JPS6310355A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPS6310355A JPS6310355A JP15549386A JP15549386A JPS6310355A JP S6310355 A JPS6310355 A JP S6310355A JP 15549386 A JP15549386 A JP 15549386A JP 15549386 A JP15549386 A JP 15549386A JP S6310355 A JPS6310355 A JP S6310355A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〕
本発明は、透明誘電体膜が透明樹脂基板に対して強固に
接着された光磁気記録媒体に関する。
接着された光磁気記録媒体に関する。
光磁気記録は、記録密度が高い、非接触で記録・読み出
しが可能、高速ランダムアクセスができる、信号の並列
処理が可能、さらに書換えもできるなどの特徴を有して
いるため、近年、特に注目されている。
しが可能、高速ランダムアクセスができる、信号の並列
処理が可能、さらに書換えもできるなどの特徴を有して
いるため、近年、特に注目されている。
光磁気記録媒体の基本的構成は、透明樹脂またはガラス
を基板とし、これに希土類−遷移金属アモルファス合金
、たとえばGdFeやGdTbFe等の磁性薄膜を設け
たものである。
を基板とし、これに希土類−遷移金属アモルファス合金
、たとえばGdFeやGdTbFe等の磁性薄膜を設け
たものである。
周知のように、光磁気記録は、記録に際して、熱磁気記
録によって磁性薄膜にレーザー光を照射して反転磁区を
形成するとともに、読み出しに際しては、磁性薄膜にレ
ーザーの直線偏光を入射し、記録した磁化状B(大きさ
、方向)に対応して反射光または透過光の偏光面が回転
する現象を利用するものである。反射光の偏光面が回転
する現象がカー効果、その回転角がカー回転角と呼ばれ
てでいる。
録によって磁性薄膜にレーザー光を照射して反転磁区を
形成するとともに、読み出しに際しては、磁性薄膜にレ
ーザーの直線偏光を入射し、記録した磁化状B(大きさ
、方向)に対応して反射光または透過光の偏光面が回転
する現象を利用するものである。反射光の偏光面が回転
する現象がカー効果、その回転角がカー回転角と呼ばれ
てでいる。
このカー効果を利用する読み出しでのSN比は、性能指
数=θK X J[(R:反射率)に比例し、この性能
指数は光磁気記録媒体の特性に主として依存する。そこ
で、従来から、カー回転角θ、を増大し、SN比を高め
るために、種々の提案がなされてきた。
数=θK X J[(R:反射率)に比例し、この性能
指数は光磁気記録媒体の特性に主として依存する。そこ
で、従来から、カー回転角θ、を増大し、SN比を高め
るために、種々の提案がなされてきた。
たとえば、特開昭56−156943号公報では、磁性
薄膜と透明基板との間に透明誘電体膜を介在させ、見掛
は上のカー回転角の増大を図っている。
薄膜と透明基板との間に透明誘電体膜を介在させ、見掛
は上のカー回転角の増大を図っている。
しかしながら、カー回転角の増大を目的として、透明誘
電体膜を透明蒸上に設ける場合、接着性が低く、光磁気
記録媒体をユーザーが取扱うとき、膜剥れが生じ易い−
ものであった。
電体膜を透明蒸上に設ける場合、接着性が低く、光磁気
記録媒体をユーザーが取扱うとき、膜剥れが生じ易い−
ものであった。
特に、基板としてポリカーボネート等のプラスチックを
使用する場合、それが有機物であるため、誘電体を形成
する無機物とは密着(接着)性が悪い問題があり、この
点が依軌性を損うことになっていた。
使用する場合、それが有機物であるため、誘電体を形成
する無機物とは密着(接着)性が悪い問題があり、この
点が依軌性を損うことになっていた。
そこで、本発明の主たる目的は、透明樹脂基板に対する
誘電体膜の密着(接着)性に優れた光磁気記録媒体を提
供することにある。
誘電体膜の密着(接着)性に優れた光磁気記録媒体を提
供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、透明樹脂基板−ヒに少くとも透明誘電体膜
および磁性薄膜を有する光磁気記録媒体において; 前記基板上にプラズマCVD法により有機物の重合膜を
形成し、その上に誘電体膜を形成したことで達成される
。
および磁性薄膜を有する光磁気記録媒体において; 前記基板上にプラズマCVD法により有機物の重合膜を
形成し、その上に誘電体膜を形成したことで達成される
。
以下本発明をさらに詳説する。
本発明では、透明樹脂基板上に、少くとも透明誘電体膜
および磁性薄膜を有する構造において、前記基板上にプ
ラズマCVD法により有機物の重合膜を形成し、その上
に誘電体膜を形成する。
および磁性薄膜を有する構造において、前記基板上にプ
ラズマCVD法により有機物の重合膜を形成し、その上
に誘電体膜を形成する。
一般に、基板として、ガラスを用いることもできるけれ
ども、ガラスは、熱伝導率が大きく、記録時に与えたエ
ネルギーが流出する割合が高い、ガイドトラックの形成
が難しい、割れ易い、高価であるなどの難点があるため
、PMMAまたはポリカーボネート等の透明樹脂基板が
好ましい。
ども、ガラスは、熱伝導率が大きく、記録時に与えたエ
ネルギーが流出する割合が高い、ガイドトラックの形成
が難しい、割れ易い、高価であるなどの難点があるため
、PMMAまたはポリカーボネート等の透明樹脂基板が
好ましい。
また、前述のように、見掛は上のカー回転角を増大させ
るために、透明基板と磁性薄膜との間に透明誘電体膜を
介在させることが望まれる。
るために、透明基板と磁性薄膜との間に透明誘電体膜を
介在させることが望まれる。
一方で、前述のように、磁性薄膜の形成材料として、記
録・再生特性の点から、希土類遷移金属アモルファス合
金を用いるのが好ましいけれども、この希土類は特に酸
化され易いので、耐食性の向上のためにも、磁性薄膜と
透明基板との間に、誘電体膜を形成するのが望まれる。
録・再生特性の点から、希土類遷移金属アモルファス合
金を用いるのが好ましいけれども、この希土類は特に酸
化され易いので、耐食性の向上のためにも、磁性薄膜と
透明基板との間に、誘電体膜を形成するのが望まれる。
ところが、このような背景の下で、透明誘電体膜を透明
基板に対して設ける場合、本発明においては、前述の理
由によって、基板として、透明樹脂板を採用することと
しているので、AIN等の無機物からなる誘電体膜は、
樹脂基板に対して密着(接着)性がきわめて悪い。
基板に対して設ける場合、本発明においては、前述の理
由によって、基板として、透明樹脂板を採用することと
しているので、AIN等の無機物からなる誘電体膜は、
樹脂基板に対して密着(接着)性がきわめて悪い。
そこで、本発明では、樹脂基板上にプラズマCVD法に
より有機物の重合膜を形成し、その上に誘電体膜を形成
することとした。
より有機物の重合膜を形成し、その上に誘電体膜を形成
することとした。
樹脂基板上に有機物の重合膜をプラズマCVD法により
形成すると、プラズマCVD法に得られる重合膜が一般
のCVD法による膜比較して良好な密着性を与えるため
、樹脂基板と有機重合膜とが強く接着するとともに、高
い活性をもった有機重合膜が誘電体膜とも高い接着性を
示す。
形成すると、プラズマCVD法に得られる重合膜が一般
のCVD法による膜比較して良好な密着性を与えるため
、樹脂基板と有機重合膜とが強く接着するとともに、高
い活性をもった有機重合膜が誘電体膜とも高い接着性を
示す。
本発明におけるプラズマCVD法による有機重合膜とし
ては、たとえばエチレン、アセチレン。
ては、たとえばエチレン、アセチレン。
ブタジェン、スチレンなどの炭化水素系モノマーやテト
ラフルオロエチレン、ヘキサフルオロエチレンなどのフ
ッ素系モノマーなどを用いて、常法に従って得ることが
できる。
ラフルオロエチレン、ヘキサフルオロエチレンなどのフ
ッ素系モノマーなどを用いて、常法に従って得ることが
できる。
本発明において、透明樹脂基板としては、ポリメチルメ
タクリレート、ポリカーボネートのほか、ポリ塩化ビニ
ル、ポリイミド、ポリアミド、エポキシ、三酢酸セルロ
ース、ポリエチレンテレフタレート等を用いることもで
きる。
タクリレート、ポリカーボネートのほか、ポリ塩化ビニ
ル、ポリイミド、ポリアミド、エポキシ、三酢酸セルロ
ース、ポリエチレンテレフタレート等を用いることもで
きる。
また、第4図のように、ガイドトラック1aを有する樹
脂基板1を用いる場合、有機重合膜2の厚さtは、これ
によってガイドトラック1aが埋まり、トラッキング機
能を損わないように、ガイドトラック1aの溝深さdの
173以下とするのが望ましい。
脂基板1を用いる場合、有機重合膜2の厚さtは、これ
によってガイドトラック1aが埋まり、トラッキング機
能を損わないように、ガイドトラック1aの溝深さdの
173以下とするのが望ましい。
本発明において好適に用いることができる透明誘電体と
しては、AJN 、5iJ4 、AJSiN等の窒化物
のほか、CeFs 、Mgp、 JgFz 、Lap3
、LaFg *NaP +ZnS 、 SiO
、5i02 、 CeF2. A#Fi 4az
031CaF等を挙げることができる。
しては、AJN 、5iJ4 、AJSiN等の窒化物
のほか、CeFs 、Mgp、 JgFz 、Lap3
、LaFg *NaP +ZnS 、 SiO
、5i02 、 CeF2. A#Fi 4az
031CaF等を挙げることができる。
誘電体膜の膜厚としては、200人〜2000人が好ま
しい。
しい。
誘電体膜の形成手段としては、スパッタ法、プラズマC
VD法、真空蒸着法、イオンブレーティング法などを採
用できる。
VD法、真空蒸着法、イオンブレーティング法などを採
用できる。
本発明において、光磁気記録媒体として、透明樹脂基板
、プラズマ、CV D法による有機重合膜、誘電体膜を
順に積層しであるものであれば構造は限定されない。
、プラズマ、CV D法による有機重合膜、誘電体膜を
順に積層しであるものであれば構造は限定されない。
たとえば、第1図に示すように、透明樹脂基板1、プラ
ズマ有機重合膜2、第1誘電体膜3A、磁性薄膜4、第
2誘電体膜3Bの順の構造、第2図のように、第1図構
造の第2誘電体膜3Bの代りに保護層5を形成する構造
、第1図構造の第2誘電体膜3Bの上に、さらに反射膜
6を形成する構造などである。
ズマ有機重合膜2、第1誘電体膜3A、磁性薄膜4、第
2誘電体膜3Bの順の構造、第2図のように、第1図構
造の第2誘電体膜3Bの代りに保護層5を形成する構造
、第1図構造の第2誘電体膜3Bの上に、さらに反射膜
6を形成する構造などである。
磁性薄膜の材質としては、希土類−遷移金属アモルファ
ス合金が一般には好ましいが、結晶体の形式であっても
よい。これらの例としては、GdFe 、TbFe 、
GdCo 、DyFe 、 GdTbFe 4bl’1
yFe 1TbFeCo 、GdTbCo 、GdTb
FeCo 、GdFeB1 、GdTbFeGe;ある
いはごれらに旧、Sr +Ge 等の添加元素が添加
されたものHMnBi 、PtCo 、MnCuB1
、 MnAffGe等がある。
ス合金が一般には好ましいが、結晶体の形式であっても
よい。これらの例としては、GdFe 、TbFe 、
GdCo 、DyFe 、 GdTbFe 4bl’1
yFe 1TbFeCo 、GdTbCo 、GdTb
FeCo 、GdFeB1 、GdTbFeGe;ある
いはごれらに旧、Sr +Ge 等の添加元素が添加
されたものHMnBi 、PtCo 、MnCuB1
、 MnAffGe等がある。
磁性薄膜の厚さは200人〜1500人が好ましい。こ
の膜形成手段としては、誘電体膜の場合と同様である。
の膜形成手段としては、誘電体膜の場合と同様である。
保護(オーバーコート)層としては、たとえばアクリル
系の紫外線硬化樹脂を、スピンコード法などによって形
成することによって得る。この層厚は、1〜20μmが
望ましい。
系の紫外線硬化樹脂を、スピンコード法などによって形
成することによって得る。この層厚は、1〜20μmが
望ましい。
反射膜は、八g 、 AJ、 Stow +Cu 、A
r 、Ii1合金。
r 、Ii1合金。
Fe合金、 Ni合金等を用い、誘電体膜の形成法と同
じ方法をもって、望ましくは500人〜1000人に成
膜する。
じ方法をもって、望ましくは500人〜1000人に成
膜する。
なお、本発明は、上記構造において基板が相互に外側と
なるよう貼り合せたものも含む。
なるよう貼り合せたものも含む。
次に実施例および比較例を示し、本発明の効果を明らか
にする。
にする。
(実施例1)
第5図に示す無電極誘導放電方式のプラズマ重合装置に
より、有機重合膜を基板と誘電体膜との間に介在させて
、光磁気記録媒体を作成した。
より、有機重合膜を基板と誘電体膜との間に介在させて
、光磁気記録媒体を作成した。
同装置は、一方のディスクストッカー10と、他方のデ
ィスクストッカー11およびスパッタリング室12との
間を石英管13で連通し、ガスを入口14が出口15−
に向って流すとともに、高周波電源16に接続された放
電コイル17を石英管13に巻き付けたものである。
ィスクストッカー11およびスパッタリング室12との
間を石英管13で連通し、ガスを入口14が出口15−
に向って流すとともに、高周波電源16に接続された放
電コイル17を石英管13に巻き付けたものである。
まず、トランクピッチ1.6μm1溝深さ80゛0人の
ポリカーボネート基板を用い。ブタジェンガスを、流量
10SCCM 、2Torrの圧力で流し、13、5
6MHzの高周波電力を100W印加した。
ポリカーボネート基板を用い。ブタジェンガスを、流量
10SCCM 、2Torrの圧力で流し、13、5
6MHzの高周波電力を100W印加した。
この中を、3m/lll1nの速度で基板を流したとこ
ろ、200人の重合膜が得られた。次いで、スパッタリ
ングにより、Aj!N 、 GdTbFe 、 A7!
Nの順に各1000人ずつ成膜し、第1図および第4図
に示す光磁気ディスクを得た。
ろ、200人の重合膜が得られた。次いで、スパッタリ
ングにより、Aj!N 、 GdTbFe 、 A7!
Nの順に各1000人ずつ成膜し、第1図および第4図
に示す光磁気ディスクを得た。
このディスクを60℃×90%RHの雰囲気に2時間、
次いで20℃×50%RHに1時間それぞれ放置する試
験を10回繰り返したが、いずれの膜においても剥離は
一切無かった。また、I MHzの信号を記録、再生し
たところ、50dBのC/N比が得られた。
次いで20℃×50%RHに1時間それぞれ放置する試
験を10回繰り返したが、いずれの膜においても剥離は
一切無かった。また、I MHzの信号を記録、再生し
たところ、50dBのC/N比が得られた。
(比較例1)
実施例1において、プラズマ重合膜を形成することなく
、直接第1誘電体膜を基板上に形成したところ、C/N
比は51tlBであり、実施例1と有意差が認められな
かったけれども、基板と第1誘電体膜との界面での剃れ
か、2回で生じた。
、直接第1誘電体膜を基板上に形成したところ、C/N
比は51tlBであり、実施例1と有意差が認められな
かったけれども、基板と第1誘電体膜との界面での剃れ
か、2回で生じた。
(比較例2)
実施例1に対して、ディスクの搬送速度を2m/vAi
nに変更したところ、300人のプラズマ重合膜を得る
ことができ、その他の条件を同一にしてディスクを作成
した。その結果、膜剥離は生じなかったけれども、C/
N比は47dBに低下した。
nに変更したところ、300人のプラズマ重合膜を得る
ことができ、その他の条件を同一にしてディスクを作成
した。その結果、膜剥離は生じなかったけれども、C/
N比は47dBに低下した。
この理由は、プラズマ重合膜が厚くなったため、トラッ
キング溝形状が変化し、トラッキングを取り難くなった
ためと考えられる。したがって、プラズマ重合膜は、あ
まり厚くない方が望ましいことが判った。
キング溝形状が変化し、トラッキングを取り難くなった
ためと考えられる。したがって、プラズマ重合膜は、あ
まり厚くない方が望ましいことが判った。
(実施例2)
プラズマ重合膜および誘電体膜の形成材料を種種変化し
て実験を試みたが、上記実施例1と比較例1との同様の
差異が認められた。
て実験を試みたが、上記実施例1と比較例1との同様の
差異が認められた。
以上の通り、本発明によれば、透明樹脂基板と誘電体膜
との密着・接着性を向上できる。
との密着・接着性を向上できる。
第1図〜第4図は本発明に係る光磁気記録媒体の構造例
の断面図、第5図は実施例で用いたプラズマ重合装置の
概要図である。 1・・・透明樹脂基板、2・・・有機重合膜、3A。 3B・・・誘電体膜、4・・・磁性薄膜、5・・・保護
膜、6・・・反射膜。
の断面図、第5図は実施例で用いたプラズマ重合装置の
概要図である。 1・・・透明樹脂基板、2・・・有機重合膜、3A。 3B・・・誘電体膜、4・・・磁性薄膜、5・・・保護
膜、6・・・反射膜。
Claims (2)
- (1)透明樹脂基板上に少くとも透明誘電体膜および磁
性薄膜を有する光磁気記録媒体において;前記基板上に
プラズマCVD法により有機物の重合膜を形成し、その
上に誘電体膜を形成したことを特徴とする光磁気記録媒
体。 - (2)基板の重合膜がわの面に予めガイドトラック溝が
形成され、前記重合膜の厚はガイドラック溝深さの1/
3以下とした上記第1項記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15549386A JPS6310355A (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15549386A JPS6310355A (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6310355A true JPS6310355A (ja) | 1988-01-16 |
Family
ID=15607252
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15549386A Pending JPS6310355A (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6310355A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02177138A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-10 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光記録部材 |
JP2008120077A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-29 | Keio Gijuku | Dlc膜で被覆の接着性改善ポリオレフィン部材 |
-
1986
- 1986-07-02 JP JP15549386A patent/JPS6310355A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02177138A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-10 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光記録部材 |
JP2008120077A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-29 | Keio Gijuku | Dlc膜で被覆の接着性改善ポリオレフィン部材 |
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