JPS60177447A - 光学記録媒体 - Google Patents
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- JPS60177447A JPS60177447A JP59031722A JP3172284A JPS60177447A JP S60177447 A JPS60177447 A JP S60177447A JP 59031722 A JP59031722 A JP 59031722A JP 3172284 A JP3172284 A JP 3172284A JP S60177447 A JPS60177447 A JP S60177447A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザ光によって情＠を記録再生することので
きる光字配録媒体に関する。
きる光字配録媒体に関する。
（従来技術）
レーザ光線によって悄＠を媒体に記録し、かつ再生する
追記型光デイスクメモリは、日「：録■′度が高いこと
から大容量記録装置として浸れた特徴を有している。こ
のような追記型光デイスクメモリの記録媒体としては、
Ｔｅ、Ｂｉ等の半金属薄膜及びを機薄膜が使用されてい
る。有機薄膜は、半金属薄膜より優れた熱特性、即ち低
い熱１ｉ導率と小さな熱容量を持っているので吸収エネ
ルギー密度当シの膜の温度上昇は大きく、高い記録感度
が期待できる。しかし、ａ機薄膜は、半導体レーザの波
長域（〜８００ｎｍ）で牛金属薄膜はどには大きな反射
率を示さないので、半導体レーザを再生用光源とする場
合、ド）生信号及びサーホ信号の品質に間ｙムを生じる
、 これを改善する方法として、６核薄膜と基板の間にＡＩ
等の反射膜を投げる媒体構成が知られている。この構
成を採用し、ａ振博膜の膜厚を調整することにより、記
り罰佐の反射率変化、即ち変調量を半金旭薄版の場合と
同程度に大きくすることができる。しかし、この構成で
は、記鈴丹生光の入射方向が媒体の表面佃に限られると
いう制約がある。
追記型光デイスクメモリは、日「：録■′度が高いこと
から大容量記録装置として浸れた特徴を有している。こ
のような追記型光デイスクメモリの記録媒体としては、
Ｔｅ、Ｂｉ等の半金属薄膜及びを機薄膜が使用されてい
る。有機薄膜は、半金属薄膜より優れた熱特性、即ち低
い熱１ｉ導率と小さな熱容量を持っているので吸収エネ
ルギー密度当シの膜の温度上昇は大きく、高い記録感度
が期待できる。しかし、ａ機薄膜は、半導体レーザの波
長域（〜８００ｎｍ）で牛金属薄膜はどには大きな反射
率を示さないので、半導体レーザを再生用光源とする場
合、ド）生信号及びサーホ信号の品質に間ｙムを生じる
、 これを改善する方法として、６核薄膜と基板の間にＡＩ
等の反射膜を投げる媒体構成が知られている。この構
成を採用し、ａ振博膜の膜厚を調整することにより、記
り罰佐の反射率変化、即ち変調量を半金旭薄版の場合と
同程度に大きくすることができる。しかし、この構成で
は、記鈴丹生光の入射方向が媒体の表面佃に限られると
いう制約がある。
（発明の目的）
本発明の目的は、前述の従来技術の欠点を改良し得る新
規な媒体構成によシ、再生出力の大きな光学記録媒体を
提供することにある。
規な媒体構成によシ、再生出力の大きな光学記録媒体を
提供することにある。
（発明の構成）
すなわち本発明は−レーザ光線の照射顛よって情報を記
録しかつ読み取る光学記録媒体において、前記レーザ光
線に対して透明な基板上圧、前記レーザ光ａｒｃ対して
実質的に透明でかつ前記レーザ光線の波長での屈折率が
２．０以上である第１のスペーサ層と、前記レーザ光線
に対して実質的に透明でかつ前記レーザ光線の波長での
屈折率が前記第１のスペーサ層より小さい第２のスペー
サ層と、前記レーザ光線を吸収する記録層の少なくとも
３層を積層したことを特徴とする。
録しかつ読み取る光学記録媒体において、前記レーザ光
線に対して透明な基板上圧、前記レーザ光ａｒｃ対して
実質的に透明でかつ前記レーザ光線の波長での屈折率が
２．０以上である第１のスペーサ層と、前記レーザ光線
に対して実質的に透明でかつ前記レーザ光線の波長での
屈折率が前記第１のスペーサ層より小さい第２のスペー
サ層と、前記レーザ光線を吸収する記録層の少なくとも
３層を積層したことを特徴とする。
（構成の詳細な説明）
透明な基板上に記録層が形成されている媒体の基板入射
時の媒体反射量は、記録層と基板の光学定数（複素屈折
率）および記録層の厚さに依存する。透明な基板として
は、通常ガラス又は各種合成樹脂が使用される。これら
の可視光から近赤外光域での屈折率ｎはほぼ１．５であ
シ、この範囲の波長にはほとんど依存しない。したがっ
て、媒体の反射率は、記録層の光学定数と埋さで決定さ
れる。記録層として有機色素膜あるいは有機色素を分散
させた樹鮨膜を用いる場合、これらの膜の複素屈折率（
ｎ ｉｋ）は半導体レーザ波長域（〜８００ｎｍ）で高
々２．５ ｉｌ、０である。
時の媒体反射量は、記録層と基板の光学定数（複素屈折
率）および記録層の厚さに依存する。透明な基板として
は、通常ガラス又は各種合成樹脂が使用される。これら
の可視光から近赤外光域での屈折率ｎはほぼ１．５であ
シ、この範囲の波長にはほとんど依存しない。したがっ
て、媒体の反射率は、記録層の光学定数と埋さで決定さ
れる。記録層として有機色素膜あるいは有機色素を分散
させた樹鮨膜を用いる場合、これらの膜の複素屈折率（
ｎ ｉｋ）は半導体レーザ波長域（〜８００ｎｍ）で高
々２．５ ｉｌ、０である。
例えば、記録層の複素屈折率が２．３−ｉｏ、８ であ
シ、基板の屈折率が１．５の場合、波長８３０ｎｍでの
基板入射の媒体反射率は第１図に示すように記録層の厚
さに依存する。これより、最大反射率は記録層の厚さが
約９０ｎｍの時に得られ、その値は１８％であることが
判る。記録層に孔を形成して記録を行なう媒体では再生
の出力の大きさく変調量）は近似的Ｋ、孔が形成されて
いない時の媒体反射率と孔が形成され記録層の厚さがゼ
ロとなった時の反射率、即ち基板のみの反射率との差に
比例すると考えることができる。第五図の例で、記録層
の厚さを９０ｎｍとすると、孔が形成されていない時の
媒体反射率は１８％であシ、基板反射率は４％であるの
で、変調ｊｌ：１ｊ１４％となる。
シ、基板の屈折率が１．５の場合、波長８３０ｎｍでの
基板入射の媒体反射率は第１図に示すように記録層の厚
さに依存する。これより、最大反射率は記録層の厚さが
約９０ｎｍの時に得られ、その値は１８％であることが
判る。記録層に孔を形成して記録を行なう媒体では再生
の出力の大きさく変調量）は近似的Ｋ、孔が形成されて
いない時の媒体反射率と孔が形成され記録層の厚さがゼ
ロとなった時の反射率、即ち基板のみの反射率との差に
比例すると考えることができる。第五図の例で、記録層
の厚さを９０ｎｍとすると、孔が形成されていない時の
媒体反射率は１８％であシ、基板反射率は４％であるの
で、変調ｊｌ：１ｊ１４％となる。
このような変調量が小さいという問題は、第２図に示す
本発明の一つの媒体構成例によりＭ決される。即ち、基
板ｌＯと記録層２００間に第１のスペーサＩＷＩ３０と
第２のスペーサ層４０を設けることによシ、媒体の変調
量を高めることができる。
本発明の一つの媒体構成例によりＭ決される。即ち、基
板ｌＯと記録層２００間に第１のスペーサＩＷＩ３０と
第２のスペーサ層４０を設けることによシ、媒体の変調
量を高めることができる。
但し、第１のスペーサ層３０と第２のスペーサ層４０の
材料及びその厚さは下記する条件を満すように選択され
なげればならない。まず、基板１０上に第１のスペーサ
層３０のみが形成されている第３図に示すような構成を
考える。基板１ｏｔ−通して入射した光１００は、基板
ｌＯと第１のスペーサｊ−３０との界面及び第１のスペ
ーサ層３ｏと空気との界面でその一部は反射されて反射
光２００となる。反射光２００の大きさく反射率）は、
第１のスペーサ層３０の屈折率と厚さに依存する。本発
明で使用される第１のスペーサＩｆｋａ Ｏの材料及び
厚さは、この反射光２００を大きくするように選ばれる
。即ち、第１のスペーサ層３０の屈折率は基板ｌＯの屈
折率よりも太きけれは大きいほどよい。
材料及びその厚さは下記する条件を満すように選択され
なげればならない。まず、基板１０上に第１のスペーサ
層３０のみが形成されている第３図に示すような構成を
考える。基板１ｏｔ−通して入射した光１００は、基板
ｌＯと第１のスペーサｊ−３０との界面及び第１のスペ
ーサ層３ｏと空気との界面でその一部は反射されて反射
光２００となる。反射光２００の大きさく反射率）は、
第１のスペーサ層３０の屈折率と厚さに依存する。本発
明で使用される第１のスペーサＩｆｋａ Ｏの材料及び
厚さは、この反射光２００を大きくするように選ばれる
。即ち、第１のスペーサ層３０の屈折率は基板ｌＯの屈
折率よりも太きけれは大きいほどよい。
したがって、第１のスペーサ層３ｏの屈折率は２．０以
上が望ましく、その厚さは反射光２（１０の大きさを極
大とする厚さが最も望ましい。次に、基＆Ｉ Ｏ上に第
１のスペーサＭＩＩ３０を上記のように反射光２００を
大きくするようＫして設け、その上に第２のスペーサ層
４０が形成されている第４図に示すような構成を考える
つ基板１ （ｌを迫して入射しだ光１００は、基板１０
と第１のスペーサ層３０との界面、第１のスペーサ層３
０と第２のスペーサ層４０との界面、反ひ第２のスペー
サ層４０と空気との界面でその−ｆａｌｌは反引されて
反則光３００となる。反射光３００の大きさく反！１１
ｍ）は、第２のスペーサ層４０の屈＃ｉ＊と厚嘔に依イ
Ｉする。
上が望ましく、その厚さは反射光２（１０の大きさを極
大とする厚さが最も望ましい。次に、基＆Ｉ Ｏ上に第
１のスペーサＭＩＩ３０を上記のように反射光２００を
大きくするようＫして設け、その上に第２のスペーサ層
４０が形成されている第４図に示すような構成を考える
つ基板１ （ｌを迫して入射しだ光１００は、基板１０
と第１のスペーサ層３０との界面、第１のスペーサ層３
０と第２のスペーサ層４０との界面、反ひ第２のスペー
サ層４０と空気との界面でその−ｆａｌｌは反引されて
反則光３００となる。反射光３００の大きさく反！１１
ｍ）は、第２のスペーサ層４０の屈＃ｉ＊と厚嘔に依イ
Ｉする。
本発明でイ史用される第２のスペーサ層４０の羽料及び
厚さは、この反射光３００をＩ」１さくするよ５（（選
ばれる。即ち、第２のスペーサ層４０の屈ＪＩ’＋率は
第１のスペーサ層３０の屈折部よりも小さいことが必要
である。第２のスペーサ層４０の厚さは、反射光３００
の大きさを極小とする厚さが最も望ましい。
厚さは、この反射光３００をＩ」１さくするよ５（（選
ばれる。即ち、第２のスペーサ層４０の屈ＪＩ’＋率は
第１のスペーサ層３０の屈折部よりも小さいことが必要
である。第２のスペーサ層４０の厚さは、反射光３００
の大きさを極小とする厚さが最も望ましい。
以上のべたような榮件で第１のスペーサ層と第２のスペ
ーサ層を設け、その上に記録ＮＲを設けることＫよシ再
生出力の小ささが改ｉＩネれる。
ーサ層を設け、その上に記録ＮＲを設けることＫよシ再
生出力の小ささが改ｉＩネれる。
第５図は基板１０（屈折率１．５）の上に第１のスペー
サ層３０（屈折率２．０）を１１００ｎ厚で形成し、そ
の上に第２のスペーサ層４０（屈折部１．４）を１５０
ｎｍ厚で形成し、その上Ｋ Ｂｅ 鋒ｒＨ２０（複素屈
折率２．３−ｉｏ、８） を設けた時の基板入射（波長
８３０ｎｍ） における反射率の記録層厚さ依存を示し
だものである。第１図と比較することＫよシ、第１のス
ペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により変ｏ４ｆｉｔ
が改善されることがわかる、第６図は基板１０（屈折４
１．５）の上に第１のスペーサ層３０（屈折率２．０）
を１１００ｎ厚でル威し、その上に第２のスペーサＩ＊
ｔ ４ （１（屈折率１．５）を１４０ｎｍ厚で形成し
、その上に記録層２０（複素屈折率２．３− ｉＧ、８
） ％−設けた時の基板人１１（波長８３０ｎｍ）にお
ける反射率の記録層厚さ依存を示したものである。第１
図と比較することＫよシ、第１のスペーサ層と第２のス
ペーサ層の挿入によシ変＃！Ｉ量が改善されることがわ
かる。
サ層３０（屈折率２．０）を１１００ｎ厚で形成し、そ
の上に第２のスペーサ層４０（屈折部１．４）を１５０
ｎｍ厚で形成し、その上Ｋ Ｂｅ 鋒ｒＨ２０（複素屈
折率２．３−ｉｏ、８） を設けた時の基板入射（波長
８３０ｎｍ） における反射率の記録層厚さ依存を示し
だものである。第１図と比較することＫよシ、第１のス
ペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により変ｏ４ｆｉｔ
が改善されることがわかる、第６図は基板１０（屈折４
１．５）の上に第１のスペーサ層３０（屈折率２．０）
を１１００ｎ厚でル威し、その上に第２のスペーサＩ＊
ｔ ４ （１（屈折率１．５）を１４０ｎｍ厚で形成し
、その上に記録層２０（複素屈折率２．３− ｉＧ、８
） ％−設けた時の基板人１１（波長８３０ｎｍ）にお
ける反射率の記録層厚さ依存を示したものである。第１
図と比較することＫよシ、第１のスペーサ層と第２のス
ペーサ層の挿入によシ変＃！Ｉ量が改善されることがわ
かる。
第７図は基＄１０（屈折部１．５）の上に第１のスペー
サ層３０（屈折率２．０）を１１００ｎ厚で形成し、そ
の上に第２のスペーサＩｔｌｒ ４０ （屈折率１．７
）を１２０ ｎｍ厚でＪし成し、その上に記＃層２０（
ｒＩｌ素屈折屈折率２３− ＋０．８） ヲ設ケ１ｉ４
ｒｌＬ［入射（波１ｊ８３０ｎｔｎ）における反射率の
記録層厚さ依存を示したものである。第１図と比較する
ことＫよシ、第１のスペーサ層と第２のスペーサ〜の挿
入により変調量が改善されることがわかる。
サ層３０（屈折率２．０）を１１００ｎ厚で形成し、そ
の上に第２のスペーサＩｔｌｒ ４０ （屈折率１．７
）を１２０ ｎｍ厚でＪし成し、その上に記＃層２０（
ｒＩｌ素屈折屈折率２３− ＋０．８） ヲ設ケ１ｉ４
ｒｌＬ［入射（波１ｊ８３０ｎｔｎ）における反射率の
記録層厚さ依存を示したものである。第１図と比較する
ことＫよシ、第１のスペーサ層と第２のスペーサ〜の挿
入により変調量が改善されることがわかる。
第８図は基板１０（屈折部１．５）の上に第１のスペー
サ、層３０（屈折率２．０）を１００１００ｎ’で形成
し、その上に第２のスペーサ層４０（屈折率１．８）を
１２０ ｎｍ厚で形成し、その上に記録層２０（複素屈
折率２．３−ｉｏ−８）を設けた時の基板入射（波長８
３０ｎｍ）における反射率のｉｄ録層厚さ依存を示した
ものである。第１図と比較することＫよシ、第１のスペ
ーサ層と第２のスペーサ層の挿入によシ変調量が改善さ
れることがわかる。
サ、層３０（屈折率２．０）を１００１００ｎ’で形成
し、その上に第２のスペーサ層４０（屈折率１．８）を
１２０ ｎｍ厚で形成し、その上に記録層２０（複素屈
折率２．３−ｉｏ−８）を設けた時の基板入射（波長８
３０ｎｍ）における反射率のｉｄ録層厚さ依存を示した
ものである。第１図と比較することＫよシ、第１のスペ
ーサ層と第２のスペーサ層の挿入によシ変調量が改善さ
れることがわかる。
第９図は基板１０（屈折部１．５）の上に第１のスペー
サ層３０（屈折率２．３）を９０ｎｍ厚で形成し。
サ層３０（屈折率２．３）を９０ｎｍ厚で形成し。
その上に第２のスペーサ層４０（屈折率１．４）を１５
０ｎｍ厚で形成し、その上に記録＠２０（複素屈折率２
．３−ｉｏ、８）を設けた時の基板入射（波長８３０ｓ
＋ｍ）Ｋおける反射率の記録層厚さ依存を示したもので
ある。、第１図と比較することＫよシ、第１のスペーサ
層と第２のスペーサ層の挿入によシ変調量が改善される
ことがわかる。
０ｎｍ厚で形成し、その上に記録＠２０（複素屈折率２
．３−ｉｏ、８）を設けた時の基板入射（波長８３０ｓ
＋ｍ）Ｋおける反射率の記録層厚さ依存を示したもので
ある。、第１図と比較することＫよシ、第１のスペーサ
層と第２のスペーサ層の挿入によシ変調量が改善される
ことがわかる。
第１Ｏ図は基板１０（屈折率１．５）の上に第１のスペ
ーサ層３０（屈折率２．３）を９Ｏ，ｍ厚で形成し、そ
の上に第２のスペーサｉ４０・（屈折部１．５）を１４
０ｎｍ厚で形成し、その上に記録層２０（複素屈折率２
．３−＋０．８）を設けた時の基板入射（波長８３０ｎ
ｍ）における反射率の記録層厚さ依イチを示したもので
ある。第ｉｙと比較することＫよシ、第１のスペーサ層
と第２のスペーサ層の挿入により変調量が改善されるこ
とがわかる。
ーサ層３０（屈折率２．３）を９Ｏ，ｍ厚で形成し、そ
の上に第２のスペーサｉ４０・（屈折部１．５）を１４
０ｎｍ厚で形成し、その上に記録層２０（複素屈折率２
．３−＋０．８）を設けた時の基板入射（波長８３０ｎ
ｍ）における反射率の記録層厚さ依イチを示したもので
ある。第ｉｙと比較することＫよシ、第１のスペーサ層
と第２のスペーサ層の挿入により変調量が改善されるこ
とがわかる。
第１１悶は基板１０（屈折＄ １．５ ）の上１１のス
ペーサ層３０（屈折部２．３）を９０ｎｍ＃で形成し、
その上に第２のスペーサ層４０（屈折率１．７）を１２
０ ｎｍ厚で形成し、その上に記録層２０（複素屈折率
２．３ ｉｏ、８）を設けた時の基板入射（波長８３０
ｎｍ）における反射率の８己録層厚さ依存を示したもの
である。第１図と比較することによシ、第１のスペーサ
層と第２のスペーサ〜の挿入により変調量が改善される
ことがわかる。
ペーサ層３０（屈折部２．３）を９０ｎｍ＃で形成し、
その上に第２のスペーサ層４０（屈折率１．７）を１２
０ ｎｍ厚で形成し、その上に記録層２０（複素屈折率
２．３ ｉｏ、８）を設けた時の基板入射（波長８３０
ｎｍ）における反射率の８己録層厚さ依存を示したもの
である。第１図と比較することによシ、第１のスペーサ
層と第２のスペーサ〜の挿入により変調量が改善される
ことがわかる。
第１２図は基板１０（屈折率１．５）の上に第１のスペ
ーサ層３０（屈折率２．３）を９０ｎｍ厚で形成し、そ
の上に第２のスペーサ層４０（屈折率１．８）を１１５
ｎｍ厚で形成し、その上に記録層２０（複素屈折率２．
３− ｉ ０．８ ） ｆｔ設けた時の基板入射（板長
８３０ｎｍ）における反射率の記録層厚さ依存を示した
ものである。第１図と比較することにより、ｍｌのスペ
ーサ層と第２のスペーサ層の挿入によシ変調値か改善さ
れることがわかる。
ーサ層３０（屈折率２．３）を９０ｎｍ厚で形成し、そ
の上に第２のスペーサ層４０（屈折率１．８）を１１５
ｎｍ厚で形成し、その上に記録層２０（複素屈折率２．
３− ｉ ０．８ ） ｆｔ設けた時の基板入射（板長
８３０ｎｍ）における反射率の記録層厚さ依存を示した
ものである。第１図と比較することにより、ｍｌのスペ
ーサ層と第２のスペーサ層の挿入によシ変調値か改善さ
れることがわかる。
第１３図は基板１０（屈セｉ″＄１．５）の上に第１の
スペーサ層３０（屈折率２．３）を９０ｎｍｌ’Ｊで形
成し、その上に第２のスペーサ層４０（屈折率２．０）
を１１０５ｎ厚でル成し、その上に記録層２０（複素屈
指率２．３−ｉ０．８）を設けた時の基板入射（波長８
３０ｎｍ）における反射率の記録層厚さ依存を示したも
のである。第１図と比較することにより、第１のスペー
サ層と第２のスペーサ層の挿入によシ変１４ｍが改善噛
れることがわかる。
スペーサ層３０（屈折率２．３）を９０ｎｍｌ’Ｊで形
成し、その上に第２のスペーサ層４０（屈折率２．０）
を１１０５ｎ厚でル成し、その上に記録層２０（複素屈
指率２．３−ｉ０．８）を設けた時の基板入射（波長８
３０ｎｍ）における反射率の記録層厚さ依存を示したも
のである。第１図と比較することにより、第１のスペー
サ層と第２のスペーサ層の挿入によシ変１４ｍが改善噛
れることがわかる。
第１４図は基板１０（屈折率１．５）の上に第１のスペ
ーサ層３０（屈折率２．７）を８０ｎｍ厚で形成し、そ
の上に第２のスペーサ層４０（屈折率１．４）を１５０
ｎｍＦＪ！で形成し、その上に記録層２０（複索屈折率
２．３ ｉｏ、８）を設けた時の基板入射（波長８３０
ｎｍ）における反射率の記録層厚さ依存を示したもので
ある。第１図と比較することにより、第１のスペーサ層
と第２のスペーサ層の挿入によシ変調笥が改善されるこ
とがわかる。
ーサ層３０（屈折率２．７）を８０ｎｍ厚で形成し、そ
の上に第２のスペーサ層４０（屈折率１．４）を１５０
ｎｍＦＪ！で形成し、その上に記録層２０（複索屈折率
２．３ ｉｏ、８）を設けた時の基板入射（波長８３０
ｎｍ）における反射率の記録層厚さ依存を示したもので
ある。第１図と比較することにより、第１のスペーサ層
と第２のスペーサ層の挿入によシ変調笥が改善されるこ
とがわかる。
第１５図は基板１０（屈折４１．５）の上に第１のスペ
ーサ層３０（屈折率２７）を８００ｍ厚で形成し、その
上に第２のスペーサ層４０ （＃Ｉｉ折率］、５）を１
４０ｎｍ 厚で形成し、その上に記録層２０（複素屈折
率２．３−ｔｏ、８）を設けた時の基板入射（波長８３
０ｎｍ）における反射率の記釘、層厚さ依存を示したも
のである。第１図と比較することによシ、第１のスペー
サ層と第２のスペーサ層の挿入によυ変調量が改善され
ることがわかる。
ーサ層３０（屈折率２７）を８００ｍ厚で形成し、その
上に第２のスペーサ層４０ （＃Ｉｉ折率］、５）を１
４０ｎｍ 厚で形成し、その上に記録層２０（複素屈折
率２．３−ｔｏ、８）を設けた時の基板入射（波長８３
０ｎｍ）における反射率の記釘、層厚さ依存を示したも
のである。第１図と比較することによシ、第１のスペー
サ層と第２のスペーサ層の挿入によυ変調量が改善され
ることがわかる。
第１６図は基板１０（屈折率１．５）の上に第１のスペ
ーサ層３０（屈折率２７）を８０ｎｍｌｆで形成し、そ
の上に第２のスペーサ層４０（屈折率１．７）を１２０
ｎｍ厚で形成し、その上に記録層２０（複素屈折率２．
３ ｉｏ、８）を設けた時の基板入射Ｃ波長８３０ｎｍ
）における反射率の記録層厚さ依存を示したものである
。第１図と比較することにより、第１のスペーサ層と第
２のスペーサ層の挿入により変調量が改善されることが
わかる。
ーサ層３０（屈折率２７）を８０ｎｍｌｆで形成し、そ
の上に第２のスペーサ層４０（屈折率１．７）を１２０
ｎｍ厚で形成し、その上に記録層２０（複素屈折率２．
３ ｉｏ、８）を設けた時の基板入射Ｃ波長８３０ｎｍ
）における反射率の記録層厚さ依存を示したものである
。第１図と比較することにより、第１のスペーサ層と第
２のスペーサ層の挿入により変調量が改善されることが
わかる。
第１７図は基板１０（屈折率１．５）の上に第１のスペ
ーサ層３０（屈折率２，７）を８０ｎｍ庁で形成し、そ
の上に第２のスペーサ層４０（屈４ＴＩ率１．８）を１
１０ｎｍ厚で形成し、その上に記録層２０（複素屈折率
２．３−ｉｎ、８）を設けた時の基板入射（波長８３０
ｎｍ）における反射率の記録層厚さ依存を示したもので
ある。第１図と比較することにより、第１のスペーサ層
と第２のスペーサ層の押入によシ変調ｌが改善されるこ
とがわかる。
ーサ層３０（屈折率２，７）を８０ｎｍ庁で形成し、そ
の上に第２のスペーサ層４０（屈４ＴＩ率１．８）を１
１０ｎｍ厚で形成し、その上に記録層２０（複素屈折率
２．３−ｉｎ、８）を設けた時の基板入射（波長８３０
ｎｍ）における反射率の記録層厚さ依存を示したもので
ある。第１図と比較することにより、第１のスペーサ層
と第２のスペーサ層の押入によシ変調ｌが改善されるこ
とがわかる。
第１８図は基板１０（屈折率１，５）の上に第１のスペ
ーサ層３０（屈折率２，７）を８０ｎｍ厚で形成し、そ
の上に第２のスペーサＪ＠４０（屈折率２．０）を１１
００ｎ厚で形成し、その上に記録層２０（複素屈折率２
．３−ｉｏＪ）を設置けた時の基板入射（波長８３０ｎ
ｍ）における反射率の記録層厚さ依存を示したものであ
る。第１図と比較することＫより、第１のスペーサ層と
第２のスペーサ層の挿入により変調量が改善されること
がわかる。
ーサ層３０（屈折率２，７）を８０ｎｍ厚で形成し、そ
の上に第２のスペーサＪ＠４０（屈折率２．０）を１１
００ｎ厚で形成し、その上に記録層２０（複素屈折率２
．３−ｉｏＪ）を設置けた時の基板入射（波長８３０ｎ
ｍ）における反射率の記録層厚さ依存を示したものであ
る。第１図と比較することＫより、第１のスペーサ層と
第２のスペーサ層の挿入により変調量が改善されること
がわかる。
第１９図は基板１０（屈折率１．５）の上に第１のスペ
ーサ／＠１３０（屈折率２．７ ） ？、８０ｎｍ厚で
形成し、その上に第２のスペーサ層４０（屈折率２．３
）を９０ｎｍ厚で彫威し、その上に記録層２０（複素屈
折率２．３ ｉｏ、８）を設けた時の基板入射（波長８
３０ｎｍ）における反射率の記録層厚さ依存を示しだも
のである。第１図と比較することにより、第１のスペー
サ層と第２のスペーサ層の挿入により変調量が改善され
ることがわかる。
ーサ／＠１３０（屈折率２．７ ） ？、８０ｎｍ厚で
形成し、その上に第２のスペーサ層４０（屈折率２．３
）を９０ｎｍ厚で彫威し、その上に記録層２０（複素屈
折率２．３ ｉｏ、８）を設けた時の基板入射（波長８
３０ｎｍ）における反射率の記録層厚さ依存を示しだも
のである。第１図と比較することにより、第１のスペー
サ層と第２のスペーサ層の挿入により変調量が改善され
ることがわかる。
本発明で使用される第１及び第２のスペーサ層としては
、読み出しレーザー波長で実質的に透明であるものが望
ましい、、第１のスペーサ層としては、２．０以上の屈
折率の大きなものが望ましく、各楠酸化物及び半導体が
使用できる。酸化物としては、Ｃｒｙ Ｏ８，Ｍｏｂ、
、 ８ｎＯ，、ＴｔＯ，、ＴｅＯ，や各種低級酸化物
および各柿磁性ガーネ、トが存効であシ、半導体として
は８ｉ、Ｂｅ、Ｇｅ、Ｂ およびこれらの化合物が使用
できる。又、各種窒化物、炭化物、硫化物も使用するこ
とができる。第２のスペーサ層としては、第１のスペー
サ寓の屈折率よりも小さな屈折率のものであればよい。
、読み出しレーザー波長で実質的に透明であるものが望
ましい、、第１のスペーサ層としては、２．０以上の屈
折率の大きなものが望ましく、各楠酸化物及び半導体が
使用できる。酸化物としては、Ｃｒｙ Ｏ８，Ｍｏｂ、
、 ８ｎＯ，、ＴｔＯ，、ＴｅＯ，や各種低級酸化物
および各柿磁性ガーネ、トが存効であシ、半導体として
は８ｉ、Ｂｅ、Ｇｅ、Ｂ およびこれらの化合物が使用
できる。又、各種窒化物、炭化物、硫化物も使用するこ
とができる。第２のスペーサ層としては、第１のスペー
サ寓の屈折率よりも小さな屈折率のものであればよい。
例えは、”ＦＩＩ ＊ Ｂａ’ｔ ｒ ｃａｉ’、 ｌ
ＣｅＦ ｇ 、 Ｄ７ＦＢ 、 Ｂ ｒＦ ｊ 。
ＣｅＦ ｇ 、 Ｄ７ＦＢ 、 Ｂ ｒＦ ｊ 。
ｈ ｕ ” ｚ ｔ Ｇｄ ” Ｂ ＋ Ｈｆ ｌ’４
＋ Ｈｏ Ｆ Ｈ＋ Ｌ ａ ” ｓ ＋ Ｌｒ Ｆ
＋ＭｇＦ、 、 ＮａＦ 、 ＮｄＦ３．Ｐ ｒＦ、、
８ｍｋ’Ｈ、ＳｒＰ、 、 ＹＦｇ 。
＋ Ｈｏ Ｆ Ｈ＋ Ｌ ａ ” ｓ ＋ Ｌｒ Ｆ
＋ＭｇＦ、 、 ＮａＦ 、 ＮｄＦ３．Ｐ ｒＦ、、
８ｍｋ’Ｈ、ＳｒＰ、 、 ＹＦｇ 。
ＹｂＦ、等の各稙フ、化物、Ａ１２０ｓ 、 Ｃｅｎｔ
、 ｃｒ、 ｏ、 。
、 ｃｒ、 ｏ、 。
ＤＹｚ ０３ ｒ ”ｔ Ｏｍ ＋ ”ｔ Ｏｍ ＋
Ｆｅｔ Ｏ２ｒ Ｆｅｌ ０４ ｒＯｄ、０． 、 Ｏ
ｅＯ，、）１ｆＯ，、Ｈｏ、Ｏ，、Ｉｎ、０＠ 、 Ｌ
ｕｔＯｓ＋ＭｇＯ、ＭｎＯ，、Ｍｏｂｓ、 Ｎｂ、 ｏ
、 、 ＮｉＯ、Ｓ ｉＯ、ＳｒＯｔ ｙ””ｔ ０１
＋ Ｓ’ ０２ ｒ Ｔ”１０ＩＩ ｒ ＴｉＯ２ｒ
■２０ＩＩ ＋ ｖＩＩＯＢ ｒｙ、 ｏ、 、 Ｚ
ｎＯ、Ｚ、Ｏ，等の各種酸化物、ＺｒＮ等の各種窒化物
、Ｚ ｒ Ｃ等の各楠炭化物、Ｇｅ８ 、 ＺｎＳ等の
各種硫化物、コバルトフタロシアニン、銅フタロシアニ
／、モリブデン７タロシアニン、マグネシウムフタロシ
アニン、二、ケル７タロシ７二ン、亜鉛フタロシアニン
、スーダンブラックＢ等の各軸有機色素、各種フォトレ
ジスト、各種電子線レジスト、ポリスチレン等の各種有
機物をイ史用することができる。
Ｆｅｔ Ｏ２ｒ Ｆｅｌ ０４ ｒＯｄ、０． 、 Ｏ
ｅＯ，、）１ｆＯ，、Ｈｏ、Ｏ，、Ｉｎ、０＠ 、 Ｌ
ｕｔＯｓ＋ＭｇＯ、ＭｎＯ，、Ｍｏｂｓ、 Ｎｂ、 ｏ
、 、 ＮｉＯ、Ｓ ｉＯ、ＳｒＯｔ ｙ””ｔ ０１
＋ Ｓ’ ０２ ｒ Ｔ”１０ＩＩ ｒ ＴｉＯ２ｒ
■２０ＩＩ ＋ ｖＩＩＯＢ ｒｙ、 ｏ、 、 Ｚ
ｎＯ、Ｚ、Ｏ，等の各種酸化物、ＺｒＮ等の各種窒化物
、Ｚ ｒ Ｃ等の各楠炭化物、Ｇｅ８ 、 ＺｎＳ等の
各種硫化物、コバルトフタロシアニン、銅フタロシアニ
／、モリブデン７タロシアニン、マグネシウムフタロシ
アニン、二、ケル７タロシ７二ン、亜鉛フタロシアニン
、スーダンブラックＢ等の各軸有機色素、各種フォトレ
ジスト、各種電子線レジスト、ポリスチレン等の各種有
機物をイ史用することができる。
記録Ｉｎとしては、を撒物を主成分とするものが好適で
あり、さらには、蒸承法あるいはスパッタ法で形成でき
るものが望ましい。具体的には、各種アクアリリウム色
素、各柚５−７ミノー２．３−ジシアノ−１，４−ナフ
トキノン色素、バナジルフタロシアニン、ナタニルフタ
ロシアニン、アルミニウムフタロシアニン、塩化アルミ
ニウムフタロシアニン、ナタンフタロシアニン、鉛７り
μシアニン、白金フタロシアニン等の各種フタロシアニ
ン色素、ｒｌ＋ｅ を含有したプラズマ班会＠機膜、Ｔ
ｅがアルキル基でＩ（まれているを機膜、Ｔ、がフルオ
ロカーボンで囲まれているＷ 機Ｍ ＊ を用いること
ができる。、ｌ１ｌ１４候性の観点からｉ］：特に５−
アミノ−２，３−ジシアノ−８−（置？Ａ７ニリ／）−
１，４−ナフトキノン色素が段れている。置換基として
は、炭素数４以下のアルコキシル基、フルキル基が最も
望ましい。
あり、さらには、蒸承法あるいはスパッタ法で形成でき
るものが望ましい。具体的には、各種アクアリリウム色
素、各柚５−７ミノー２．３−ジシアノ−１，４−ナフ
トキノン色素、バナジルフタロシアニン、ナタニルフタ
ロシアニン、アルミニウムフタロシアニン、塩化アルミ
ニウムフタロシアニン、ナタンフタロシアニン、鉛７り
μシアニン、白金フタロシアニン等の各種フタロシアニ
ン色素、ｒｌ＋ｅ を含有したプラズマ班会＠機膜、Ｔ
ｅがアルキル基でＩ（まれているを機膜、Ｔ、がフルオ
ロカーボンで囲まれているＷ 機Ｍ ＊ を用いること
ができる。、ｌ１ｌ１４候性の観点からｉ］：特に５−
アミノ−２，３−ジシアノ−８−（置？Ａ７ニリ／）−
１，４−ナフトキノン色素が段れている。置換基として
は、炭素数４以下のアルコキシル基、フルキル基が最も
望ましい。
基板としては、神々のものが使用できるが、一般にはガ
ラス、合成樹脂が望ましい。合成樹脂としては、ポリメ
チルメタクリレ−） （ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート
、ポリエーテルイミド、ポリサルホン、エポキシ樹脂等
がある。基板の形状は、円板状、シート状、テープ状と
することができる。
ラス、合成樹脂が望ましい。合成樹脂としては、ポリメ
チルメタクリレ−） （ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート
、ポリエーテルイミド、ポリサルホン、エポキシ樹脂等
がある。基板の形状は、円板状、シート状、テープ状と
することができる。
記録層への情報の記録は、記録層に孔を形成することに
ニジなされる。円板状の基板を用いるディスク媒体では
、孔唸同心円状又はスパイ′ラル状の多数のトラ、りを
形成するように記録される。
ニジなされる。円板状の基板を用いるディスク媒体では
、孔唸同心円状又はスパイ′ラル状の多数のトラ、りを
形成するように記録される。
多数のトラ、りを一定間隔で精度良く記録するには、通
常基板上に光の案内溝が設けられる。ビーム径程度の溝
に光が入射すると光が［１！＋や１される。
常基板上に光の案内溝が設けられる。ビーム径程度の溝
に光が入射すると光が［１！＋や１される。
ビーム中心が溝からずれるにつれて回折元強嵐の空間分
布が異なシ、これを検出してビームを溝の中心に入射さ
せるようにサーボ系を構成できる。
布が異なシ、これを検出してビームを溝の中心に入射さ
せるようにサーボ系を構成できる。
通常溝の幅は０．５〜１．２μｍ、その深さは使用する
記録再生波長のｌ／８〜１／４の範囲に設定される。本
発明の記録媒体は基板の溝付面上に形成される。
記録再生波長のｌ／８〜１／４の範囲に設定される。本
発明の記録媒体は基板の溝付面上に形成される。
媒体の表面形状は、溝形状に相似的であることが望まし
いので、媒体の形成法は溝形状にそって付着し得る方法
、例えば蒸着、スパｕ７７、イオンブレーティングなど
の真空成膜法が好適である。
いので、媒体の形成法は溝形状にそって付着し得る方法
、例えば蒸着、スパｕ７７、イオンブレーティングなど
の真空成膜法が好適である。
以下に本発明の詳細な説明する。
〔実施例１〕
１．２鶴厚の直径２００ｕの円板状ＰＭＭＡ基板上に
８ｉを電子ビーム加熱法で８００λ蒸着し、その上に銅
フタｐシアニン色素と５−アミノ−２，３−ジシアノ−
８−（４−エトキシアニリノ）−１゜４−ナフトキノン
色素（以下ナフトキノン色素ト略称する）とを抵抗加熱
法でそれぞれ１００ＯＡ。
８ｉを電子ビーム加熱法で８００λ蒸着し、その上に銅
フタｐシアニン色素と５−アミノ−２，３−ジシアノ−
８−（４−エトキシアニリノ）−１゜４−ナフトキノン
色素（以下ナフトキノン色素ト略称する）とを抵抗加熱
法でそれぞれ１００ＯＡ。
８００ＡＩＩＡ着した。蒸着時の真空度はｌＸｌ０ Ｔ
ｏｒｒ以下とし、蒸着装置はそれぞれあよそ５Ａ／ＩＭ
。
ｏｒｒ以下とし、蒸着装置はそれぞれあよそ５Ａ／ＩＭ
。
４ Ａ／ＩＭ；、 ２ Ａ／厖とした。
８ｉ と銅フタロシア）ン色素とナフトキノン色素をそ
れぞれ単独に基板上に形成し、波長８３０嗅での複素屈
折率をめると、８ｉｉ２’２．７、銅フタｐシアニン色
素は２，０、ナフトキ７ノ色１ｋｔｉ２．３−ｉ０．８
であった。
れぞれ単独に基板上に形成し、波長８３０嗅での複素屈
折率をめると、８ｉｉ２’２．７、銅フタｐシアニン色
素は２，０、ナフトキ７ノ色１ｋｔｉ２．３−ｉ０．８
であった。
上記の８ｉ と銅フタｐシアニン色素とナフトキノン色
素との積層膜Ｋ ＰＭＭＡ基板翻よｐレーザ光を入射し
て、情報の記録・再生を行なった。レーザとして半導体
レーザ（波長８３０ｎｍ）を用い、ＮＡ＝０．５５の対
物レンズでビーム径１．５μｍ に収光した。記録パワ
ー１０ｍＷで記録し、０．７ｍＷ の連続光で再生ずる
と、１．２ｖの出力が得られ、８ｉ及び銅フタロシアニ
ンの第１及び第２のスペーサ層がない場合の４４ｏｍｖ
の出力よシも大きな出力が祷られた。
素との積層膜Ｋ ＰＭＭＡ基板翻よｐレーザ光を入射し
て、情報の記録・再生を行なった。レーザとして半導体
レーザ（波長８３０ｎｍ）を用い、ＮＡ＝０．５５の対
物レンズでビーム径１．５μｍ に収光した。記録パワ
ー１０ｍＷで記録し、０．７ｍＷ の連続光で再生ずる
と、１．２ｖの出力が得られ、８ｉ及び銅フタロシアニ
ンの第１及び第２のスペーサ層がない場合の４４ｏｍｖ
の出力よシも大きな出力が祷られた。
〔実施例２゛〕
１．２朋厚の直径２００ｍｍの円板状Ｐ１’ｖｌＮＩＡ
２Ｓ版上に８ｎＯ，を電子ビーム加熱法で９００λ蒸
着し、その上に銅フタロシアニン色素と実施例１のナフ
トキノン色素を抵抗加熱法でそれぞれ１０５０＾、８０
０＾蒸着した。蒸着時の真空度はｌＸｌ０ Ｔｏｒｒ
以下とし、蒸着速度はそれぞれおよそ３ Ａ／１１［３
０、４＾Ａ践。
２Ｓ版上に８ｎＯ，を電子ビーム加熱法で９００λ蒸
着し、その上に銅フタロシアニン色素と実施例１のナフ
トキノン色素を抵抗加熱法でそれぞれ１０５０＾、８０
０＾蒸着した。蒸着時の真空度はｌＸｌ０ Ｔｏｒｒ
以下とし、蒸着速度はそれぞれおよそ３ Ａ／１１［３
０、４＾Ａ践。
２Ａ／％とした。波長８３０ｎｍでの複素屈折率をめた
ところ、それぞれ２．３ 、２．０ 、２．３−１０．
ｓであった。
ところ、それぞれ２．３ 、２．０ 、２．３−１０．
ｓであった。
上記のＳｎＯ，と銅フタロシアニン色素とナフトキノン
色素との１＊層膜にＰＭＭＡ基板側よシレーザ光を入射
して情報の記録・再生を行なった。レーザとしては半導
体レーザ（波％ ８３０ｎｍ）を用い、ＮＡ＝０．５５
の対物レンズでビーム径１．５μｍ ｆＣ収光した。記
録パワー１０１ｙｌＷ −ｔ−Ｍ１録し、０・７ｍＷの
連続光で再生すると、８５０ｍＶ の出力が伯られ、嶋
ｌ及び第２のスペーサ層がない場合の４４０ｍＷの出力
よシも大きな出力が％られた。
色素との１＊層膜にＰＭＭＡ基板側よシレーザ光を入射
して情報の記録・再生を行なった。レーザとしては半導
体レーザ（波％ ８３０ｎｍ）を用い、ＮＡ＝０．５５
の対物レンズでビーム径１．５μｍ ｆＣ収光した。記
録パワー１０１ｙｌＷ −ｔ−Ｍ１録し、０・７ｍＷの
連続光で再生すると、８５０ｍＶ の出力が伯られ、嶋
ｌ及び第２のスペーサ層がない場合の４４０ｍＷの出力
よシも大きな出力が％られた。
〔実施例３〕
１２闘厚の直径１２０關の円板状ＰｋｉＭＡ基板上にｓ
ｎＯ，を電子ビーム加熱法で９００λＦｔＡ着し、そ
の上にＳｍ、０３ と実施例１のナフトキノン色素を抵
抗加熱法でそれぞれ１２００λ、８００λ蒸着した。
ｎＯ，を電子ビーム加熱法で９００λＦｔＡ着し、そ
の上にＳｍ、０３ と実施例１のナフトキノン色素を抵
抗加熱法でそれぞれ１２００λ、８００λ蒸着した。
蒸着時の具空匿はｌ Ｘ ｌ ＯＴｏｒｒ 以下とし、
蒸着速度はそれぞれおよそ３Ａ／％、２＾／ｌＥ 、
２ Ａ ／ｚとした。波長８３０ｎｍでの複素屈折率を
めたところ、それぞれ２．３ 、１．７ 、２．３−
ｉ ０．８であった。
蒸着速度はそれぞれおよそ３Ａ／％、２＾／ｌＥ 、
２ Ａ ／ｚとした。波長８３０ｎｍでの複素屈折率を
めたところ、それぞれ２．３ 、１．７ 、２．３−
ｉ ０．８であった。
上記の８ｎＯ宜とＳｍ、Ｏ畠 とナフトキノン色素との
積層膜にＰＭＭＡ基板個よシレーザ光倉入射して情報の
記録・再生を行なった。レーザとしては半導体レーザ（
波１（８３０ｎｍ） ｔ’用い、ＮＡ＝０．５５０対物
レンズでビーム径１．５μｍに収光した。記録パワー１
０ｍＷ″Ｔ″記録し、１．１ ｍｗ の連続光で再生す
ると、２■の出力が得られ、第１及び第２のスペーサ層
がない場合の７００ｍＶの出力よシも大きな出力が得ら
れた。
積層膜にＰＭＭＡ基板個よシレーザ光倉入射して情報の
記録・再生を行なった。レーザとしては半導体レーザ（
波１（８３０ｎｍ） ｔ’用い、ＮＡ＝０．５５０対物
レンズでビーム径１．５μｍに収光した。記録パワー１
０ｍＷ″Ｔ″記録し、１．１ ｍｗ の連続光で再生す
ると、２■の出力が得られ、第１及び第２のスペーサ層
がない場合の７００ｍＶの出力よシも大きな出力が得ら
れた。
〔実施例４〕
】、２−厚の直径２００ ｍの円板状ＰＭＮ Ａ基板上
に銅フタロシアニン色素を１ｏｏｏＸ蒸着し、その上に
Ｙ、 ０．と実施例１のナフトキノン色素をそれぞれ１
２００ Ａ 、 ８００λ蒸着した。蒸着時の真空度は
ｌＸｌ０ Ｔｏｒｒ 以下とし、蒸着速度はそれぞれお
よそ４Ａ／１Ｉｅｏ、２＾／池、２＾／％とした。波長
８３０ｎｍでの複素屈折率をめたところ、それぞれ２．
０ 、１．７ 、２．３− ｉ ０．８であった。
に銅フタロシアニン色素を１ｏｏｏＸ蒸着し、その上に
Ｙ、 ０．と実施例１のナフトキノン色素をそれぞれ１
２００ Ａ 、 ８００λ蒸着した。蒸着時の真空度は
ｌＸｌ０ Ｔｏｒｒ 以下とし、蒸着速度はそれぞれお
よそ４Ａ／１Ｉｅｏ、２＾／池、２＾／％とした。波長
８３０ｎｍでの複素屈折率をめたところ、それぞれ２．
０ 、１．７ 、２．３− ｉ ０．８であった。
上記の銅フタロシアニン色素とＹ、０．とナフトキノン
色素との積ルＩ膜にＰＭＭＡ基板側よシレーザ光を入射
して情報の記録・再生を行なった。レーザとしでは半導
体レーザ（波［８３０ｎｒｌ）を用い、ＮＡ＝０．５５
の対物レンズでビーム径１５μｍに収光し九。記録パワ
ー１０ｍＷで記録し・、０．７ｍＷの連続光で再生する
と、９５０ｍＶの出力が得られ、第１及び第２のスペー
サ層がない場合の４４０ ｍＶの出力よりも大きな出力
が得られた。
色素との積ルＩ膜にＰＭＭＡ基板側よシレーザ光を入射
して情報の記録・再生を行なった。レーザとしでは半導
体レーザ（波［８３０ｎｒｌ）を用い、ＮＡ＝０．５５
の対物レンズでビーム径１５μｍに収光し九。記録パワ
ー１０ｍＷで記録し・、０．７ｍＷの連続光で再生する
と、９５０ｍＶの出力が得られ、第１及び第２のスペー
サ層がない場合の４４０ ｍＶの出力よりも大きな出力
が得られた。
以上のように、本発明によれば再生出力の大きな光記録
媒体が得られる。なお、記録層として上記実施例で示し
たナフトキノン色素のかわシに、置換基の異なるナフト
キノン色素、バナジル７りｐシアニン、チタニルフタロ
シ７ニノ、アルミニウムフタロシアニン、塩化アルミニ
ウムフタロシアニン、鉛フタロシアニン等の各柚フタｐ
シアニン色素、各棟スクアリリウム色素、Ｔｃを含自−
したプラズマ重合有機膜、Ｔｅがアルキル基で囲まれて
いる有機膜、Ｔｅがフルオロカーボンで囲まれている有
４１ｋｍを用いても同様に有効である。
媒体が得られる。なお、記録層として上記実施例で示し
たナフトキノン色素のかわシに、置換基の異なるナフト
キノン色素、バナジル７りｐシアニン、チタニルフタロ
シ７ニノ、アルミニウムフタロシアニン、塩化アルミニ
ウムフタロシアニン、鉛フタロシアニン等の各柚フタｐ
シアニン色素、各棟スクアリリウム色素、Ｔｃを含自−
したプラズマ重合有機膜、Ｔｅがアルキル基で囲まれて
いる有機膜、Ｔｅがフルオロカーボンで囲まれている有
４１ｋｍを用いても同様に有効である。
第１図は光学記録媒体の反射率の記録層厚さによる変化
を示す図、第２図は本発明の一実施例である光学記録媒
体の概略図、第３図、第４図は本発明の光学記録媒体の
原理を説明するための概略図、第５図から第１９図は本
発明の実施例である光学記録媒体の反射率の記録層厚さ
による変イヒを示す図である。 図において、ｌＯは基板、２０は記録層、３０は第１の
スペーサ層、４０は第２のスペーサ層、１００は入射光
、２００ 、３００は反射光を示す。 ギ １ ｌ 象！！１″葦 （％） ０ ５０ １００ １５０ ２００ 翫録層薄で （−ｒｌｍ） ギ ５ １ 反ｆ＃手 １％） ↓乙銖層厚、さ （１ｍ） λ乏箸才子 １％） 祝銖盾理、：” （ｈｍ） 多 ７ 起 反射手 １％） 葛？、録層簿″：！（１ｍ） 反射ヶ １％） 壇乙寥ｔＸ聞ｐ９．さ （，１ｍ） 亭ｑ図 及射牽 １％） 祝録層簿５ （・１ｍ） 慢 １０ 口 反射率 （％） 混録層厚さ （，１ｍ） ギ １１ ｌ ｋ鼾乎 １％） 箕録層簿５ （１ｍ） 味 １２ 図 反射率（％） ｉ２Ｉｔ層厚さくｎ ｒｎ ） 多 １３ 図 反射率 （％） ０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００ 箕銖層冴Ｃ（・１ｍ） 象ＩＭ乎 （％） 混鐸層厚、：！（１ｍ） 燦 １５ 目 反射率 ｃ％） ２乙妹１１ｐ寥さ （１ｍ） ギ ｔｂ ｍ 反岨老 １％） ；乙ａ屑ｐ蓼さ （ｗｍ） ギ １−７ 図 反射箭 １％） 況録層厚５ （１ｍ） 多 １８ 図 反射１゜ （％） ｚｔ録層Ｎさ （１ｍ） 多 ｒｑ ｒｆＪ 友糾姶 １％） π銖屑月５ （１ｍ） 手続補正書輸発） ６０．５．−８ 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５９年 特 許 願第０３１７２
２号２、発明の名称 光学記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人 東京都港区芝五丁目３３番１号 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 １）特許請求の範囲の欄を別紙のように補正する。 ２）明細書第１６頁第６行目に「アクアリリウム色素」
とあるのを［スクアリリウム色素」と補正別紙 特許請求の範囲 （１） レーザ光線の照射によって情報を記録しかつ読
み取る光学記録媒体において、前記レーザ光線に対して
透明な基板上に、前記レーザ光線に対して実質的に透明
でかつ前記レーザ光線の波長での屈折率が前記基板の屈
折率より大きい第１のスペーサ層と、 ＭｔＩ記レーザ
光線に対して実質的ζこ透明でかつ前記レーザ光線の波
長での屈折率が前記第１のスペニサ１−より小さい第２
のスペーサＩ１１と、前記レーザ光線を吸収する記＠層
の少なくとも３層が積層されていることを特徴とする光
学記録媒体０ （２）記録層は有機物を主成分とする層である特許請求
の範囲第１項に記載の光学記録媒体。
を示す図、第２図は本発明の一実施例である光学記録媒
体の概略図、第３図、第４図は本発明の光学記録媒体の
原理を説明するための概略図、第５図から第１９図は本
発明の実施例である光学記録媒体の反射率の記録層厚さ
による変イヒを示す図である。 図において、ｌＯは基板、２０は記録層、３０は第１の
スペーサ層、４０は第２のスペーサ層、１００は入射光
、２００ 、３００は反射光を示す。 ギ １ ｌ 象！！１″葦 （％） ０ ５０ １００ １５０ ２００ 翫録層薄で （−ｒｌｍ） ギ ５ １ 反ｆ＃手 １％） ↓乙銖層厚、さ （１ｍ） λ乏箸才子 １％） 祝銖盾理、：” （ｈｍ） 多 ７ 起 反射手 １％） 葛？、録層簿″：！（１ｍ） 反射ヶ １％） 壇乙寥ｔＸ聞ｐ９．さ （，１ｍ） 亭ｑ図 及射牽 １％） 祝録層簿５ （・１ｍ） 慢 １０ 口 反射率 （％） 混録層厚さ （，１ｍ） ギ １１ ｌ ｋ鼾乎 １％） 箕録層簿５ （１ｍ） 味 １２ 図 反射率（％） ｉ２Ｉｔ層厚さくｎ ｒｎ ） 多 １３ 図 反射率 （％） ０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００ 箕銖層冴Ｃ（・１ｍ） 象ＩＭ乎 （％） 混鐸層厚、：！（１ｍ） 燦 １５ 目 反射率 ｃ％） ２乙妹１１ｐ寥さ （１ｍ） ギ ｔｂ ｍ 反岨老 １％） ；乙ａ屑ｐ蓼さ （ｗｍ） ギ １−７ 図 反射箭 １％） 況録層厚５ （１ｍ） 多 １８ 図 反射１゜ （％） ｚｔ録層Ｎさ （１ｍ） 多 ｒｑ ｒｆＪ 友糾姶 １％） π銖屑月５ （１ｍ） 手続補正書輸発） ６０．５．−８ 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５９年 特 許 願第０３１７２
２号２、発明の名称 光学記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人 東京都港区芝五丁目３３番１号 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 １）特許請求の範囲の欄を別紙のように補正する。 ２）明細書第１６頁第６行目に「アクアリリウム色素」
とあるのを［スクアリリウム色素」と補正別紙 特許請求の範囲 （１） レーザ光線の照射によって情報を記録しかつ読
み取る光学記録媒体において、前記レーザ光線に対して
透明な基板上に、前記レーザ光線に対して実質的に透明
でかつ前記レーザ光線の波長での屈折率が前記基板の屈
折率より大きい第１のスペーサ層と、 ＭｔＩ記レーザ
光線に対して実質的ζこ透明でかつ前記レーザ光線の波
長での屈折率が前記第１のスペニサ１−より小さい第２
のスペーサＩ１１と、前記レーザ光線を吸収する記＠層
の少なくとも３層が積層されていることを特徴とする光
学記録媒体０ （２）記録層は有機物を主成分とする層である特許請求
の範囲第１項に記載の光学記録媒体。
Claims (2)
- （１） レーザ光線の照射によって情報を記録しかつ読
み取る、光学記録媒体において、前記レーザ光線に対し
で透明な基板上Ｋ、前記レーザ光線に対して冥質的に透
明でかつ前記レーザ光線の波長での屈折率が前記基板の
屈折率より大きい第１のスペーサ層と、前記レーザ光線
に対して実質的に透明でかつ前記レーザ光線の波純での
屈折率が前記第１のスペーサ層より小さい第２のスペー
サ層と、前記レーザ光線を吸収する記録層の少なくとも
３層が積層されていることを特徴とする光学記録媒体。 - （２）記録層は有機物を主成分とする層である特許請求
の範囲第１項に記載の光学記録媒体。 ＋３）ｍｌのスペーサ績は、記録層と第２のスペーサ層
が形成されていない状態での基板入射反射率が極大とな
る付近の厚さであり、第２のそペーサ層は、前記第１の
スペーサ層が形成されていて記録層が形成されていない
状態での基板入射反射率が極小となる付近の厚さである
特許請求の範囲第１項または第２項に記載の光学記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59031722A JPS60177447A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59031722A JPS60177447A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60177447A true JPS60177447A (ja) | 1985-09-11 |
| JPH0544737B2 JPH0544737B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=12338934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59031722A Granted JPS60177447A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60177447A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61267949A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-11-27 | Nec Corp | 光情報記録媒体 |
| JPH01273240A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-01 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光記録媒体の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5956240A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-03-31 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-02-22 JP JP59031722A patent/JPS60177447A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5956240A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-03-31 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61267949A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-11-27 | Nec Corp | 光情報記録媒体 |
| JPH0480454B2 (ja) * | 1984-11-30 | 1992-12-18 | Nippon Electric Co | |
| JPH01273240A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-01 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光記録媒体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0544737B2 (ja) | 1993-07-07 |
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