JPH0380448A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0380448A JPH0380448A JP21653189A JP21653189A JPH0380448A JP H0380448 A JPH0380448 A JP H0380448A JP 21653189 A JP21653189 A JP 21653189A JP 21653189 A JP21653189 A JP 21653189A JP H0380448 A JPH0380448 A JP H0380448A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光磁気記録媒体、特に、磁気光学効果を利用
してレーザ光により情報の記録・再生を行なう光磁気記
録媒体に関する。
してレーザ光により情報の記録・再生を行なう光磁気記
録媒体に関する。
従来の光磁気記録媒体は、記録特性、再生特性の向上を
目的として、光磁気記録層として複数の磁性層を用いた
ものが提案されている。代表的な例として例えば特開昭
57−78652号公報記載の熱磁気記録担体および熱
磁気記録方式は、低いキュリー温度を示す記録特性のよ
い高い保磁力を有する書込層と、高いキュリー温度を示
す再生特性のよい低い保磁力を有する読出層とを積層し
、少ないエネルギーで書込層に書き込んだビットを磁気
光学効果の大きい読出層に交換結合により転写し、読出
層側から読出すものである。
目的として、光磁気記録層として複数の磁性層を用いた
ものが提案されている。代表的な例として例えば特開昭
57−78652号公報記載の熱磁気記録担体および熱
磁気記録方式は、低いキュリー温度を示す記録特性のよ
い高い保磁力を有する書込層と、高いキュリー温度を示
す再生特性のよい低い保磁力を有する読出層とを積層し
、少ないエネルギーで書込層に書き込んだビットを磁気
光学効果の大きい読出層に交換結合により転写し、読出
層側から読出すものである。
次に、従来例について、図面を用いて詳細に説明する。
第3図は従来の一例を示す概略断面図である。
第3図に示す光磁気記録媒体は、光学的に透明な透明基
板1の上に透明誘電体層2が形成され、その上に、垂直
磁化可能で高いキュリー点を有し低い保磁力を示す読出
層3と、垂直磁化可能で低いキュリー点を有し高い保磁
力を示す書込層4とが順次積層され、その上に誘電体層
8が形成されている。
板1の上に透明誘電体層2が形成され、その上に、垂直
磁化可能で高いキュリー点を有し低い保磁力を示す読出
層3と、垂直磁化可能で低いキュリー点を有し高い保磁
力を示す書込層4とが順次積層され、その上に誘電体層
8が形成されている。
この光磁気記録媒体は書込層4に小さな記録エネルギー
で書込むことができ、これを交換結合により磁気光学効
果の大きな読出層3に転写する方式のため高感度で高C
/Nな光磁気記録媒体が得られる。
で書込むことができ、これを交換結合により磁気光学効
果の大きな読出層3に転写する方式のため高感度で高C
/Nな光磁気記録媒体が得られる。
しかしながら上述した従来の光磁気記録特性は、磁性膜
である読出層や書込層と誘電体膜である誘電体層とでは
磁性膜の方が熱拡散率が大きいので、磁性膜で発生した
熱は主に磁性膜内を横に拡がるように流れるため、記録
されるビット(反転磁化領域)は照射された光領域より
もかなり大きく形成されるので、記録密度が低くなると
ともに感度やC/Nも低いという欠点があった。
である読出層や書込層と誘電体膜である誘電体層とでは
磁性膜の方が熱拡散率が大きいので、磁性膜で発生した
熱は主に磁性膜内を横に拡がるように流れるため、記録
されるビット(反転磁化領域)は照射された光領域より
もかなり大きく形成されるので、記録密度が低くなると
ともに感度やC/Nも低いという欠点があった。
本発明の光磁気記録媒体は、光学的に透明な透明基板の
上に、透明誘電体層を介して垂直磁化可能で高キュリー
点を有する低い保磁力を有する読出層と、垂直磁化可能
で低キュリー点を有する高い保磁力を有する書込層とを
順次積層し、その上に熱放散用の非磁性金属層が形成さ
れて構成される。
上に、透明誘電体層を介して垂直磁化可能で高キュリー
点を有する低い保磁力を有する読出層と、垂直磁化可能
で低キュリー点を有する高い保磁力を有する書込層とを
順次積層し、その上に熱放散用の非磁性金属層が形成さ
れて構成される。
また、光学的に透明な透明基板の上に、透明誘電体層を
介して垂直磁化可能で高キュリー点を有する低い保磁力
を有する読出層と、垂直磁化可能で低キュリー点を有す
る高い保磁力を有する書込層とを順次積層し、その上に
誘電体層を介して非磁性金属層を積層するが、前記非磁
性金属層がない状態での透過率が5%未満であるように
構成される。
介して垂直磁化可能で高キュリー点を有する低い保磁力
を有する読出層と、垂直磁化可能で低キュリー点を有す
る高い保磁力を有する書込層とを順次積層し、その上に
誘電体層を介して非磁性金属層を積層するが、前記非磁
性金属層がない状態での透過率が5%未満であるように
構成される。
次に、本発明の実施例について、図面を用いて説明する
。
。
第1図に示す光磁気記録媒体は光学的に透明な透明基板
1と、透明誘電体層2と、垂直磁化可能で高いキュリー
点を有し低い保磁力を示す読出層3と、垂直磁化可能で
低いキュリー点を有し高い保磁力を示す書込層4と、熱
放散用の非磁性金属層5と、付着強化層6と、保護層7
とを含んで構成される。
1と、透明誘電体層2と、垂直磁化可能で高いキュリー
点を有し低い保磁力を示す読出層3と、垂直磁化可能で
低いキュリー点を有し高い保磁力を示す書込層4と、熱
放散用の非磁性金属層5と、付着強化層6と、保護層7
とを含んで構成される。
透明基板1としては、エポキシ樹脂、ポリカーボネイト
樹脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂等の合成樹脂
やガラスなどを用いることができる。
樹脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂等の合成樹脂
やガラスなどを用いることができる。
透明誘電体層2としては、窒化シリコン、窒化アルミニ
ウム、窒化酸化シリコン、窒化酸化アルミニウム、窒化
酸化シリコンアルミニウム、酸化シリコン、酸化タンタ
ル、硫化亜鉛などを用いることができる。
ウム、窒化酸化シリコン、窒化酸化アルミニウム、窒化
酸化シリコンアルミニウム、酸化シリコン、酸化タンタ
ル、硫化亜鉛などを用いることができる。
読出層3としては、ガドリニウム・鉄・コバルト・チタ
ンの非晶質合金が最も望ましいが、ガドリニウム・鉄・
チタン合金、ガドリニウム・鉄・コバルト合金、ガドリ
ニウム・鉄・コバルト・クロム合金、ガドリニウム・鉄
・コバルト・アルミニウム合金などを用いることもでき
る。
ンの非晶質合金が最も望ましいが、ガドリニウム・鉄・
チタン合金、ガドリニウム・鉄・コバルト合金、ガドリ
ニウム・鉄・コバルト・クロム合金、ガドリニウム・鉄
・コバルト・アルミニウム合金などを用いることもでき
る。
書込層4としては、テルビウム・鉄・チタンの非晶質合
金が最も望ましいが、テルビウム・ジスプロシウム・鉄
・チタン合金、ジスプロシウム・鉄・チタン合金、テル
ビウム・鉄合金、テルビウム・ジスプロシウム・鉄合金
、ジスプロシウム・鉄合金、テルビウム・鉄・クロム合
金、テルビウム・鉄・アルミニウム合金、テルビウム・
ジスプロシウム・鉄・クロム合金、テルビウム・ジスプ
ロシウム・鉄・アルミニウム合金、ジスプロシウム・鉄
・り□ム合金、ジスプロシウム・鉄・アルミニウム合金
などを用いることもできる。
金が最も望ましいが、テルビウム・ジスプロシウム・鉄
・チタン合金、ジスプロシウム・鉄・チタン合金、テル
ビウム・鉄合金、テルビウム・ジスプロシウム・鉄合金
、ジスプロシウム・鉄合金、テルビウム・鉄・クロム合
金、テルビウム・鉄・アルミニウム合金、テルビウム・
ジスプロシウム・鉄・クロム合金、テルビウム・ジスプ
ロシウム・鉄・アルミニウム合金、ジスプロシウム・鉄
・り□ム合金、ジスプロシウム・鉄・アルミニウム合金
などを用いることもできる。
熱放散用の非磁性金属層5としては、アルミニウムを主
成分とする合金、銅を主成分とする合金、金、白金、パ
ラジウム、ステンレス、ニクロムなどを用いることがで
きる。
成分とする合金、銅を主成分とする合金、金、白金、パ
ラジウム、ステンレス、ニクロムなどを用いることがで
きる。
ここで、熱放散用の非磁性金属層5と磁性膜である読出
層3および書込層4とでは、熱放散用の非磁性金属層5
の方が熱拡散率が大きいので、磁性膜で発生した熱は磁
性膜内を横に拡がるよりも非磁性金属層5の方に流れる
ようになる。
層3および書込層4とでは、熱放散用の非磁性金属層5
の方が熱拡散率が大きいので、磁性膜で発生した熱は磁
性膜内を横に拡がるよりも非磁性金属層5の方に流れる
ようになる。
したがって、記録されるビット(反転磁化領域)は照射
された光領域から大きくは拡がらずに形成される。
された光領域から大きくは拡がらずに形成される。
第1図に示す光磁気記録媒体の一具体例では、アクリル
系樹脂による案内溝が形成されている直径200mm、
厚さ1.2肺のエポキシ樹脂製ディスク基板を逆スパツ
タした後、酸化タンタル膜を反応性スパッタリングによ
り300A厚形成し、次に、窒化シリコン膜を反応性ス
パッタリングにより500人厚形成し、次に、原子%で
23.0対5864対14.6対4,0のガドリニウム
・鉄・コバルト・チタン膜の200人厚0読出層を形成
し、ひきつづき原子%で20.2対75.8対4.0の
テルビウム・鉄・チタン膜の1000人厚の書込層を形
成し、次に、原子%で99対1のアルミニウム・チタン
膜の100人厚0熱放散用金属層を形成し、最後に窒化
シリコン膜を反応性スパッタリングにより600A厚形
成したディスク2枚を膜が内側になるようにホットメル
トで貼合せて作製したものである。
系樹脂による案内溝が形成されている直径200mm、
厚さ1.2肺のエポキシ樹脂製ディスク基板を逆スパツ
タした後、酸化タンタル膜を反応性スパッタリングによ
り300A厚形成し、次に、窒化シリコン膜を反応性ス
パッタリングにより500人厚形成し、次に、原子%で
23.0対5864対14.6対4,0のガドリニウム
・鉄・コバルト・チタン膜の200人厚0読出層を形成
し、ひきつづき原子%で20.2対75.8対4.0の
テルビウム・鉄・チタン膜の1000人厚の書込層を形
成し、次に、原子%で99対1のアルミニウム・チタン
膜の100人厚0熱放散用金属層を形成し、最後に窒化
シリコン膜を反応性スパッタリングにより600A厚形
成したディスク2枚を膜が内側になるようにホットメル
トで貼合せて作製したものである。
第1図に示す光磁気記録媒体を3600rpmで回転し
、波長820nmの半導体レーザを基板を通して照射し
、記録周波数8MHzの信号を15mWの記録パワーで
記録し、3.0mWの再生パワーで再生したところ、バ
ンド幅30KHzでのC7N比は55dBが得られ、高
感度で高C/Hの光磁気記録媒体であることが確認され
た。
、波長820nmの半導体レーザを基板を通して照射し
、記録周波数8MHzの信号を15mWの記録パワーで
記録し、3.0mWの再生パワーで再生したところ、バ
ンド幅30KHzでのC7N比は55dBが得られ、高
感度で高C/Hの光磁気記録媒体であることが確認され
た。
高密度記録可能か否かの判断は分解能測定により行なっ
た。すなわち、分解能は15.65MHzのときの再生
振幅と1.325MHzのときの再生振幅との比で定義
した。
た。すなわち、分解能は15.65MHzのときの再生
振幅と1.325MHzのときの再生振幅との比で定義
した。
比較例として、上述の実施例で熱放散用金属層を除いて
他は全く同じ構成の従来の光磁気記録媒体を作製して分
解能を測定したところ0.17であったが、上述した実
施例の光磁気記録媒体の分解能は0.20であり、本発
明の光磁気記録媒体が従来のものよりも高密度記録が可
能となることが確認された。
他は全く同じ構成の従来の光磁気記録媒体を作製して分
解能を測定したところ0.17であったが、上述した実
施例の光磁気記録媒体の分解能は0.20であり、本発
明の光磁気記録媒体が従来のものよりも高密度記録が可
能となることが確認された。
第2図は本発明の他の実施例を示す概略断面図である。
第2図に示す光磁気記録媒体は、光学的に透明な透明基
板1と、付着強化層6と、透明誘電体層2と、垂直磁化
可能で高いキュリー点を有し低い保磁力を示す読出層3
と、垂直磁化可能で低いキュリー点を有し高い保磁力を
示す書込層4と、誘電体層8と、非磁性金属層5と、保
護層7とで構成される。
板1と、付着強化層6と、透明誘電体層2と、垂直磁化
可能で高いキュリー点を有し低い保磁力を示す読出層3
と、垂直磁化可能で低いキュリー点を有し高い保磁力を
示す書込層4と、誘電体層8と、非磁性金属層5と、保
護層7とで構成される。
付着強化層6.保護層7は必らずしも設ける必要はない
。
。
透明基板1と、透明誘電体層2と、読出層3と、書込層
4と、非磁性金属膜5とは第1図に関して説明したもの
と同じものを使いうる。
4と、非磁性金属膜5とは第1図に関して説明したもの
と同じものを使いうる。
ここで、第2図に示す光磁気記録媒体に用いる非磁性金
属層5には磁性膜である読出層3と書込層4の熱拡散率
よりも大きな材料を用いる。また、誘電体層8として熱
拡散率と膜厚とを適切に選ぶことにより、磁性膜で発生
した熱は磁性膜内を横に拡がるよりも非磁性金属層5の
方に流れるようになる。したがって、記録されるビット
(反転磁化領域)は照射された光領域から大きくは拡が
らずに形成でき、高密度記録が可能となる。
属層5には磁性膜である読出層3と書込層4の熱拡散率
よりも大きな材料を用いる。また、誘電体層8として熱
拡散率と膜厚とを適切に選ぶことにより、磁性膜で発生
した熱は磁性膜内を横に拡がるよりも非磁性金属層5の
方に流れるようになる。したがって、記録されるビット
(反転磁化領域)は照射された光領域から大きくは拡が
らずに形成でき、高密度記録が可能となる。
一方、磁性膜である読出層3と書込層4の膜厚を薄くす
れば磁性膜内の横方向への熱の拡がりはさらに小さくな
り、さらに高密度な記録が可能となるが、磁性膜の膜厚
変動による記録感度の変動がより敏感になる。この観点
から磁性膜はある程度厚い方がよい。
れば磁性膜内の横方向への熱の拡がりはさらに小さくな
り、さらに高密度な記録が可能となるが、磁性膜の膜厚
変動による記録感度の変動がより敏感になる。この観点
から磁性膜はある程度厚い方がよい。
すなわち、第2図に示す光磁気記録媒体で、誘電体層8
まで積層したときの透過率が5%未満であれば記録感度
の安定な光磁気記録媒体が得られる。
まで積層したときの透過率が5%未満であれば記録感度
の安定な光磁気記録媒体が得られる。
また、磁性膜を厚くし、透過率を小さくしたため、非磁
性金属層5に用いる材料として、表面の凹凸を小さくす
る必要がなくなるので歩留よく作製することができる。
性金属層5に用いる材料として、表面の凹凸を小さくす
る必要がなくなるので歩留よく作製することができる。
なお、誘電体層8は記録感度をそれほど低下させない場
合に必要である。
合に必要である。
第2図に示す光磁気記録媒体の一具体例では、アクリル
系樹脂による案内溝が形成されている直径200mm、
厚さ1.2 mmのエポキシ樹脂製ディスク基板を逆ス
パツタした後、酸化タンタル膜を反応性スパッタリング
により300人厚形成し、次に、窒化シリコン膜を反応
性スパッタリングにより500A厚形成し、次に、原子
%で23.0対58.4対14.6対4.0のガドリニ
ウム・鉄・コバルト・チタン膜の200A厚の読出層を
形威し、ひきつづき原子%で20.2対75.8対4.
0のテルビウム・鉄・チタン膜の100OA厚の書込層
を形成し、次に、窒化シリコン膜を反応性スパッタリン
グにより100人厚形成し、その上に、原子%で99対
1のアルミニウム・チタン膜の400A厚の反射層を形
成し、最後に窒化シリコン膜を500A厚形成したディ
スク2枚を膜が内側になるようにホットメルトで貼合せ
て作製したものである。
系樹脂による案内溝が形成されている直径200mm、
厚さ1.2 mmのエポキシ樹脂製ディスク基板を逆ス
パツタした後、酸化タンタル膜を反応性スパッタリング
により300人厚形成し、次に、窒化シリコン膜を反応
性スパッタリングにより500A厚形成し、次に、原子
%で23.0対58.4対14.6対4.0のガドリニ
ウム・鉄・コバルト・チタン膜の200A厚の読出層を
形威し、ひきつづき原子%で20.2対75.8対4.
0のテルビウム・鉄・チタン膜の100OA厚の書込層
を形成し、次に、窒化シリコン膜を反応性スパッタリン
グにより100人厚形成し、その上に、原子%で99対
1のアルミニウム・チタン膜の400A厚の反射層を形
成し、最後に窒化シリコン膜を500A厚形成したディ
スク2枚を膜が内側になるようにホットメルトで貼合せ
て作製したものである。
第2図に示す光磁気記録媒体を360Orpmで回転し
、波長820nmの半導体レーザを基板を通して照射し
、記録周波数10MHzの信号を12mWの記録パワー
で記録し、3.0mWの再生パワーで再生したところ、
バンド!30KHzでのC7N比は59dBが得られ、
高感度で高C/Nの光磁気記録媒体であることが確認さ
れた。
、波長820nmの半導体レーザを基板を通して照射し
、記録周波数10MHzの信号を12mWの記録パワー
で記録し、3.0mWの再生パワーで再生したところ、
バンド!30KHzでのC7N比は59dBが得られ、
高感度で高C/Nの光磁気記録媒体であることが確認さ
れた。
高密度記録可能か否かの判断は分解能測定により行なっ
た。すなわち、分解能は15.65MHzのときの再生
振幅と1.325MHzのときの再生振幅との比で定義
した。
た。すなわち、分解能は15.65MHzのときの再生
振幅と1.325MHzのときの再生振幅との比で定義
した。
比較例として、エポキシ基板上に30OA厚(7)酸化
タンタル膜、500A厚の窒化シリコン膜を形威し、そ
の上に原子%で23.0対58.4対14.6対4.0
のガドリニウム・鉄・コバルト・チタン膜の200A厚
の読出層を形成し、ひきつづき原子%で20.2%対7
5.8対4.0のテルビウム・鉄・チタン膜の100O
A厚の書込層を形成し、最後に窒化シリコン膜を600
A厚形成した従来の光磁気記録媒体を作製して分解能を
測定したところ0.17であったが、上述した実施例の
光磁気記録媒体の分解能は0.19であり、本発明の光
磁気記録媒体が従来のものよりも高密度記録が可能とな
ることが確認された。
タンタル膜、500A厚の窒化シリコン膜を形威し、そ
の上に原子%で23.0対58.4対14.6対4.0
のガドリニウム・鉄・コバルト・チタン膜の200A厚
の読出層を形成し、ひきつづき原子%で20.2%対7
5.8対4.0のテルビウム・鉄・チタン膜の100O
A厚の書込層を形成し、最後に窒化シリコン膜を600
A厚形成した従来の光磁気記録媒体を作製して分解能を
測定したところ0.17であったが、上述した実施例の
光磁気記録媒体の分解能は0.19であり、本発明の光
磁気記録媒体が従来のものよりも高密度記録が可能とな
ることが確認された。
本発明の光磁気記録媒体は、高感度で高C/Nでかつ高
密度記録が可能であるという効果がある。
密度記録が可能であるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す概略断面図、第2図は
本発明の他の実施例を示す概略断面図、第3図は従来の
一例を示す概略断面図である。 1・・・・・・透明基板、2・・・・・・透明誘電体層
、3・・・・・・読出層、4・・・・・・書込層、5・
・・・・・非磁性金属層、6・・・・・・付着強化層、
7・・・・・・保護層、8・・・・・・誘電体層。
本発明の他の実施例を示す概略断面図、第3図は従来の
一例を示す概略断面図である。 1・・・・・・透明基板、2・・・・・・透明誘電体層
、3・・・・・・読出層、4・・・・・・書込層、5・
・・・・・非磁性金属層、6・・・・・・付着強化層、
7・・・・・・保護層、8・・・・・・誘電体層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、光学的に透明な透明基板と、前記透明基板の上に形
成された透明誘電体層と、前記透明誘電体層の上に積層
された垂直磁化可能で高キュリー点を有し低い保磁力を
有する読出層と、前記読出層の上に積層された垂直磁化
可能で低キュリー点を有し高い保磁力を有する書込層と
、前記書込層の上に形成された熱放散用の非磁性金属層
とを含むことを特徴とする光磁気記録媒体。 2、光学的に透明な透明基板と、前記透明基板の上に形
成された透明誘電体層と、前記透明誘電体層の上に積層
された垂直磁化可能で高キュリー点を有し低い保磁力を
有する読出層と、前記読出層の上に積層された垂直磁化
可能で低キュリー点を有し高い保磁力を有する書込層と
、前記透明基板と前記透明誘電体層と前記読出層と前記
書込層とを一体として透過率が5%未満となるように形
成された誘電体層と、前記書込層の上に積層した非磁性
金属層とを含むことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1216531A JP2555891B2 (ja) | 1989-08-22 | 1989-08-22 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1216531A JP2555891B2 (ja) | 1989-08-22 | 1989-08-22 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0380448A true JPH0380448A (ja) | 1991-04-05 |
JP2555891B2 JP2555891B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=16689894
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1216531A Expired - Fee Related JP2555891B2 (ja) | 1989-08-22 | 1989-08-22 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2555891B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03105742A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-02 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5674844A (en) * | 1979-11-21 | 1981-06-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium |
JPS5873017A (ja) * | 1981-10-26 | 1983-05-02 | Ricoh Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
JPS6314342A (ja) * | 1986-07-05 | 1988-01-21 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
JPS63175244A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-19 | Canon Inc | 光磁気メモリ用媒体 |
JPH01178151A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-14 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
-
1989
- 1989-08-22 JP JP1216531A patent/JP2555891B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5674844A (en) * | 1979-11-21 | 1981-06-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium |
JPS5873017A (ja) * | 1981-10-26 | 1983-05-02 | Ricoh Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
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JPH01178151A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-14 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
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JPH03105742A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-02 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2555891B2 (ja) | 1996-11-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |