JPH01273240A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents
光記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH01273240A JPH01273240A JP63101258A JP10125888A JPH01273240A JP H01273240 A JPH01273240 A JP H01273240A JP 63101258 A JP63101258 A JP 63101258A JP 10125888 A JP10125888 A JP 10125888A JP H01273240 A JPH01273240 A JP H01273240A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- optical recording
- layer
- type
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- -1 5a1Pb Chemical class 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は新規な光記録媒体に関するものである。
さらに詳しくいえば、本発明は、レーザー光など相変化
を誘起できる光ビームにより、情報の記録、消去及び再
生を行う光記録媒体、特に従来の再生専用型と互換性の
ある光記録媒体に関するものである。
を誘起できる光ビームにより、情報の記録、消去及び再
生を行う光記録媒体、特に従来の再生専用型と互換性の
ある光記録媒体に関するものである。
従来の技術
光ディスクは、その記録再生の状態により再生専用型と
光記録可能型とに大別することができる。
光記録可能型とに大別することができる。
このうち、再生専用型は、音声用のデジタルオーディオ
ディスク、いわゆるコンパクトディスク（ＣＤ）として
すでに実用化されている。この種の光ディスクは、原盤
に記録された情報をプラスチックなどから成る基板に転
写し、その上にアルミニウムなどの金属反射膜を蒸着し
て実用に供されている。該再生専用型はこのような製造
プロセスであるため大量生産が可能であり、また６０％
以上の高い反射率を有するのが特徴である。
ディスク、いわゆるコンパクトディスク（ＣＤ）として
すでに実用化されている。この種の光ディスクは、原盤
に記録された情報をプラスチックなどから成る基板に転
写し、その上にアルミニウムなどの金属反射膜を蒸着し
て実用に供されている。該再生専用型はこのような製造
プロセスであるため大量生産が可能であり、また６０％
以上の高い反射率を有するのが特徴である。
一方、光記録可能型の代表的なものには、光磁気をと相
変化をとがある。前者の光磁気型は記録層の磁化の向き
により、記録や消去を行い、また磁気光学効果によって
再生を行うのに対し相変化型は、相変化前後の反射率の
差により記録、消去、再生を行う。さらに、この相変化
型は、−度記録すると情報が半永久的に保存される追記
型と、記録した情報の消去も可能な書き換え型とに分類
されるが、これは情報記録に利用される変化が可逆であ
るか否かによる違いであって、媒体の構成には共通点が
多い。
変化をとがある。前者の光磁気型は記録層の磁化の向き
により、記録や消去を行い、また磁気光学効果によって
再生を行うのに対し相変化型は、相変化前後の反射率の
差により記録、消去、再生を行う。さらに、この相変化
型は、−度記録すると情報が半永久的に保存される追記
型と、記録した情報の消去も可能な書き換え型とに分類
されるが、これは情報記録に利用される変化が可逆であ
るか否かによる違いであって、媒体の構成には共通点が
多い。
光ディスクには、このような種類があるが、従来再生専
用型として使用されてきた媒体に代って、光記録可能型
の媒体を用いれば、ユーザーが自ら音声の記録、消去、
再生を行うことが原理的には可能である。しかしながら
、従来の光記録媒体はこの点に関し、次に示すような問
題点を有している。すなわち、光磁気型は記録、消去に
磁化の反転、再生に磁気光学効果を用いるために、反射
率の差を利用した従来の再生専用型とは原理が異なって
いて、使用するヘッドに互換性が少なく、−吉相変化型
は光の反射率の差を利用する点では再生専用型と共通で
あるが、該相変化型では、Ｔｅ１Ｓｅなどのカルコゲン
や、Ｓｂなどの合金系における非晶質−結晶転移を利用
するため反射率もたかだか５０％程度であるのに対し、
再生専用をは前記したように６０％以上の反射率を有し
ているため、このタイプの光記録型でも、記録層単独で
は再生専用型との互換性がない。
用型として使用されてきた媒体に代って、光記録可能型
の媒体を用いれば、ユーザーが自ら音声の記録、消去、
再生を行うことが原理的には可能である。しかしながら
、従来の光記録媒体はこの点に関し、次に示すような問
題点を有している。すなわち、光磁気型は記録、消去に
磁化の反転、再生に磁気光学効果を用いるために、反射
率の差を利用した従来の再生専用型とは原理が異なって
いて、使用するヘッドに互換性が少なく、−吉相変化型
は光の反射率の差を利用する点では再生専用型と共通で
あるが、該相変化型では、Ｔｅ１Ｓｅなどのカルコゲン
や、Ｓｂなどの合金系における非晶質−結晶転移を利用
するため反射率もたかだか５０％程度であるのに対し、
再生専用をは前記したように６０％以上の反射率を有し
ているため、このタイプの光記録型でも、記録層単独で
は再生専用型との互換性がない。
発明が解決しようとする課題
本発明はこのような事情のもとで、記録層として相変化
型のものを用い、かつその反射率を上げることにより、
従来の再生専用型と互換性のある光記録媒体を提供する
ことを目的としてなされたものである。
型のものを用い、かつその反射率を上げることにより、
従来の再生専用型と互換性のある光記録媒体を提供する
ことを目的としてなされたものである。
課題を解決するための手段
本発明者らは相変化型の光記録媒体における反射率を６
０％以上に上げるために鋭意研究を重ねた結果、基板上
に、再生に用いる光の波長において異なる屈折率を有す
る２層から成る誘電体層を設け、その上に記録層を形成
することにより、前記目的を達成しうろことを見い出し
、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
０％以上に上げるために鋭意研究を重ねた結果、基板上
に、再生に用いる光の波長において異なる屈折率を有す
る２層から成る誘電体層を設け、その上に記録層を形成
することにより、前記目的を達成しうろことを見い出し
、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、基板上に誘電体層と記録層を形成
し、光ビームの照射によって該記録層に誘起される相変
化により情報の記録、消去を行い、かつ該基板側より入
射した光に対する反射光により情報の再生を行う光記録
媒体において、該誘電体層が再生に用いる光の波長にお
いて異なる屈折率を有する２層から成り、かつこの波長
の光に対し、該基板側から測定される反射率が情報を記
録していない状態で６０％以上であることを特徴とする
光記録媒体を提供するものである。
し、光ビームの照射によって該記録層に誘起される相変
化により情報の記録、消去を行い、かつ該基板側より入
射した光に対する反射光により情報の再生を行う光記録
媒体において、該誘電体層が再生に用いる光の波長にお
いて異なる屈折率を有する２層から成り、かつこの波長
の光に対し、該基板側から測定される反射率が情報を記
録していない状態で６０％以上であることを特徴とする
光記録媒体を提供するものである。
以下本発明の詳細な説明する。
本発明の効果は、屈折率の異なる誘電体の積層による干
渉効果によるものであって、その原理は、例えば「光学
薄膜」第２版、第２５〜３４ページ（１９８６年）など
に記載されている。しかしながら、この原理は、従来、
光学レンズの反射防止膜やレーザー反射鏡などには応用
されているが、光記録媒体には応用されていない。
渉効果によるものであって、その原理は、例えば「光学
薄膜」第２版、第２５〜３４ページ（１９８６年）など
に記載されている。しかしながら、この原理は、従来、
光学レンズの反射防止膜やレーザー反射鏡などには応用
されているが、光記録媒体には応用されていない。
本発明で用いる誘電体の屈折率及び膜厚は種々の組合せ
が可能である。例えば、基板上に、誘電体層り８、誘電
体層Ｌ２及び記録層を順次積層する場合、基板の屈折率
をｎ６、誘電体層Ｌ１の屈折率をｎｌｓ誘電体層Ｌ２の
屈折率をｎ２とし、ｎｌ）ｎ。
が可能である。例えば、基板上に、誘電体層り８、誘電
体層Ｌ２及び記録層を順次積層する場合、基板の屈折率
をｎ６、誘電体層Ｌ１の屈折率をｎｌｓ誘電体層Ｌ２の
屈折率をｎ２とし、ｎｌ）ｎ。
で、かつｎ、）ｎ２のとき、Ｌ、及びＬ２の膜厚が、そ
れぞれｄｉ−λ／４ｎ１及びｄ、−λ／ ４ ｎ ｚ
（λは再生光の波長）の場合、反射率は極大となり、こ
の際、該ｎ、とｎ、との差を大きくすれば反射率を所望
の値まで増加させることができる。
れぞれｄｉ−λ／４ｎ１及びｄ、−λ／ ４ ｎ ｚ
（λは再生光の波長）の場合、反射率は極大となり、こ
の際、該ｎ、とｎ、との差を大きくすれば反射率を所望
の値まで増加させることができる。
具体的な誘電体の材料の選定に際しては、その物質の屈
折率に留意しさえすればよいが、透明性の高い材料、例
えば’ｇｓ Ｃｐｓ Ｓｒ、Ｙ、 Ｌｓ、Ｃｓ、 Ｐｒ
。
折率に留意しさえすればよいが、透明性の高い材料、例
えば’ｇｓ Ｃｐｓ Ｓｒ、Ｙ、 Ｌｓ、Ｃｓ、 Ｐｒ
。
Ｈａｓ Ｐｒｍ５５ａＳＥｎｓ Ｇｄ、 Ｔｂ、 Ｄｙ
１Ｔｉｏ、 Ｅｒ、 Ｔｍ、 ＹｂｑＬｍ、 Ｔｉｓ
２ｒ、 ＩｆＳＶ、 Ｎｂ、 ＴａＳｂ、 ｋＱ、 Ｓ
ｉ、 Ｇｃ。
１Ｔｉｏ、 Ｅｒ、 Ｔｍ、 ＹｂｑＬｍ、 Ｔｉｓ
２ｒ、 ＩｆＳＶ、 Ｎｂ、 ＴａＳｂ、 ｋＱ、 Ｓ
ｉ、 Ｇｃ。
５ａ１Ｐｂなどの酸化物、窒化物、硫化物、Ｌｉ、 Ｎ
ｓ、”Ｅｚ Ｃａなどのフッ化物、あるいはこれらの混
合物などを用いると誘電体層による吸収がなく、感度の
点で有利である。
ｓ、”Ｅｚ Ｃａなどのフッ化物、あるいはこれらの混
合物などを用いると誘電体層による吸収がなく、感度の
点で有利である。
また、屈折率が酸化物などの化学量論数によって変化す
ることを、利用してもよく、例えばＬ１層にＳ＋Ｏｘ＋
、Ｌｉ層に５ｉＯｘ２で示されるケイ素又はその酸化物
を用いる場合、該Ｘ１及びＸ２を変えることにより、ｎ
ｌ及びｎ２を変化させることができ、所望の屈折率を有
する薄膜を容易に形成できる。
ることを、利用してもよく、例えばＬ１層にＳ＋Ｏｘ＋
、Ｌｉ層に５ｉＯｘ２で示されるケイ素又はその酸化物
を用いる場合、該Ｘ１及びＸ２を変えることにより、ｎ
ｌ及びｎ２を変化させることができ、所望の屈折率を有
する薄膜を容易に形成できる。
本発明における記録層に用いられる相変化型の材料とし
ては、例えばＧｅ−Ｔｓ−５ｂ、 Ｉ＋−５ｓＳＩｎ
−ｓｂなどが挙げられる。該記録層の膜厚は媒体の使用
条件にもよるが、２０〜２００ ａｍ程度で所望の効果
が得られる。また、基板材料としては、例えばガラス、
アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂など、従来基板材
料として慣用されているものの中から任意のものを用い
ることができる。
ては、例えばＧｅ−Ｔｓ−５ｂ、 Ｉ＋−５ｓＳＩｎ
−ｓｂなどが挙げられる。該記録層の膜厚は媒体の使用
条件にもよるが、２０〜２００ ａｍ程度で所望の効果
が得られる。また、基板材料としては、例えばガラス、
アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂など、従来基板材
料として慣用されているものの中から任意のものを用い
ることができる。
一般に光記録媒体においては、該誘電体層に対して、温
度コントロールや耐環境性などの多くの機能が要求され
るが、本発明の構成を採用すれば、前記したように材料
の選択が広い上に、異なる特徴を有する材料を組み合わ
せて使用しうるので材料設計が容易である。
度コントロールや耐環境性などの多くの機能が要求され
るが、本発明の構成を採用すれば、前記したように材料
の選択が広い上に、異なる特徴を有する材料を組み合わ
せて使用しうるので材料設計が容易である。
まｔ；、本発明の光記録媒体においては、所望に応じ、
記録層の上に反射層を設けて感度を向上させてもよいし
、有機系や無機系の保護層を設けて耐環境性を向上させ
てもよく、さらにディスク構造は単板であってもよいし
、全面接着構造やエアサンドイッチなどの貼り合わせ構
造であってもよい。
記録層の上に反射層を設けて感度を向上させてもよいし
、有機系や無機系の保護層を設けて耐環境性を向上させ
てもよく、さらにディスク構造は単板であってもよいし
、全面接着構造やエアサンドイッチなどの貼り合わせ構
造であってもよい。
本発明においては、干渉効果を利用しているので、膜厚
設計を適宜変更することにより、媒体の反射率を用途に
応じて所望の値に調節することもできる。
設計を適宜変更することにより、媒体の反射率を用途に
応じて所望の値に調節することもできる。
発明の効果
本発明によれば、相変化型光記録材料を用いて金属材料
並の反射率を得ることができ、従来の再生専用型媒体と
互換性があり、かつ記録、消去が可能な光記録媒体を提
供することができる。
並の反射率を得ることができ、従来の再生専用型媒体と
互換性があり、かつ記録、消去が可能な光記録媒体を提
供することができる。
実施例
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
実施例１
ガラス基板上に、ＳｉＯ（屈折率２．１）８８ｍｍ。
Ｓｉｎ、（屈折率１．５）１３０＋＋重及び５ｂｓＪ＊
５ｏＧｅｚｅ（屈折率５．４）８０ａｍをこの順に真空
蒸着した［第１図（Ａ）参照］。また、比較例としてＳ
ｉ０層を設けなかったこと以外はすべて同一条件で真空
蒸着を行ったものを用意した［第１図（Ｂ）参照〕。
５ｏＧｅｚｅ（屈折率５．４）８０ａｍをこの順に真空
蒸着した［第１図（Ａ）参照］。また、比較例としてＳ
ｉ０層を設けなかったこと以外はすべて同一条件で真空
蒸着を行ったものを用意した［第１図（Ｂ）参照〕。
蒸着直後及び２５０ ’Ｏで１０分間アニールしたのち
の試料の反射率を、波長８３０ｍｍの光を用いて基板側
から測定したところ、第１表に示す結果が得られた。
の試料の反射率を、波長８３０ｍｍの光を用いて基板側
から測定したところ、第１表に示す結果が得られた。
この表から、誘電体層を２層にすることにより、蒸着直
後及びアニール後共に反射率が上昇していることが分か
る。また、コントラストは比較例とほぼ同じであり、両
状態の反射率差を利用した情報の記録が可能であるとと
もに、再生専用型媒体との互換性をもたせることができ
る。
後及びアニール後共に反射率が上昇していることが分か
る。また、コントラストは比較例とほぼ同じであり、両
状態の反射率差を利用した情報の記録が可能であるとと
もに、再生専用型媒体との互換性をもたせることができ
る。
第 １ 表
実施例２
直径１３０ｍｍのポリカーボネート基板、及び７６Ｘ２
６ｍｍ”のガラス基板（屈折率１．５）上に、２ａＳ
（屈折率２．３） ８８層ｇ＋、 ５ｉ０２１３０層ｍ
％Ｓｂ。
６ｍｍ”のガラス基板（屈折率１．５）上に、２ａＳ
（屈折率２．３） ８８層ｇ＋、 ５ｉ０２１３０層ｍ
％Ｓｂ。
Ｔｅ５ｏＧｅｔａ８０ Ｉｌｍ及び５ｉＯ１２０Ｉｌｌ
を真空蒸着した。
を真空蒸着した。
ポリカーボネート基板を用いた試料には、最上層にアク
リル樹脂６．ｇｍを形成した（第２図参照）。
リル樹脂６．ｇｍを形成した（第２図参照）。
ガラス基板を用いた試料の反射率を実施例１と同じ方法
で測定したところ、蒸着直後で４５％、アニール後で６
３％であった。次にポリカーボネート基板を用いた試料
を線速１．２ｍ／ｓで回転させ、波長８３０ ａｌｌ、
パワー７ｍＷの半導体レーザー光を連続照射したのち、
周波数７２４ＫＨｘ、パワー１２ｍＷのパルス光を照射
して記録を行った。さらにパワー７ｍＷの連続光を照射
して消去を行った。その結果を第２表に示す。半導体レ
ーザーによる情報の記録、消去が可能であり、Ｃ／Ｎ比
５０ｄＢ、消去比３０ｄＢが得られる。
で測定したところ、蒸着直後で４５％、アニール後で６
３％であった。次にポリカーボネート基板を用いた試料
を線速１．２ｍ／ｓで回転させ、波長８３０ ａｌｌ、
パワー７ｍＷの半導体レーザー光を連続照射したのち、
周波数７２４ＫＨｘ、パワー１２ｍＷのパルス光を照射
して記録を行った。さらにパワー７ｍＷの連続光を照射
して消去を行った。その結果を第２表に示す。半導体レ
ーザーによる情報の記録、消去が可能であり、Ｃ／Ｎ比
５０ｄＢ、消去比３０ｄＢが得られる。
第 ２ 表
第１図（ａ、）及び（ｂ）は、それぞれ実施例１におけ
る本発明の光記録媒体及び比較例における光記録媒体の
断面図、第２図は実施例２における本発明の光記録媒体
の断面図であり、図中符号１は基板、２及び３は誘電体
層、４は記録層、５及び６は保護層である。 特許出願人 旭化成工業株式会社
る本発明の光記録媒体及び比較例における光記録媒体の
断面図、第２図は実施例２における本発明の光記録媒体
の断面図であり、図中符号１は基板、２及び３は誘電体
層、４は記録層、５及び６は保護層である。 特許出願人 旭化成工業株式会社
Claims (1)
- １ 基板上に誘電体層と記録層を形成し、光ビームの照
射によって該記録層に誘起される相変化により情報の記
録、消去を行い、該基板側より入射した光に対する反射
光により情報の再生を行う光記録媒体における該誘電体
層が再生に用いる光の波長において異なる屈折率を有す
る２層から成り、かつこの波長の光に対し、該基板側か
ら測定される反射率が情報を記録していない状態で６０
％以上であることを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63101258A JP2521324B2 (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63101258A JP2521324B2 (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01273240A true JPH01273240A (ja) | 1989-11-01 |
| JP2521324B2 JP2521324B2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=14295888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63101258A Expired - Fee Related JP2521324B2 (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2521324B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03212830A (ja) * | 1990-01-17 | 1991-09-18 | Hitachi Ltd | 光ディスク、その記録・消去システム、およびその記録・消去方法 |
| JPH0863783A (ja) * | 1994-08-26 | 1996-03-08 | Nec Corp | 情報記録媒体 |
| US5681632A (en) * | 1995-02-13 | 1997-10-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60177447A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-11 | Nec Corp | 光学記録媒体 |
| JPS62167637A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-24 | Sony Corp | 光学式記録媒体 |
| JPS62175945A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-01 | Nec Corp | 光情報記録媒体の製造方法 |
-
1988
- 1988-04-26 JP JP63101258A patent/JP2521324B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60177447A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-11 | Nec Corp | 光学記録媒体 |
| JPS62167637A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-24 | Sony Corp | 光学式記録媒体 |
| JPS62175945A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-01 | Nec Corp | 光情報記録媒体の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03212830A (ja) * | 1990-01-17 | 1991-09-18 | Hitachi Ltd | 光ディスク、その記録・消去システム、およびその記録・消去方法 |
| JPH0863783A (ja) * | 1994-08-26 | 1996-03-08 | Nec Corp | 情報記録媒体 |
| US5681632A (en) * | 1995-02-13 | 1997-10-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2521324B2 (ja) | 1996-08-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6221455B1 (en) | Multi-layer optical disc and recording/reproducing apparatus | |
| KR100402169B1 (ko) | 다층구조광정보매체 | |
| KR100770078B1 (ko) | 다층 광 디스크 | |
| US5753413A (en) | Rewritable medium for recording information in which the atomic arrangement is changed without the shape being changed and the optical constant is changed | |
| JPH08255374A (ja) | 多層光ディスク及びその信号再生方法 | |
| WO2007052614A1 (ja) | 光学的情報記録媒体およびその製造方法 | |
| JP3698905B2 (ja) | 光学的情報記録媒体、その情報記録方法、その情報消去方法 | |
| JPH01273240A (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| KR101017004B1 (ko) | 광기록 매체 및 그 제조 방법 | |
| JPH11283278A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3159500B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH07104424A (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JPH10293942A (ja) | 光学情報記録媒体および光学情報記録再生消去方法 | |
| JPH1031844A (ja) | 多層構造光情報媒体 | |
| JPH02289933A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH0917028A (ja) | 光学的情報記録媒体及びその情報再生方法 | |
| JPH09320115A (ja) | 光ディスク | |
| JPH0644606A (ja) | 相変化光記録媒体 | |
| JPH04286732A (ja) | 光ディスク | |
| JPH0337841A (ja) | 光ディスク | |
| JPS62270041A (ja) | 光デイスク | |
| JP2002237092A (ja) | 光学的情報記録媒体及びその情報記録方法、情報消去方法、及びその製造方法 | |
| JP2004071123A (ja) | 光ディスク、光ディスク記録再生装置、および光ディスク記録再生方法 | |
| JP2001344844A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH10188348A (ja) | 情報記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |