第１の実施の形態における光磁気記録媒体１０において
は、記録層６はＴｂ20（Ｆｅ90Ｃｏ10）80から成る単層
の磁性膜として説明したが、これに限らず、図９に示す
ように記録層が磁性膜と非磁性膜とを交互に積層した多
層膜であってもよい。図９に示す光磁気記録媒体９０
は、第１の実施の形態における図１に示す光磁気記録媒
体１０において記録層６を、Ｔｂ20（Ｆｅ90Ｃｏ10）80
から成る磁性層６７１とＳｉＮから成る非磁性層６７２
とを交互に積層した記録層６７に変えた光磁気記録媒体
である。磁性層６７１の膜厚は２００Åであり、非磁性
層６７２の膜厚は１００Åである。また、非磁性層６７
２を構成するＳｉＮ膜はマグネトロンスパッタリング法
により形成できるので、光磁気記録媒体９０はマグネト
ロンスパッタリング法を用いて容易に作製することがで
きる。
性層６６１とに用いる磁性膜は、５０℃付近で飽和磁化
が最大となるとして説明したが、これに限られるもので
はなく、一般的に、転写層４が面内磁化膜から垂直磁化
膜に転移する温度と実質的に一致する温度で飽和磁化が
最大となる磁性膜であればよい。また、上記説明した光
磁気記録媒体１０、２０では、記録層の磁区が低温（５
０℃程度）で転写層へ転写されるので、再生時のレーザ
パワーを低減できる。その結果、記録層の温度が所定温
度以上になる領域を小さくするすることができ、記録ド
メインを小さくしても、再生時に十分に再生しようとす
る磁区を選択することが可能となる。従って、本発明に
係る光磁気記録媒体によれば、従来より高密度な信号再
生が可能となる。 第２の実施の形態 第１の実施の形態における光磁気記録媒体１０において
は、記録層６はＴｂ20（Ｆｅ90Ｃｏ10）80から成る単層
の磁性膜として説明したが、これに限らず、図９に示す
ように記録層が磁性膜と非磁性膜とを交互に積層した多
層膜であってもよい。図９に示す光磁気記録媒体９０
は、第１の実施の形態における図１に示す光磁気記録媒
体１０において記録層６を、Ｔｂ20（Ｆｅ90Ｃｏ10）80
から成る磁性層６７１とＳｉＮから成る非磁性層６７２
とを交互に積層した記録層６７に変えた光磁気記録媒体
である。磁性層６７１の膜厚は２００Åであり、非磁性
層６７２の膜厚は１００Åである。また、非磁性層６７
２を構成するＳｉＮ膜はマグネトロンスパッタリング法
により形成できるので、光磁気記録媒体９０はマグネト
ロンスパッタリング法を用いて容易に作製することがで
きる。
【００３０】光磁気記録媒体９０は、第１の実施の形態
における光磁気記録媒体１０と同様に記録層６７と転写
層４との間に遮断層５を有するので、信号の記録時に
は、再生層３、転写層４と磁気的に遮断して信号を記録
層に記録できるとともに、信号の再生時には、記録層６
７の磁性層６７１に記録された信号を第１の転写温度で
静磁結合により転写層４に転写し、第２の転写温度で交
換結合により転写層４に転写された磁区を再生層３に転
写して信号を再生できるという効果を有する。光磁気記
録媒体９０においては、これらの効果に加え、磁性層６
７１と非磁性層６７２とを交互に積層した記録層６７を
用いることにより、記録時または再生時のレーザビーム
のパワーを小さくできるという効果がある。これは、磁
性層６７１と非磁性層６７２とを交互に積層することに
よりレーザビームにより磁性層６７１に与えられた熱の
拡散が非磁性層６７２により妨げられるため、従来より
低いパワーのレーザビームを照射しても、磁性層６７１
が所定の温度以上に昇温するからである。即ち、従来よ
り小さいパワーのレーザビームを照射しても、記録時に
は磁性層６７１の温度がキュリー温度以上になり、再生
時には、磁性層６７１の温度が飽和磁化が最大となる第
１の転写温度になる。従って、光磁気記録媒体９０に信
号を記録または／および再生するときは、従来より記録
再生装置の消費電力を低減できる。 第３の実施の形態 図１０に第３の実施の形態における光磁気記録媒体の断
面構造を示す。光磁気記録媒体１１０は、透光性のポリ
カーボネート樹脂から成る基板１と、ＳｉＮから成る干
渉層２と、Ｇｄ33Ｆｅ44Ｃｏ23から成る再生層３と、Ｓ
ｉＮから成る遮断層５と、Ｔｂ20Ｆｅ70Ｃｏ10とＳｉＮ
とを交互に３層積層した記録層６７と、ＳｉＮから成る
保護層７とを備える。干渉層２、再生層３、遮断層５、
記録層６７、および保護層７はマグネトロンスパッタリ
ング法により形成される。また、干渉層２の膜厚は７０
０Åであり、再生層３の膜厚は１０００Åであり、遮断
層５の膜厚は１５０Åであり、保護層７の膜厚は７００
Åである。記録層６７は、Ｔｂ20Ｆｅ70Ｃｏ10の１層当
たりの膜厚が２００Å、ＳｉＮの１層当たりの膜厚が１
００Åで、３層積層した全体の膜厚が９００Åである。
における光磁気記録媒体１０と同様に記録層６７と転写
層４との間に遮断層５を有するので、信号の記録時に
は、再生層３、転写層４と磁気的に遮断して信号を記録
層に記録できるとともに、信号の再生時には、記録層６
７の磁性層６７１に記録された信号を第１の転写温度で
静磁結合により転写層４に転写し、第２の転写温度で交
換結合により転写層４に転写された磁区を再生層３に転
写して信号を再生できるという効果を有する。光磁気記
録媒体９０においては、これらの効果に加え、磁性層６
７１と非磁性層６７２とを交互に積層した記録層６７を
用いることにより、記録時または再生時のレーザビーム
のパワーを小さくできるという効果がある。これは、磁
性層６７１と非磁性層６７２とを交互に積層することに
よりレーザビームにより磁性層６７１に与えられた熱の
拡散が非磁性層６７２により妨げられるため、従来より
低いパワーのレーザビームを照射しても、磁性層６７１
が所定の温度以上に昇温するからである。即ち、従来よ
り小さいパワーのレーザビームを照射しても、記録時に
は磁性層６７１の温度がキュリー温度以上になり、再生
時には、磁性層６７１の温度が飽和磁化が最大となる第
１の転写温度になる。従って、光磁気記録媒体９０に信
号を記録または／および再生するときは、従来より記録
再生装置の消費電力を低減できる。 第３の実施の形態 図１０に第３の実施の形態における光磁気記録媒体の断
面構造を示す。光磁気記録媒体１１０は、透光性のポリ
カーボネート樹脂から成る基板１と、ＳｉＮから成る干
渉層２と、Ｇｄ33Ｆｅ44Ｃｏ23から成る再生層３と、Ｓ
ｉＮから成る遮断層５と、Ｔｂ20Ｆｅ70Ｃｏ10とＳｉＮ
とを交互に３層積層した記録層６７と、ＳｉＮから成る
保護層７とを備える。干渉層２、再生層３、遮断層５、
記録層６７、および保護層７はマグネトロンスパッタリ
ング法により形成される。また、干渉層２の膜厚は７０
０Åであり、再生層３の膜厚は１０００Åであり、遮断
層５の膜厚は１５０Åであり、保護層７の膜厚は７００
Åである。記録層６７は、Ｔｂ20Ｆｅ70Ｃｏ10の１層当
たりの膜厚が２００Å、ＳｉＮの１層当たりの膜厚が１
００Åで、３層積層した全体の膜厚が９００Åである。
【００３１】図１１にＴｂ20Ｆｅ70Ｃｏ10とＳｉＮとを
交互に積層して成る記録層６７の飽和磁化の温度依存性
を示す。比較のためにＴｂ20Ｆｅ70Ｃｏ10単層の飽和磁
化の温度依存性を示す。図１１よりＴｂ20Ｆｅ70Ｃｏ10
とＳｉＮとを交互に積層して成る記録層６７において
も、Ｔｂ20Ｆｅ70Ｃｏ10単層の場合と同様の飽和磁化の
温度依存性を示す。従って、Ｔｂ20Ｆｅ70Ｃｏ10とＳｉ
Ｎとを交互に積層して成る記録層６７は、飽和磁化が最
大となる温度１７０℃付近において漏洩磁界が最大とな
る。
交互に積層して成る記録層６７の飽和磁化の温度依存性
を示す。比較のためにＴｂ20Ｆｅ70Ｃｏ10単層の飽和磁
化の温度依存性を示す。図１１よりＴｂ20Ｆｅ70Ｃｏ10
とＳｉＮとを交互に積層して成る記録層６７において
も、Ｔｂ20Ｆｅ70Ｃｏ10単層の場合と同様の飽和磁化の
温度依存性を示す。従って、Ｔｂ20Ｆｅ70Ｃｏ10とＳｉ
Ｎとを交互に積層して成る記録層６７は、飽和磁化が最
大となる温度１７０℃付近において漏洩磁界が最大とな
る。
【００３２】光磁気記録媒体１１０は、記録層６７と再
生層３との間に遮断層５を有するため、信号の記録時に
は記録層６７を磁気的に再生層３から遮断して信号を記
録できる。その理由は上記第１の実施の形態において述
べた通りである。図１２に、再生層３と磁気的に遮断し
て信号を記録層６７に記録した光磁気記録媒体１１０か
ら信号を再生するときの再生特性を示す。符号１２０で
示す線は、ノイズレベルを記録時のレーザビームのパワ
ーに対して示したものであり、符号１２１で示す線は第
２高調波の強度をレーザビームのパワーに対して示した
ものであり、符号１２２で示す線はＣＮ比を記録時のレ
ーザビームのパワーに対して示したものである。図１２
において、■印は従来例、即ち、記録層が磁性層単層の
場合であり、●印は本発明に係る光磁気記録媒体１１０
の記録層６７を構成する非磁性層６７２の膜厚を１００
Åとした場合、および▲印は本発明に係る光磁気記録媒
体１１０の記録層６７の非磁性層６７２の膜厚を２００
Åとした場合である。図１２の符号１２０で示す線より
ノイズレベルは、従来例と本発明においては特に差異は
ない。符号１２１で示す線より、第２高調波の強度が最
小となる記録時のレーザビームのパワーが異なる。即
ち、本発明に係る光磁気記録媒体１１０（●、▲印で示
す。）では、４ｍＷのレーザビームのパワーで第２高調
波の強度が最小になるのに対し、従来例（■印で示
す。）では、５ｍＷのレーザビームのパワーで第２高調
波の強度が最小となる。
生層３との間に遮断層５を有するため、信号の記録時に
は記録層６７を磁気的に再生層３から遮断して信号を記
録できる。その理由は上記第１の実施の形態において述
べた通りである。図１２に、再生層３と磁気的に遮断し
て信号を記録層６７に記録した光磁気記録媒体１１０か
ら信号を再生するときの再生特性を示す。符号１２０で
示す線は、ノイズレベルを記録時のレーザビームのパワ
ーに対して示したものであり、符号１２１で示す線は第
２高調波の強度をレーザビームのパワーに対して示した
ものであり、符号１２２で示す線はＣＮ比を記録時のレ
ーザビームのパワーに対して示したものである。図１２
において、■印は従来例、即ち、記録層が磁性層単層の
場合であり、●印は本発明に係る光磁気記録媒体１１０
の記録層６７を構成する非磁性層６７２の膜厚を１００
Åとした場合、および▲印は本発明に係る光磁気記録媒
体１１０の記録層６７の非磁性層６７２の膜厚を２００
Åとした場合である。図１２の符号１２０で示す線より
ノイズレベルは、従来例と本発明においては特に差異は
ない。符号１２１で示す線より、第２高調波の強度が最
小となる記録時のレーザビームのパワーが異なる。即
ち、本発明に係る光磁気記録媒体１１０（●、▲印で示
す。）では、４ｍＷのレーザビームのパワーで第２高調
波の強度が最小になるのに対し、従来例（■印で示
す。）では、５ｍＷのレーザビームのパワーで第２高調
波の強度が最小となる。
【００３３】ここで図１３を参照して、第２高調波の強
度の意義について説明する。光磁気記録媒体のトラック
１３０にドメイン１３１、１３１を形成するとき、ドメ
イン１３１のトラック方向１３３の長さＬ１とドメイン
１３１、１３１間の長さＬ２とがほぼ等しくなるように
ドメイン１３１、１３１を形成する。しかし、実際には
レーザビームにより磁性膜に与えられた熱によりドメイ
ン１３１のトラック方向１３３の長さが長くなり、長さ
Ｌ３のドメイン１３２が形成されることがある。そこ
で、所望の長さのドメインが形成されるいるか否かを調
べるために記録時の周波数の２倍の周波数で記録した信
号を再生し、第２高調波の強度を検出する。この場合、
長さＬ３が長さＬ１より大きくなるにつれて第２高調波
の強度は大きくなるため、第２高調波の強度を検出すれ
ば、形成されたドメインの長さが所望のドメインの長さ
に対し、どの程度大きくなっているかが解る。従って、
第２高調波の強度が小さいほど、所望の長さのドメイン
が形成されていることになる。
度の意義について説明する。光磁気記録媒体のトラック
１３０にドメイン１３１、１３１を形成するとき、ドメ
イン１３１のトラック方向１３３の長さＬ１とドメイン
１３１、１３１間の長さＬ２とがほぼ等しくなるように
ドメイン１３１、１３１を形成する。しかし、実際には
レーザビームにより磁性膜に与えられた熱によりドメイ
ン１３１のトラック方向１３３の長さが長くなり、長さ
Ｌ３のドメイン１３２が形成されることがある。そこ
で、所望の長さのドメインが形成されるいるか否かを調
べるために記録時の周波数の２倍の周波数で記録した信
号を再生し、第２高調波の強度を検出する。この場合、
長さＬ３が長さＬ１より大きくなるにつれて第２高調波
の強度は大きくなるため、第２高調波の強度を検出すれ
ば、形成されたドメインの長さが所望のドメインの長さ
に対し、どの程度大きくなっているかが解る。従って、
第２高調波の強度が小さいほど、所望の長さのドメイン
が形成されていることになる。
【００３４】再び、図１２を参照して、Ｔｂ20Ｆｅ70Ｃ
ｏ10とＳｉＮとを交互に積層して成る記録層６７を用い
た場合には、単層の磁性層を記録層に用いた従来例より
記録時のレーザビームのパワーが１ｍＷ低い点で第２高
調波の強度が最小となるので、本発明に係る光磁気記録
媒体１１０においては記録時のレーザビームのパワーを
１ｍＷ低くできる。また、符号１２２で示した線により
ＣＮ比が大きく立ち上がるレーザビームのパワーが本発
明に係る光磁気記録媒体（●、▲印で示す。）では従来
例（■印で示す。）に比べ０．５ｍＷ低くできる。
ｏ10とＳｉＮとを交互に積層して成る記録層６７を用い
た場合には、単層の磁性層を記録層に用いた従来例より
記録時のレーザビームのパワーが１ｍＷ低い点で第２高
調波の強度が最小となるので、本発明に係る光磁気記録
媒体１１０においては記録時のレーザビームのパワーを
１ｍＷ低くできる。また、符号１２２で示した線により
ＣＮ比が大きく立ち上がるレーザビームのパワーが本発
明に係る光磁気記録媒体（●、▲印で示す。）では従来
例（■印で示す。）に比べ０．５ｍＷ低くできる。
【００３５】以上より、光磁気記録媒体１１０において
は、信号記録時には、再生層３と磁気的に遮断して信号
を記録層６７に記録できるとともに、記録時のレーザビ
ームのパワーを低くできる。また、光磁気記録媒体１１
０の再生時においては、記録層６７の飽和磁化が図１１
に示すように１７０℃付近で最大となるので、記録層６
７の温度が１７０℃付近に達すると記録層６７から再生
層３への漏洩磁界が最大となり、静磁結合により再生層
３へ磁区が転写され、信号が再生される。
は、信号記録時には、再生層３と磁気的に遮断して信号
を記録層６７に記録できるとともに、記録時のレーザビ
ームのパワーを低くできる。また、光磁気記録媒体１１
０の再生時においては、記録層６７の飽和磁化が図１１
に示すように１７０℃付近で最大となるので、記録層６
７の温度が１７０℃付近に達すると記録層６７から再生
層３への漏洩磁界が最大となり、静磁結合により再生層
３へ磁区が転写され、信号が再生される。
【００３６】なお、上記説明においては、記録層６７を
構成する磁性層６７１と非磁性層６７２との積層数は３
層としたが、これに限られるものではない。また、記録
層６７を構成する磁性層６７１と非磁性層６７２との１
層当たりの膜厚は、それぞれ、２００Å、１００Åに限
るものではなく、磁性層６７１の膜厚は５０〜３００Å
の範囲、非磁性層６７２の膜厚は５０〜３００Åの範囲
であればよい。
構成する磁性層６７１と非磁性層６７２との積層数は３
層としたが、これに限られるものではない。また、記録
層６７を構成する磁性層６７１と非磁性層６７２との１
層当たりの膜厚は、それぞれ、２００Å、１００Åに限
るものではなく、磁性層６７１の膜厚は５０〜３００Å
の範囲、非磁性層６７２の膜厚は５０〜３００Åの範囲
であればよい。
【００３７】上記第２、第３の実施の形態において説明
したように、磁性層と非磁性層とを交互に積層して成る
記録層を、記録層と再生層との間に転写層がある光磁気
記録媒体に適用しても、転写層がない光磁気記録媒体に
適用しても、記録時のレーザビームのパワーを低減でき
る。
したように、磁性層と非磁性層とを交互に積層して成る
記録層を、記録層と再生層との間に転写層がある光磁気
記録媒体に適用しても、転写層がない光磁気記録媒体に
適用しても、記録時のレーザビームのパワーを低減でき
る。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、信号の記録を記録層の
磁性特性にのみ起因して決定できるので、光磁気記録媒
体の作製が容易になり、記録時のレーザパワーを従来の
光磁気記録媒体に比べて低くすることができる。また、
本発明によれば、記録層以外の磁性層からの磁気的影響
を受けることなく、記録層に信号を記録できるので、正
確に信号を記録できる。
磁性特性にのみ起因して決定できるので、光磁気記録媒
体の作製が容易になり、記録時のレーザパワーを従来の
光磁気記録媒体に比べて低くすることができる。また、
本発明によれば、記録層以外の磁性層からの磁気的影響
を受けることなく、記録層に信号を記録できるので、正
確に信号を記録できる。
【００３９】また、本発明によれば、従来より低温で記
録層から磁区が転写されるので、再生時のレーザパワー
を低減でき、その結果、再生しようとする記録層の磁区
の選択性が向上し、高密度な信号再生が可能となる。
録層から磁区が転写されるので、再生時のレーザパワー
を低減でき、その結果、再生しようとする記録層の磁区
の選択性が向上し、高密度な信号再生が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における光磁気記録
媒体の断面構造を示す図である。
媒体の断面構造を示す図である。
【図２】従来の光磁気記録媒体における信号の記録機構
を説明する図である。
を説明する図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態における光磁気記録
媒体における信号の記録原理を説明する図である。
媒体における信号の記録原理を説明する図である。
【図４】記録層、転写層の飽和磁化の温度依存性を示す
図である。
図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態における光磁気記録
媒体における信号の再生機構を説明する図である。
媒体における信号の再生機構を説明する図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態における光磁気記録
媒体の他の断面構造を示す図である。
媒体の他の断面構造を示す図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態における第１の磁性
層、第２の磁性層、および転写層の飽和磁化の温度依存
性を示す図である。
層、第２の磁性層、および転写層の飽和磁化の温度依存
性を示す図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態における他の光磁気
記録媒体における信号の再生機構を説明する図である。
記録媒体における信号の再生機構を説明する図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態における光磁気記録
媒体の断面構造図である。
媒体の断面構造図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態における光磁気記
録媒体の断面構造図である。
録媒体の断面構造図である。
【図１１】本発明に係る光磁気記録媒体と従来例との飽
和磁化の温度依存性の比較を示す図である。
和磁化の温度依存性の比較を示す図である。
【図１２】本発明に係る光磁気記録媒体と従来例との再
生特性の比較を示す図である。
生特性の比較を示す図である。
【図１３】第２高調波の概念を説明する図である。
１・・・基板 ２・・・干渉層 ３・・・再生層 ４・・・転写層 ５・・・磁気遮断層 ６、６６、６７・・・記録層 ７・・・保護層 １０、２０、９０、１００、１１０・・・光磁気記録媒
体 １１・・・磁界 １２・・・レーザビーム ３０、３５、３６、４０、４５、４６、６０、６１、６
２・・・磁区 ４１、５０、５１・・・漏洩磁界 ６６１・・・第２の磁性層 ６６２・・・第１の磁性層 ６７１・・・磁性層 ６７２・・・非磁性層
体 １１・・・磁界 １２・・・レーザビーム ３０、３５、３６、４０、４５、４６、６０、６１、６
２・・・磁区 ４１、５０、５１・・・漏洩磁界 ６６１・・・第２の磁性層 ６６２・・・第１の磁性層 ６７１・・・磁性層 ６７２・・・非磁性層
Claims (12)
- 【請求項１】 記録層と再生層との間に非磁性層を設け
ることにより再生層と磁気的に遮断して信号を記録可能
な光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 記録層と再生層との間に非磁性層を設け
ることにより、 記録時には再生層と磁気的に遮断して信号を記録し、 再生時には静磁結合により記録層から再生層に磁区を転
写して信号を再生する光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 信号を記録する記録層と、 再生時に前記記録層から磁区を転写される再生層と、 前記記録層と前記再生層との間に設けられ、記録時に前
記記録層と前記再生層とを磁気的に遮断する遮断層とを
含む、光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記記録層は、磁性膜と非磁性膜とを交
互に積層した多層膜である、請求項３記載の光磁気記録
媒体。 - 【請求項５】 記録層と再生層との間に非磁性層を設け
ることにより、 記録時には再生層と磁気的に遮断して信号を記録し、 再生時には静磁結合と交換結合とにより記録層から再生
層に磁区を転写して信号を再生する光磁気記録媒体。 - 【請求項６】 信号を記録する記録層と、 前記記録層の磁区が第１の転写温度で転写される転写層
と、 前記記録層と前記転写層との間に設けられた遮断層と、 前記転写層に転写された磁区が前記第１の転写温度より
高い第２の転写温度で転写される再生層とを含む、光磁
気記録媒体。 - 【請求項７】 前記記録層は、前記第１の転写温度で飽
和磁化が最大となる材料から成る請求項６記載の光磁気
記録媒体。 - 【請求項８】 前記記録層は、補償組成から成る第１の
層と、前記第１の転写温度で飽和磁化が最大となる材料
から成る第２の層とを含み、 前記第２の層が前記遮断層側に設けられている、請求項
６記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項９】 前記記録層は、磁性膜と非磁性膜とを交
互に積層した多層膜である、請求項６記載の光磁気記録
媒体。 - 【請求項１０】 前記転写層は、室温で面内磁化膜であ
り、前記第１の転写温度で垂直磁化膜となる磁性膜であ
る、請求項７から請求項９のいずれか１項に記載の光磁
気記録媒体。 - 【請求項１１】 前記再生層は、室温で面内磁化膜であ
り、前記第２の転写温度で垂直磁化膜となる磁性膜であ
る、請求項７から請求項９のいずれか１項に記載の光磁
気記録媒体。 - 【請求項１２】 前記転写層は、室温で面内磁化膜であ
り、前記第１の転写温度で垂直磁化膜となる磁性膜から
成り、 前記再生層は、室温で面内磁化膜であり、前記第２の転
写温度で垂直磁化膜となる磁性膜から成る、請求項７か
ら請求項９のいずれか１項に記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09345085A JP3108397B2 (ja) | 1997-10-13 | 1997-12-15 | 光磁気記録媒体 |
| US09/160,045 US6400656B1 (en) | 1997-10-13 | 1998-09-25 | Magneto-optical recording medium comprising recording layer and reproducing layer |
| US10/040,434 US6532196B2 (en) | 1997-10-13 | 2002-01-09 | Magneto-optical recording medium comprising recording layer and reproducing layer |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| JP27902697 | 1997-10-13 | ||
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Family
ID=26553146
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|---|---|---|---|---|
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| JPH05290430A (ja) | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Hitachi Ltd | 光磁気記録方法ならびにそれに用いる光磁気記録媒体および装置 |
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| JP3230388B2 (ja) * | 1994-03-15 | 2001-11-19 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体及び該媒体に記録された情報の再生方法 |
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| JPH08221811A (ja) | 1995-02-13 | 1996-08-30 | Hitachi Ltd | 情報記録媒体の原盤作製方法および光ディスク用光学系 |
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- 1997-12-15 JP JP09345085A patent/JP3108397B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-09-25 US US09/160,045 patent/US6400656B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-01-09 US US10/040,434 patent/US6532196B2/en not_active Expired - Fee Related
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| WO2003102943A1 (fr) * | 2002-05-31 | 2003-12-11 | Fujitsu Limited | Support d'enregistrement optique, et dispositif de stockage optique |
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|---|---|
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| US6400656B1 (en) | 2002-06-04 |
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