JPS60177447A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
- Publication number
- JPS60177447A JPS60177447A JP59031722A JP3172284A JPS60177447A JP S60177447 A JPS60177447 A JP S60177447A JP 59031722 A JP59031722 A JP 59031722A JP 3172284 A JP3172284 A JP 3172284A JP S60177447 A JPS60177447 A JP S60177447A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spacer layer
- refractive index
- substrate
- layer
- spacer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はレーザ光によって情@を記録再生することので
きる光字配録媒体に関する。
きる光字配録媒体に関する。
(従来技術)
レーザ光線によって悄@を媒体に記録し、かつ再生する
追記型光デイスクメモリは、日「:録■′度が高いこと
から大容量記録装置として浸れた特徴を有している。こ
のような追記型光デイスクメモリの記録媒体としては、
Te、Bi等の半金属薄膜及びを機薄膜が使用されてい
る。有機薄膜は、半金属薄膜より優れた熱特性、即ち低
い熱1i導率と小さな熱容量を持っているので吸収エネ
ルギー密度当シの膜の温度上昇は大きく、高い記録感度
が期待できる。しかし、a機薄膜は、半導体レーザの波
長域(〜800nm)で牛金属薄膜はどには大きな反射
率を示さないので、半導体レーザを再生用光源とする場
合、ド)生信号及びサーホ信号の品質に間yムを生じる
、 これを改善する方法として、6核薄膜と基板の間にAI
等の反射膜を投げる媒体構成が知られている。この構
成を採用し、a振博膜の膜厚を調整することにより、記
り罰佐の反射率変化、即ち変調量を半金旭薄版の場合と
同程度に大きくすることができる。しかし、この構成で
は、記鈴丹生光の入射方向が媒体の表面佃に限られると
いう制約がある。
追記型光デイスクメモリは、日「:録■′度が高いこと
から大容量記録装置として浸れた特徴を有している。こ
のような追記型光デイスクメモリの記録媒体としては、
Te、Bi等の半金属薄膜及びを機薄膜が使用されてい
る。有機薄膜は、半金属薄膜より優れた熱特性、即ち低
い熱1i導率と小さな熱容量を持っているので吸収エネ
ルギー密度当シの膜の温度上昇は大きく、高い記録感度
が期待できる。しかし、a機薄膜は、半導体レーザの波
長域(〜800nm)で牛金属薄膜はどには大きな反射
率を示さないので、半導体レーザを再生用光源とする場
合、ド)生信号及びサーホ信号の品質に間yムを生じる
、 これを改善する方法として、6核薄膜と基板の間にAI
等の反射膜を投げる媒体構成が知られている。この構
成を採用し、a振博膜の膜厚を調整することにより、記
り罰佐の反射率変化、即ち変調量を半金旭薄版の場合と
同程度に大きくすることができる。しかし、この構成で
は、記鈴丹生光の入射方向が媒体の表面佃に限られると
いう制約がある。
(発明の目的)
本発明の目的は、前述の従来技術の欠点を改良し得る新
規な媒体構成によシ、再生出力の大きな光学記録媒体を
提供することにある。
規な媒体構成によシ、再生出力の大きな光学記録媒体を
提供することにある。
(発明の構成)
すなわち本発明は−レーザ光線の照射顛よって情報を記
録しかつ読み取る光学記録媒体において、前記レーザ光
線に対して透明な基板上圧、前記レーザ光arc対して
実質的に透明でかつ前記レーザ光線の波長での屈折率が
2.0以上である第1のスペーサ層と、前記レーザ光線
に対して実質的に透明でかつ前記レーザ光線の波長での
屈折率が前記第1のスペーサ層より小さい第2のスペー
サ層と、前記レーザ光線を吸収する記録層の少なくとも
3層を積層したことを特徴とする。
録しかつ読み取る光学記録媒体において、前記レーザ光
線に対して透明な基板上圧、前記レーザ光arc対して
実質的に透明でかつ前記レーザ光線の波長での屈折率が
2.0以上である第1のスペーサ層と、前記レーザ光線
に対して実質的に透明でかつ前記レーザ光線の波長での
屈折率が前記第1のスペーサ層より小さい第2のスペー
サ層と、前記レーザ光線を吸収する記録層の少なくとも
3層を積層したことを特徴とする。
(構成の詳細な説明)
透明な基板上に記録層が形成されている媒体の基板入射
時の媒体反射量は、記録層と基板の光学定数(複素屈折
率)および記録層の厚さに依存する。透明な基板として
は、通常ガラス又は各種合成樹脂が使用される。これら
の可視光から近赤外光域での屈折率nはほぼ1.5であ
シ、この範囲の波長にはほとんど依存しない。したがっ
て、媒体の反射率は、記録層の光学定数と埋さで決定さ
れる。記録層として有機色素膜あるいは有機色素を分散
させた樹鮨膜を用いる場合、これらの膜の複素屈折率(
n ik)は半導体レーザ波長域(〜800nm)で高
々2.5 il、0である。
時の媒体反射量は、記録層と基板の光学定数(複素屈折
率)および記録層の厚さに依存する。透明な基板として
は、通常ガラス又は各種合成樹脂が使用される。これら
の可視光から近赤外光域での屈折率nはほぼ1.5であ
シ、この範囲の波長にはほとんど依存しない。したがっ
て、媒体の反射率は、記録層の光学定数と埋さで決定さ
れる。記録層として有機色素膜あるいは有機色素を分散
させた樹鮨膜を用いる場合、これらの膜の複素屈折率(
n ik)は半導体レーザ波長域(〜800nm)で高
々2.5 il、0である。
例えば、記録層の複素屈折率が2.3−io、8 であ
シ、基板の屈折率が1.5の場合、波長830nmでの
基板入射の媒体反射率は第1図に示すように記録層の厚
さに依存する。これより、最大反射率は記録層の厚さが
約90nmの時に得られ、その値は18%であることが
判る。記録層に孔を形成して記録を行なう媒体では再生
の出力の大きさく変調量)は近似的K、孔が形成されて
いない時の媒体反射率と孔が形成され記録層の厚さがゼ
ロとなった時の反射率、即ち基板のみの反射率との差に
比例すると考えることができる。第五図の例で、記録層
の厚さを90nmとすると、孔が形成されていない時の
媒体反射率は18%であシ、基板反射率は4%であるの
で、変調jl:1j14%となる。
シ、基板の屈折率が1.5の場合、波長830nmでの
基板入射の媒体反射率は第1図に示すように記録層の厚
さに依存する。これより、最大反射率は記録層の厚さが
約90nmの時に得られ、その値は18%であることが
判る。記録層に孔を形成して記録を行なう媒体では再生
の出力の大きさく変調量)は近似的K、孔が形成されて
いない時の媒体反射率と孔が形成され記録層の厚さがゼ
ロとなった時の反射率、即ち基板のみの反射率との差に
比例すると考えることができる。第五図の例で、記録層
の厚さを90nmとすると、孔が形成されていない時の
媒体反射率は18%であシ、基板反射率は4%であるの
で、変調jl:1j14%となる。
このような変調量が小さいという問題は、第2図に示す
本発明の一つの媒体構成例によりM決される。即ち、基
板lOと記録層200間に第1のスペーサIWI30と
第2のスペーサ層40を設けることによシ、媒体の変調
量を高めることができる。
本発明の一つの媒体構成例によりM決される。即ち、基
板lOと記録層200間に第1のスペーサIWI30と
第2のスペーサ層40を設けることによシ、媒体の変調
量を高めることができる。
但し、第1のスペーサ層30と第2のスペーサ層40の
材料及びその厚さは下記する条件を満すように選択され
なげればならない。まず、基板10上に第1のスペーサ
層30のみが形成されている第3図に示すような構成を
考える。基板1ot−通して入射した光100は、基板
lOと第1のスペーサj−30との界面及び第1のスペ
ーサ層3oと空気との界面でその一部は反射されて反射
光200となる。反射光200の大きさく反射率)は、
第1のスペーサ層30の屈折率と厚さに依存する。本発
明で使用される第1のスペーサIfka Oの材料及び
厚さは、この反射光200を大きくするように選ばれる
。即ち、第1のスペーサ層30の屈折率は基板lOの屈
折率よりも太きけれは大きいほどよい。
材料及びその厚さは下記する条件を満すように選択され
なげればならない。まず、基板10上に第1のスペーサ
層30のみが形成されている第3図に示すような構成を
考える。基板1ot−通して入射した光100は、基板
lOと第1のスペーサj−30との界面及び第1のスペ
ーサ層3oと空気との界面でその一部は反射されて反射
光200となる。反射光200の大きさく反射率)は、
第1のスペーサ層30の屈折率と厚さに依存する。本発
明で使用される第1のスペーサIfka Oの材料及び
厚さは、この反射光200を大きくするように選ばれる
。即ち、第1のスペーサ層30の屈折率は基板lOの屈
折率よりも太きけれは大きいほどよい。
したがって、第1のスペーサ層3oの屈折率は2.0以
上が望ましく、その厚さは反射光2(10の大きさを極
大とする厚さが最も望ましい。次に、基&I O上に第
1のスペーサMII30を上記のように反射光200を
大きくするようKして設け、その上に第2のスペーサ層
40が形成されている第4図に示すような構成を考える
つ基板1 (lを迫して入射しだ光100は、基板10
と第1のスペーサ層30との界面、第1のスペーサ層3
0と第2のスペーサ層40との界面、反ひ第2のスペー
サ層40と空気との界面でその−fallは反引されて
反則光300となる。反射光300の大きさく反!11
m)は、第2のスペーサ層40の屈#i*と厚嘔に依イ
Iする。
上が望ましく、その厚さは反射光2(10の大きさを極
大とする厚さが最も望ましい。次に、基&I O上に第
1のスペーサMII30を上記のように反射光200を
大きくするようKして設け、その上に第2のスペーサ層
40が形成されている第4図に示すような構成を考える
つ基板1 (lを迫して入射しだ光100は、基板10
と第1のスペーサ層30との界面、第1のスペーサ層3
0と第2のスペーサ層40との界面、反ひ第2のスペー
サ層40と空気との界面でその−fallは反引されて
反則光300となる。反射光300の大きさく反!11
m)は、第2のスペーサ層40の屈#i*と厚嘔に依イ
Iする。
本発明でイ史用される第2のスペーサ層40の羽料及び
厚さは、この反射光300をI」1さくするよ5((選
ばれる。即ち、第2のスペーサ層40の屈JI’+率は
第1のスペーサ層30の屈折部よりも小さいことが必要
である。第2のスペーサ層40の厚さは、反射光300
の大きさを極小とする厚さが最も望ましい。
厚さは、この反射光300をI」1さくするよ5((選
ばれる。即ち、第2のスペーサ層40の屈JI’+率は
第1のスペーサ層30の屈折部よりも小さいことが必要
である。第2のスペーサ層40の厚さは、反射光300
の大きさを極小とする厚さが最も望ましい。
以上のべたような榮件で第1のスペーサ層と第2のスペ
ーサ層を設け、その上に記録NRを設けることKよシ再
生出力の小ささが改iIネれる。
ーサ層を設け、その上に記録NRを設けることKよシ再
生出力の小ささが改iIネれる。
第5図は基板10(屈折率1.5)の上に第1のスペー
サ層30(屈折率2.0)を1100n厚で形成し、そ
の上に第2のスペーサ層40(屈折部1.4)を150
nm厚で形成し、その上K Be 鋒rH20(複素屈
折率2.3−io、8) を設けた時の基板入射(波長
830nm) における反射率の記録層厚さ依存を示し
だものである。第1図と比較することKよシ、第1のス
ペーサ層と第2のスペーサ層の挿入により変o4fit
が改善されることがわかる、第6図は基板10(屈折4
1.5)の上に第1のスペーサ層30(屈折率2.0)
を1100n厚でル威し、その上に第2のスペーサI*
t 4 (1(屈折率1.5)を140nm厚で形成し
、その上に記録層20(複素屈折率2.3− iG、8
) %−設けた時の基板人11(波長830nm)にお
ける反射率の記録層厚さ依存を示したものである。第1
図と比較することKよシ、第1のスペーサ層と第2のス
ペーサ層の挿入によシ変#!I量が改善されることがわ
かる。
サ層30(屈折率2.0)を1100n厚で形成し、そ
の上に第2のスペーサ層40(屈折部1.4)を150
nm厚で形成し、その上K Be 鋒rH20(複素屈
折率2.3−io、8) を設けた時の基板入射(波長
830nm) における反射率の記録層厚さ依存を示し
だものである。第1図と比較することKよシ、第1のス
ペーサ層と第2のスペーサ層の挿入により変o4fit
が改善されることがわかる、第6図は基板10(屈折4
1.5)の上に第1のスペーサ層30(屈折率2.0)
を1100n厚でル威し、その上に第2のスペーサI*
t 4 (1(屈折率1.5)を140nm厚で形成し
、その上に記録層20(複素屈折率2.3− iG、8
) %−設けた時の基板人11(波長830nm)にお
ける反射率の記録層厚さ依存を示したものである。第1
図と比較することKよシ、第1のスペーサ層と第2のス
ペーサ層の挿入によシ変#!I量が改善されることがわ
かる。
第7図は基$10(屈折部1.5)の上に第1のスペー
サ層30(屈折率2.0)を1100n厚で形成し、そ
の上に第2のスペーサItlr 40 (屈折率1.7
)を120 nm厚でJし成し、その上に記#層20(
rIl素屈折屈折率23− +0.8) ヲ設ケ1i4
rlL[入射(波1j830ntn)における反射率の
記録層厚さ依存を示したものである。第1図と比較する
ことKよシ、第1のスペーサ層と第2のスペーサ〜の挿
入により変調量が改善されることがわかる。
サ層30(屈折率2.0)を1100n厚で形成し、そ
の上に第2のスペーサItlr 40 (屈折率1.7
)を120 nm厚でJし成し、その上に記#層20(
rIl素屈折屈折率23− +0.8) ヲ設ケ1i4
rlL[入射(波1j830ntn)における反射率の
記録層厚さ依存を示したものである。第1図と比較する
ことKよシ、第1のスペーサ層と第2のスペーサ〜の挿
入により変調量が改善されることがわかる。
第8図は基板10(屈折部1.5)の上に第1のスペー
サ、層30(屈折率2.0)を100100n’で形成
し、その上に第2のスペーサ層40(屈折率1.8)を
120 nm厚で形成し、その上に記録層20(複素屈
折率2.3−io−8)を設けた時の基板入射(波長8
30nm)における反射率のid録層厚さ依存を示した
ものである。第1図と比較することKよシ、第1のスペ
ーサ層と第2のスペーサ層の挿入によシ変調量が改善さ
れることがわかる。
サ、層30(屈折率2.0)を100100n’で形成
し、その上に第2のスペーサ層40(屈折率1.8)を
120 nm厚で形成し、その上に記録層20(複素屈
折率2.3−io−8)を設けた時の基板入射(波長8
30nm)における反射率のid録層厚さ依存を示した
ものである。第1図と比較することKよシ、第1のスペ
ーサ層と第2のスペーサ層の挿入によシ変調量が改善さ
れることがわかる。
第9図は基板10(屈折部1.5)の上に第1のスペー
サ層30(屈折率2.3)を90nm厚で形成し。
サ層30(屈折率2.3)を90nm厚で形成し。
その上に第2のスペーサ層40(屈折率1.4)を15
0nm厚で形成し、その上に記録@20(複素屈折率2
.3−io、8)を設けた時の基板入射(波長830s
+m)Kおける反射率の記録層厚さ依存を示したもので
ある。、第1図と比較することKよシ、第1のスペーサ
層と第2のスペーサ層の挿入によシ変調量が改善される
ことがわかる。
0nm厚で形成し、その上に記録@20(複素屈折率2
.3−io、8)を設けた時の基板入射(波長830s
+m)Kおける反射率の記録層厚さ依存を示したもので
ある。、第1図と比較することKよシ、第1のスペーサ
層と第2のスペーサ層の挿入によシ変調量が改善される
ことがわかる。
第1O図は基板10(屈折率1.5)の上に第1のスペ
ーサ層30(屈折率2.3)を9O,m厚で形成し、そ
の上に第2のスペーサi40・(屈折部1.5)を14
0nm厚で形成し、その上に記録層20(複素屈折率2
.3−+0.8)を設けた時の基板入射(波長830n
m)における反射率の記録層厚さ依イチを示したもので
ある。第iyと比較することKよシ、第1のスペーサ層
と第2のスペーサ層の挿入により変調量が改善されるこ
とがわかる。
ーサ層30(屈折率2.3)を9O,m厚で形成し、そ
の上に第2のスペーサi40・(屈折部1.5)を14
0nm厚で形成し、その上に記録層20(複素屈折率2
.3−+0.8)を設けた時の基板入射(波長830n
m)における反射率の記録層厚さ依イチを示したもので
ある。第iyと比較することKよシ、第1のスペーサ層
と第2のスペーサ層の挿入により変調量が改善されるこ
とがわかる。
第11悶は基板10(屈折$ 1.5 )の上11のス
ペーサ層30(屈折部2.3)を90nm#で形成し、
その上に第2のスペーサ層40(屈折率1.7)を12
0 nm厚で形成し、その上に記録層20(複素屈折率
2.3 io、8)を設けた時の基板入射(波長830
nm)における反射率の8己録層厚さ依存を示したもの
である。第1図と比較することによシ、第1のスペーサ
層と第2のスペーサ〜の挿入により変調量が改善される
ことがわかる。
ペーサ層30(屈折部2.3)を90nm#で形成し、
その上に第2のスペーサ層40(屈折率1.7)を12
0 nm厚で形成し、その上に記録層20(複素屈折率
2.3 io、8)を設けた時の基板入射(波長830
nm)における反射率の8己録層厚さ依存を示したもの
である。第1図と比較することによシ、第1のスペーサ
層と第2のスペーサ〜の挿入により変調量が改善される
ことがわかる。
第12図は基板10(屈折率1.5)の上に第1のスペ
ーサ層30(屈折率2.3)を90nm厚で形成し、そ
の上に第2のスペーサ層40(屈折率1.8)を115
nm厚で形成し、その上に記録層20(複素屈折率2.
3− i 0.8 ) ft設けた時の基板入射(板長
830nm)における反射率の記録層厚さ依存を示した
ものである。第1図と比較することにより、mlのスペ
ーサ層と第2のスペーサ層の挿入によシ変調値か改善さ
れることがわかる。
ーサ層30(屈折率2.3)を90nm厚で形成し、そ
の上に第2のスペーサ層40(屈折率1.8)を115
nm厚で形成し、その上に記録層20(複素屈折率2.
3− i 0.8 ) ft設けた時の基板入射(板長
830nm)における反射率の記録層厚さ依存を示した
ものである。第1図と比較することにより、mlのスペ
ーサ層と第2のスペーサ層の挿入によシ変調値か改善さ
れることがわかる。
第13図は基板10(屈セi″$1.5)の上に第1の
スペーサ層30(屈折率2.3)を90nml’Jで形
成し、その上に第2のスペーサ層40(屈折率2.0)
を1105n厚でル成し、その上に記録層20(複素屈
指率2.3−i0.8)を設けた時の基板入射(波長8
30nm)における反射率の記録層厚さ依存を示したも
のである。第1図と比較することにより、第1のスペー
サ層と第2のスペーサ層の挿入によシ変14mが改善噛
れることがわかる。
スペーサ層30(屈折率2.3)を90nml’Jで形
成し、その上に第2のスペーサ層40(屈折率2.0)
を1105n厚でル成し、その上に記録層20(複素屈
指率2.3−i0.8)を設けた時の基板入射(波長8
30nm)における反射率の記録層厚さ依存を示したも
のである。第1図と比較することにより、第1のスペー
サ層と第2のスペーサ層の挿入によシ変14mが改善噛
れることがわかる。
第14図は基板10(屈折率1.5)の上に第1のスペ
ーサ層30(屈折率2.7)を80nm厚で形成し、そ
の上に第2のスペーサ層40(屈折率1.4)を150
nmFJ!で形成し、その上に記録層20(複索屈折率
2.3 io、8)を設けた時の基板入射(波長830
nm)における反射率の記録層厚さ依存を示したもので
ある。第1図と比較することにより、第1のスペーサ層
と第2のスペーサ層の挿入によシ変調笥が改善されるこ
とがわかる。
ーサ層30(屈折率2.7)を80nm厚で形成し、そ
の上に第2のスペーサ層40(屈折率1.4)を150
nmFJ!で形成し、その上に記録層20(複索屈折率
2.3 io、8)を設けた時の基板入射(波長830
nm)における反射率の記録層厚さ依存を示したもので
ある。第1図と比較することにより、第1のスペーサ層
と第2のスペーサ層の挿入によシ変調笥が改善されるこ
とがわかる。
第15図は基板10(屈折41.5)の上に第1のスペ
ーサ層30(屈折率27)を800m厚で形成し、その
上に第2のスペーサ層40 (#Ii折率]、5)を1
40nm 厚で形成し、その上に記録層20(複素屈折
率2.3−to、8)を設けた時の基板入射(波長83
0nm)における反射率の記釘、層厚さ依存を示したも
のである。第1図と比較することによシ、第1のスペー
サ層と第2のスペーサ層の挿入によυ変調量が改善され
ることがわかる。
ーサ層30(屈折率27)を800m厚で形成し、その
上に第2のスペーサ層40 (#Ii折率]、5)を1
40nm 厚で形成し、その上に記録層20(複素屈折
率2.3−to、8)を設けた時の基板入射(波長83
0nm)における反射率の記釘、層厚さ依存を示したも
のである。第1図と比較することによシ、第1のスペー
サ層と第2のスペーサ層の挿入によυ変調量が改善され
ることがわかる。
第16図は基板10(屈折率1.5)の上に第1のスペ
ーサ層30(屈折率27)を80nmlfで形成し、そ
の上に第2のスペーサ層40(屈折率1.7)を120
nm厚で形成し、その上に記録層20(複素屈折率2.
3 io、8)を設けた時の基板入射C波長830nm
)における反射率の記録層厚さ依存を示したものである
。第1図と比較することにより、第1のスペーサ層と第
2のスペーサ層の挿入により変調量が改善されることが
わかる。
ーサ層30(屈折率27)を80nmlfで形成し、そ
の上に第2のスペーサ層40(屈折率1.7)を120
nm厚で形成し、その上に記録層20(複素屈折率2.
3 io、8)を設けた時の基板入射C波長830nm
)における反射率の記録層厚さ依存を示したものである
。第1図と比較することにより、第1のスペーサ層と第
2のスペーサ層の挿入により変調量が改善されることが
わかる。
第17図は基板10(屈折率1.5)の上に第1のスペ
ーサ層30(屈折率2,7)を80nm庁で形成し、そ
の上に第2のスペーサ層40(屈4TI率1.8)を1
10nm厚で形成し、その上に記録層20(複素屈折率
2.3−in、8)を設けた時の基板入射(波長830
nm)における反射率の記録層厚さ依存を示したもので
ある。第1図と比較することにより、第1のスペーサ層
と第2のスペーサ層の押入によシ変調lが改善されるこ
とがわかる。
ーサ層30(屈折率2,7)を80nm庁で形成し、そ
の上に第2のスペーサ層40(屈4TI率1.8)を1
10nm厚で形成し、その上に記録層20(複素屈折率
2.3−in、8)を設けた時の基板入射(波長830
nm)における反射率の記録層厚さ依存を示したもので
ある。第1図と比較することにより、第1のスペーサ層
と第2のスペーサ層の押入によシ変調lが改善されるこ
とがわかる。
第18図は基板10(屈折率1,5)の上に第1のスペ
ーサ層30(屈折率2,7)を80nm厚で形成し、そ
の上に第2のスペーサJ@40(屈折率2.0)を11
00n厚で形成し、その上に記録層20(複素屈折率2
.3−ioJ)を設置けた時の基板入射(波長830n
m)における反射率の記録層厚さ依存を示したものであ
る。第1図と比較することKより、第1のスペーサ層と
第2のスペーサ層の挿入により変調量が改善されること
がわかる。
ーサ層30(屈折率2,7)を80nm厚で形成し、そ
の上に第2のスペーサJ@40(屈折率2.0)を11
00n厚で形成し、その上に記録層20(複素屈折率2
.3−ioJ)を設置けた時の基板入射(波長830n
m)における反射率の記録層厚さ依存を示したものであ
る。第1図と比較することKより、第1のスペーサ層と
第2のスペーサ層の挿入により変調量が改善されること
がわかる。
第19図は基板10(屈折率1.5)の上に第1のスペ
ーサ/@130(屈折率2.7 ) ?、80nm厚で
形成し、その上に第2のスペーサ層40(屈折率2.3
)を90nm厚で彫威し、その上に記録層20(複素屈
折率2.3 io、8)を設けた時の基板入射(波長8
30nm)における反射率の記録層厚さ依存を示しだも
のである。第1図と比較することにより、第1のスペー
サ層と第2のスペーサ層の挿入により変調量が改善され
ることがわかる。
ーサ/@130(屈折率2.7 ) ?、80nm厚で
形成し、その上に第2のスペーサ層40(屈折率2.3
)を90nm厚で彫威し、その上に記録層20(複素屈
折率2.3 io、8)を設けた時の基板入射(波長8
30nm)における反射率の記録層厚さ依存を示しだも
のである。第1図と比較することにより、第1のスペー
サ層と第2のスペーサ層の挿入により変調量が改善され
ることがわかる。
本発明で使用される第1及び第2のスペーサ層としては
、読み出しレーザー波長で実質的に透明であるものが望
ましい、、第1のスペーサ層としては、2.0以上の屈
折率の大きなものが望ましく、各楠酸化物及び半導体が
使用できる。酸化物としては、Cry O8,Mob、
、 8nO,、TtO,、TeO,や各種低級酸化物
および各柿磁性ガーネ、トが存効であシ、半導体として
は8i、Be、Ge、B およびこれらの化合物が使用
できる。又、各種窒化物、炭化物、硫化物も使用するこ
とができる。第2のスペーサ層としては、第1のスペー
サ寓の屈折率よりも小さな屈折率のものであればよい。
、読み出しレーザー波長で実質的に透明であるものが望
ましい、、第1のスペーサ層としては、2.0以上の屈
折率の大きなものが望ましく、各楠酸化物及び半導体が
使用できる。酸化物としては、Cry O8,Mob、
、 8nO,、TtO,、TeO,や各種低級酸化物
および各柿磁性ガーネ、トが存効であシ、半導体として
は8i、Be、Ge、B およびこれらの化合物が使用
できる。又、各種窒化物、炭化物、硫化物も使用するこ
とができる。第2のスペーサ層としては、第1のスペー
サ寓の屈折率よりも小さな屈折率のものであればよい。
例えは、”FII * Ba’t r cai’、 l
CeF g 、 D7FB 、 B rF j 。
CeF g 、 D7FB 、 B rF j 。
h u ” z t Gd ” B + Hf l’4
+ Ho F H+ L a ” s + Lr F
+MgF、 、 NaF 、 NdF3.P rF、、
8mk’H、SrP、 、 YFg 。
+ Ho F H+ L a ” s + Lr F
+MgF、 、 NaF 、 NdF3.P rF、、
8mk’H、SrP、 、 YFg 。
YbF、等の各稙フ、化物、A120s 、 Cent
、 cr、 o、 。
、 cr、 o、 。
DYz 03 r ”t Om + ”t Om +
Fet O2r Fel 04 rOd、0. 、 O
eO,、)1fO,、Ho、O,、In、0@ 、 L
utOs+MgO、MnO,、Mobs、 Nb、 o
、 、 NiO、S iO、SrOt y””t 01
+ S’ 02 r T”10II r TiO2r
■20II + vIIOB ry、 o、 、 Z
nO、Z、O,等の各種酸化物、ZrN等の各種窒化物
、Z r C等の各楠炭化物、Ge8 、 ZnS等の
各種硫化物、コバルトフタロシアニン、銅フタロシアニ
/、モリブデン7タロシアニン、マグネシウムフタロシ
アニン、二、ケル7タロシ7二ン、亜鉛フタロシアニン
、スーダンブラックB等の各軸有機色素、各種フォトレ
ジスト、各種電子線レジスト、ポリスチレン等の各種有
機物をイ史用することができる。
Fet O2r Fel 04 rOd、0. 、 O
eO,、)1fO,、Ho、O,、In、0@ 、 L
utOs+MgO、MnO,、Mobs、 Nb、 o
、 、 NiO、S iO、SrOt y””t 01
+ S’ 02 r T”10II r TiO2r
■20II + vIIOB ry、 o、 、 Z
nO、Z、O,等の各種酸化物、ZrN等の各種窒化物
、Z r C等の各楠炭化物、Ge8 、 ZnS等の
各種硫化物、コバルトフタロシアニン、銅フタロシアニ
/、モリブデン7タロシアニン、マグネシウムフタロシ
アニン、二、ケル7タロシ7二ン、亜鉛フタロシアニン
、スーダンブラックB等の各軸有機色素、各種フォトレ
ジスト、各種電子線レジスト、ポリスチレン等の各種有
機物をイ史用することができる。
記録Inとしては、を撒物を主成分とするものが好適で
あり、さらには、蒸承法あるいはスパッタ法で形成でき
るものが望ましい。具体的には、各種アクアリリウム色
素、各柚5−7ミノー2.3−ジシアノ−1,4−ナフ
トキノン色素、バナジルフタロシアニン、ナタニルフタ
ロシアニン、アルミニウムフタロシアニン、塩化アルミ
ニウムフタロシアニン、ナタンフタロシアニン、鉛7り
μシアニン、白金フタロシアニン等の各種フタロシアニ
ン色素、rl+e を含有したプラズマ班会@機膜、T
eがアルキル基でI(まれているを機膜、T、がフルオ
ロカーボンで囲まれているW 機M * を用いること
ができる。、l1l14候性の観点からi]:特に5−
アミノ−2,3−ジシアノ−8−(置?A7ニリ/)−
1,4−ナフトキノン色素が段れている。置換基として
は、炭素数4以下のアルコキシル基、フルキル基が最も
望ましい。
あり、さらには、蒸承法あるいはスパッタ法で形成でき
るものが望ましい。具体的には、各種アクアリリウム色
素、各柚5−7ミノー2.3−ジシアノ−1,4−ナフ
トキノン色素、バナジルフタロシアニン、ナタニルフタ
ロシアニン、アルミニウムフタロシアニン、塩化アルミ
ニウムフタロシアニン、ナタンフタロシアニン、鉛7り
μシアニン、白金フタロシアニン等の各種フタロシアニ
ン色素、rl+e を含有したプラズマ班会@機膜、T
eがアルキル基でI(まれているを機膜、T、がフルオ
ロカーボンで囲まれているW 機M * を用いること
ができる。、l1l14候性の観点からi]:特に5−
アミノ−2,3−ジシアノ−8−(置?A7ニリ/)−
1,4−ナフトキノン色素が段れている。置換基として
は、炭素数4以下のアルコキシル基、フルキル基が最も
望ましい。
基板としては、神々のものが使用できるが、一般にはガ
ラス、合成樹脂が望ましい。合成樹脂としては、ポリメ
チルメタクリレ−) (PMMA)、ポリカーボネート
、ポリエーテルイミド、ポリサルホン、エポキシ樹脂等
がある。基板の形状は、円板状、シート状、テープ状と
することができる。
ラス、合成樹脂が望ましい。合成樹脂としては、ポリメ
チルメタクリレ−) (PMMA)、ポリカーボネート
、ポリエーテルイミド、ポリサルホン、エポキシ樹脂等
がある。基板の形状は、円板状、シート状、テープ状と
することができる。
記録層への情報の記録は、記録層に孔を形成することに
ニジなされる。円板状の基板を用いるディスク媒体では
、孔唸同心円状又はスパイ′ラル状の多数のトラ、りを
形成するように記録される。
ニジなされる。円板状の基板を用いるディスク媒体では
、孔唸同心円状又はスパイ′ラル状の多数のトラ、りを
形成するように記録される。
多数のトラ、りを一定間隔で精度良く記録するには、通
常基板上に光の案内溝が設けられる。ビーム径程度の溝
に光が入射すると光が[1!+や1される。
常基板上に光の案内溝が設けられる。ビーム径程度の溝
に光が入射すると光が[1!+や1される。
ビーム中心が溝からずれるにつれて回折元強嵐の空間分
布が異なシ、これを検出してビームを溝の中心に入射さ
せるようにサーボ系を構成できる。
布が異なシ、これを検出してビームを溝の中心に入射さ
せるようにサーボ系を構成できる。
通常溝の幅は0.5〜1.2μm、その深さは使用する
記録再生波長のl/8〜1/4の範囲に設定される。本
発明の記録媒体は基板の溝付面上に形成される。
記録再生波長のl/8〜1/4の範囲に設定される。本
発明の記録媒体は基板の溝付面上に形成される。
媒体の表面形状は、溝形状に相似的であることが望まし
いので、媒体の形成法は溝形状にそって付着し得る方法
、例えば蒸着、スパu77、イオンブレーティングなど
の真空成膜法が好適である。
いので、媒体の形成法は溝形状にそって付着し得る方法
、例えば蒸着、スパu77、イオンブレーティングなど
の真空成膜法が好適である。
以下に本発明の詳細な説明する。
〔実施例1〕
1.2鶴厚の直径200uの円板状PMMA基板上に
8iを電子ビーム加熱法で800λ蒸着し、その上に銅
フタpシアニン色素と5−アミノ−2,3−ジシアノ−
8−(4−エトキシアニリノ)−1゜4−ナフトキノン
色素(以下ナフトキノン色素ト略称する)とを抵抗加熱
法でそれぞれ100OA。
8iを電子ビーム加熱法で800λ蒸着し、その上に銅
フタpシアニン色素と5−アミノ−2,3−ジシアノ−
8−(4−エトキシアニリノ)−1゜4−ナフトキノン
色素(以下ナフトキノン色素ト略称する)とを抵抗加熱
法でそれぞれ100OA。
800AIIA着した。蒸着時の真空度はlXl0 T
orr以下とし、蒸着装置はそれぞれあよそ5A/IM
。
orr以下とし、蒸着装置はそれぞれあよそ5A/IM
。
4 A/IM;、 2 A/厖とした。
8i と銅フタロシア)ン色素とナフトキノン色素をそ
れぞれ単独に基板上に形成し、波長830嗅での複素屈
折率をめると、8ii2’2.7、銅フタpシアニン色
素は2,0、ナフトキ7ノ色1kti2.3−i0.8
であった。
れぞれ単独に基板上に形成し、波長830嗅での複素屈
折率をめると、8ii2’2.7、銅フタpシアニン色
素は2,0、ナフトキ7ノ色1kti2.3−i0.8
であった。
上記の8i と銅フタpシアニン色素とナフトキノン色
素との積層膜K PMMA基板翻よpレーザ光を入射し
て、情報の記録・再生を行なった。レーザとして半導体
レーザ(波長830nm)を用い、NA=0.55の対
物レンズでビーム径1.5μm に収光した。記録パワ
ー10mWで記録し、0.7mW の連続光で再生ずる
と、1.2vの出力が得られ、8i及び銅フタロシアニ
ンの第1及び第2のスペーサ層がない場合の44omv
の出力よシも大きな出力が祷られた。
素との積層膜K PMMA基板翻よpレーザ光を入射し
て、情報の記録・再生を行なった。レーザとして半導体
レーザ(波長830nm)を用い、NA=0.55の対
物レンズでビーム径1.5μm に収光した。記録パワ
ー10mWで記録し、0.7mW の連続光で再生ずる
と、1.2vの出力が得られ、8i及び銅フタロシアニ
ンの第1及び第2のスペーサ層がない場合の44omv
の出力よシも大きな出力が祷られた。
〔実施例2゛〕
1.2朋厚の直径200mmの円板状P1’vlNIA
2S版上に8nO,を電子ビーム加熱法で900λ蒸
着し、その上に銅フタロシアニン色素と実施例1のナフ
トキノン色素を抵抗加熱法でそれぞれ1050^、80
0^蒸着した。蒸着時の真空度はlXl0 Torr
以下とし、蒸着速度はそれぞれおよそ3 A/11[3
0、4^A践。
2S版上に8nO,を電子ビーム加熱法で900λ蒸
着し、その上に銅フタロシアニン色素と実施例1のナフ
トキノン色素を抵抗加熱法でそれぞれ1050^、80
0^蒸着した。蒸着時の真空度はlXl0 Torr
以下とし、蒸着速度はそれぞれおよそ3 A/11[3
0、4^A践。
2A/%とした。波長830nmでの複素屈折率をめた
ところ、それぞれ2.3 、2.0 、2.3−10.
sであった。
ところ、それぞれ2.3 、2.0 、2.3−10.
sであった。
上記のSnO,と銅フタロシアニン色素とナフトキノン
色素との1*層膜にPMMA基板側よシレーザ光を入射
して情報の記録・再生を行なった。レーザとしては半導
体レーザ(波% 830nm)を用い、NA=0.55
の対物レンズでビーム径1.5μm fC収光した。記
録パワー101ylW −t−M1録し、0・7mWの
連続光で再生すると、850mV の出力が伯られ、嶋
l及び第2のスペーサ層がない場合の440mWの出力
よシも大きな出力が%られた。
色素との1*層膜にPMMA基板側よシレーザ光を入射
して情報の記録・再生を行なった。レーザとしては半導
体レーザ(波% 830nm)を用い、NA=0.55
の対物レンズでビーム径1.5μm fC収光した。記
録パワー101ylW −t−M1録し、0・7mWの
連続光で再生すると、850mV の出力が伯られ、嶋
l及び第2のスペーサ層がない場合の440mWの出力
よシも大きな出力が%られた。
〔実施例3〕
12闘厚の直径120關の円板状PkiMA基板上にs
nO,を電子ビーム加熱法で900λFtA着し、そ
の上にSm、03 と実施例1のナフトキノン色素を抵
抗加熱法でそれぞれ1200λ、800λ蒸着した。
nO,を電子ビーム加熱法で900λFtA着し、そ
の上にSm、03 と実施例1のナフトキノン色素を抵
抗加熱法でそれぞれ1200λ、800λ蒸着した。
蒸着時の具空匿はl X l OTorr 以下とし、
蒸着速度はそれぞれおよそ3A/%、2^/lE 、
2 A /zとした。波長830nmでの複素屈折率を
めたところ、それぞれ2.3 、1.7 、2.3−
i 0.8であった。
蒸着速度はそれぞれおよそ3A/%、2^/lE 、
2 A /zとした。波長830nmでの複素屈折率を
めたところ、それぞれ2.3 、1.7 、2.3−
i 0.8であった。
上記の8nO宜とSm、O畠 とナフトキノン色素との
積層膜にPMMA基板個よシレーザ光倉入射して情報の
記録・再生を行なった。レーザとしては半導体レーザ(
波1(830nm) t’用い、NA=0.550対物
レンズでビーム径1.5μmに収光した。記録パワー1
0mW″T″記録し、1.1 mw の連続光で再生す
ると、2■の出力が得られ、第1及び第2のスペーサ層
がない場合の700mVの出力よシも大きな出力が得ら
れた。
積層膜にPMMA基板個よシレーザ光倉入射して情報の
記録・再生を行なった。レーザとしては半導体レーザ(
波1(830nm) t’用い、NA=0.550対物
レンズでビーム径1.5μmに収光した。記録パワー1
0mW″T″記録し、1.1 mw の連続光で再生す
ると、2■の出力が得られ、第1及び第2のスペーサ層
がない場合の700mVの出力よシも大きな出力が得ら
れた。
〔実施例4〕
】、2−厚の直径200 mの円板状PMN A基板上
に銅フタロシアニン色素を1oooX蒸着し、その上に
Y、 0.と実施例1のナフトキノン色素をそれぞれ1
200 A 、 800λ蒸着した。蒸着時の真空度は
lXl0 Torr 以下とし、蒸着速度はそれぞれお
よそ4A/1Ieo、2^/池、2^/%とした。波長
830nmでの複素屈折率をめたところ、それぞれ2.
0 、1.7 、2.3− i 0.8であった。
に銅フタロシアニン色素を1oooX蒸着し、その上に
Y、 0.と実施例1のナフトキノン色素をそれぞれ1
200 A 、 800λ蒸着した。蒸着時の真空度は
lXl0 Torr 以下とし、蒸着速度はそれぞれお
よそ4A/1Ieo、2^/池、2^/%とした。波長
830nmでの複素屈折率をめたところ、それぞれ2.
0 、1.7 、2.3− i 0.8であった。
上記の銅フタロシアニン色素とY、0.とナフトキノン
色素との積ルI膜にPMMA基板側よシレーザ光を入射
して情報の記録・再生を行なった。レーザとしでは半導
体レーザ(波[830nrl)を用い、NA=0.55
の対物レンズでビーム径15μmに収光し九。記録パワ
ー10mWで記録し・、0.7mWの連続光で再生する
と、950mVの出力が得られ、第1及び第2のスペー
サ層がない場合の440 mVの出力よりも大きな出力
が得られた。
色素との積ルI膜にPMMA基板側よシレーザ光を入射
して情報の記録・再生を行なった。レーザとしでは半導
体レーザ(波[830nrl)を用い、NA=0.55
の対物レンズでビーム径15μmに収光し九。記録パワ
ー10mWで記録し・、0.7mWの連続光で再生する
と、950mVの出力が得られ、第1及び第2のスペー
サ層がない場合の440 mVの出力よりも大きな出力
が得られた。
以上のように、本発明によれば再生出力の大きな光記録
媒体が得られる。なお、記録層として上記実施例で示し
たナフトキノン色素のかわシに、置換基の異なるナフト
キノン色素、バナジル7りpシアニン、チタニルフタロ
シ7ニノ、アルミニウムフタロシアニン、塩化アルミニ
ウムフタロシアニン、鉛フタロシアニン等の各柚フタp
シアニン色素、各棟スクアリリウム色素、Tcを含自−
したプラズマ重合有機膜、Teがアルキル基で囲まれて
いる有機膜、Teがフルオロカーボンで囲まれている有
41kmを用いても同様に有効である。
媒体が得られる。なお、記録層として上記実施例で示し
たナフトキノン色素のかわシに、置換基の異なるナフト
キノン色素、バナジル7りpシアニン、チタニルフタロ
シ7ニノ、アルミニウムフタロシアニン、塩化アルミニ
ウムフタロシアニン、鉛フタロシアニン等の各柚フタp
シアニン色素、各棟スクアリリウム色素、Tcを含自−
したプラズマ重合有機膜、Teがアルキル基で囲まれて
いる有機膜、Teがフルオロカーボンで囲まれている有
41kmを用いても同様に有効である。
第1図は光学記録媒体の反射率の記録層厚さによる変化
を示す図、第2図は本発明の一実施例である光学記録媒
体の概略図、第3図、第4図は本発明の光学記録媒体の
原理を説明するための概略図、第5図から第19図は本
発明の実施例である光学記録媒体の反射率の記録層厚さ
による変イヒを示す図である。 図において、lOは基板、20は記録層、30は第1の
スペーサ層、40は第2のスペーサ層、100は入射光
、200 、300は反射光を示す。 ギ 1 l 象!!1″葦 (%) 0 50 100 150 200 翫録層薄で (−rlm) ギ 5 1 反f#手 1%) ↓乙銖層厚、さ (1m) λ乏箸才子 1%) 祝銖盾理、:” (hm) 多 7 起 反射手 1%) 葛?、録層簿″:!(1m) 反射ヶ 1%) 壇乙寥tX聞p9.さ (,1m) 亭q図 及射牽 1%) 祝録層簿5 (・1m) 慢 10 口 反射率 (%) 混録層厚さ (,1m) ギ 11 l k鼾乎 1%) 箕録層簿5 (1m) 味 12 図 反射率(%) i2It層厚さくn rn ) 多 13 図 反射率 (%) 0 20 40 60 80 100 箕銖層冴C(・1m) 象IM乎 (%) 混鐸層厚、:!(1m) 燦 15 目 反射率 c%) 2乙妹11p寥さ (1m) ギ tb m 反岨老 1%) ;乙a屑p蓼さ (wm) ギ 1−7 図 反射箭 1%) 況録層厚5 (1m) 多 18 図 反射1゜ (%) zt録層Nさ (1m) 多 rq rfJ 友糾姶 1%) π銖屑月5 (1m) 手続補正書輸発) 60.5.−8 特許庁長官 殿 1、事件の表示 昭和59年 特 許 願第03172
2号2、発明の名称 光学記録媒体 3、補正をする者 事件との関係 出 願 人 東京都港区芝五丁目33番1号 4、代理人 5、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 1)特許請求の範囲の欄を別紙のように補正する。 2)明細書第16頁第6行目に「アクアリリウム色素」
とあるのを[スクアリリウム色素」と補正別紙 特許請求の範囲 (1) レーザ光線の照射によって情報を記録しかつ読
み取る光学記録媒体において、前記レーザ光線に対して
透明な基板上に、前記レーザ光線に対して実質的に透明
でかつ前記レーザ光線の波長での屈折率が前記基板の屈
折率より大きい第1のスペーサ層と、 MtI記レーザ
光線に対して実質的ζこ透明でかつ前記レーザ光線の波
長での屈折率が前記第1のスペニサ1−より小さい第2
のスペーサI11と、前記レーザ光線を吸収する記@層
の少なくとも3層が積層されていることを特徴とする光
学記録媒体0 (2)記録層は有機物を主成分とする層である特許請求
の範囲第1項に記載の光学記録媒体。
を示す図、第2図は本発明の一実施例である光学記録媒
体の概略図、第3図、第4図は本発明の光学記録媒体の
原理を説明するための概略図、第5図から第19図は本
発明の実施例である光学記録媒体の反射率の記録層厚さ
による変イヒを示す図である。 図において、lOは基板、20は記録層、30は第1の
スペーサ層、40は第2のスペーサ層、100は入射光
、200 、300は反射光を示す。 ギ 1 l 象!!1″葦 (%) 0 50 100 150 200 翫録層薄で (−rlm) ギ 5 1 反f#手 1%) ↓乙銖層厚、さ (1m) λ乏箸才子 1%) 祝銖盾理、:” (hm) 多 7 起 反射手 1%) 葛?、録層簿″:!(1m) 反射ヶ 1%) 壇乙寥tX聞p9.さ (,1m) 亭q図 及射牽 1%) 祝録層簿5 (・1m) 慢 10 口 反射率 (%) 混録層厚さ (,1m) ギ 11 l k鼾乎 1%) 箕録層簿5 (1m) 味 12 図 反射率(%) i2It層厚さくn rn ) 多 13 図 反射率 (%) 0 20 40 60 80 100 箕銖層冴C(・1m) 象IM乎 (%) 混鐸層厚、:!(1m) 燦 15 目 反射率 c%) 2乙妹11p寥さ (1m) ギ tb m 反岨老 1%) ;乙a屑p蓼さ (wm) ギ 1−7 図 反射箭 1%) 況録層厚5 (1m) 多 18 図 反射1゜ (%) zt録層Nさ (1m) 多 rq rfJ 友糾姶 1%) π銖屑月5 (1m) 手続補正書輸発) 60.5.−8 特許庁長官 殿 1、事件の表示 昭和59年 特 許 願第03172
2号2、発明の名称 光学記録媒体 3、補正をする者 事件との関係 出 願 人 東京都港区芝五丁目33番1号 4、代理人 5、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 1)特許請求の範囲の欄を別紙のように補正する。 2)明細書第16頁第6行目に「アクアリリウム色素」
とあるのを[スクアリリウム色素」と補正別紙 特許請求の範囲 (1) レーザ光線の照射によって情報を記録しかつ読
み取る光学記録媒体において、前記レーザ光線に対して
透明な基板上に、前記レーザ光線に対して実質的に透明
でかつ前記レーザ光線の波長での屈折率が前記基板の屈
折率より大きい第1のスペーサ層と、 MtI記レーザ
光線に対して実質的ζこ透明でかつ前記レーザ光線の波
長での屈折率が前記第1のスペニサ1−より小さい第2
のスペーサI11と、前記レーザ光線を吸収する記@層
の少なくとも3層が積層されていることを特徴とする光
学記録媒体0 (2)記録層は有機物を主成分とする層である特許請求
の範囲第1項に記載の光学記録媒体。
Claims (2)
- (1) レーザ光線の照射によって情報を記録しかつ読
み取る、光学記録媒体において、前記レーザ光線に対し
で透明な基板上K、前記レーザ光線に対して冥質的に透
明でかつ前記レーザ光線の波長での屈折率が前記基板の
屈折率より大きい第1のスペーサ層と、前記レーザ光線
に対して実質的に透明でかつ前記レーザ光線の波純での
屈折率が前記第1のスペーサ層より小さい第2のスペー
サ層と、前記レーザ光線を吸収する記録層の少なくとも
3層が積層されていることを特徴とする光学記録媒体。 - (2)記録層は有機物を主成分とする層である特許請求
の範囲第1項に記載の光学記録媒体。 +3)mlのスペーサ績は、記録層と第2のスペーサ層
が形成されていない状態での基板入射反射率が極大とな
る付近の厚さであり、第2のそペーサ層は、前記第1の
スペーサ層が形成されていて記録層が形成されていない
状態での基板入射反射率が極小となる付近の厚さである
特許請求の範囲第1項または第2項に記載の光学記録媒
体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59031722A JPS60177447A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59031722A JPS60177447A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60177447A true JPS60177447A (ja) | 1985-09-11 |
JPH0544737B2 JPH0544737B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=12338934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59031722A Granted JPS60177447A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60177447A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61267949A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-11-27 | Nec Corp | 光情報記録媒体 |
JPH01273240A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-01 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光記録媒体の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5956240A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-03-31 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-02-22 JP JP59031722A patent/JPS60177447A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5956240A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-03-31 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61267949A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-11-27 | Nec Corp | 光情報記録媒体 |
JPH0480454B2 (ja) * | 1984-11-30 | 1992-12-18 | Nippon Electric Co | |
JPH01273240A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-01 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光記録媒体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0544737B2 (ja) | 1993-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH03256240A (ja) | 光情報記録媒体 | |
JP3360542B2 (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
JPH0644608A (ja) | 光情報記録媒体 | |
JPS60177447A (ja) | 光学記録媒体 | |
JPH0447909B2 (ja) | ||
JP2003303442A (ja) | 光学記録媒体 | |
KR19990068052A (ko) | 광학 정보 기록 매체 및 그 제조방법 | |
JP3602589B2 (ja) | 光記録媒体および光記録方法 | |
JPH07137448A (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
KR100257889B1 (ko) | 광기록 매체 | |
JP2551930B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JPH04265541A (ja) | 光記録媒体 | |
Takazawa et al. | HD DVD-R Disc with Organic Dye having Low to High Polarity Recording | |
JPH03141050A (ja) | 光記録媒体 | |
JPS6286555A (ja) | 光記録媒体 | |
JPS61229242A (ja) | 光学的情報記録再生方法 | |
JPH03203822A (ja) | 光カードおよび光カードの製造方法 | |
JPH02187939A (ja) | 光記録媒体および光記録再生方法 | |
JPH10199031A (ja) | 光情報記録媒体及び記録再生方法 | |
JPH0524360A (ja) | 光記録媒体 | |
JPH0438634A (ja) | 光情報記録媒体及び記録方法 | |
JPH0445896B2 (ja) | ||
JPH09306035A (ja) | 光ディスク | |
JPH1125517A (ja) | 光記録媒体及びその記録再生方法 | |
JPH02230526A (ja) | 光情報記録媒体 |