JPH10149589A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH10149589A JPH10149589A JP8308067A JP30806796A JPH10149589A JP H10149589 A JPH10149589 A JP H10149589A JP 8308067 A JP8308067 A JP 8308067A JP 30806796 A JP30806796 A JP 30806796A JP H10149589 A JPH10149589 A JP H10149589A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高いＣＮ比が得られ、高密度化を実現する。
【解決手段】 基板５に誘電体層１１、再生層１、金属
反射層１２、記録層２および誘電体層１３を個の順序で
順次積層形成する。再生時において、光は再生層１の両
面で多重反射するので、記録層２の情報をノイズとして
拾わず、ＣＮ比を向上させることができる。
反射層１２、記録層２および誘電体層１３を個の順序で
順次積層形成する。再生時において、光は再生層１の両
面で多重反射するので、記録層２の情報をノイズとして
拾わず、ＣＮ比を向上させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録、再生、消去
が可能な光磁気記録媒体に関する。
が可能な光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】高密度データが蓄積でき高速に情報処理
可能な光ディスクは、オーディオや画像用途、さらには
コンピュータメモリーとして注目されている。読み出し
専用のＣＤ（コンパクトディスク）は、オーディオ用や
コンピュータ用として急速に普及している。また、１回
のみ情報の書き込みが可能であるライトワンスタイプお
よび繰り返し情報の書き換えが可能であるリライタブル
タイプも徐々に市場に普及しつつある。特に、リライタ
ブルタイプの１つである光磁気ディスクは情報の書き換
えの多数回の繰り返しが可能であり、主としてコンピュ
ータの外部メモリーとして普及が進んでいる。
可能な光ディスクは、オーディオや画像用途、さらには
コンピュータメモリーとして注目されている。読み出し
専用のＣＤ（コンパクトディスク）は、オーディオ用や
コンピュータ用として急速に普及している。また、１回
のみ情報の書き込みが可能であるライトワンスタイプお
よび繰り返し情報の書き換えが可能であるリライタブル
タイプも徐々に市場に普及しつつある。特に、リライタ
ブルタイプの１つである光磁気ディスクは情報の書き換
えの多数回の繰り返しが可能であり、主としてコンピュ
ータの外部メモリーとして普及が進んでいる。
【０００３】最近、一つの記録媒体にさらに多くの情報
を記録したい、そして、そのためにさらに情報を高密度
に記録、再生したいという要求が高まっており、その実
現方法について様々な検討がなされている。これには先
ず再生ヘッドの光源波長を短くすることによって再生用
光スポットをより小さくし、高密度に記録した情報の再
生を可能にするという方法が考えられる。しかし、光ヘ
ッドの光源に通常用いられる半導体レーザーの波長は限
られており、また短波長のレーザーではレーザー光の形
状や出力等が不十分な状態にあるといった問題がある。
を記録したい、そして、そのためにさらに情報を高密度
に記録、再生したいという要求が高まっており、その実
現方法について様々な検討がなされている。これには先
ず再生ヘッドの光源波長を短くすることによって再生用
光スポットをより小さくし、高密度に記録した情報の再
生を可能にするという方法が考えられる。しかし、光ヘ
ッドの光源に通常用いられる半導体レーザーの波長は限
られており、また短波長のレーザーではレーザー光の形
状や出力等が不十分な状態にあるといった問題がある。
【０００４】そこで、光源の波長と再生用光スポットの
大きさは変えずより高密度に記録された情報を読み出
し、見掛け上の分解能を向上させるようにした磁気超解
像（Magnetically Induced Super Resolution 以下、Ｍ
ＳＲという）と呼ばれる技術が提案され、注目を浴びて
いる。これは、再生光による温度上昇とディスク媒体の
回転移動との組み合わせにより生じる光スポット内の温
度分布に磁気多層膜の磁気的結合力、保持力および磁化
の大きさが温度により変化することを組合わせて光スポ
ットの一部の信号がマスクされるようにしたものであ
る。その結果、再生の有効な開口の領域はスポット径以
下となり、より高密度な情報の再生が可能となる。この
ＭＳＲ法には、光スポット内の高温部分をマスクするＦ
ＡＤ方式（Front Aperture Detection)と、低温部をマ
スクするＲＡＤ方式(Rear ApertureDetection ）があ
り、さらには高温部が有効な開口になりかつその中のよ
り高温の部は再びマスクされ非常に小さな開口を実現す
る方式等種々の方式がある。このようなＭＳＲ法によれ
ば、光学系の限界を越えて再生分解能を向上させ、線密
度方向の記録密度の向上が可能である。
大きさは変えずより高密度に記録された情報を読み出
し、見掛け上の分解能を向上させるようにした磁気超解
像（Magnetically Induced Super Resolution 以下、Ｍ
ＳＲという）と呼ばれる技術が提案され、注目を浴びて
いる。これは、再生光による温度上昇とディスク媒体の
回転移動との組み合わせにより生じる光スポット内の温
度分布に磁気多層膜の磁気的結合力、保持力および磁化
の大きさが温度により変化することを組合わせて光スポ
ットの一部の信号がマスクされるようにしたものであ
る。その結果、再生の有効な開口の領域はスポット径以
下となり、より高密度な情報の再生が可能となる。この
ＭＳＲ法には、光スポット内の高温部分をマスクするＦ
ＡＤ方式（Front Aperture Detection)と、低温部をマ
スクするＲＡＤ方式(Rear ApertureDetection ）があ
り、さらには高温部が有効な開口になりかつその中のよ
り高温の部は再びマスクされ非常に小さな開口を実現す
る方式等種々の方式がある。このようなＭＳＲ法によれ
ば、光学系の限界を越えて再生分解能を向上させ、線密
度方向の記録密度の向上が可能である。
【０００５】このような磁気超解像読み出し可能な光磁
気ディスクとして、図４および図５に示すように再生層
１と記録層２との間に非磁性層からなる誘電体層３を形
成した静磁結合型の光磁気ディスク４が知られている。
５は基板、６は光ビームスポット、７は光ビームスポッ
ト６を記録情報８に沿って導くための、言い換えればト
ラッキングのためのガイドを形成するランドまたはグル
ーブである。この光磁気ディスク４は、再生層１として
室温で面内磁化膜で、温度上昇とともに垂直磁化に移行
する磁性膜を用いている。このような光磁気ディスク４
において、再生層１の磁化は、所定の温度以下の領域
（低温領域）では面内磁化であるが、所定の温度以上の
領域（高温領域）では記録層２の磁化との交換結合力に
より記録層２の磁化と同じ垂直磁化となる。所定の温度
は、光ビームスポット６の照射により垂直磁化する領域
が、温度の分布の中心付近の小さな領域になるように設
定される。その結果、光ビームスポット６の一部分の高
温領域のみ再生層１に情報８が転写され、その情報のみ
が読み出される。そして、光ビームスポット６内の情報
であっても、高温領域から外れた情報は読み出されるこ
とがなく、これによって超解像を実現することができ
る。この光ビームスポット６による温度上昇により再生
層１の垂直磁化膜となった部分に記録層２から生じる磁
界により情報が転写され、スポット内の高温部のみが開
口となることにより超解像を実現することができる。
気ディスクとして、図４および図５に示すように再生層
１と記録層２との間に非磁性層からなる誘電体層３を形
成した静磁結合型の光磁気ディスク４が知られている。
５は基板、６は光ビームスポット、７は光ビームスポッ
ト６を記録情報８に沿って導くための、言い換えればト
ラッキングのためのガイドを形成するランドまたはグル
ーブである。この光磁気ディスク４は、再生層１として
室温で面内磁化膜で、温度上昇とともに垂直磁化に移行
する磁性膜を用いている。このような光磁気ディスク４
において、再生層１の磁化は、所定の温度以下の領域
（低温領域）では面内磁化であるが、所定の温度以上の
領域（高温領域）では記録層２の磁化との交換結合力に
より記録層２の磁化と同じ垂直磁化となる。所定の温度
は、光ビームスポット６の照射により垂直磁化する領域
が、温度の分布の中心付近の小さな領域になるように設
定される。その結果、光ビームスポット６の一部分の高
温領域のみ再生層１に情報８が転写され、その情報のみ
が読み出される。そして、光ビームスポット６内の情報
であっても、高温領域から外れた情報は読み出されるこ
とがなく、これによって超解像を実現することができ
る。この光ビームスポット６による温度上昇により再生
層１の垂直磁化膜となった部分に記録層２から生じる磁
界により情報が転写され、スポット内の高温部のみが開
口となることにより超解像を実現することができる。
【０００６】また、静磁結合型の別のタイプとしては、
再生層に室温で補償組成近傍のフェリ磁性膜を用い、温
度上昇とともに再生層の磁化の大きさが大きくなり、保
磁力が小さくなるため記録層から生じる磁界により情報
が転写され、やはりスポット内の高温部のみが開口とな
る超解像を実現する方法がある。
再生層に室温で補償組成近傍のフェリ磁性膜を用い、温
度上昇とともに再生層の磁化の大きさが大きくなり、保
磁力が小さくなるため記録層から生じる磁界により情報
が転写され、やはりスポット内の高温部のみが開口とな
る超解像を実現する方法がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】光磁気記録媒体の高密
度化のためには再生信号により高いＣＮ比（キャリア−
ノイズ比）が求められる。しかしながら、図４に示した
従来の光磁気ディスク４においては、誘電体層３と記録
層２との境界面で実線で示す単反射した光のカー効果を
利用しているため、再生光のカー回転角が小さく、ＣＮ
比が悪いという問題があった。この場合、再生層１の膜
厚を薄くすると、破線で示すように誘電体層３の両面で
多重反射するため、再生光のカー回転角を大きくするこ
とはできるが、誘電体層３を透過した光が記録層２の信
号をノイズとして拾うため、ＣＮ比の向上は期待できな
い。
度化のためには再生信号により高いＣＮ比（キャリア−
ノイズ比）が求められる。しかしながら、図４に示した
従来の光磁気ディスク４においては、誘電体層３と記録
層２との境界面で実線で示す単反射した光のカー効果を
利用しているため、再生光のカー回転角が小さく、ＣＮ
比が悪いという問題があった。この場合、再生層１の膜
厚を薄くすると、破線で示すように誘電体層３の両面で
多重反射するため、再生光のカー回転角を大きくするこ
とはできるが、誘電体層３を透過した光が記録層２の信
号をノイズとして拾うため、ＣＮ比の向上は期待できな
い。
【０００８】この他、記録層の再生光入射側とは反射側
に金属反射層を設け、記録層で反射された光のカー効果
だけでなく、記録層を透過した光のファラデー効果も併
せて利用し、再生光のカー回転角を大きくし高いＣＮ比
を得るようにしたものも知られている。しかし、通常の
磁気超解像再生を行なう媒体では記録層の後に金属反射
層を設けて透過光を反射させたのでは、透過光は情報が
マスクされていない記録層も透過することになり、超解
像の効果が不十分となってＣＮ比の向上につながらない
という問題があった。
に金属反射層を設け、記録層で反射された光のカー効果
だけでなく、記録層を透過した光のファラデー効果も併
せて利用し、再生光のカー回転角を大きくし高いＣＮ比
を得るようにしたものも知られている。しかし、通常の
磁気超解像再生を行なう媒体では記録層の後に金属反射
層を設けて透過光を反射させたのでは、透過光は情報が
マスクされていない記録層も透過することになり、超解
像の効果が不十分となってＣＮ比の向上につながらない
という問題があった。
【０００９】本発明は上記した従来の問題点を解決する
ためになされたもので、その目的とするところは、高い
ＣＮ比が得られ、高密度化を可能にした光磁気記録媒体
を提供することにある。
ためになされたもので、その目的とするところは、高い
ＣＮ比が得られ、高密度化を可能にした光磁気記録媒体
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、再生時には前記記録層から生じる磁界と光
スポット内の温度分布を利用して記録層に記録されてい
る情報を前記再生層に転写し磁気超解像読み出しを行な
う光磁気記録媒体において、前記再生層と前記記録層と
の間に金属反射層を形成したことを特徴とする。また、
本発明は、再生層と金属反射層の間、および金属反射層
と記録層の間のうちの少なくともいずれか一方に透明な
誘電体層を形成したことを特徴とする。また、本発明
は、再生層として室温で面内磁化膜で、温度上昇ととも
に垂直磁化に移行する磁性膜を用いることを特徴とす
る。さらに、本発明は、再生層として補償温度が室温近
傍であるフェリ磁性膜であることを特徴とする。
に本発明は、再生時には前記記録層から生じる磁界と光
スポット内の温度分布を利用して記録層に記録されてい
る情報を前記再生層に転写し磁気超解像読み出しを行な
う光磁気記録媒体において、前記再生層と前記記録層と
の間に金属反射層を形成したことを特徴とする。また、
本発明は、再生層と金属反射層の間、および金属反射層
と記録層の間のうちの少なくともいずれか一方に透明な
誘電体層を形成したことを特徴とする。また、本発明
は、再生層として室温で面内磁化膜で、温度上昇ととも
に垂直磁化に移行する磁性膜を用いることを特徴とす
る。さらに、本発明は、再生層として補償温度が室温近
傍であるフェリ磁性膜であることを特徴とする。
【００１１】静磁結合型の磁気超解像に対しては再生層
と記録層とが連続して積層されている必要がないので、
非磁性の金属反射層を再生層と記録層の間に形成するこ
とが可能である。この金属反射層は記録層より基板側で
あることになるが、記録時には金属反射層側で発生した
熱が記録層にまで伝わるので記録層に情報を記録するこ
とが可能である。一方、再生時には記録層の情報は記録
層が発生する浮遊磁界により再生層に転写されるので、
金属反射層の存在は磁気超解像再生の妨げとならない。
また再生時においては、金属反射層があると、再生層の
両面で光が多重反射して光が反射層を透過せず、記録層
の信号をノイズとして拾わないため、高いＣＮ比が実現
できる。
と記録層とが連続して積層されている必要がないので、
非磁性の金属反射層を再生層と記録層の間に形成するこ
とが可能である。この金属反射層は記録層より基板側で
あることになるが、記録時には金属反射層側で発生した
熱が記録層にまで伝わるので記録層に情報を記録するこ
とが可能である。一方、再生時には記録層の情報は記録
層が発生する浮遊磁界により再生層に転写されるので、
金属反射層の存在は磁気超解像再生の妨げとならない。
また再生時においては、金属反射層があると、再生層の
両面で光が多重反射して光が反射層を透過せず、記録層
の信号をノイズとして拾わないため、高いＣＮ比が実現
できる。
【００１２】この構成を実現するためには、再生層とし
てＧｄＦｅやＧｄＦｅＣｏを主成分とする希土類遷移金
属アモルファス合金膜が適しており、記録層としてはＴ
ｂＦｅＣｏやＤｙＦｅＣｏを主成分とする希土類遷移金
属アモルファス合金膜が適している。金属反射層として
は、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｐｔやこれらの金属の合金を用
いることができる。
てＧｄＦｅやＧｄＦｅＣｏを主成分とする希土類遷移金
属アモルファス合金膜が適しており、記録層としてはＴ
ｂＦｅＣｏやＤｙＦｅＣｏを主成分とする希土類遷移金
属アモルファス合金膜が適している。金属反射層として
は、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｐｔやこれらの金属の合金を用
いることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明にかかる
光磁気記録媒体の一部分を示す平面図、図２は断面図で
ある。なお、従来技術の欄で示した構成部材等と同一の
ものについては同一符号をもって示し、その説明を適宜
省略する。これらの図において、円板状に形成された基
板５の光源側とは反対側の面には、誘電体層１１、再生
層１、金属反射層１２、記録層２および誘電体層１３が
この順序で順次積層形成されており、これらによって光
磁気ディスク（光磁気記録媒体）１４を構成している。
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明にかかる
光磁気記録媒体の一部分を示す平面図、図２は断面図で
ある。なお、従来技術の欄で示した構成部材等と同一の
ものについては同一符号をもって示し、その説明を適宜
省略する。これらの図において、円板状に形成された基
板５の光源側とは反対側の面には、誘電体層１１、再生
層１、金属反射層１２、記録層２および誘電体層１３が
この順序で順次積層形成されており、これらによって光
磁気ディスク（光磁気記録媒体）１４を構成している。
【００１４】基板５としては、例えば厚さ１．２ｍｍ、
直径１３０ｍｍのトラッキング用溝（トラッキングピッ
チ１．２μｍ）付きガラス基板が用いられる。誘電体層
１１，１３としてはＳｉ3 Ｎ4 によって形成され、７０
ｎｍの膜厚を有している。再生層１としてはＧｄＦｅＣ
ｏからなり、３０ｎｍの膜厚を有している。金属反射層
１２としてはＡｌＴｉが用いられ、２０ｎｍの膜厚を有
している。記録層２としてはＴｂＦｅＣｏが用いられ、
４０ｎｍの膜厚を有している。
直径１３０ｍｍのトラッキング用溝（トラッキングピッ
チ１．２μｍ）付きガラス基板が用いられる。誘電体層
１１，１３としてはＳｉ3 Ｎ4 によって形成され、７０
ｎｍの膜厚を有している。再生層１としてはＧｄＦｅＣ
ｏからなり、３０ｎｍの膜厚を有している。金属反射層
１２としてはＡｌＴｉが用いられ、２０ｎｍの膜厚を有
している。記録層２としてはＴｂＦｅＣｏが用いられ、
４０ｎｍの膜厚を有している。
【００１５】このような光磁気ディスク１４は、基板５
をスパッタリング装置内にセットし、装置内部を１×１
０ー4Ｐａ以下に排気した後、スパッタリングによりＳｉ
3 Ｎ4 （誘電体層１１）、ＧｄＦｅＣｏ（再生層１）、
ＡｌＴｉ（金属反射層１２）、ＴｂＦｅＣｏ（記録層
２）を、それぞれ所要の膜厚で順次積層形成し、最後に
保護膜としてのＳｉ3 Ｎ4 （誘電体層１３）を成膜する
ことにより製作することができる。Ｓｉ3 Ｎ4 膜の成膜
には、Ｓｉターゲットを用い、Ａｒ＋Ｎ2 雰囲気中で反
応性スパッタリングにより成膜する。その他の層は、合
金ターゲットを用い、Ａｒ雰囲気中で成膜を行なう。各
層のキュリー温度は、再生層１の場合３５０°Ｃ、記録
層２の場合２６０°Ｃとする。記録層２は室温で遷移金
属リッチであり、再生層１は室温で希土類リッチで室温
単層では面内磁化膜となり、１００°Ｃ以上で垂直磁化
膜となる組成であった。
をスパッタリング装置内にセットし、装置内部を１×１
０ー4Ｐａ以下に排気した後、スパッタリングによりＳｉ
3 Ｎ4 （誘電体層１１）、ＧｄＦｅＣｏ（再生層１）、
ＡｌＴｉ（金属反射層１２）、ＴｂＦｅＣｏ（記録層
２）を、それぞれ所要の膜厚で順次積層形成し、最後に
保護膜としてのＳｉ3 Ｎ4 （誘電体層１３）を成膜する
ことにより製作することができる。Ｓｉ3 Ｎ4 膜の成膜
には、Ｓｉターゲットを用い、Ａｒ＋Ｎ2 雰囲気中で反
応性スパッタリングにより成膜する。その他の層は、合
金ターゲットを用い、Ａｒ雰囲気中で成膜を行なう。各
層のキュリー温度は、再生層１の場合３５０°Ｃ、記録
層２の場合２６０°Ｃとする。記録層２は室温で遷移金
属リッチであり、再生層１は室温で希土類リッチで室温
単層では面内磁化膜となり、１００°Ｃ以上で垂直磁化
膜となる組成であった。
【００１６】このような光磁気ディスク１４において、
記録時には金属反射層１２側で発生した熱が記録層２に
まで伝わるので記録層２に情報を記録することが可能で
ある。一方、再生時には記録層２の情報は記録層２が発
生する浮遊磁界により再生層１に転写されるので、金属
反射層１２の存在は磁気超解像再生の妨げとならない。
また、再生時においては、金属反射層１２があると、再
生層１の両面で光ビームスポット６が多重反射してカー
回転角を増大させる。また、金属反射層１２を透過しな
いので記録層２の信号をノイズとして拾うことがなく、
その結果としてＣＮ比を向上させることができる。
記録時には金属反射層１２側で発生した熱が記録層２に
まで伝わるので記録層２に情報を記録することが可能で
ある。一方、再生時には記録層２の情報は記録層２が発
生する浮遊磁界により再生層１に転写されるので、金属
反射層１２の存在は磁気超解像再生の妨げとならない。
また、再生時においては、金属反射層１２があると、再
生層１の両面で光ビームスポット６が多重反射してカー
回転角を増大させる。また、金属反射層１２を透過しな
いので記録層２の信号をノイズとして拾うことがなく、
その結果としてＣＮ比を向上させることができる。
【００１７】
【実施例１】上記した光磁気ディスク１４を記録再生装
置にセットして線速度９ｍ／ｓで記録再生を行なった。
装置の光源波長は７８０ｎｍ、対物レンズの開口数（Ｎ
Ａ）は０．５５であった。記録パワーの高レベル（Ｐ
ｗ）＝８．０ｍＷ、記録パワーの低レベル（Ｐｂ）＝
１．５ｍＷ、記録磁界３００Ｏｅで周波数１１．３ＭＨ
ｚの信号を記録した。再生磁界−５０Ｏｅ（記録磁界と
は反対方向）、再生パワー１．０ｍＷで再生したとこ
ろ、ＣＮ比＝２０ｄＢであった。次に、再生パワーを
２．８ｍＷに上げて再生したところ、ＣＮ比＝４６ｄＢ
が得られた。マーク長が約０．４μｍで４５ｄＢを越え
るＣＮ比が得られており、磁気超解像による再生が起こ
っていると考えられる。
置にセットして線速度９ｍ／ｓで記録再生を行なった。
装置の光源波長は７８０ｎｍ、対物レンズの開口数（Ｎ
Ａ）は０．５５であった。記録パワーの高レベル（Ｐ
ｗ）＝８．０ｍＷ、記録パワーの低レベル（Ｐｂ）＝
１．５ｍＷ、記録磁界３００Ｏｅで周波数１１．３ＭＨ
ｚの信号を記録した。再生磁界−５０Ｏｅ（記録磁界と
は反対方向）、再生パワー１．０ｍＷで再生したとこ
ろ、ＣＮ比＝２０ｄＢであった。次に、再生パワーを
２．８ｍＷに上げて再生したところ、ＣＮ比＝４６ｄＢ
が得られた。マーク長が約０．４μｍで４５ｄＢを越え
るＣＮ比が得られており、磁気超解像による再生が起こ
っていると考えられる。
【００１８】比較のため上記の金属反射層１２をＳｉ3
Ｎ4 に変えた通常の静磁結合型光磁気ディスクも作製し
た。上記したと同じ条件で評価したところ、ＣＮ比は４
２ｄＢしか得られなかった。ＡｌＴｉとＳｉ3 Ｎ4 の熱
伝導度の違いにより記録パワーが変わった可能性が考え
られるため、記録パワーを変えてＣＮ比を測定したが、
４３ｄＢまでしか得られなかった。このことから金属反
射層１２の存在によりカー回転角が増大してＣＮ比が向
上していることが確かめられた。
Ｎ4 に変えた通常の静磁結合型光磁気ディスクも作製し
た。上記したと同じ条件で評価したところ、ＣＮ比は４
２ｄＢしか得られなかった。ＡｌＴｉとＳｉ3 Ｎ4 の熱
伝導度の違いにより記録パワーが変わった可能性が考え
られるため、記録パワーを変えてＣＮ比を測定したが、
４３ｄＢまでしか得られなかった。このことから金属反
射層１２の存在によりカー回転角が増大してＣＮ比が向
上していることが確かめられた。
【００１９】図３は本発明の他の実施の形態を示す断面
図である。この実施の形態においては、再生層１と金属
反射層１２の間および金属反射層１２と記録層２の間に
誘電体層２０，２１をそれぞれ形成している。このよう
な光磁気ディスク１４の製作は、上記した実施の形態と
同様な手順で行われる。誘電体層２０は厚さ４０ｎｍの
Ｓｉ3 Ｎ4 からなり、誘電体層１２は同じく厚さ１０ｎ
ｍのＳｉ3 Ｎ4 からなる。このような構成においても、
光ビームスポット６が誘電体層２０の両面で多重反射す
るので、大きなカー回転角が得られＣＮ比を向上させる
ことができ、高密度化が実現できる。
図である。この実施の形態においては、再生層１と金属
反射層１２の間および金属反射層１２と記録層２の間に
誘電体層２０，２１をそれぞれ形成している。このよう
な光磁気ディスク１４の製作は、上記した実施の形態と
同様な手順で行われる。誘電体層２０は厚さ４０ｎｍの
Ｓｉ3 Ｎ4 からなり、誘電体層１２は同じく厚さ１０ｎ
ｍのＳｉ3 Ｎ4 からなる。このような構成においても、
光ビームスポット６が誘電体層２０の両面で多重反射す
るので、大きなカー回転角が得られＣＮ比を向上させる
ことができ、高密度化が実現できる。
【００２０】
【実施例２】図３に示す光磁気ディスク１４を記録再生
装置にセットし線速度９ｍ／ｓで記録再生を行なった。
装置の光源波長は７８０ｎｍ、ＮＡは０．５５であっ
た。Ｐｗ＝８．７ｍＷ、Ｐｂ＝１．５ｍ／Ｗ、記録磁界
３００Ｏｅで周波数１１．３ＭＨｚの信号を記録した。
再生磁界はなし、再生パワー１．０ｍＷで再生したとこ
ろ、ＣＮ比＝１０ｄＢであった。再生パワーを３．０ｍ
Ｗに上げて再生したところ、ＣＮ比＝４７ｄＢが得られ
た。
装置にセットし線速度９ｍ／ｓで記録再生を行なった。
装置の光源波長は７８０ｎｍ、ＮＡは０．５５であっ
た。Ｐｗ＝８．７ｍＷ、Ｐｂ＝１．５ｍ／Ｗ、記録磁界
３００Ｏｅで周波数１１．３ＭＨｚの信号を記録した。
再生磁界はなし、再生パワー１．０ｍＷで再生したとこ
ろ、ＣＮ比＝１０ｄＢであった。再生パワーを３．０ｍ
Ｗに上げて再生したところ、ＣＮ比＝４７ｄＢが得られ
た。
【００２１】なお、図３においては、再生層１と金属反
射層１２の間および金属反射層１２と記録層２の間に誘
電体層２０，２１をそれぞれ形成した例を示したが、本
発明はこれに限らずいずれか一方にのみ誘電体層を形成
したものであっても同様なＣＮ比を得ることができる。
また、再生層１としては、室温で面内磁化膜で、温度上
昇とともに垂直磁化に移行する磁性膜を用いたものと、
補償温度が室温近傍であるフェリ磁性膜を用いたもので
いずれであってもよい。
射層１２の間および金属反射層１２と記録層２の間に誘
電体層２０，２１をそれぞれ形成した例を示したが、本
発明はこれに限らずいずれか一方にのみ誘電体層を形成
したものであっても同様なＣＮ比を得ることができる。
また、再生層１としては、室温で面内磁化膜で、温度上
昇とともに垂直磁化に移行する磁性膜を用いたものと、
補償温度が室温近傍であるフェリ磁性膜を用いたもので
いずれであってもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る光磁気
記録媒体は、再生時には前記記録層から生じる磁界と光
スポット内の温度分布を利用して記録層に記録されてい
る情報を前記再生層に転写し磁気超解像読み出しを行な
う光磁気ディスク記録媒体において、再生層と記録層の
間に金属反射層を形成したので、磁気超解像再生媒体で
さらに高いＣＮ比が得られ、光磁気記録媒体の高密度化
が実現できる。
記録媒体は、再生時には前記記録層から生じる磁界と光
スポット内の温度分布を利用して記録層に記録されてい
る情報を前記再生層に転写し磁気超解像読み出しを行な
う光磁気ディスク記録媒体において、再生層と記録層の
間に金属反射層を形成したので、磁気超解像再生媒体で
さらに高いＣＮ比が得られ、光磁気記録媒体の高密度化
が実現できる。
【図１】 本発明に係る光磁気ディスクの一部を示す平
面図である。
面図である。
【図２】 同ディスクの断面図である。
【図３】 本発明の他の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図４】 従来の光磁気記録媒体の一部を示す平面図で
ある。
ある。
【図５】 同記録媒体の断面図である。
１…再生層、２…記録層、３…誘電体層、４…光磁気デ
ィスク、５…基板、６…光ビームスポット、１１…誘電
体層、１２…金属反射層、１３，２０，２１…誘電体
層。
ィスク、５…基板、６…光ビームスポット、１１…誘電
体層、１２…金属反射層、１３，２０，２１…誘電体
層。
Claims (4)
- 【請求項１】 再生時には記録層から生じる磁界と光ス
ポット内の温度分布を利用して記録層に記録されている
情報を再生層に転写し磁気超解像読み出しを行なう光磁
気ディスク記録媒体において、前記再生層と前記記録層
との間に金属反射層を形成したことを特徴とする光磁気
記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１記載の光磁気記録媒体におい
て、再生層と金属反射層の間、および金属反射層と記録
層の間のうちの少なくともいずれか一方に透明な誘電体
層を形成したことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の光磁気記録媒体
において、再生層として室温で面内磁化膜で、温度上昇
とともに垂直磁化に移行する磁性膜を用いることを特徴
とする光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 請求項１または２記載の光磁気記録媒体
において、再生層として補償温度が室温近傍であるフェ
リ磁性膜であることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8308067A JPH10149589A (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8308067A JPH10149589A (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10149589A true JPH10149589A (ja) | 1998-06-02 |
Family
ID=17976491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8308067A Pending JPH10149589A (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10149589A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004027759A3 (en) * | 2002-09-18 | 2004-06-03 | Koninkl Philips Electronics Nv | A magneto-optical storage medium |
-
1996
- 1996-11-19 JP JP8308067A patent/JPH10149589A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004027759A3 (en) * | 2002-09-18 | 2004-06-03 | Koninkl Philips Electronics Nv | A magneto-optical storage medium |
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