JPH05174433A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH05174433A JPH05174433A JP3342326A JP34232691A JPH05174433A JP H05174433 A JPH05174433 A JP H05174433A JP 3342326 A JP3342326 A JP 3342326A JP 34232691 A JP34232691 A JP 34232691A JP H05174433 A JPH05174433 A JP H05174433A
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- dielectric layer
- film
- dielectric
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
- G11B11/10591—Details for improving write-in properties, e.g. Curie-point temperature
Abstract
(57)【要約】
【構成】 記録磁性層３の下部に隣接して設けられる誘
電体層２として緻密性の高い誘電体層を設ける。さらに
は、記録磁性層３の下部に隣接して設けられる誘電体層
２を緻密性の高い誘電体膜と緻密性の低い誘電体膜より
なる多層構造とするとともに緻密性の高い誘電体膜が記
録磁性層３側となるように形成する。 【効果】 高記録感度であるとともに機械的特性に優
れ、光変調記録方式，磁界変調記録方式のいずれの記録
方式を採用した場合でも良好な記録再生特性が得られる
光磁気記録媒体が得られる。
電体層２として緻密性の高い誘電体層を設ける。さらに
は、記録磁性層３の下部に隣接して設けられる誘電体層
２を緻密性の高い誘電体膜と緻密性の低い誘電体膜より
なる多層構造とするとともに緻密性の高い誘電体膜が記
録磁性層３側となるように形成する。 【効果】 高記録感度であるとともに機械的特性に優
れ、光変調記録方式，磁界変調記録方式のいずれの記録
方式を採用した場合でも良好な記録再生特性が得られる
光磁気記録媒体が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は記録方式として磁界変調
記録方式を使用する光磁気記録媒体として好適な光磁気
記録媒体に関する。
記録方式を使用する光磁気記録媒体として好適な光磁気
記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録方式は、磁性薄膜を部分的に
キュリー点または温度補償点を越えて昇温し、この部分
の保磁力を消滅させて外部から印加される記録磁界の方
向に磁化の向きを反転することを基本原理とするもの
で、光ファイルシステムやコンピュータの外部記憶装
置、あるいは音響，映像情報の記録装置等において実用
化されつつある。
キュリー点または温度補償点を越えて昇温し、この部分
の保磁力を消滅させて外部から印加される記録磁界の方
向に磁化の向きを反転することを基本原理とするもの
で、光ファイルシステムやコンピュータの外部記憶装
置、あるいは音響，映像情報の記録装置等において実用
化されつつある。
【０００３】そして、この光磁気記録方式に用いられる
光磁気記録媒体としては、ポリカーボネート等からなる
透明基板の一主面に、膜面と垂直方向に磁化容易軸を有
し且つ磁気光学効果の大きな記録磁性層（例えば希土類
−遷移金属合金非晶質薄膜）や反射層，誘電体層を積層
することにより記録部を形成し、透明基板側からレーザ
光を照射して信号の読み取りを行うようにしたものが知
られている。
光磁気記録媒体としては、ポリカーボネート等からなる
透明基板の一主面に、膜面と垂直方向に磁化容易軸を有
し且つ磁気光学効果の大きな記録磁性層（例えば希土類
−遷移金属合金非晶質薄膜）や反射層，誘電体層を積層
することにより記録部を形成し、透明基板側からレーザ
光を照射して信号の読み取りを行うようにしたものが知
られている。
【０００４】ところで、光磁気記録方式には、大きく分
けて光変調記録方式と磁界変調記録方式があり、オーバ
ーライト可能であることから、磁界変調記録方式への期
待が高まっている。
けて光変調記録方式と磁界変調記録方式があり、オーバ
ーライト可能であることから、磁界変調記録方式への期
待が高まっている。
【０００５】上記磁界変調記録方式は、印加磁界を高速
で反転することにより磁性薄膜に情報信号を書き込むも
のであって、磁界印加は、通常、コイル等の磁界反転が
可能な磁界発生手段を有する磁気ヘッドにより行われ
る。上記高速反転磁界を印加する磁気ヘッドでは、諸々
の制約から１００Ｏｅ程度の非常に小さい磁場しか発生
できず、しかも記録周波数を高くしていくと、コイルの
発熱により発生する磁力が低下する。このため、磁界変
調記録方式において使用する光磁気記録媒体としては１
００Ｏｅ以下の磁界でも安定な信号記録が可能であるこ
とが要求されることとなる。
で反転することにより磁性薄膜に情報信号を書き込むも
のであって、磁界印加は、通常、コイル等の磁界反転が
可能な磁界発生手段を有する磁気ヘッドにより行われ
る。上記高速反転磁界を印加する磁気ヘッドでは、諸々
の制約から１００Ｏｅ程度の非常に小さい磁場しか発生
できず、しかも記録周波数を高くしていくと、コイルの
発熱により発生する磁力が低下する。このため、磁界変
調記録方式において使用する光磁気記録媒体としては１
００Ｏｅ以下の磁界でも安定な信号記録が可能であるこ
とが要求されることとなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来より使
用されている光磁気記録媒体は、１００Ｏｅ程度の低記
録磁界で記録を行うには感度が不足し、磁界変調記録方
式で信号記録を行った場合には、磁気ヘッドからの距離
が若干変動しただけでも信号脱落等が生じる。特に、カ
ーオーディオ装置等，振動や衝撃のかかり易い状況に置
かれる記録再生装置で使用した場合には、実用的な特性
が得られず、磁界変調記録方式用の光磁気記録媒体とし
ては適当とは言えない。
用されている光磁気記録媒体は、１００Ｏｅ程度の低記
録磁界で記録を行うには感度が不足し、磁界変調記録方
式で信号記録を行った場合には、磁気ヘッドからの距離
が若干変動しただけでも信号脱落等が生じる。特に、カ
ーオーディオ装置等，振動や衝撃のかかり易い状況に置
かれる記録再生装置で使用した場合には、実用的な特性
が得られず、磁界変調記録方式用の光磁気記録媒体とし
ては適当とは言えない。
【０００７】そこで、本発明はこのような従来に実情に
鑑みて提案されてものであり、感度が高く、磁界変調記
録方式，光変調記録方式のいずれの記録方式を採用した
場合でも安定な信号記録を行うことができる光磁気記録
媒体を提供するとを目的とする。
鑑みて提案されてものであり、感度が高く、磁界変調記
録方式，光変調記録方式のいずれの記録方式を採用した
場合でも安定な信号記録を行うことができる光磁気記録
媒体を提供するとを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明者らが光磁気記録媒体の感度は記録磁性層
の保磁力を低減させることにより向上できるとの考えか
ら鋭意検討を重ねた結果、記録磁性層の保磁力は、該記
録磁性層の下部に隣接して設けられた誘電体層の緻密性
に大きく影響を受け、上記誘電体層の緻密性が高い場合
に保磁力が低下し、低記録磁界によっても安定な記録を
行うことが可能となることを見い出すに至った。
めに、本発明者らが光磁気記録媒体の感度は記録磁性層
の保磁力を低減させることにより向上できるとの考えか
ら鋭意検討を重ねた結果、記録磁性層の保磁力は、該記
録磁性層の下部に隣接して設けられた誘電体層の緻密性
に大きく影響を受け、上記誘電体層の緻密性が高い場合
に保磁力が低下し、低記録磁界によっても安定な記録を
行うことが可能となることを見い出すに至った。
【０００９】本発明の光磁気記録媒体は、このような知
見に基づいて提案されたものであり、透明基板上に少な
くとも誘電体層，記録磁性層が形成されてなる光磁気記
録媒体において、上記誘電体層は温度２５℃なる条件下
で５％緩衝フッ酸によってエッチングしたときのエッチ
ングレートが２０Å／分以下であることを特徴とするも
のである。
見に基づいて提案されたものであり、透明基板上に少な
くとも誘電体層，記録磁性層が形成されてなる光磁気記
録媒体において、上記誘電体層は温度２５℃なる条件下
で５％緩衝フッ酸によってエッチングしたときのエッチ
ングレートが２０Å／分以下であることを特徴とするも
のである。
【００１０】また、透明基板上に少なくとも誘電体層，
記録磁性層が形成されてなる光磁気記録媒体において、
上記誘電体層は、温度２５℃なる条件下で５％緩衝フッ
酸によってエッチングしたときのエッチングレートが４
０Å／分以上の誘電体膜と、温度２５℃条件下で５％緩
衝フッ酸によってエッチングしたときのエッチングレー
トが２０Å／分以下の誘電体膜が交互に積層されてなる
多層構造を有し、かつ記録磁性層に隣接する誘電体膜が
温度２５℃なる条件下で５％緩衝フッ酸によってエッチ
ングしたときのエッチングレートが２０Å／分以下の誘
電体膜であることを特徴とするものである。
記録磁性層が形成されてなる光磁気記録媒体において、
上記誘電体層は、温度２５℃なる条件下で５％緩衝フッ
酸によってエッチングしたときのエッチングレートが４
０Å／分以上の誘電体膜と、温度２５℃条件下で５％緩
衝フッ酸によってエッチングしたときのエッチングレー
トが２０Å／分以下の誘電体膜が交互に積層されてなる
多層構造を有し、かつ記録磁性層に隣接する誘電体膜が
温度２５℃なる条件下で５％緩衝フッ酸によってエッチ
ングしたときのエッチングレートが２０Å／分以下の誘
電体膜であることを特徴とするものである。
【００１１】本発明の光磁気記録媒体は、透明基板の一
主面に誘電体層および記録磁性層が形成されてなるもの
である。
主面に誘電体層および記録磁性層が形成されてなるもの
である。
【００１２】基板は、厚さ数ｍｍ程度の円板状の透明基
板であって、その材質としては、アクリル樹脂，ポリカ
ーボネート樹脂，ポリオレフィン樹脂，エポキシ樹脂等
のプラスチック材料の他、ガラス等も使用される。
板であって、その材質としては、アクリル樹脂，ポリカ
ーボネート樹脂，ポリオレフィン樹脂，エポキシ樹脂等
のプラスチック材料の他、ガラス等も使用される。
【００１３】上記記録磁性層は、膜面に垂直な方向に磁
化容易方向を有する非晶質磁性薄膜であって、磁気光学
特性に優れることは勿論、室温にて大きな保磁力を持
ち、且つ２００℃近辺にキュリー点を持つことが望まし
い。このような条件に叶った記録材料としては、希土類
−遷移金属合金非晶質薄膜等が挙げられ、なかでもＴｂ
ＦｅＣｏ系非晶質薄膜が好適である。
化容易方向を有する非晶質磁性薄膜であって、磁気光学
特性に優れることは勿論、室温にて大きな保磁力を持
ち、且つ２００℃近辺にキュリー点を持つことが望まし
い。このような条件に叶った記録材料としては、希土類
−遷移金属合金非晶質薄膜等が挙げられ、なかでもＴｂ
ＦｅＣｏ系非晶質薄膜が好適である。
【００１４】このような非晶質磁性薄膜は、スッパタリ
ング，分子線エピキタシー，真空薄膜形成技術により成
膜することができ、実用的な磁気光学特性を達成する観
点からは、膜厚を１００〜１００００Å程度に選ぶこと
が望ましい。なお、上記記録磁性層には、耐蝕性を向上
させる目的で、Ｃｒ等の添加元素が添加されていてもよ
い。
ング，分子線エピキタシー，真空薄膜形成技術により成
膜することができ、実用的な磁気光学特性を達成する観
点からは、膜厚を１００〜１００００Å程度に選ぶこと
が望ましい。なお、上記記録磁性層には、耐蝕性を向上
させる目的で、Ｃｒ等の添加元素が添加されていてもよ
い。
【００１５】上記誘電体層は、耐蝕性の向上や多重反射
によるカー回転角の増大（カー効果エンハンスメント）
を目的として、基板と記録磁性層の間に設けられるもの
である。
によるカー回転角の増大（カー効果エンハンスメント）
を目的として、基板と記録磁性層の間に設けられるもの
である。
【００１６】ここで、記録磁性層をレーザ光の照射によ
り保磁力が十分に低減するものとし、高記録感度化を達
成するためには、基板と記録磁性層の間に設けられる誘
電体層は温度２５℃下で５％緩衝フッ酸によってエッチ
ングしたときのエッチングレートが２０Å／分以下であ
ることが重要である。
り保磁力が十分に低減するものとし、高記録感度化を達
成するためには、基板と記録磁性層の間に設けられる誘
電体層は温度２５℃下で５％緩衝フッ酸によってエッチ
ングしたときのエッチングレートが２０Å／分以下であ
ることが重要である。
【００１７】すなわち、誘電体層を上記条件下で緩衝フ
ッ酸によってエッチングしたときのエッチングレート
は、誘電体層の緻密性の基準となるものであり、誘電体
層は緻密な程、エッチングレートが低くなり、エッチン
グレートが２０Å／分以下である誘電体層は、隙間がな
く、極めて緻密性の高いものであると言える。
ッ酸によってエッチングしたときのエッチングレート
は、誘電体層の緻密性の基準となるものであり、誘電体
層は緻密な程、エッチングレートが低くなり、エッチン
グレートが２０Å／分以下である誘電体層は、隙間がな
く、極めて緻密性の高いものであると言える。
【００１８】一方、記録磁性層において、その保磁力は
下部に隣接して設けられている膜の緻密性に影響を受
け、下部に設けられている膜が緻密である程、磁化反転
が容易になり、保磁力が低下する。したがって、エッチ
ングレートが２０Å／分以下である誘電体層を記録磁性
層の下部に形成すれば、記録磁性層の保磁力が低減し、
低記録磁界によっても安定な信号記録を行われる光磁気
記録媒体が得られることとなる。しかも、上記誘電体層
が緻密である場合、水分やＯ2 の侵入防止効果も増大
し、耐蝕性を向上させる上でも有利となる。
下部に隣接して設けられている膜の緻密性に影響を受
け、下部に設けられている膜が緻密である程、磁化反転
が容易になり、保磁力が低下する。したがって、エッチ
ングレートが２０Å／分以下である誘電体層を記録磁性
層の下部に形成すれば、記録磁性層の保磁力が低減し、
低記録磁界によっても安定な信号記録を行われる光磁気
記録媒体が得られることとなる。しかも、上記誘電体層
が緻密である場合、水分やＯ2 の侵入防止効果も増大
し、耐蝕性を向上させる上でも有利となる。
【００１９】ところで、誘電体層は、緻密性があまり高
いと内部応力が増大し、クラックが生じたり、基板の反
りを引き起こす虞れがある。そこで、本願第２の発明に
おいては、さらに、上記誘電体層を、温度２５℃で５％
緩衝フッ酸によってエッチングしたときのエッチングレ
ートが４０Å／分以上の低緻密性誘電体膜と、温度２５
℃で５％緩衝フッ酸によってエッチングしたときのエッ
チングレートが２０Å／分以下の高緻密性誘電体膜が交
互に積層されてなる多層構造とし、かつ記録磁性層に隣
接する誘電体膜が高緻密性誘電体膜となるように形成す
ることとする。このような構成とすることにより、記録
磁性層の保磁力は記録磁性層下部に隣接して設けられた
高緻密性誘電体膜によって低減し、また内部応力は低緻
密性誘電体膜によって低減され、記録感度および機械的
特性の向上が同時に達成されることとなる。
いと内部応力が増大し、クラックが生じたり、基板の反
りを引き起こす虞れがある。そこで、本願第２の発明に
おいては、さらに、上記誘電体層を、温度２５℃で５％
緩衝フッ酸によってエッチングしたときのエッチングレ
ートが４０Å／分以上の低緻密性誘電体膜と、温度２５
℃で５％緩衝フッ酸によってエッチングしたときのエッ
チングレートが２０Å／分以下の高緻密性誘電体膜が交
互に積層されてなる多層構造とし、かつ記録磁性層に隣
接する誘電体膜が高緻密性誘電体膜となるように形成す
ることとする。このような構成とすることにより、記録
磁性層の保磁力は記録磁性層下部に隣接して設けられた
高緻密性誘電体膜によって低減し、また内部応力は低緻
密性誘電体膜によって低減され、記録感度および機械的
特性の向上が同時に達成されることとなる。
【００２０】上記誘電体層としては、Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ａｌ
Ｎ等の窒化物，ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の酸化物，Ａｌ
ＳｉＮＯ等が挙げられるが、酸素及び水分子を透過させ
ず、酸素を含まない物質で且つ使用レーザ光を十分透過
し得る物質が望ましく、窒化珪素あるいは窒化アルミニ
ウム等が好適である。
Ｎ等の窒化物，ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の酸化物，Ａｌ
ＳｉＮＯ等が挙げられるが、酸素及び水分子を透過させ
ず、酸素を含まない物質で且つ使用レーザ光を十分透過
し得る物質が望ましく、窒化珪素あるいは窒化アルミニ
ウム等が好適である。
【００２１】これら誘電体層は、酸化物，窒化物，オキ
シナイトライド等の材料を真空薄膜形成技術により成膜
することにより得られる。なお、上記誘電体層をスパッ
タリング法で成膜する場合、成膜される誘電体層の緻密
性は、スパッタガス圧，投入パワーを調節するとにより
制御することが可能である。上記誘電体層の膜厚は、カ
ー回転角増幅効果，酸化防止効果を十分に得る点から、
５０〜５０００Åとすることが好ましい。
シナイトライド等の材料を真空薄膜形成技術により成膜
することにより得られる。なお、上記誘電体層をスパッ
タリング法で成膜する場合、成膜される誘電体層の緻密
性は、スパッタガス圧，投入パワーを調節するとにより
制御することが可能である。上記誘電体層の膜厚は、カ
ー回転角増幅効果，酸化防止効果を十分に得る点から、
５０〜５０００Åとすることが好ましい。
【００２２】さらに、上記光磁気記録媒体においては、
上記記録磁性層上に、さらに誘電体層，反射層，保護層
等を設けるようにしてもよい。
上記記録磁性層上に、さらに誘電体層，反射層，保護層
等を設けるようにしてもよい。
【００２３】記録磁性層上に設ける上記誘電体層は、上
述の記録磁性層下部に設ける誘電体層と同様、緻密性の
高いものであっても差し支えないが、緻密性を高くして
も記録磁性層下部に設ける場合と異なり保磁力低減効果
はほとんど期待できないので、特に緻密性を高くする必
要はなく、通常の条件で成膜して良い。、
述の記録磁性層下部に設ける誘電体層と同様、緻密性の
高いものであっても差し支えないが、緻密性を高くして
も記録磁性層下部に設ける場合と異なり保磁力低減効果
はほとんど期待できないので、特に緻密性を高くする必
要はなく、通常の条件で成膜して良い。、
【００２４】上記反射層は、記録磁性層を透過したレー
ザ光をも反射させることによりカー効果にファラデー効
果を相乗させ、回転角を拡大するものであり、非磁性金
属の蒸着膜が好適である。また、この反射膜は、熱的に
良導体であることが望ましく、入手の容易さ等を考慮す
ると、アルムニウムが適している。
ザ光をも反射させることによりカー効果にファラデー効
果を相乗させ、回転角を拡大するものであり、非磁性金
属の蒸着膜が好適である。また、この反射膜は、熱的に
良導体であることが望ましく、入手の容易さ等を考慮す
ると、アルムニウムが適している。
【００２５】上記保護層は、記録磁性層を衝撃や外部環
境との接触による腐食から保護するために設けられるも
ので、たとえばスピンコーターによって塗布された紫外
線硬化樹脂が硬化せしめられることによって形成された
ものである。なお、上記保護膜の材料も特に限定される
ものではないが、スピンコーターにより塗布することが
でき、しかる後に硬化して十分な強度の皮膜を形成でき
る材料であればよく、通常、紫外線硬化樹脂等が用いら
れる。
境との接触による腐食から保護するために設けられるも
ので、たとえばスピンコーターによって塗布された紫外
線硬化樹脂が硬化せしめられることによって形成された
ものである。なお、上記保護膜の材料も特に限定される
ものではないが、スピンコーターにより塗布することが
でき、しかる後に硬化して十分な強度の皮膜を形成でき
る材料であればよく、通常、紫外線硬化樹脂等が用いら
れる。
【００２６】
【作用】透明基板上に少なくとも誘電体層，記録磁性層
が形成されてなる光磁気記録媒体において、上記誘電体
層として、温度２５℃で５％緩衝フッ酸によってエッチ
ングしたときのエッチングレートが２０Å／分以下の誘
電体層，すなわち緻密性の高い誘電体層を設けると、上
記記録磁性層の保磁力が低減し、低記録磁界によっても
安定な信号記録が得られるようになる。
が形成されてなる光磁気記録媒体において、上記誘電体
層として、温度２５℃で５％緩衝フッ酸によってエッチ
ングしたときのエッチングレートが２０Å／分以下の誘
電体層，すなわち緻密性の高い誘電体層を設けると、上
記記録磁性層の保磁力が低減し、低記録磁界によっても
安定な信号記録が得られるようになる。
【００２７】これは、以下の理由によるものと考えられ
る。
る。
【００２８】すなわち、記録磁性層において、下部に設
けられている誘電体層が緻密性の低い誘電体層である場
合、該記録磁性層の構成原子が誘電体層の隙間に入り込
み、これにより、磁壁エネルギー分布にゆらぎが生じ
る。このため、磁界印加による磁壁移動が困難になり、
高い保磁力を示すようになる。一方、下部に設けられて
いる誘電体層が緻密性の高い誘電体層である場合には、
該記録磁性層の構成原子が誘電体層の隙間に入り込むこ
とがほとんどないので、磁壁移動が容易なものとなる。
したがって、低保磁力となり、低記録磁界によっても容
易に磁化反転し、安定な信号記録が達成されるものと推
測される。
けられている誘電体層が緻密性の低い誘電体層である場
合、該記録磁性層の構成原子が誘電体層の隙間に入り込
み、これにより、磁壁エネルギー分布にゆらぎが生じ
る。このため、磁界印加による磁壁移動が困難になり、
高い保磁力を示すようになる。一方、下部に設けられて
いる誘電体層が緻密性の高い誘電体層である場合には、
該記録磁性層の構成原子が誘電体層の隙間に入り込むこ
とがほとんどないので、磁壁移動が容易なものとなる。
したがって、低保磁力となり、低記録磁界によっても容
易に磁化反転し、安定な信号記録が達成されるものと推
測される。
【００２９】また、さらに本願第２の発明においては、
上記誘電体層を、温度２５℃下で５％緩衝フッ酸によっ
てエッチングしたときのエッチングレートが４０Å／分
以上の低緻密性誘電体膜と温度２５℃下で５％緩衝フッ
酸によってエッチングしたときのエッチングレートが２
０Å／分以下の高緻密性誘電体膜が交互に積層されてな
る多層構造とし、且つ記録磁性層に隣接する誘電体膜が
高緻密性誘電体膜となるように形成している。誘電体層
は、緻密性が高い程内部応力が高くなり、クラッシュが
生じたり、基板の反りを引き起こすが、高緻密性誘電体
膜とともに低緻密性誘電体膜を設ければ、誘電体層全体
としての内部応力が低減するので、上記不都合の発生が
防止され、機械的特性にも優れたものとなる。
上記誘電体層を、温度２５℃下で５％緩衝フッ酸によっ
てエッチングしたときのエッチングレートが４０Å／分
以上の低緻密性誘電体膜と温度２５℃下で５％緩衝フッ
酸によってエッチングしたときのエッチングレートが２
０Å／分以下の高緻密性誘電体膜が交互に積層されてな
る多層構造とし、且つ記録磁性層に隣接する誘電体膜が
高緻密性誘電体膜となるように形成している。誘電体層
は、緻密性が高い程内部応力が高くなり、クラッシュが
生じたり、基板の反りを引き起こすが、高緻密性誘電体
膜とともに低緻密性誘電体膜を設ければ、誘電体層全体
としての内部応力が低減するので、上記不都合の発生が
防止され、機械的特性にも優れたものとなる。
【００３０】
【実施例】本発明の好適な実施例について実験結果に基
づいて説明する。
づいて説明する。
【００３１】実験例１ 本実験例は、光磁気記録媒体において、直流反応性スパ
ッタリングにて成膜された誘電体層の緻密性と記録磁界
感度特性の関係について検討を行った例である。
ッタリングにて成膜された誘電体層の緻密性と記録磁界
感度特性の関係について検討を行った例である。
【００３２】本実験例では、図１に示すような、ポリカ
ーボネート基板１上に膜厚１１００Åの第１のＳｉ3 Ｎ
4 誘電体層２，膜厚２３０ÅのＴｂＦｅＣｏ記録磁性層
３，膜厚４００Åの第２のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層４，膜厚
６００ÅのＡｌ反射層５の４層構造の記録部６を有し、
さらに上記記録部上に紫外線硬化樹脂保護層７が形成さ
れてなる光磁気ディスクを以下のようにして作製した。
ーボネート基板１上に膜厚１１００Åの第１のＳｉ3 Ｎ
4 誘電体層２，膜厚２３０ÅのＴｂＦｅＣｏ記録磁性層
３，膜厚４００Åの第２のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層４，膜厚
６００ÅのＡｌ反射層５の４層構造の記録部６を有し、
さらに上記記録部上に紫外線硬化樹脂保護層７が形成さ
れてなる光磁気ディスクを以下のようにして作製した。
【００３３】まず、基板上にＰドープＳｉターゲットを
使用して直流マグネトロン反応性スパッタリング法にて
第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層を成膜した。その際、スパッ
タガス圧を調節して成膜される膜の緻密性を変化させ、
緻密性の異なる３種類の第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層を成
膜した。各第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層のスパッタ条件お
よび緻密性の指標として温度２５℃条件下、５％緩衝フ
ッ酸（純水にフッ酸濃度が５％となるようにフッ化アン
モニウムとフッ化水素の比が１００：１２である混酸を
添加してなる緩衝液）でエッチングしたときのエッチン
グレートを表１に示す。
使用して直流マグネトロン反応性スパッタリング法にて
第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層を成膜した。その際、スパッ
タガス圧を調節して成膜される膜の緻密性を変化させ、
緻密性の異なる３種類の第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層を成
膜した。各第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層のスパッタ条件お
よび緻密性の指標として温度２５℃条件下、５％緩衝フ
ッ酸（純水にフッ酸濃度が５％となるようにフッ化アン
モニウムとフッ化水素の比が１００：１２である混酸を
添加してなる緩衝液）でエッチングしたときのエッチン
グレートを表１に示す。
【００３４】
【表１】
【００３５】次いで、各第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層上に
ＴｂＦｅＣｏ記録磁性層，第２のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層お
よびＡｌ反射層を順次スパッタリングにて成膜して記録
部を形成した。そして、さらに上記記録部上に覆う如く
紫外線硬化樹脂を塗布して硬化することにより紫外線硬
化樹脂保護層を形成し、各光磁気ディスク（サンプルデ
ィスク１，サンプルディスク２，比較ディスク１）を作
製した。
ＴｂＦｅＣｏ記録磁性層，第２のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層お
よびＡｌ反射層を順次スパッタリングにて成膜して記録
部を形成した。そして、さらに上記記録部上に覆う如く
紫外線硬化樹脂を塗布して硬化することにより紫外線硬
化樹脂保護層を形成し、各光磁気ディスク（サンプルデ
ィスク１，サンプルディスク２，比較ディスク１）を作
製した。
【００３６】なお、第２のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層は直流マ
グネトロン反応性スパッタリング法にて、４１ＳＣＣＭ
Ａｒガスと３９．０ＳＣＣＭＮ2 ガスの混合ガス雰囲気
中、ガス圧０．５０Ｐａ，投入パワー４．０ｋＷのスパ
ッタ条件で成膜した。ＴｂＦｅＣｏ記録磁性層およびＡ
ｌ反射層はそれぞれＴｂＦｅＣｏ合金ターゲット，Ａｌ
ターゲットを使用して直流マグネトロンスパッタリング
にて成膜した。また、スパッタリングにはいずれも静止
対向スパッタマシンを使用した。
グネトロン反応性スパッタリング法にて、４１ＳＣＣＭ
Ａｒガスと３９．０ＳＣＣＭＮ2 ガスの混合ガス雰囲気
中、ガス圧０．５０Ｐａ，投入パワー４．０ｋＷのスパ
ッタ条件で成膜した。ＴｂＦｅＣｏ記録磁性層およびＡ
ｌ反射層はそれぞれＴｂＦｅＣｏ合金ターゲット，Ａｌ
ターゲットを使用して直流マグネトロンスパッタリング
にて成膜した。また、スパッタリングにはいずれも静止
対向スパッタマシンを使用した。
【００３７】このようにして作製された各光磁気ディス
クについて、種々の強度の記録磁界によって記録を行
い、キャリアーレベルおよびノイズレベルを測定し、記
録磁界感度特性について調べた。キャリアーレベルおよ
びノイズレベルの測定結果を図２に、ＣＮ比を図３に示
す。なお、信号記録は、記録周波数を７２０ｋＨｚ，線
速を１．３５ｍ／秒に設定して行った。
クについて、種々の強度の記録磁界によって記録を行
い、キャリアーレベルおよびノイズレベルを測定し、記
録磁界感度特性について調べた。キャリアーレベルおよ
びノイズレベルの測定結果を図２に、ＣＮ比を図３に示
す。なお、信号記録は、記録周波数を７２０ｋＨｚ，線
速を１．３５ｍ／秒に設定して行った。
【００３８】図２および図３からわかるように、第１の
Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体層のエッチングレートが２０Å／分以
下のサンプルディスク１，サンプルディスク２において
は、低記録磁界で記録を行った場合でも、高いＣＮ比を
示し、磁界変調記録方式で印加される±１００Ｏｅ弱の
記録磁界において、４９ｄＢ以上と十分実用的なＣＮ比
が得られる。
Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体層のエッチングレートが２０Å／分以
下のサンプルディスク１，サンプルディスク２において
は、低記録磁界で記録を行った場合でも、高いＣＮ比を
示し、磁界変調記録方式で印加される±１００Ｏｅ弱の
記録磁界において、４９ｄＢ以上と十分実用的なＣＮ比
が得られる。
【００３９】これに対して、第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層
のエッチングレートが２０Å／分以上である比較ディス
ク１では、キャリアレベルが飽和する記録磁界強度が高
く、±１００Ｏｅ弱程度の記録磁界では実用的なＣＮ比
が得られない。
のエッチングレートが２０Å／分以上である比較ディス
ク１では、キャリアレベルが飽和する記録磁界強度が高
く、±１００Ｏｅ弱程度の記録磁界では実用的なＣＮ比
が得られない。
【００４０】実験例２ 本実験例は、光磁気記録媒体において、高周波反応性ス
パッタリング法にて成膜された誘電体層の緻密性と記録
磁界特性の関係について検討を行った例である。
パッタリング法にて成膜された誘電体層の緻密性と記録
磁界特性の関係について検討を行った例である。
【００４１】Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体層をＳｉターゲットを使
用して高周波マグネトロン反応性スパッタリング法にて
成膜した以外は、実験例１と同様にして第１のＳｉ3 Ｎ
4 誘電体層の緻密性が異なる５種類の光磁気ディスク
（サンプルディスク３，サンプルディスク４，サンプル
ディスク５，比較ディスク２，比較ディスク３）を作製
した。
用して高周波マグネトロン反応性スパッタリング法にて
成膜した以外は、実験例１と同様にして第１のＳｉ3 Ｎ
4 誘電体層の緻密性が異なる５種類の光磁気ディスク
（サンプルディスク３，サンプルディスク４，サンプル
ディスク５，比較ディスク２，比較ディスク３）を作製
した。
【００４２】各第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層を成膜する際
のスパッタ条件および第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層を温度
２５℃条件下で５％緩衝フッ酸によってエッチングした
ときのエッチングレートを表２に示す。なお、第２のＳ
ｉ3 Ｎ4 誘電体層は、６４ＳＣＣＭＡｒガスと１６ＳＣ
ＣＭＮ2 ガスの混合ガス雰囲気中で、スパッタガス圧
０．５０Ｐａ，投入パワー４ｋＷに設定して成膜した。
のスパッタ条件および第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層を温度
２５℃条件下で５％緩衝フッ酸によってエッチングした
ときのエッチングレートを表２に示す。なお、第２のＳ
ｉ3 Ｎ4 誘電体層は、６４ＳＣＣＭＡｒガスと１６ＳＣ
ＣＭＮ2 ガスの混合ガス雰囲気中で、スパッタガス圧
０．５０Ｐａ，投入パワー４ｋＷに設定して成膜した。
【００４３】
【表２】
【００４４】このようにして作製された各光磁気ディス
クについて実験例１と同様にして記録磁界感度特性を検
討した。各光磁気ディスクの外部記録磁界の強度による
ＣＮ比の変化を図４に示す。
クについて実験例１と同様にして記録磁界感度特性を検
討した。各光磁気ディスクの外部記録磁界の強度による
ＣＮ比の変化を図４に示す。
【００４５】図４からわかるように、実験例１の場合と
同様、第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層のエッチングレートが
２０Å／分以下であるサンプルディスク３〜サンプルデ
ィスク５においては、磁界変調方式において印加される
±１００Ｏｅ弱の記録磁界によって記録を行った場合で
も十分実用的なＣＮ比が得られるが、第１のＳｉ3 Ｎ4
誘電体層のエッチングレートが２０Å／分以上である比
較ディスク２，比較ディスク３では、±１００Ｏｅ弱程
度の記録磁界では実用的なＣＮ比が得られない。
同様、第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層のエッチングレートが
２０Å／分以下であるサンプルディスク３〜サンプルデ
ィスク５においては、磁界変調方式において印加される
±１００Ｏｅ弱の記録磁界によって記録を行った場合で
も十分実用的なＣＮ比が得られるが、第１のＳｉ3 Ｎ4
誘電体層のエッチングレートが２０Å／分以上である比
較ディスク２，比較ディスク３では、±１００Ｏｅ弱程
度の記録磁界では実用的なＣＮ比が得られない。
【００４６】したがって、以上の結果から第１の誘電体
層として５％緩衝フッ酸でエッチングしたときにエッチ
ングレートが２０Å／分以下の誘電体膜を設けること
は、記録感度の高い光磁気記録媒体を得る上で有効であ
ることがわかった。また、上記効果は、誘電体膜の成膜
方法として、直流反応性スパッタリング，高周波反応性
スパッタリングのいずれの方法を採用した場合でも発揮
され、本発明は光磁気ディスクの製造方法を問わず、適
用できることがわかった。
層として５％緩衝フッ酸でエッチングしたときにエッチ
ングレートが２０Å／分以下の誘電体膜を設けること
は、記録感度の高い光磁気記録媒体を得る上で有効であ
ることがわかった。また、上記効果は、誘電体膜の成膜
方法として、直流反応性スパッタリング，高周波反応性
スパッタリングのいずれの方法を採用した場合でも発揮
され、本発明は光磁気ディスクの製造方法を問わず、適
用できることがわかった。
【００４７】実験例３ 光磁気記録媒体において、第１の誘電体層の緻密性をあ
まり高くすると、誘電体層にクラックが入ったり、基板
に反りが生じる等の不都合が生じる場合がある。このよ
うな不都合は、誘電体層の緻密性が高いことが内部応力
の増大を引き起こし、このことが原因となって生じるも
のと考えられる。
まり高くすると、誘電体層にクラックが入ったり、基板
に反りが生じる等の不都合が生じる場合がある。このよ
うな不都合は、誘電体層の緻密性が高いことが内部応力
の増大を引き起こし、このことが原因となって生じるも
のと考えられる。
【００４８】そこで、本実験例では、第１の誘電体層を
緻密性の高い誘電体膜と緻密性の低い誘電体膜により構
成すれば、誘電体層全体として内部応力が低減し、上記
不都合が解消されるとの考えから、第１の誘電体層をエ
ッチングレートが低い誘電体膜とエッチングレートが高
い誘電体膜により構成し、かつエッチングレートが低い
誘電体膜が記録磁性層側となるように形成した光磁気記
録媒体について、誘電体層の内部応力および記録感度特
性について調べた。
緻密性の高い誘電体膜と緻密性の低い誘電体膜により構
成すれば、誘電体層全体として内部応力が低減し、上記
不都合が解消されるとの考えから、第１の誘電体層をエ
ッチングレートが低い誘電体膜とエッチングレートが高
い誘電体膜により構成し、かつエッチングレートが低い
誘電体膜が記録磁性層側となるように形成した光磁気記
録媒体について、誘電体層の内部応力および記録感度特
性について調べた。
【００４９】先ず、第１の誘電体層の緻密性と内部応力
の関係を検討するために、Ｓｉウェハー上に、直流マグ
ネトロン反応性スパッタリング法にてスパッタガス圧を
変化させて緻密性の異なる各種Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体膜（サ
ンプル膜１，サンプル膜２，サンプル膜３）を成膜し、
内部応力を調べた。各Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体膜のスパッタ条
件、５％緩衝フッ酸でエッチングしたときのエッチング
レートおよび内部応力を表３に示す。
の関係を検討するために、Ｓｉウェハー上に、直流マグ
ネトロン反応性スパッタリング法にてスパッタガス圧を
変化させて緻密性の異なる各種Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体膜（サ
ンプル膜１，サンプル膜２，サンプル膜３）を成膜し、
内部応力を調べた。各Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体膜のスパッタ条
件、５％緩衝フッ酸でエッチングしたときのエッチング
レートおよび内部応力を表３に示す。
【００５０】
【表３】
【００５１】表３からわかるように、Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体
膜においては、エッチングレートが低い程、内部応力が
高くなることがわかる。そこで、次に、表３に示すサン
プル膜のうち２つを選び、それぞれのスパッタ条件で基
板上に２層のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜（膜厚はそれぞれ５０
０Åである。）を成膜し、誘電体層を形成した。そし
て、各誘電体層について内部応力を調べた。その結果を
表４に示す。
膜においては、エッチングレートが低い程、内部応力が
高くなることがわかる。そこで、次に、表３に示すサン
プル膜のうち２つを選び、それぞれのスパッタ条件で基
板上に２層のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜（膜厚はそれぞれ５０
０Åである。）を成膜し、誘電体層を形成した。そし
て、各誘電体層について内部応力を調べた。その結果を
表４に示す。
【００５２】
【表４】
【００５３】まず、実験例２，実験例３において示され
たように、光磁気記録媒体において、記録磁性層の保磁
力を低下させるためには記録磁性層側となる誘電体膜の
エッチングレートが２０Å／分以下であることが要求さ
れる。エッチングレートが２０Å／分以下の誘電体膜
は、表３中の誘電体膜のうちでは、サンプル膜１，サン
プル膜２である。
たように、光磁気記録媒体において、記録磁性層の保磁
力を低下させるためには記録磁性層側となる誘電体膜の
エッチングレートが２０Å／分以下であることが要求さ
れる。エッチングレートが２０Å／分以下の誘電体膜
は、表３中の誘電体膜のうちでは、サンプル膜１，サン
プル膜２である。
【００５４】そこで、上部Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体膜がサンプ
ル膜１あるいはサンプル膜２である誘電体層の内部応力
を見ると、いずれの場合においても、下部Ｓｉ3 Ｎ4 誘
電体膜がサンプル膜３である場合，すなわちエッチング
レートが高い誘電体膜である場合に最も内部応力（それ
ぞれ３．８×１０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 ，５．６×１０ 9
ｄｙｎｅ／ｃｍ2 ）が小さくなる。また、この下部誘電
体膜がサンプル膜３である誘電体層を目視により観察し
た結果、クラックや基板の反り等がなく、極めて良好な
膜質であった。
ル膜１あるいはサンプル膜２である誘電体層の内部応力
を見ると、いずれの場合においても、下部Ｓｉ3 Ｎ4 誘
電体膜がサンプル膜３である場合，すなわちエッチング
レートが高い誘電体膜である場合に最も内部応力（それ
ぞれ３．８×１０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 ，５．６×１０ 9
ｄｙｎｅ／ｃｍ2 ）が小さくなる。また、この下部誘電
体膜がサンプル膜３である誘電体層を目視により観察し
た結果、クラックや基板の反り等がなく、極めて良好な
膜質であった。
【００５５】したがって、このことから、エッチングレ
ートが低い高緻密性誘電体膜とエッチングレートが高い
低緻密性誘電体膜により誘電体層を構成すれば、高緻密
性誘電体膜のみで誘電体層を構成する場合に比べて誘電
体層全体の内部応力が低くくなり、機械的特性が向上す
ることがわかった。
ートが低い高緻密性誘電体膜とエッチングレートが高い
低緻密性誘電体膜により誘電体層を構成すれば、高緻密
性誘電体膜のみで誘電体層を構成する場合に比べて誘電
体層全体の内部応力が低くくなり、機械的特性が向上す
ることがわかった。
【００５６】次に、エッチングレートが低い誘電体膜と
エッチングレートが高い誘電体膜よりなる第１の誘電体
層が形成された光磁気ディスクの記録磁界特性について
検討した。
エッチングレートが高い誘電体膜よりなる第１の誘電体
層が形成された光磁気ディスクの記録磁界特性について
検討した。
【００５７】図５に示すような、ポリカーボネート基板
１１上に膜厚５５０Åの下部Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体膜１２，
膜厚５５０Åの上部Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体膜１８，膜厚２３
０ÅのＴｂＦｅＣｏ記録磁性層１３，膜厚４００Åの第
２のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層１４，膜厚６００ÅのＡｌ反射
層１５の４層構造の記録部１６を有し、さらに上記記録
部上に紫外線硬化樹脂保護層１７が形成されてなる光磁
気ディスクを以下のようにして作製した。
１１上に膜厚５５０Åの下部Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体膜１２，
膜厚５５０Åの上部Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体膜１８，膜厚２３
０ÅのＴｂＦｅＣｏ記録磁性層１３，膜厚４００Åの第
２のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層１４，膜厚６００ÅのＡｌ反射
層１５の４層構造の記録部１６を有し、さらに上記記録
部上に紫外線硬化樹脂保護層１７が形成されてなる光磁
気ディスクを以下のようにして作製した。
【００５８】まず、サンプル膜３のスパッタ条件で下部
Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体膜成膜し、次いでサンプル膜１，サン
プル膜２のいずれかのスパッタ条件で上部Ｓｉ3 Ｎ4 誘
電体膜を成膜して第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層を形成し
た。次いで、このようにして形成された第１のＳｉ3 Ｎ
4 誘電体層上に実験例１と同様な条件にてＴｂＦｅＣｏ
記録磁性層，Ａｌ反射層，紫外線硬化樹脂保護層を形成
して各種光磁気ディスク（サンプルディスク６，サンプ
ルディスク７）を作製した。
Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体膜成膜し、次いでサンプル膜１，サン
プル膜２のいずれかのスパッタ条件で上部Ｓｉ3 Ｎ4 誘
電体膜を成膜して第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層を形成し
た。次いで、このようにして形成された第１のＳｉ3 Ｎ
4 誘電体層上に実験例１と同様な条件にてＴｂＦｅＣｏ
記録磁性層，Ａｌ反射層，紫外線硬化樹脂保護層を形成
して各種光磁気ディスク（サンプルディスク６，サンプ
ルディスク７）を作製した。
【００５９】そして、作製された光磁気ディスクについ
て記録磁界感度特性について検討した。記録磁界による
キャリアーレベルおよびノイズレベルの変化を図６に、
ＣＮ比の変化を図７に示す。なお、信号記録は記録周波
数を４．９３ＭＨｚ，ディスク回転数を２４００ｒｐ
ｍ，パルス幅を５１ｍｓｅｃに設定して行い、測定半径
は３０ｍｍである。
て記録磁界感度特性について検討した。記録磁界による
キャリアーレベルおよびノイズレベルの変化を図６に、
ＣＮ比の変化を図７に示す。なお、信号記録は記録周波
数を４．９３ＭＨｚ，ディスク回転数を２４００ｒｐ
ｍ，パルス幅を５１ｍｓｅｃに設定して行い、測定半径
は３０ｍｍである。
【００６０】また、比較として、上部Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体
膜をサンプル膜３のスパッタ条件で成膜した光磁気ディ
スク（比較ディスク４）についても同様にして記録磁界
特性を調べた。その結果を図６および図７に併せて示
す。
膜をサンプル膜３のスパッタ条件で成膜した光磁気ディ
スク（比較ディスク４）についても同様にして記録磁界
特性を調べた。その結果を図６および図７に併せて示
す。
【００６１】図６および図７からわかるように、上部誘
電体膜がサンプル膜１あるいはサンプル膜２である光磁
気ディスクは、いずれも１００Ｏｅ付近の記録磁界で記
録を行った場合でもＣＮ比が高く、実用的な記録感度を
有している。これに対して、上部誘電体膜がサンプル膜
３である光磁気ディスクでは、１００Ｏｅ付近の記録磁
界では十分なＣＮ比が得られず、良好な電磁変換特性を
示さない。
電体膜がサンプル膜１あるいはサンプル膜２である光磁
気ディスクは、いずれも１００Ｏｅ付近の記録磁界で記
録を行った場合でもＣＮ比が高く、実用的な記録感度を
有している。これに対して、上部誘電体膜がサンプル膜
３である光磁気ディスクでは、１００Ｏｅ付近の記録磁
界では十分なＣＮ比が得られず、良好な電磁変換特性を
示さない。
【００６２】したがって、これらの結果から、第１の誘
電体層をエッチングレートが低い誘電体膜とエッチング
レートが高い誘電体膜より構成し、かつ記録磁性層側を
エッチングレートが低い誘電体膜となるように形成する
ことにより、記録感度の向上および内部応力の低減が同
時に達成され、極めて高性能な光磁気ディスクが得られ
ることが確認された。
電体層をエッチングレートが低い誘電体膜とエッチング
レートが高い誘電体膜より構成し、かつ記録磁性層側を
エッチングレートが低い誘電体膜となるように形成する
ことにより、記録感度の向上および内部応力の低減が同
時に達成され、極めて高性能な光磁気ディスクが得られ
ることが確認された。
【００６３】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の光磁気記録媒体においては、記録磁性層下部に隣接
して設けられる上記誘電体層が温度２５℃で５％緩衝フ
ッ酸によってエッチングしたときのエッチングレートが
２０Å／分以下であるので、１００Ｏｅ程度の低記録磁
界下であっても高記録感度を得ることが可能である。
明の光磁気記録媒体においては、記録磁性層下部に隣接
して設けられる上記誘電体層が温度２５℃で５％緩衝フ
ッ酸によってエッチングしたときのエッチングレートが
２０Å／分以下であるので、１００Ｏｅ程度の低記録磁
界下であっても高記録感度を得ることが可能である。
【００６４】さらに、誘電体層を温度２５℃で５％緩衝
フッ酸によってエッチングしたときのエッチングレート
が２０Å／分以下である誘電体膜と温度２５℃で５％緩
衝フッ酸によってエッチングしたときのエッチングレー
トが４０Å／分以上である誘電体膜とを交互に積層され
てなる多層構成とし、かつ記録磁性層に隣接する誘電体
膜が温度２５℃で５％緩衝フッ酸によってエッチングし
たときのエッチングレートが２０Å／分以下である誘電
体膜となるように形成することにより、誘電体層の内部
応力も低減し、高記録感度であるとともに機械的特性に
優れた光磁気記録媒体とすることができる。
フッ酸によってエッチングしたときのエッチングレート
が２０Å／分以下である誘電体膜と温度２５℃で５％緩
衝フッ酸によってエッチングしたときのエッチングレー
トが４０Å／分以上である誘電体膜とを交互に積層され
てなる多層構成とし、かつ記録磁性層に隣接する誘電体
膜が温度２５℃で５％緩衝フッ酸によってエッチングし
たときのエッチングレートが２０Å／分以下である誘電
体膜となるように形成することにより、誘電体層の内部
応力も低減し、高記録感度であるとともに機械的特性に
優れた光磁気記録媒体とすることができる。
【００６５】したがって、本発明によれば、光変調記録
方式，磁界変調記録方式のいずれの方式を適用した場合
でも良好な記録再生特性が得られ、適用範囲の広い光磁
気記録媒体を得ることが可能となる。
方式，磁界変調記録方式のいずれの方式を適用した場合
でも良好な記録再生特性が得られ、適用範囲の広い光磁
気記録媒体を得ることが可能となる。
【図１】本願第１の発明の光磁気記録媒体の一構成例を
示す要部概略断面図である。
示す要部概略断面図である。
【図２】第１の誘電体層が直流反応性スパタリングにて
成膜された光磁気記録媒体の外部記録磁界強度とキャリ
アレベル，ノイズレベルの関係を示す特性図である。
成膜された光磁気記録媒体の外部記録磁界強度とキャリ
アレベル，ノイズレベルの関係を示す特性図である。
【図３】第１の誘電体層が直流反応性スパタリングにて
成膜された光磁気記録媒体の外部記録磁界強度とＣＮ比
の関係を示す特性図である。
成膜された光磁気記録媒体の外部記録磁界強度とＣＮ比
の関係を示す特性図である。
【図４】第１の誘電体層が高周波反応性スパタリングに
て成膜された光磁気記録媒体の外部記録磁界強度とＣＮ
比の関係を示す特性図である。
て成膜された光磁気記録媒体の外部記録磁界強度とＣＮ
比の関係を示す特性図である。
【図５】本願第２の発明の光磁気記録媒体の１構成例を
示す要部概略断面図である。
示す要部概略断面図である。
【図６】第１の誘電体層が高緻密性誘電体膜と低緻密性
誘電体膜よりなる光磁気記録媒体の外部記録磁界強度と
キャリアレベル，ノイズレベルの関係を示す特性図であ
る。
誘電体膜よりなる光磁気記録媒体の外部記録磁界強度と
キャリアレベル，ノイズレベルの関係を示す特性図であ
る。
【図７】第１の誘電体層が高緻密性誘電体膜と低緻密性
誘電体膜よりなる光磁気記録媒体の外部記録磁界強度と
ＣＮ比の関係を示す特性図である。
誘電体膜よりなる光磁気記録媒体の外部記録磁界強度と
ＣＮ比の関係を示す特性図である。
１・・・透明基板 ２・・・第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層 ３・・・記録磁性層 ４・・・第２のＳｉ3 Ｎ4 誘電体層 ５・・・反射層 ６・・・保護層
【手続補正書】
【提出日】平成５年２月１９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２９】また、さらに上記誘電体層を、温度２５℃
下で５％緩衝フッ酸によってエッチングしたときのエッ
チングレートが４０Å／分以上の低緻密性誘電体膜と温
度２５℃下で５％緩衝フッ酸によってエッチングしたと
きのエッチングレートが２０Å／分以下の高緻密性誘電
体膜が交互に積層されてなる多層構造とし、且つ記録磁
性層に隣接する誘電体膜が高緻密性誘電体膜となるよう
に形成している。誘電体層は、緻密性が高い程内部応力
が高くなり、クラックが生じたり、基板の反りを引き起
こすが、高緻密性誘電体膜とともに低緻密性誘電体膜を
設ければ、誘電体層全体としての内部応力が低減するの
で、上記不都合の発生が防止され、機械的特性にも優れ
たものとなる。
下で５％緩衝フッ酸によってエッチングしたときのエッ
チングレートが４０Å／分以上の低緻密性誘電体膜と温
度２５℃下で５％緩衝フッ酸によってエッチングしたと
きのエッチングレートが２０Å／分以下の高緻密性誘電
体膜が交互に積層されてなる多層構造とし、且つ記録磁
性層に隣接する誘電体膜が高緻密性誘電体膜となるよう
に形成している。誘電体層は、緻密性が高い程内部応力
が高くなり、クラックが生じたり、基板の反りを引き起
こすが、高緻密性誘電体膜とともに低緻密性誘電体膜を
設ければ、誘電体層全体としての内部応力が低減するの
で、上記不都合の発生が防止され、機械的特性にも優れ
たものとなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３７】このようにして作製された各光磁気ディス
クについて、種々の強度の記録磁界によって磁界変調記
録を行い、キャリアーレベルおよびノイズレベルを測定
し、記録磁界感度特性について調べた。キャリアーレベ
ルおよびノイズレベルの測定結果を図２に、ＣＮ比を図
３に示す。なお、信号記録は、記録周波数を７２０ｋＨ
ｚ，線速を１．３５ｍ／秒に設定して行った。
クについて、種々の強度の記録磁界によって磁界変調記
録を行い、キャリアーレベルおよびノイズレベルを測定
し、記録磁界感度特性について調べた。キャリアーレベ
ルおよびノイズレベルの測定結果を図２に、ＣＮ比を図
３に示す。なお、信号記録は、記録周波数を７２０ｋＨ
ｚ，線速を１．３５ｍ／秒に設定して行った。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４４】このようにして作製された各光磁気ディス
クについて光変調記録方式における記録磁界感度特性を
検討した。各光磁気ディスクの外部記録磁界の強度によ
るＣＮ比の変化を図４に示す。なお、信号記録は記録周
波数を４．９３ＭＨｚ，パルス幅５１ｎｓ，ディスク回
転数２４００ｒｐｍ，測定半径３０ｍｍに設定して行っ
た。
クについて光変調記録方式における記録磁界感度特性を
検討した。各光磁気ディスクの外部記録磁界の強度によ
るＣＮ比の変化を図４に示す。なお、信号記録は記録周
波数を４．９３ＭＨｚ，パルス幅５１ｎｓ，ディスク回
転数２４００ｒｐｍ，測定半径３０ｍｍに設定して行っ
た。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４５】図４からわかるように、実験例１の場合と
同様、第１のＳｉ３Ｎ４誘電体層のエッチングレートが
２０Å／分以下であるサンプルディスク３〜サンプルデ
ィスク５においては、光変調方式において印加される１
００Ｏｅ弱の記録磁界によって記録を行った場合でも十
分実用的なＣＮ比が得られるが、第１のＳｉ３Ｎ４誘電
体層のエッチングレートが２０Å／分以上である比較デ
ィスク２，比較ディスク３では、１００Ｏｅ弱程度の記
録磁界では実用的なＣＮ比が得られない。
同様、第１のＳｉ３Ｎ４誘電体層のエッチングレートが
２０Å／分以下であるサンプルディスク３〜サンプルデ
ィスク５においては、光変調方式において印加される１
００Ｏｅ弱の記録磁界によって記録を行った場合でも十
分実用的なＣＮ比が得られるが、第１のＳｉ３Ｎ４誘電
体層のエッチングレートが２０Å／分以上である比較デ
ィスク２，比較ディスク３では、１００Ｏｅ弱程度の記
録磁界では実用的なＣＮ比が得られない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５４】そこで、上部Ｓｉ３Ｎ４誘電体膜がサンプ
ル膜１あるいはサンプル膜２である誘電体層の内部応力
を見ると、いずれの場合においても、下部Ｓｉ３Ｎ４誘
電体膜がサンプル膜３である場合，すなわちエッチング
レートが高い誘電体膜である場合に最も内部応力（それ
ぞれ５．６×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２，３．８×１０９ｄ
ｙｎ／ｃｍ２）が小さくなる。また、この下部誘電体膜
がサンプル膜３である誘電体層を目視により観察した結
果、クラックや基板の反り等がなく、極めて良好な膜質
であった。
ル膜１あるいはサンプル膜２である誘電体層の内部応力
を見ると、いずれの場合においても、下部Ｓｉ３Ｎ４誘
電体膜がサンプル膜３である場合，すなわちエッチング
レートが高い誘電体膜である場合に最も内部応力（それ
ぞれ５．６×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２，３．８×１０９ｄ
ｙｎ／ｃｍ２）が小さくなる。また、この下部誘電体膜
がサンプル膜３である誘電体層を目視により観察した結
果、クラックや基板の反り等がなく、極めて良好な膜質
であった。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５７】図５に示すような、ポリカーボネート基板
１１上に膜厚５５０Åの下部Ｓｉ３Ｎ４誘電体膜１２，
膜厚５５０Åの上部Ｓｉ３Ｎ４誘電体膜１３，膜厚２３
０ÅのＴｂＦｅＣｏ記録磁性層１４，膜厚４００Åの第
２のＳｉ３Ｎ４誘電体層１５，膜厚６００ÅのＡｌ反射
層１７の４層構造の記録部１６を有し、さらに上記記録
部上に紫外線硬化樹脂保護層１８が形成されてなる光磁
気ディスクを以下のようにして作製した。
１１上に膜厚５５０Åの下部Ｓｉ３Ｎ４誘電体膜１２，
膜厚５５０Åの上部Ｓｉ３Ｎ４誘電体膜１３，膜厚２３
０ÅのＴｂＦｅＣｏ記録磁性層１４，膜厚４００Åの第
２のＳｉ３Ｎ４誘電体層１５，膜厚６００ÅのＡｌ反射
層１７の４層構造の記録部１６を有し、さらに上記記録
部上に紫外線硬化樹脂保護層１８が形成されてなる光磁
気ディスクを以下のようにして作製した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５８】まず、サンプル膜３のスパッタ条件で下部
Ｓｉ３Ｎ４誘電体膜成膜し、次いでサンプル膜１，サン
プル膜２のいずれかのスパッタ条件で上部Ｓｉ３Ｎ４誘
電体膜を成膜して第１のＳｉ３Ｎ４誘電体層を形成し
た。次いで、このようにして形成された第１のＳｉ３Ｎ
４誘電体層上に実験例１と同様な条件にてＴｂＦｅＣｏ
記録磁性層，第２のＳｉ３Ｎ４誘電体層，Ａｌ反射層，
紫外線硬化樹脂保護層を形成して各種光磁気ディスク
（サンプルディスク６，サンプルディスク７）を作製し
た。
Ｓｉ３Ｎ４誘電体膜成膜し、次いでサンプル膜１，サン
プル膜２のいずれかのスパッタ条件で上部Ｓｉ３Ｎ４誘
電体膜を成膜して第１のＳｉ３Ｎ４誘電体層を形成し
た。次いで、このようにして形成された第１のＳｉ３Ｎ
４誘電体層上に実験例１と同様な条件にてＴｂＦｅＣｏ
記録磁性層，第２のＳｉ３Ｎ４誘電体層，Ａｌ反射層，
紫外線硬化樹脂保護層を形成して各種光磁気ディスク
（サンプルディスク６，サンプルディスク７）を作製し
た。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５９】そして、作製された光磁気ディスクについ
て記録磁界感度特性について検討した。記録磁界による
キャリアーレベルおよびノイズレベルの変化を図６に、
ＣＮ比の変化を図７に示す。なお、信号記録は記録周波
数を４．９３ＭＨｚ，ディスク回転数を２４００ｒｐ
ｍ，パルス幅を５１ｎｓｅｃに設定して行い、測定半径
は３０ｍｍである。
て記録磁界感度特性について検討した。記録磁界による
キャリアーレベルおよびノイズレベルの変化を図６に、
ＣＮ比の変化を図７に示す。なお、信号記録は記録周波
数を４．９３ＭＨｚ，ディスク回転数を２４００ｒｐ
ｍ，パルス幅を５１ｎｓｅｃに設定して行い、測定半径
は３０ｍｍである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【符号の説明】 １・・・透明基板 ２・・・第１のＳｉ３Ｎ４誘電体層 ３・・・記録磁性層 ４・・・第２のＳｉ３Ｎ４誘電体層 ５・・・反射層 ６・・・記録層 ７・・・保護層
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板上に少なくとも誘電体層，記録
磁性層が形成されてなる光磁気記録媒体において、 上記誘電体層は温度２５℃なる条件下で５％緩衝フッ酸
によってエッチングしたときのエッチングレートが２０
Å／分以下であることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 透明基板上に少なくとも誘電体層，記録
磁性層が形成されてなる光磁気記録媒体において、 上記誘電体層は、温度２５℃なる条件下で５％緩衝フッ
酸によってエッチングしたときのエッチングレートが４
０Å／分以上の誘電体膜と、温度２５℃条件下で５％緩
衝フッ酸によってエッチングしたときのエッチングレー
トが２０Å／分以下の誘電体膜が交互に積層されてなる
多層構造を有し、かつ記録磁性層に隣接する誘電体膜が
温度２５℃なる条件下で５％緩衝フッ酸によってエッチ
ングしたときのエッチングレートが２０Å／分以下の誘
電体膜であることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3342326A JPH05174433A (ja) | 1991-11-30 | 1991-11-30 | 光磁気記録媒体 |
| US07/981,537 US5341349A (en) | 1991-11-30 | 1992-11-25 | Magnetooptical recording medium having improved sensitivity |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3342326A JPH05174433A (ja) | 1991-11-30 | 1991-11-30 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05174433A true JPH05174433A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18352864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3342326A Pending JPH05174433A (ja) | 1991-11-30 | 1991-11-30 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5341349A (ja) |
| JP (1) | JPH05174433A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6552968B1 (en) * | 1999-07-09 | 2003-04-22 | Sony Corporation | Optical recording medium, method of producing same, and optical recording and reproduction device |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5610879A (en) * | 1993-03-05 | 1997-03-11 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Optical reproducing device, optical reproducing method using the same, and optical record medium used in the same |
| US5712833A (en) * | 1993-12-28 | 1998-01-27 | Ogihara; Noriyuki | Durable magneto-optical disk having a rare earth-transition amorphous magneto-optical layer |
| JP2850754B2 (ja) * | 1994-05-20 | 1999-01-27 | 日本電気株式会社 | 相変化型光ディスク |
| EP0684601B1 (en) * | 1994-05-26 | 1997-10-01 | Teijin Limited | Optical recording medium |
| JPH08147761A (ja) * | 1994-11-21 | 1996-06-07 | Nikon Corp | 情報記録媒体 |
| JPH10162442A (ja) * | 1996-12-04 | 1998-06-19 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| US6262949B1 (en) * | 1997-11-14 | 2001-07-17 | Fujitsu Limited | Multilayer resonance device and magneto-optical recording medium with magnetic center layer of a different thickness than that of the components of the reflecting layers |
| US6421303B1 (en) | 1997-11-14 | 2002-07-16 | Fujitsu Limited | Multilayer resonance device and magneto-optical recording medium with magnetic center layer of a different thickness than that of the components of the reflecting layers, and method of reproducing the same |
| JP2004055047A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Canon Inc | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE172047T1 (de) * | 1986-07-08 | 1998-10-15 | Canon Kk | Magnetoptisches aufzeichnungsmedium mit der möglichkeit des überschreibens mit zwei oder mehr magnetschichten und dieses medium verwendende aufzeichnungsmethode |
| JPH0413251A (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-17 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子及びその製造方法 |
| US5228024A (en) * | 1990-05-28 | 1993-07-13 | Goldstar Co., Ltd. | Magneto-optical disk possessing enhanced anti-reflective and anti-oxidative properties |
-
1991
- 1991-11-30 JP JP3342326A patent/JPH05174433A/ja active Pending
-
1992
- 1992-11-25 US US07/981,537 patent/US5341349A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6552968B1 (en) * | 1999-07-09 | 2003-04-22 | Sony Corporation | Optical recording medium, method of producing same, and optical recording and reproduction device |
| US6683845B2 (en) * | 1999-07-09 | 2004-01-27 | Sony Corporation | Optical recording medium, method of producing same, and optical recording and reproduction device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5341349A (en) | 1994-08-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000725 |