JPS61267949A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １１よｐμ月分！ 本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光情報記録媒体に関する。より詳細には、本発明は
高感度で情報の再生およびサーボ制御が可能な光情報記
録媒体に関する。

従来の技術 レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ再生する追
記型光デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容
量記録装置として優れた特徴を有している。このような
追記型光ディスクメモ−りの記録媒体としては、Ｔｅ、
　Ｂｉ等の半金属薄膜及び有機薄膜が使用されている。

有機薄膜は、半金属薄膜より優れた熱特性、即ち低い熱
伝導率と小さな熱容量を持っているので吸収エネルギー
密度当りの膜の温度上昇は大きく、高い記録感度が期待
できる。

しかしながら、有機薄膜は、半導体レーザの波長域（〜
８００ｎｍ）で半金属薄膜はどには大きな反射率を示さ
ないので、半導体レーザを再生用光源とする場合、再生
信号及びサーボ信号の質に問題がある。

これを改善する方法として、有機薄膜と基板の間にＡＩ
等の反射膜を設ける媒体構成が知られている。この構成
を採用し、有機薄膜の膜厚を調整することにより、記録
前後の反射率の変化、即ち変調量を半金属薄膜の場合と
同程度に大きくすることができる。しかし、このような
構成の光情報記録媒体では、記録再生光の入射方向が媒
体の表面側に限られるという制約がある。

従って、本発明の目的は再生信号及びサーボ信号の大き
な基板入射の光情報記録媒体を提供することにある。

問題点を解決するための手段 本発明は、レーザ光の照射によって情報を記録しかつ読
み取る光情報記録媒体で、該レーザ光に対して透明な基
板上に、該レーザ光に対して実質的に透明でかつ該レー
ザ光の波長での屈折率が該基板の屈折率より大きい第１
のスペーサ層と、該レーザ光に対して実施的に透明でか
つ該レーザ光の波長での屈折率が該第１のスペーサ層よ
り小さい第２のスペーサ層と、該レーザ光を吸収する記
録層の少なくとも３層が積層されている光情報記録媒体
において、 前記第１のスペーサ層は前記記録層と前記第２のスペー
サ層が形成されていない状態での基板入射反射率が極大
となる厚さか或いはそれよりも薄＜シ、前記第２のスペ
ーサ層は前記第１のスペーサ層が形成されていて前記記
録層が形成されていない状態での基板入射反射率が極小
となる厚さよりも薄くしたことを特徴とする。

詐里 透明な基板上に記録層が形成されている媒体の基板入射
の反射率は、記録層と基板の光学定数＜ｙｔ素屈折率）
および記録層の厚さに依存する。

透明な基板としては、通常、各種合成樹脂又はガラスが
使用される。これらの屈折率は可視光から近赤外光域で
ほぼ１．５であり、この範囲の波長にはほとんど依存し
ない。したがって媒体の反射率は、記録層の光学定数と
厚さで決定される。

記録層として脊梁色素膜あるいは色素を分散させた樹脂
膜を用いる場合、これらの膜の複素屈折率（ｎ−ｉｋ）
は半導体レーザ波長域（〜８００ｎｍ）で高々２．６−
ｉｏ、８である。例えば、記録層の複素屈折率が２．１
−ｉｏ、６であり、基板の屈折率が１．５の場合、波長
８３０ｎｍの基板入射の光に対する媒体反射率は第３６
図に示すように記録層の厚さに依存する。従って、最大
反射率は記録層の厚さが約１１００ｎのときに得られ、
その値は約１５％と小さいことがわかり、再生信号及び
サーボ信号が小さい。

上述したように、本発明は反射率およびその変化量を増
大せしめて再生信号およびサーボ信号の強度を大とする
ものであり、第１図を参照して本発明の光情報記録媒体
の構成を説明する。第１図に示すように本発明の光情報
記録媒体は、基板１０と記録層２０の間に第１のスペー
サ層３０と第２のスペーサ層４０を設けて構成され、こ
れらの第１のスペーサ層３０と第２のスペーサ層４０の
材料及びその厚さが下記の条件を満すように選択されて
、媒体の反射率を高めることに成功したものである。

まず、基板１０上に第１のスペーサ層３０のみが形成さ
れている第２図に示すような構成を考える。

基板ｌＯを通して入射した光１００は、基板１ｏと第１
のスペーサ層３０との界面及び第１のスペーサ層３０と
空気との界面でその一部は反射されて反射光２００とな
る。ここで、反射光２００の大きさく反射率）は、第１
のスペーサ層３０の屈折率と厚さに依存する。本発明で
使用される第１のスペーサ層３０の材料及び厚さは、こ
の反射光２００を大きくするように選択される。即ち、
まず、第１のスペーサ層３０の屈折率は基板１０の屈折
率よりも大きいことが必要である。又、その厚さは反射
光２００の大きさを極大とする厚さか或いはそれよりも
薄いことが必要である。

次に、基板１０上に第１のスペーサ層３ｏを上記のよう
に設け、その上に第２のスペーサ層４０が形成されてい
る第３図に示すような構成を考える。基板１０を通して
入射した光１００は、基板１０と第１のスペーサ層３０
との界面、第１のスペーサ層３０と第２のスペーサ層４
０との界面、及び第２のスペーサ層４０と空気との界面
でその一部を反射されて反射光３００となる。反射光３
００の大きさく反射率）は、第２のスペーサ層４０の屈
折率と厚さに依存する。

従って、本発明で使用される第２のスペーサ層４０の材
料及び厚さは、この反射光３００を小さくするように選
ばれる。即ち、まず第２のスペーサ層４０の屈折率は第
１のスペーサ層３０の屈折率よりも小さいことが必要で
ある。次いで、第２のスペーサ層４０の厚さは、反射光
３００の大きさを極小とする厚さよりも薄いことが必要
である。

以上の如き条件を満足する第１のスペーサ層と第２のス
ペーサ層を設け、その上に記録層を設けることにより反
射率が大きく、再生出力の大きい媒体が得られる。

第３７図は、基板１０　（屈折率１．５）の上に屈折率
１．７の第１のスペーサ層３０を波長８３０ｎｍの光に
おける基板入射反射率が極大となる厚さ１２０ｎｍで形
成し、その上に複素屈折率１．４の第２のスペーサ層４
０を反射率が極小となる厚さ１５０ｎｍで形成し、その
上に複素屈折率２．１−　ｉｏ、　６の記録層２０を設
けたときの反射率の記録層厚さ依存を示したものである
。

第３６図と比較することにより、第１のスペーサ層と第
２のスペーサ層の挿入により反射率が大きくなり改善さ
れていることがわかる。

第４図は、第３７図に反射率を示した光記録媒体と同一
の材料を用いて、第１のスペーサ層３０の厚さを反射率
が極大となる厚さ１２０ｎｍとし、第２のスペーサ層の
厚さを反射率が極小となる厚さ１５０ｎＩ１１よりも薄
い８０ｎｍとし、その上に複素屈折率２．１−ｉｏ、６
の記録層２０を設けた時の反射率の記録層厚さ依存を示
したものである。第２１図と比較すると、本発明の構成
により反射率が極小となる記録層の厚さはＱｎｍから１
６ｎｍに移っている。記録層が有機薄膜を主成分とする
場合には一般に記録部分は記録前厚さの２〜３割が残り
、孔は形成されずピットが形成される。したがって第３
７図のような特性よりも第４図に特性を示す本発明の光
記録媒体の方が再生信号の大きなものが得られることが
わかる。

第５図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率１．７の
第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる厚
さ１２０ｎｍで形成し、その上に屈折率１．５の第２の
スペーサ層４０を反射率が極小となる厚さよりも薄い１
１００ｎで形成し、その上に複素屈併率２．１−　ｉｏ
、　６の記録層２０を設けたときの反射率の記録層厚さ
依存性を示したものである。第３６図と比較することに
より、第１のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入によ
り反射率が大きくなり、改善されているのがわかる。又
、１３．ｎｍ前後の記録層厚さで１反射率が極小となる
ので、記録層厚さを８０ｎｍとすることにより再生信号
の大きな媒体が得られる。

第６図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率１．９の
第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる厚
さ１１０ｎｍで形成し、その上に屈折率１．４の第２の
スペーサ層４０を反射率が極小となる厚さよりも薄い７
０ｎｍで形成し、その上に複素屈折率２．１−ｉｏ、６
の記録層２０を設けたときの反射率の記録層厚さ依存を
示したものである。第３６図と比較することにより、第
１のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により反射率
が大きくなり、改善されているのがわかる。又、２２ｎ
ｍ前後の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層
厚さを８０ｎｍとすることにより再生信号の大きな媒体
が得られる。

第７図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率１．９の
第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる厚
さ１１０ｎｍで形成し、その上に屈折率１．５の第２の
スペーサ層４０を反射率が極小となる厚さよりも薄い８
０ｎｍで形成し、その上に複素屈折率２．１−　ｉｏ、
　６の記録層２０を設けたときの反射率の記録層厚さ依
存を示したものである。第３６図と比較することにより
、第１のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により反
射率が大きくなり、改善されているのがわかる。又、ｌ
ｆｉｎｍ前後の記録層厚さで反射率が極小となるので、
記録層厚さを８０ｎｍとすることにより再生信号の大き
な媒体が得られる。

第８図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率１．９の
第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる厚
さ１１０ｎｍで形成し、その上に屈折率１．６の第２の
スペーサ層４０を反射率が極小となる厚さよりも薄い９
０ｎｍで形成し、その上に複素屈折率２．１−ｉｏ、６
の記録層２０を設けたときの反射率の記録層厚さ依存を
示したものである。第３６図と比較子ることにより、第
１のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により反射率
が大きくなり、改善されているのがわかる。又、１５ｎ
ｍ前後の記録層厚さて反射率が極小となるので、記録層
厚さを８０ｎｍとすることにより再生信号の大きな媒体
が得られる。

第９図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率１．９の
第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる厚
さ１１０ｎｍで形成し、その上に屈折率１．７の第２の
スペーサ層４０を反射率が極小となる厚さよりも薄い１
１００ｎで形成し、その上に複素屈折率２．１−ｉｏ、
６の記録層２０を設けたときの反射率の記録層厚さ依存
を示したものである。第３６図と比較することにより、
第１のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により反射
率が大きくなり、改善されているのがわかる。又、ｌｌ
ｎｍ前後の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録
層厚さを８０ｎｍとすることにより再生信号の大きな媒
体が得られる。

第１０図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率２．０
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる
厚さ１１０５ｎで形成し、その上に屈折率１．４の第２
のスペーサ層４０を反射率が極小となる厚さよりも薄い
７０ｎｍで形成し、その上に複素屈折率２．１−ｉｏ、
６の記録層２０を設けたときの反射率の記録層厚さ依存
を示したものである。第３６図と比較することにより、
第１のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により反射
率が大きくなり、改善されているのがわかる。又、２２
ｎｍ前後の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録
層厚さを８０ｎｍとすることにより再生信号の大きな媒
体が得られる。

第１１図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率２．０
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる
厚さ１１０５ｎで形成し、その上に屈折率１．５の第２
のスペーサ層４０を反射率が極小となる厚さよりも薄い
７０ｎｍで形成し、その上に複素屈折率２．１−ｉｏ、
６の記録層２０を設けたときの反射率の記録層厚さ依存
を示したものである。第３６図と比較することにより、
第１のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により反射
率が大きくなり、改善されているのがわかる。又、２１
ｎｍ前後の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録
層厚さを８０ｎｍとすることにより再生信号の大きな媒
体が得られる。

第１２図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率２．０
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる
厚さ１１０５ｎで形成し、その上に屈折率１．６の第２
のスペーサ層４０を反射率が極小となる厚さよりも薄い
８０ｎｍで形成し、その上に複素屈折率２．１−　ｉｏ
、　６の記録層２０を設けたときの反射率の記録層厚さ
依存を示したものである。第３６図と比較することによ
り、第１のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により
反射率が太き（なり、改善されているのがわかる。又、
１７ｎｍ前後の記録層厚さで反射率が極小となるので、
記録層厚さを８０ｎｍとすることにより再生信号の大き
な媒体が得られる。

第１３図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率２．０
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる
厚さ１１０５ｎで形成し、その上に屈折率１．７の第２
のスペーサ層４０を反射率が極小となる厚さよりも薄い
８０ｎｍで形成し、その上に複素屈折率２．１−　ｉｏ
、　６の記録層２０を設けたときの反射率の記録層厚さ
依存を示したものである。第３６図と比較することによ
り、第１のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により
反射率が大きくなり、改善されているのがわかる。又、
１８ｎｍ前後の記録層厚さで反射率が極小となるので、
記録層厚さを８０ｎｍとすることにより再生信号の大き
な媒体が得られる。

第１４図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率２．２
１の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大之な
る厚さ９５ｎｍで形成し、その上に屈折率１．４の第２
のスペーサ層４０を反射率が極小となる厚さよりも薄い
６０ｎｍで形成し、その上に複素屈折率２．１−五０．
６の記録層２０を設けたときの反射率の記録層厚さ依存
を示したものである。第３６図と比較することにより、
第１のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により反射
率が大きくなり、改善されているのがわかる。又、２８
ｎｍ前後の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録
層厚さを８０ｎｍとすることにより再生信号の大きな媒
体が得られる。

第１５図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率２．２
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる
厚さ９５ｎｍで形成し、その上に屈折率１．５の第２の
スペーサ層４０を反射率が極小となる厚さよりも薄い６
０ｎｍで形成し、その上に複″素屈折率２．１−１０．
６の記録層２０を設けた時の反射率の記録層厚さ依存を
示したものである。第３６図と比較することにより、第
１のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により反射率
が大きくなり、改善されているのがわかる。又、２７ｎ
ｍ前後の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層
厚さを８０ｎｍとすることにより再生信号の大きな媒体
が得られる。

第１６図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率２．２
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる
厚さ９５ｎｍで形成し、その上に屈折率１．６の第２の
スペーサ層４０を反射率が極小となる厚さよりも薄い７
０ｎｍで形成し、その上に複素屈折率２．１−１０．６
の記録層２０を設けたときの反射率の記録層厚さ依存を
示したものである。第３６図と比較することにより、第
１のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により反射率
が大きくなり、改善されているのがわかる。又、２１ｎ
ｍ前後の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層
厚さを８０ｎｍとすることにより再生信号の大きな媒体
が得られる。

第１７図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率２．２
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる
厚さ９５ｎｍで形成し、その上に屈折率１．７の第２の
スペーサ層４０を反射率が極小となる厚さよりも薄い８
０ｎｍで形成し、その上に複素屈折率２．１−ｉｏ、６
の記録層２０を設けたときの反射率の記録層厚さ依存を
示したものである。第３６図と比較することにより第１
のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により反射率が
大きくなり、改善されているのがわかる。又、１７ｎｍ
前後の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層厚
さを８０ｎｍとすることにより再生信号の大きな媒体が
得られる。

第１８図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率２．２
の第１のスペーサ層１０を基板入射反射率が極大となる
厚さ９５ｎｍで形成し、その上に屈折率１．９の第２の
スペーサ層４０を反射率が極小となる厚さよりも薄い９
０ｎｍで形成し、その上に複素屈折率２．１−１Ｏ０６
の記録層２０を設けたときの反射率の記録層厚さ依存を
示したものである。第３６図と比較することにより、第
１のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により反射率
が大きくなり、改善されているのがわかる。又、１２ｎ
ｍ前後の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層
厚さを８０ｎｍとすることにより再生信号の大きな媒体
が得られる。

第１９図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率２．２
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる
厚さ９５ｎｍで形成し、その上に屈折率２．０の第２の
スペーサ層４０を反射率が極小となる厚さよりも薄い９
０ｎｍで形成し、その上に複素屈折率２．１−１０．６
の記録層２０を設けたときの反射率の記録層厚さ依存を
示したものである。第３６図と比較することにより、第
１のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により反射率
が大きくなり、改善されているのがわかる。又、１３０
ｍ前後の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層
厚さを８０ｎｍとすることにより再生信号の大きな媒体
が得られる。

以上の結果を第１表に整理して示す。なお、第１表にふ
いてｉ　ｓｉｎは反射率が極小となる記録層の厚さであ
り、Ｔｗｉｍは第３図に示す構造において反射率が極小
となる第２のスペーサ層の厚さを示している。

次に、本発明の第２の態様に従い、第１のスペーサ層の
厚さが、反射率が極大となる厚さよりも薄い場合につい
て説明する。

第３８図は基板１０（屈折率１．５）の上に屈折率２．
０の第１のスペーサ層３０を波長８３０ｎｍの光に＄け
る基板入射反射率が極大となる厚さ１１０５ｎで形成し
、その上に屈折率１．５の第２のスペーサ層４０を反射
率が極小となる厚さ１３０ｎｍで形成し、その上に複素
屈折率２．１−　ｉｏ、　６の記録層２０を設けたとき
の反射率の記録層厚さ依存を示したものである。

これに対して、第２０図は第３８図に特性を示す光記録
媒体と同一の材料を用いて第１のスペーサ層３０の厚さ
を反射率が極大となる厚さ１１０５ｎよりも薄いｇ５ｎ
ｍとし、第２のスペーサ層の厚さを反射率が極小となる
厚さ１３０ｎｍよりも薄い８Ｑｎｍとし、その上に複素
屈折率２．１−ｉｏ、６の記録層２０を設けた時の反射
率の記録層厚さ依存を示したものである。

第３８図と比較すると、本発明の構成の採用により反射
率が極小となる記録層の厚さはＱｎｍから２３ｎｍに移
っている。記録層が有機薄膜を主成分とする場合には一
般に記録部分は記録前厚さの２〜３割が残り、孔は形成
されずピットが形成される。したがって第３８図のよう
な特性よりも本発明の第２０図のような特性の方が再生
信号の大きなものが得られることがわかる。

第２１図は屈折率１．５の基板１ｏの上に屈折率２．０
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる
厚さ１１０５ｎよりも薄い９５ｎｍで形成し、その上に
屈折率１．４の第２のスペーサ層４ｏを反射率が極小と
なる厚さよりも薄い８０ｎｍで形成しその上に複素屈折
率２．１−１Ｏ，６の記録層２ｏを設けたときの反射率
の記録層厚さ依存を示したものである。第３６図と比較
することにより、第１のスペーサ層と第２のスペーサ層
の挿入により反射率が大きくな七、改善されているのが
わかる。又２０ｎｍ前後の記録層厚さで反射率が極小と
なるので、記録層厚さを８０ｎｍとすることにより再生
信号の大きな媒体が得られる。

第２２図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率２．０
の第１０゛スペーサ層３０を基板入射反射率が極大とな
る厚さ１１０５ｎよりも薄い９５ｎｍで形成し、その上
に屈折率１．６の第２のスペーサ層４０を反射率が極小
となる厚さよりも薄い８０ｎ＋＋＋で形成しその上に複
素屈折率２．１−　ｉｏ、　６の記録層２０を設けたと
きの反射率の記録層厚さ依存を示したものである。第３
６図と比較することにより、第１のスペーサ層と第２の
スペーサ層の挿入により反射率が大きくなり、改善され
ているのがわかる。又２０ｎｍ前後の記録厚さで反射率
が極小となるので、記録層厚さを８０ｎｍとすることに
より再生信号の大きな媒体が得られる。

第２３図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率２．０
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる
厚さ１１０５ｎよりも薄い９５ｎｍで形成し、その上に
屈折率１．７の第２のスペーサ層４０を反射率が極小と
なる厚さよりも薄い９０ｎｍで形成し、その上に複素屈
折率２．１−ｉｏ、６の記録層２０を設けたときの反射
率の記録層厚さ依存を示したものである。第３６図と比
較することにより、第１のスペーサ層と第２のスペーサ
層の挿入により反射率が太き（なり、改善されているの
がわかる。又、１７ｎｍ前後の記録層厚さで反射率が極
小となるので、記録層厚さを８０ｎｍとすることにより
再生信号の大きな媒体が得られる。

第２４図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率１．７
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる
厚さ１２０ｎｍよりも薄い１１’Ｏｎｍで形成し、その
上に屈折率１．４の第２のスペーサ層４０を反射率が極
小となる厚さよりも薄い９０ｎｍで形成しその上に複素
屈折率２．１−ｉｏ、６の記録層２０を設けたときの反
射率の記録層厚さ依存を示したものである。第３６図と
比較することにより、第１のスペーサ層と第２のスペー
サ層の挿入により反射率が大きくなり、改善されている
のがわかる。又、ｌ（ｉｎｍ前後の記録層厚さで反射率
が極小となるので、記録層厚さを８０ｎｍとすることに
より再生信号の大きな媒体が得られる。

第２５図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率１．７
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる
厚さ１２０ｎｍよりも薄い１１０ｎｍで形成し、その上
に屈折率１．５の第２のスペーサ層４０を反射率が極小
となる厚さよりも薄い１１０ｎｍで形成しその上に複素
屈折率２．１−ｉｏ、６の記録層２０を設けたときの反
射率の記録層厚さ依存を示したものである。

第３６図と比較することにより、第１゛のスペーサ層と
第２のスペーサ層の挿入により反射率が大きくなり、改
善されているのがわかる。又ｌｌｎｍ前後の記録層厚さ
で反射率が極小となるので、記録層厚さを８０ｎｍとす
ることにより再生信号の大きな媒体が得られる。

第２６図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率１．９
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる
厚さ１１０ｎｍよりも薄い９０ｎｍで形成し、その上に
屈折率１．４の第２のスペーサ層４０を反射率が極小と
なる厚さよりも薄い９０ｎｍで形成し、その上に複素屈
折率２．１−ｉｏ、６の記録層２０を設けたときの反射
率の記録層厚さ依存を示したものである。第３６図と比
較することにより、第１のスペーサ層と第２のスペーサ
層の挿入により反射率が大きくなり、改善されているの
がわかる。又、１８ｎｍ前後の記録層厚さで反射率が極
小となるので、記録層厚さを８０ｎｍとすることにより
再生信号の大きな媒体が得られる。

第２７図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率１．９
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる
厚さ１１０ｎｍよりも薄い９０ｎｍで形成しその上に屈
折率１．５の第２のスペーサ層４０を反射率が極小とな
る厚さよりも薄い９０ｎｍで形成しその上に複素屈折率
２．１−ｉｏ、６の記録層２０を設けたときの反射率の
記録層厚さ依存を示したものである。第３６図と比較す
ることにより、第１のスペーサ層と第２のスペーサ層の
挿入により反射率が大きくなり、改善されているのがわ
かる。又１８ｎｍ前後の記録層厚さて反射率が極小とな
るので、記録層厚さを８０ｎｍとすることにより再生信
号の大きな媒体が得られる。

第２８図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率１．９
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる
厚さ１１０ｎｍよりも薄い９０ｎｍで形成し、その上に
屈折率１．６の第２のスペーサ層４０を反射率が極小と
なる厚さよりも薄い９０ｎｍで形成し、その上に複素屈
折率２．１−　ｉｏ、　６の記録層２０を設けたときの
反射率の記録層厚さ依存を示したものである。第３６図
と比較することにより、第１のスペーサ層と第２のスペ
ーサ層の挿入により反射率が大きくなり、改善されてい
るのがわかる。又、２０ｎｍ前後の記録層厚さで反射率
が極小となるので、記録層厚さを８０ｎｍとすることに
より再生信号の大きな媒体が得られる。

第２９図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率１．９
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる
厚さ１１０ｎｍよりも薄い９０ｎｍで形成し、その上に
屈折率１．７の第２のスペーサ層４０を反射率が極小と
なる厚さよりも薄い１２０ｎｍで形成し、その上に複素
屈折率２．１−ｉｏ、６の記録層２０を設けたときの反
射率の記録層厚さ依存をボしたものである。

第３６図と比較することにより、第１のスペーサ層と第
２のスペーサ層の挿入により反射率が大きくなり、改善
されているのがわかる。又、１０ｎｍ前後の記録層厚さ
で反射率が極小となるので、記録層厚さを８０ｎｍとす
ることにより再生信号の大きな媒体が得られる。

第３０図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率２．２
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる
厚さ９５ｎｍよりも薄い７５ｎｍで形成し、その上に屈
折率１．４の第２のスペーサ層４０を反射率が極小とな
る厚さよりも薄い７０ｎｍで形成し、その上に複素屈折
率２．１−　ｉｏ、　６の記録層２０を設けたときの反
射率の記録層厚さ依存を示したものである。第３６図と
比較することにより、第１のスペーサ層と第２のスペー
サ層の挿入により反射率が大きくなり、改善されている
のがわかる。又、３０ｎｍ前後の記録層厚さで反射率が
極小となるので、記録層厚さを８０ｎｍとすることによ
り再生信号の大きな媒体が得られる。

第３１図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率２．２
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる
厚さ９５ｎｍよりも薄い５５ｎｍで形成し、その上に屈
折率１．５の第２のスペーサ層４０を反射率が極小とな
る厚さよりも薄い１１００ｎで形成し、その上に複素屈
折率２．１−　ｉｏ、　６の記録層２０を設けたときの
反射率の記録層厚さ依存を示したものである。第３６図
と比較することにより、第１のスペーサ層と第２のスペ
ーサ層の挿入により反射率が大きくなり、改善されてい
るのがわかる。又、２０ｎｍ前後の記録層厚さで反射率
が極小となるので、記録層厚さを８０ｎｍとすることに
より再生信号の大きな媒体が得られる。

第３２図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率２．２
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる
厚さ９５ｎｍよりも薄い５５ｎｍで形成し、その上に屈
折率１．６の第２のスペーサ層４０を反射率が極小とな
る厚さよりも薄い１１００ｎで形成し、その上に複素屈
折率２．１−　ｉｏ、　６の記録層２０を設けたときの
反射率の記録層厚さ依存を示したものである。第３６図
と比較することにより、第１のスペーサ層と第２のスペ
ーサ層の挿入により反射率が大きくなり、改善されてい
るのがわかる。又、２２ｎｍ前後の記録層厚さで反射率
が極小となるので、記録層厚さを８０ｎｍとすることに
より再生信号の大きな媒体が得られる。

第３３図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率２．２
゛の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大とな
る厚さ９５ｎｍよりも薄い６５ｎｍで形成し、その上に
屈折率１．７の第２のスペーサ層４０を反射率が極小と
なる厚さよりも薄い１１００ｎで形成し、その上に複素
屈折率２．１−ｉｏ、６の記録層２０を設けたときの反
射率の記録層厚さ依存を示したものである。第３６図と
比較することにより、第１のスペーサ層と第２のスペー
サ層の挿入により反射率が大きくなり、改善されている
のがわかる。又、２０ｎｍ前後の記録層厚さで反射率が
極小となるので、記録層厚さを８０ｎｍとすることによ
り再生信号の大きな媒体が得られる。

第３４図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率２．２
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる
厚さ９５ｎｍよりも薄い７５ｎｍで形成し、その上に屈
折率１．９の第２のスペーサ層４０を反射率が極小とな
る厚さよりも薄い１００止で形成し、その上に複素屈折
率２．１−　ｉｏ、６の記録層２０を設けたときの反射
率の記録層厚さ依存を示したものである。第３６図と比
較することにより、第１のスペーサ層と第２のスペーサ
層の挿入により反射率が大きくなり、改善されているの
がわかる。又、１６ｎｍ前後の記録層厚さで反射率が極
小となるので、記録層厚さを８０ｎｍとすることにより
再生信号の大きな媒体が得られる。

第３５図は屈折率１．５の基板１０の上に屈折率２．２
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大となる
厚さ９５ｎｍよりも薄い８５ｎｍで形成し、その上に屈
折率２．０の第２のスペーサ層４０を反射率が極小とな
る厚さよりも薄い１１００ｎで形成し、その上に複素屈
折率２．１−　ｉｏ、　６の記録層２０を設けたときの
反射率の記録層厚さ依存を示したものである。第３６図
と比較することにより、第１のスペーサ層と第２のスペ
ーサ層の挿入により反射率が大きくなり、改善されてい
るのがわかる。又、１３ｎｍ前後の記録層厚さで反射率
が極小と入るので、記録層厚さを８０ｎｍとすることに
より再生信号の大きな媒体が得られる。

以上の結果を第２表に整理して示す。第２表において、
Ｔ□８は、第２図に示す構造において反射率が極大とな
る第１のスペーサ層の厚さであり、Ｔ、１７は、第３図
に示す構造において反射率が極小となる第２のスペーサ
層の厚さである。更にｉ　ｓｉｎは、反射率が極小とな
る記録層の厚さである。

上記した如く、本発明で使用される第１のスペーサ層の
厚さは記録層と第２のスペーサ層とが形成されていない
状態での基板入射反射率が極大となる厚さか或いはそれ
より薄い厚さとし、第２のスペーサ層の厚さは第１のス
ペーサ層が形成されていて、記録層が形成されていない
状態での基板入射反射率が極小となる厚さよりも薄い厚
さとする。以下、第１および第２のスペーサ層について
の条件限定理由について説明する。

第３９図は屈折率１．５の基板の上に屈折率１．７の第
１のスペーサ層を波長８３０ｎｍの光における基板入射
反射率が極大となる厚さ１２０ｎｍで形成し、その上に
屈折率１．４の第２のスペーサ層を形成し、その上に複
素屈折率２．１−ｉｏ、６の記録層を設けたときの反射
率の記録層厚さ依存を、第２のスペーサ層厚さが１１０
０ｎ、　　１５０ｎｍおよｔｊ　２００ｎｍの場合につ
いて示したものである。

第１のスペーサ層が形成されていて記録層が形成されて
いない状態で基板入射反射率が極小となる第２のスペー
サ層厚さＴ＋ａｉｈ　＝　１５０ｎｍよりも第２のスペ
ーサ層の厚さが厚い場合、即ち第３９図の第２のスペー
サ層の厚さが２００ｎｍのとき、記録層厚が減小したと
きの反射率の低下の度合が小さくなるため再生信号出力
が小さくなり望ましくない。

第４０図は屈折率１．５の基板の上に屈折率１．７の第
１のスペーサ層を基板入射反射率が極大となる厚さ１２
０ｎｍよりも厚い厚さである１７０ｎｍとし、その上に
屈折率１．４の第２のスペーサ層を形成し、その上に複
素屈折率２．１−ｉｏ、６の記録層を設けたときの反射
率の記録層厚さ依存を、第２のスペーサ層厚さが１１０
０ｎ、　１５０ｎｍおよび、２００ｎｍの場合について
示したものである。第３９図の実線の曲線と比較するこ
とにより、第１のスペーサ層の厚さが反射率が極大とな
る厚さよりも厚い場合には記録層厚が減小したときの反
射率の低下の度合が小さいなるため再生信号出力が小さ
くなり望ましくないことがわかる。

本発明で使用される第１のスペーサ層及び第２のスペー
サ層の厚さの下限は、本発明の目的である反射率の増大
及び反射率変化量の増大が実質的に得られなくなる厚さ
である。

第３表に第１のスペーサ層厚と第２のスペーサ層厚と反
射率増加量の関係の１例を示す。（この例は記録層の複
素屈折率が２．１−ｉｏ、６であり厚さが８０ｎｍの場
合である）。

第３表 本発明により反射率の増加の実質的な効果を得るために
は、スペーサ層の膜厚をおよそλ／８ｎ（λは光の波長
、ｎはスペーサ材料の屈折率）より厚くすることが望ま
しい。即ち、第３表に示す如き波長８３０ｎｍの光の場
合、屈折率１．４以上から２前後の材料に対しては５０
ｎｍ以上の厚さが実施的に効果のある厚さである。

さらに、本発明で使用される第１及び第２のスペーサ層
としては、読み出しレーザ波長で実質的に透明であるも
のが望ましい。

第１のスペーサ層としては、基板の屈折率よりも大きな
屈折率のものであればよい。例えばＣｅＯ□、［：ｒ２
０ａ、Ｆｅ２ｅ３、ＦｅａＣＬ、ＧｅＯ２、ＩｎｚＯｓ
、ＭｇＯ１Ｖｒｎ０２、ＭＯＯ３、Ｎｂ２Ｏ３、Ｎ　ｉ
Ｏ２、Ｓｉｎ％Ｓｍ２０ｓ、５ｎｏ２．７ａ２０ｓ、Ｔ
ｅ、Ｏｗ、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ｗ　Ｏｓ、Ｙ２Ｏ５、
ＺｎＯ，ＺｒＯ２等の各種酸化物、５１３Ｎ４、ＺｒＮ
等の各種窒化物、ＺｒＣ等の各種炭化物、ＧｅＳ、Ｚｎ
Ｓ等の容積硫化物、コバルトフタロシアニン、銅フタロ
シアニン、マグネシウムフタロシアニン、ニッケルフタ
ロシアニン、亜鉛フタロシアニン等の各種有機色素、各
種磁性ガーネット及び５ｉＳＳｅ、　Ｇｅ。

Ｂ或いはこれらの化合物が使用できる。

第２のスペーサ層としては、第１のスペーサ層の屈折率
よりも小さな屈折率のものであるとい条件の下に例えば
、ＡｌＦ３．１３ａＦｚ、Ｃａ　Ｆ　２、（：ｅ　Ｆ　
３、ＤｙＦ＊、ＢｒＦ３、ＢｕＦ３、ＧｄＦｓ、）Ｉｆ
Ｆ４、ＨＯＦ３、ＬａＦｓ、ＬｉＦＳＭｇＦ２、ＮａＦ
ＳＮｄＦ＊、ＰｒＦｓ、ＳｍＦ’：＋、ｇｒＦ２、Ｙ　
Ｆ　３、ＹｂＦ３等の各種フッ化物、Ａｌ１．Ｏｓ、Ｃ
ｅ０−１Ｃｒ２０ｓ、口ｙ２０３、ＢｒｚＯ＋、Ｂｕｉ
○３、ｐｅ２０ｓ、ｐｅ３０＜、Ｇｄ２Ｏ３，６ｅ０２
、Ｈｆ０ａ、ＨＯ２０３、Ｉｎ２Ｏ３、ＬＬ＋２０３、
ＭｇＯ，Ｍｎ０ａ、ＭｏＯ３、ＮｂｚＯ３、Ｎｉ０１Ｓ
ｉＯ１Ｓ　ｉ　Ｏ２，５ｍｗＯｓ、Ｓｎｏｗ、ＴａｚＯ
ｓ、ＴｉＯ２、■。

０３、ＷＯ，、Ｙ２Ｏ３、ＺｎＯ１Ｚｒ○２等の各種酸
化物、ＺｒＮ等の各種窒化物、ＺｒＣ等の各種炭化物、
Ｇｅ５ＳＺｎＳ等の各種硫化物、コバルトフタロシアニ
ン、銅フタロシアニン、モリブデンフタロシアニン、マ
グネシウムフタロシアニン、ニッケルフタロシアニン、
亜鉛フタロシアニン、スーダンブラックＢ等の各種有機
色素、各種フットレジスト、各種電子線レジスト、ポリ
スチレン等の各種有機物を使用することができる。

例えば第１のスペーサ層として５ｎＯｚを使用する場合
には、第２のスペーサ層として、ＡｌＦ３、ＢａＦ２、
ＣａＦｚ、Ｃｅ　Ｆ　３、Ｄｙｅｓ、Ｂｒ　Ｆ　３、Ｂ
ｕＦ、、ＧｄＦｓ、ＨｏＦ、、Ｌａ　Ｆ　３、ＬｉＦＳ
ＭｇＦ、、ＮａＦ、ＮｄＦｓ、ＰｒＦａ、ＳｍＦ３．５
ｒＦｚ、ＹＦ、、ＹｔｌＦ＊等のフッ化物やＡｌ２Ｏ３
、ＣｅＯ２、口ｙ２０３、ＢｒｚＯ５、口ｕ２０３、Ｇ
　ｅ　Ｏ２、）＋０２０３、Ｌｕ２ｔ３、ＭｇＯ１３ｉ
０２．３ｍ２０３、Ｙ２Ｏ３等や酸化物やスーダンブラ
ックＢ等の有機色素やグアニン、クリスタルヴアイオレ
ットラクトン等の有機物を使用することができる。第１
のスペーサ層として銅フタロシアニンを使用する場合に
も上述した第２のスペーサ層材料を使用することができ
る。

第１のスペーサ層としてＮｉＯを使用する場合には、第
一２のスペーサ層として、ＡｌＦ３、Ｂａ　Ｆ　２、Ｃ
ａＦ２、Ｃｅ　Ｆ　ｓ、口ｙＦｓ、ＢｒＦ５、ＢｕＦｓ
、ＧｄＦａ、ＨｏＦａ、Ｌａ　Ｆ　ｓ、ＬｉＦ、ＭｇＦ
ｚ、Ｎａ　Ｆ　ｓ　Ｎｄ　Ｆ　ｓ、Ｐｒ　Ｆ　３、Ｓｍ
　Ｆ　３．５ｎＦｚ、Ｙ　Ｆ　３、Ｙｂ　Ｆ　３等のフ
ッ化物やＡｌ２Ｏ３、Ｄｙ２０＋、Ｂｒ２ｍ５、Ｂｕ２
０３．８０２０３、ＬＬ＋２０３、ＭｇＯ１Ｓｉ　Ｏ２
、Ｓｍ２０ｓ、Ｙ２Ｏ３等や酸化物やスーダンブラック
Ｂ等の有機色素やクリスタルヴアイオレットラクトン等
の有機物を使用することができる。

第１のスペーサ層としてＧｅＯ２を使用する場合にも上
述した第２のスペーサ層材料を使用することができる。

第１のスペーサ層としてＭｇＯを使用する場合には、第
２のスペーサ層として、Ｍｇ　Ｆ　２等のフッ化物やＡ
ｌ２Ｏ３、ＳｉＯｘ等の酸化物を使用することができる
。

第１のスペーサ層としてＳｉを使用する場合には、第２
のスペーサ層として、ＡｌＦ３、Ｂａ　Ｆ　２、ＣａＦ
ｚ、ＣＥ！Ｆ３、ＤｙＦｓ、ＢｒＦａ、Ｂｕｄｓ、Ｇｄ
Ｆ、、ＨｆＦ、、ＨＯＦ３、ＬａＦ３、ＬｉＦＳＭｇＦ
２、ＮａＦ、ＮｄＦ’＋、ＰｒＦ３、ＳｍＦ３．５ｒＦ
ｚ、ＹＦ、、ＹｂＦ３等のフッ化物や八１２０３、Ｃｅ
Ｏ２、ＣｒｚＯａ、Ｄｙ２０＋、ＢｒｚＯ３、Ｂｕ、０
３、Ｆｅ２Ｏ＋、Ｆｅ、０．、ＧｄｚＯｉ、Ｇｅ０ｚ、
ＨｆＯ２、ＨＯ２０３、ＩｎｚＯ３、Ｌｕ２０ｓ、Ｍｇ
Ｏ１Ｍｎ０□、ＭｏＯ，、Ｎｂ、Ｏ５、ＮｉＯ，５ｉＯ
１ＳｉＯｚ、Ｓｍ２Ｏ３，５ｎ０２、ＴａｚＯｓ、Ｔｌ
Ｏ２、Ｙ２Ｏ３、Ｗ　０３、Ｙ２Ｏ５、ＺｎＯ，Ｚｒ０
ｚ等の酸化物やＺｒＮ等の窒化物やＺｒＣ等の炭化物や
Ｇｅ３．ＺｒＳ等の硫化物やコバルトフタロシアニン、
銅フタロシアニン、モリブデンフタロシアニン、マグネ
シウムフタロシアニン、ニッケルフタロシアニン、亜鉛
フタロシアニン、スーダンブラックＢ等の有機色素やグ
アニン、クリスタルヴアイオレットラクトン、二無水３
．４．９．１０−ペリレンテトラカルボン酸等の有機物
を使用できる。

本発明においては第１及び第２のスペーサ層を実質的に
透明な層と限定している。これは、本発明の媒体構成、
即ち、第１および第２のスペーサ層を設けることは、反
射率を増大させる反面、記録層の吸収率を減小させてい
る。即ち、記録層単層だけの媒体と比較すると、本発明
の媒体構成は透過率と吸収率を減小させ、反射率を増大
させている。したがって、スペーサ層が光吸収層である
と、記録層の吸収率はさらに減小するので媒体の記録感
度が低下し実用に供せなくなるので、スペーサ層は実質
的に透明であることが必要である。

記録層としては、有機物を主成分とするものが好適であ
り、さらには、蒸着法あるいはスパッタ法で形成できる
ものが望ましい。具体的には、各種スクアリリウム色素
、各種５−アミノ−２，３−ジシアノ−１，４−ナフト
キノン色素、バナジルフタロシアニン、チタニルフタロ
シアニン、アルミニウムフタロシアニン、塩化アルミニ
ウムフタロシアニン、チタンフタロシアニン、鉛フタロ
シアニン、白金フタロシアニン等の各種フタロシアニン
色素、Ｔｅを含有したプラズマ重合有機膜、Ｔｅがアル
キル基で囲まれている有機膜、Ｔｅがフルオロカーボン
で囲まれている有機膜等を用いることができる。

この中では特に、５−アミノ−８−置換アニリノー２．
３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素、５，８−置
換アニリノー２．３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン
色素、あるいはそれらの混合物かあるいはそれらの金属
錯体か望ましく、置換基としては、炭素数４以下のアル
コキシル基、アルキル基が最も望ましい。

基板としては種々のものを使用できるが、一般には合成
樹脂、ガラス、磁器が望ましい。合成樹脂としては、ポ
リメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、ポリカーボ
ネート、ポリエーテルイミド、ポリサルホン、エポキシ
樹脂、塩化ビニル樹脂等がある。基板の形状は、円板状
、シート状、テープ状とすることができる。

本発明の光記録媒体において、記録層への情報の記録は
記録層にピットを形成することによりなされる。円板状
の基板を用いるディスク媒体では、ピットは同心円状又
はスパイラル状の多数のトラックに形成するように記録
される。多数のトラックを一定間隔で精度よく記録する
には、通常基板上に光の案内溝が設けられる。ビーム径
程度の溝に光が入射すると光が回折される。ビーム中心
が溝からずれるにつれて回折光強度の空間分布が異なり
、これを検出してビームを溝の中心に入射させるように
サーボ系を構成できる。通常、案内溝の幅は０．３〜１
．２μｍ１その深さは使用する記録再生レーザ波長の１
／１２〜１／４の範囲に設定される。本発明の光記録媒
体では基板の溝付面上に案内溝を形成するのが好ましい
。

以下本発明の実施例について説明する。

実施例１ 内径１５ＩＩＩＩＩ１１外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍ
ｍの案内溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化マグ
ネシウムを１２１ｎｍ蒸着し、その上にフッ化マグネシ
ウムを８２ｎｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ
−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナ
フトキノン色素を８５％以上含む有機薄膜を記録層とし
て８０ｎｍ蒸着した。この成膜の際、波長　　３８３０
ｎｍの基板入射の反射率をモニターしながら行ない、第
１のスペーサ層酸化マグネシウムの蒸着終了時の基板入
射反射率は１０．７％と極大値をとる厚さに設定し、第
２のスペーサ層フッ化マグネシウムの蒸着終了時の基板
入射反射率は４．７％と、極小値をとる厚さよりも薄く
設定した。

このようにして作製した光ディスクの基板入射媒体反射
率は２２．０％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ
、再生信号も大きく良好であった。

実施例２ 内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内
溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化マグネシウム
を１２１ｎｍ蒸着し、その上に２酸化シリコンを１１０
１ｎ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシ
アニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン
色素を８５％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎｍ
蒸着した。この成膜の際、波長ｄ３０ｎｍの基板入射の
反射率をモニターしながら行ない第１のスペーサ層酸化
マグネシウムの蒸着終了時の基板入射反射率は１０．７
％と極大値をとる厚さに設定し、第２のスペーサ層２酸
化シリコンの蒸着終了時の基板入射反射率は２．３％と
、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの基板入射媒体反射
率は２１．５％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ
再生信号も大きく良好であった。

実施例３ 内径１５ｍｍ、外径１２０＋＋ｉｎ、厚さ１．２叩の案
内溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化ゲルマニウ
ムを１１３ｎｍ蒸着し、その上にフッ化マグネシウムを
６９ｎｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エト
キシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキ
ノン色素を８５％以上含む有機薄膜を記録層として８０
ｎｍ蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入
射の反射率をモニターしながら行ない第１のスペーサ層
酸化ゲルマニウムの蒸着終了時の基板入射反射率は１５
．６％と極大値をとる厚さに設定し、第２のスペーサ層
フッ化マグネシウムの蒸着終了時の基板入射反射率は９
．４％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの基板入射媒体反射
率は２２．７％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ
、再生信号も大きく良好であった。

１１男１ 内径１５　ｍｍ　、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの
案内溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化ゲルマニ
ウムを１１３ｎｍ蒸着し、その上に２酸化シリコンを８
０ｎｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキ
シアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノ
ン色素を８５％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎ
ｍ蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射
の反射率をモニターしながら行ない第１のスペーサ層酸
化ゲルマニウムの蒸着終了時の基板入射反射率は１５．
６％と極大値をとる厚さに設定し、第２のスペーサ層２
酸化シリコンの蒸着終了時の基板入射反射率は６．４％
と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの基板入射媒体反射
率は２３．１％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ
、再生信号も大きく良好であった。

１１ｆ玉 内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内
溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化ゲルマニウム
を１１３ｎｍ蒸着し、その上に酸化アルミニウムを８８
０ｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシ
アニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン
色素を８５％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎｍ
蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射の
反射率をモニターしながら行ない第１のスペーサ層酸化
ゲルマニウムの蒸着終了時の基板入射反射率は１５．６
％と極大値をとる厚さに設定し、第２のスペーサ層酸化
アルミニウムの蒸着終了時の基板入射反射率は４．２％
と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの基板入射媒体反射
率は２１．６％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ
、再生信号も大きく良好であった。

実施例６ 内径１５市、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内溝
付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化セリウムを１１
０ｎｍ蒸着し、その上に酸化アルミニウムを８８ｎｍ蒸
着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシアニリ
ノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素を
８５％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎｍ蒸着し
た。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射の反射率
をモニターしながら行ない第１のスペーサ層酸化セリウ
ムの蒸着終了時の基板入射反射率は１７．０％と極大値
をとる厚さに設定し、第２のスペーサ層酸化アルミニウ
ムの蒸着終了時の基板入射反射率は７．６％と、極小値
をとる厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの基板入射媒体反射
率は２３．８％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ
、再生信号も大きく良好であった。

１１璽ユ 内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ＩＩ１ｍの
案内溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、銅フタロシア
ニン色素を１１０４ｎ蒸着し、その上にフッ化マグネシ
ウムを６８ｎｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ
−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナ
フトキノン色素を８５％以上含む有機薄膜を記録層とし
て８０ｎｍ蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの
基板入射の反射率をモニターしながら行ない、第１のス
ペーサ層銅フタロシアニン色素の蒸着終了時の基板入射
反射率は２０．７％と極大値をとる厚さに設定し、第２
のスペーサ層フッ化マグネシウムの蒸着終了時の基板入
射反射率は１３．６％と、極小値をとる厚さよりも薄く
設定した。

このようにして作製した光ディスクの基板入射媒体反射
率は２５．９％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ
、再生信号も大きく良好であった。

１１男１ 内径１５ｍｍ、外径１２０＋ｎｍ、厚さ１．２闘の案内
溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、銅フタロシアニン
色素を１１０４ｎ蒸着し、その上に２酸化シリコンを７
０ｎｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキ
シアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノ
ン色素を８５％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎ
ｍ蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射
の反射率をモニターしながら行ない、第１のスペーサ層
銅フタロシアニン色素の蒸着終了時の基板入射反射率は
２０．７％と極大値をとる厚さに設定し、第２のスペー
サ層２酸化シリコンの蒸着終了時の基板入射反射率は１
１．６％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの基板入射媒体反射
率は２４．４％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ
、再生信号も大きく良好であった。

実施例９ 内径１５　ｍｍ　、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ａｕｎ
の案内溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、銅フタロシ
アニン色素を１１０４ｎ蒸着し、その上に酸化アルミニ
ウムを７８ｎｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ
−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１゜４−ナ
フトキノン色素を８５％以上含む有機薄膜を記録層とし
て８０ｎｍ蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの
基板入射の反射率をモニターしながら行ない、第１のス
ペーサ層銅フタロシアニン色素の蒸着終了時の基板入射
反射率は２０．７％と極大値をとる厚さに設定し、第２
のスペーサ層酸化アルミニウムの蒸着終了時の基板入射
反射率は８．２％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定
した。

このようにして作製した光ディスクの基板入射媒体反射
率は２４．２％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ
、再生信号も大きく良好であった。

実施例１０ 内径１５　ｍｍ　、外径１２０叩、厚さ１．２ｍｍの案
内溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、銅フタロシアニ
ン色素を１１０４ｎ蒸着し、その上に酸化イツ）　ＩＪ
ウムを８１ｎｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ
−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１゜４−ナ
フトキノン色素を８５％以上含む有機薄膜を記録層とし
て８０ｎｍ蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの
基板入射の反射率をモニターしながら行ない、第１のス
ペーサ層銅フタロシアニン色素の蒸着終了時の基板入射
反射率は２０．７％と極大値をとる厚さに設定し、第２
のスペーサ層酸化イツトリウムの蒸着終了時の基板入射
反射率は６．８％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定
した。

このようにして作製した光ディスクの基板入射媒体反射
率は２３．４％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ
、再生信号も大きく良好であった。

実施例１１ 内径１５　ｍｍ　、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの
案内溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、銅フタロシア
ニン色素を１１０４ｎ蒸着し、その上に酸化マグネシウ
ムを８３ｎｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−
エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１゜４−ナフ
トキノン色素を８５％以上含む有機薄膜を記録層として
８０ｎｍ蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基
板入射の反射率をモニターしながら行ない、第１のスペ
ーサ層銅フタロシアニン色素の蒸着終了時の基板入射反
射率は２０．７％と極大値をとる厚さに設定し、第２の
スペーサ層酸化マグネシウムの蒸着終了時の基板入射反
射率は５．６％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定し
た。

このようにして作製した光ディスクの基板入射媒体反射
率は２１．７％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ
、再生信号も大きく良好であった。

実施例１２ 内径１５　ｍｍ　、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの
案内溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化ニッケル
を１１０３ｎ蒸着し、その上にフッ化マグネシウムを７
０ｎｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキ
シアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノ
ン色素を８５％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎ
ｍ蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射
の反射率をモニターしながら行ない、第１のスペーサ層
酸化ニッケルの蒸着終了時の基板入射反射率は２１．４
％と極大値をとる厚さに設定し、第２のスペーサ層フッ
化マグネシウムの蒸着終了時の基板入射反射率は１３．
８％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの基板入射媒体反射
率は２７．２％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ
、再生信号も大きく良好であった。

１１■Ｕ 内径１５１０１１１．外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ
の案内溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化ニッケ
ルを１１０３ｎ蒸着し、その上に２酸化シリコンを７１
ｎｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシ
アニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン
色素を８５％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎｍ
蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射の
反射率をモニターしながら行ない、第１のスペーサ層酸
化ニッケルの蒸着終了時の基板入射反射率は２１．４％
と極大値をとる厚さに設定し、第２のスペーサ層２酸化
シリコンの蒸着終了時の基板入射反射率は１１．９％と
、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの基板入射媒体反射
率は２５．３％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ
、再生信号も大きく良好であった。

３１男Ｂ 内径１５　ｍｍ　、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｎ＋ｍ
の案内溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化ニッケ
ルを１１０３ｎ蒸着し、その上に酸化アルミニウムを８
０ｎｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキ
シアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノ
ン色素を８５％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎ
ｍ蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射
の反射率をモニターしながら行ない、第１のスペーサ層
酸化ニッケルの蒸着終了時の基板入射反射率は２１．４
％と極大値をとる厚さに設定し、第２のスペーサ層酸化
アルミニウムの蒸着終了時の基板入射反射率は８．０％
と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの基板入射媒体反射
率は２５．３％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ
、再生信号も大きく良好であった。

実施例１５ 内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内
溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化ニッケルを１
１０３ｎ蒸着し、その上に酸化マグネシウムを８３ｎｍ
蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシアニ
リノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素
を８５％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎｍ蒸着
した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射の反射
率をモニターしながら行ない、第１のスペーサ層酸化ニ
ッケルの蒸着終了時の基板入射反射率は２１．４％と極
大値をとる厚さに設定し、第２のスペーサ層酸化マグネ
シウムの蒸着終了時の基板入射反射率は５．８％と、極
小値をとる厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの基板入射媒体反射
率は２２．４％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ
、再生信号も大きく良好であった。

実施例１６ 内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内
゛溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化スズを９４
ｎｍ蒸着し、その上にフッ化マグネシウムを６２ｎｍ蒸
着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシアニリ
ノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素を
８５％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｍｍ蒸着し
た。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射の反射率
をモニターしながら行ない、第１のスペーサ層酸化スズ
の蒸着終了時の基板入射反射率は２７．８％と極大値を
とる厚さに設定し、第２のスペーサ層フッ化マグネシウ
ムの蒸着終了時の基板入射反射率は２１．０％と、極小
値をとる厚さよりも薄（設定した。

このようにして作製した光ディスクの基板入射媒体反射
率は２８．７％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ
、再生信号も大きく良好であった。

１Ｎ１７ 内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍの案内溝
付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化スズを９４ｒ＋
ｍ蒸着し、その上に２酸化シリコンを６４ｍｍ蒸着し、
その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシアニリノ）−
２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素を８５％
以上含む有機薄膜を記録層として３Ｑｎｍ蒸着した。こ
の成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射の反射率をモニ
ターしながら行ない、第１のスペーサ層酸化スズの蒸着
終了時の基板入射反射率は２７．８％と極大値をとる厚
さに設定し、第２のスペーサ層２酸化シリコンの蒸着終
了時の基板入射反射率は１８．７％と、極小値をとる厚
さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの基板入射媒体反射
率は２７．７％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ
０、再生信号も大きく良好であった。

ヌ１璽■ 内径１５■、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内溝
付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化スズを９４ｍｍ
蒸着し、その上に酸化アルミニウムを７３ｍｍ蒸着し、
その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシアニリノ）−
２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素を８５％
以上含む有機薄膜を記録層として８０ｍｍ蒸着した。こ
の成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射の反射率をモニ
ターしながら行ない、第１のスペーサ層酸化スズの蒸着
終了時の基板入射反射率は２７．８％と極大値をとる厚
さに設定し、第２のスペーサ層酸化アルミニウムの蒸着
終了時の基板入射反射率は１４．０％と、極小値をとる
厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの基板入射媒体反射
率は２８．９％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ
、再生信号も大きく良好であった。

実施例１９ 内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内
溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化スズを９４ｍ
ｍ蒸着し、その上に酸化マグネシウムを８０ｍｍ蒸着し
、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシアニリノ）
−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素を８５
％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｍｍ蒸着した。

この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射の反射率をモ
ニターしながら行ない、第１のスペーサ層酸化スズの蒸
着終了時の基板入射反射率は２７．８％と極大値をとる
厚さに設定し、第２のスペーサ層酸化マグネシウムの蒸
着終了時の基板入射反射率は９．１％と、極小値をとる
厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの基板入射媒体反射
率は２７．７％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ
、再生信号も大きく良好であった。

１１り皿 内径１５關、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内溝
付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化スズを９４ｍｍ
蒸着し、その上に酸化ゲルマニウムを８８ｍｍ蒸着し、
その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシアニリノ）−
２，ｇ−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素を８５％
以上含む有機薄膜を記録層として８０ｍｍ蒸着した。こ
の成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射の反射率をモニ
ターしながら行ない、第１のスペーサ層酸化スズの蒸着
終了時の基板入射反射率は２７．８％と極大値をとる厚
さに設定し、第２のスペーサ層酸化ゲルマニウムの蒸着
終了時の基板入射反射率は４．１％と、極小値をとる厚
さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの基板入射媒体反射
率は２４．７％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ
、再生信号も大きく良好であった。

１１亘旦 内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内
溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化スズを９４ｎ
ｍ蒸着し、その上に銅フタロシアニン色素を９０ｎｍ蒸
着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシアニリ
ノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素を
８５％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎｍ蒸着し
た。この成膜の際、波長８３０止の基板入射の反射率を
モニターしながら行ない、第１のスペーサ層酸化スズの
蒸着終了時の基板入射反射率は２７．８％と極大値をと
る厚さに設定し、第２のスペーサ層銅フタロシアニン色
素の蒸着終了時の基板入射反射率は２．７％と、極小値
をとる厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの基板入射媒体反射
率は２０．２％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ
、再生信号も大きく良好であった。

１１男罠 内径１５順、外径１２０市、厚さ１．２ｍｍの案内溝付
きアクリル樹脂ディスク基板に、銅フタロシアニン色素
を１１０４ｎ蒸着し、その上に２酸化シリコンを６８ｎ
ｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−メチルアニ
リノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素
を８５％以上含む有機薄膜を記録層としてｇＱｎｍ蒸着
した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射の反射
率をモニターしながら行ない、第１のスペーサ層銅フタ
ロシアニン色素の蒸着終了時の基板入射反射率は２０．
７％と極大値をとる厚さに設定し、第２のスペーサ層２
酸化シリコンの蒸着終了時の基板入射反射率は１２．０
％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの基板入射媒体反射
率は２８．５％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ
、再生信号も大きく良好であった。

実施例２３ 内径１５市、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内溝
付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化マグネシウムを
１２１ｎｍ蒸着し、その上に２酸化シリコンを１１００
ｎ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−プロポキシ
アニリノ）−２，３−ジシアノ−１゜４−ナフトキノン
色素を９０％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎｎ
＋蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射
の反射率をモニターしながら行ない、第１のスペーサ層
酸化マグネシウムの蒸着終了時の基板入射反射率は１０
．７％と極大値をとる厚さに設定し、第２のスペーサ層
２酸化シリコンの蒸着終了時の基板入射反射率は２．４
％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの基板入射媒体反射
率は１９．０％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ
、再生信号も大きく良好であった。

ｌ鵠璽ム 内径１５＋＋ｕ＋＋、外径１２０關、厚さ１．２ｒ＋ｕ
ｎの案内溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化マグ
ネシウムを１１０ｎｍ蒸着し、その上に２酸化シリコン
を１１０ｎｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−
エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフ
トキノン色素を９０％以上含む有機薄膜を記録層として
８０ｎｍ蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基
板入射の反射率をモニターしながら行ない、第１のスペ
ーサ層酸化マグネシウムの蒸着終了時の基板入射反射率
は１０．６％と、極大値をとる厚さよりも薄く設定し、
第２のスペーサ層２酸化シリコンの蒸着終了時の基板入
射反射率は２．１％と、極小値をとる厚さよりも薄く設
定した。

このようにして作製した光ディスクの媒体反射率は２１
．６％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ、再生信
号も大きく良好であった。

１１り社 内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内
溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化マグネシウム
を１１０ｎｍ蒸着し、その上にフッ化マグネシウムを９
０ｎｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキ
シアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノ
ン色素を９０％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎ
ｍ蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射
の反射率をモニターしながら行ない、第１のスペーサ層
酸化マグネシウムの蒸着終了時の基板入射反射率は１０
．６％と、極大値をとる厚さよりも薄く設定し、第２の
スペーサ層フッ化マグネシウムの蒸着終了時の基板入射
反射率は４．４％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定
した。

このようにして作製した光ディスクの媒体反射率は２２
．４％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ、再生信
号も大きく良好であった。

ス１亘匹 内径１５　ｍｍ　、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの
案内溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、銅フタロシア
ニン色素を９５ｎｍ蒸着し、その上にフッ化マグネシウ
ムを８０ｎｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−
エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１゜４−ナフ
トキノン色素を９０％以上含む有機薄膜を記録層として
８０ｎｍ蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基
板入射の反射率をモニターしながら行ない、第１のスペ
ーサ層銅フタロシアニン色素の蒸着終了時の基板入射反
射率は２０．４％と、極大値をとる厚さよりも薄く設定
し、第２のスペーサ層フッ化マグネシウムの蒸着終了時
の基板入射反射率は１２．２％と、極小値をとる厚さよ
りも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの媒体反射率は２８
．１％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ、再生信
号も大きく良好であった。

１１更Ｆ 内径１５　ｍｍ　、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２１１１
Ｉ１１の案内溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、銅フ
タロシアニン色素を８５ｎｍ蒸着し、その上に２酸化シ
リコンを８０ｎｍ蒸着し、その上に５ニアミノ−８−（
ｐ−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−
ナフトキノン色素を９０％以上含む有機薄膜を記録層と
して８０ｎｍ蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍ
の基板入射の反射率をモニターしながら行ない、第１の
スペーサ層銅フタロシアニン色素の蒸着終了時の基板入
射反射率は１９．６％と、極大値をとる厚さよりも薄く
設定し、第２のスペーサ層２酸化シリコンの蒸着終了時
の基板入射反射率は１１．５％と、極小値をとる厚さよ
りも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの媒体反射率は２３
．０％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ、再生信
号も太き（良好であった。

実施例２８ 内径１５閣、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内溝
付きアクリル樹脂ディスク基板に、ニッケルフタロシア
ニン色素を９５ｎｍ蒸着し、その上に酸化アルミニウム
を８０ｎｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エ
トキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフト
キノン色素を９０％以上含む有機薄膜を記録層として８
０ｎｍ蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板
入射の反射率をモニターしながら行ない、第１のスペー
サ層ニッケルフタロシアニン色素の蒸着終了時の基板入
射反射率は２０．４％と、極大値をとる厚さよりも薄く
設定し、第２のスペーサ層酸化アルミニウムの蒸着終了
時の基板入射反射率は９．２％と、極小値をとる厚さよ
りも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの媒体反射率は２３
．０％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ、再生信
号も大きく良好であった。

１１男皿 内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内
溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、コバルトフタロシ
アニン色素を９５ｎｍ蒸着し、その上に酸化マグネシウ
ムを９０ｎｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−
エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフ
トキノン色素を９０％以上含む有機薄膜を記録層として
８０ｎｍ蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基
板入射の反射率をモニターしながら行ない、第１のスペ
ーサ層コバルトフタロシアニン色素の蒸着終了時の基板
入射反射率は２０．４％と、極大値をとる厚さよりも薄
く設定し、第２のスペーサ層酸化マグネシウムの蒸着終
了時の基板入射反射率は５．５％と、極小値をとる厚さ
よりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの媒体反射率は２１
．７％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ、再生信
号も大きく良好であった。

１１男並 内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内
溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、銅フタロシアニン
色素を９５ｎｍ蒸着し、その上に酸化イツトリウムを８
５ｎｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキ
シアニリノ）−２，３＝ジシアノ−１，４−ナフトキノ
ン色素を９０％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎ
ｍ蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射
の反射率をモニターしながら行ない、第１のスペーサ層
銅フタロシアニン色素の蒸着終了時の基板入射反射率は
２０．４％と、極大値をとる厚さよりも薄く設定し、第
２のスペーサ層酸化イツ）　＋Ｊウムの蒸着終了時の基
板入射反射率は７．３％と、極小値をとる厚さよりも薄
く設定した。

このようにして作製した光ディスクの媒体反射率は２２
．８％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ、再生信
号も大きく良好であった。

１１舅丑 内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内
溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化ゲルマニウム
を９０ｎｍ蒸着し、その上にフッ化マグネシウムを９０
ｎｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシ
アニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン
色素を９０％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎｍ
蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射の
反射率をモニターしながら行ない、第１のスペーサ層°
酸化ゲルマニウムの蒸着終了時の基板入射反射率は１４
．７％と、極大値をとる厚さよりも薄く設定し、第２の
スペーサ層フッ化マグネシウムの蒸着終了時の基板入射
反射率は７．６％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定
した。

このようにして作製した光ディスクの媒体反射率は２４
．５％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ、再生信
号も大きく良好であった。

実施例３２ 内径１５　ｍｍ　、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２＋＋ｕ
ｎの案内溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化ゲル
マニウムを９０ｎｍ蒸着し、その上に２酸化シリコンを
９０ｎｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エト
キシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキ
ノン色素を９０％以上含む有機薄膜を記録層として８０
ｎｍ蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入
射の反射率をモニターしながら行ない、第１のスペーサ
層酸化ゲルマニウムの蒸着終了時の基板入射反射率は１
４．７％と、極大値をとる厚さよりも薄く設定し、第２
のスペーサ層２酸化シリコンの蒸着終了時の基板入射反
射率は６．８％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定し
た。

このようにして作製した光ディスクの媒体反射率は２１
．６％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ、再生信
号も大きく良好であった。

実施例３３ 内径１５ｍｍ、外径１２０＋＋ｕｎ、厚さ１．２＋ｉｉ
＋ノ案内溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化ゲル
マニウムを９０ｎｍ蒸着し、その上に酸化アルミニウム
を９０ｎｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エ
トキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフト
キノン色素を９０％以上含む有機薄膜を記録層として８
０ｎｍ蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板
入射の反射率をモニターしながら行ない、第１のスペー
サ層酸化ゲルマニウムの蒸着終了時の基板入射反射率は
１４．７％と、極大値をとる厚さよりも薄く設定し、第
２のスペーサ層酸化アルミニウムの蒸着終了時の基板入
射反射率は６．４％と、極小値をとる厚さよりも薄く設
定した。

このようにして作製した光ディスクの媒体反射率は１８
．７％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ、再生信
号も大きく良好であった。

実施例３４ 内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内
溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化セリウムを９
０ｎｍ蒸着し、その上に２酸化シリコンを９０ｎｍ蒸着
し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシアニリノ
）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素を９
０％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎｍ蒸着した
。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射の反射率を
モニターしながら行ない、第１のスペーサ層酸化セリウ
ムの蒸着終了時の基板入射反射率は１６．２％と、極大
値をとる厚さよりも薄く設定し、第２のスペーサ層２酸
化シリコンの蒸着終了時、の基板入射反射率は７．３％
と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの媒体反射率は２３
．２％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ、再生信
号も大きく良好であった。

１１男並 内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２１１１１１
１の案内溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化ニッ
ケルを９５ｎｍ蒸着し、その上にフッ化マグネシウムを
８０ｎｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エト
キシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキ
ノン色素を９０％以上含む有機薄膜を記録層として８０
ｎｍ蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入
射の反射率をモニターしながら行ない、第１のスペーサ
層酸化ニッケルの蒸着終了時の基板入射反射率は２１．
２％と、極大値をとる厚さよりも薄く設定し、第２のス
ペーサ層フッ化マグネシウムの蒸着終了時の基板入射反
射率は１２．７％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定
した。

このようにして作製した光ディスクの媒体反射率は２８
．９％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ、再生信
号も大きく良好であった。

１１１皿 内径１５１０１０．外径１２０ｎｏｎ、厚さ１．２ｍｍ
の案内溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化ニッケ
ルを８５ｎｍ蒸着し、その上に２酸化シリコンを８０ｎ
ｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシア
ニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色
素を９０％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎｍ蒸
着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射の反
射率をモニターしながら行ない、第１のスペーサ層酸化
ニッケルの蒸着終了時の基板入射反射率は２０．３％と
、極大値をとる厚さよりも薄く設定し、第２のスペーサ
層２酸化シリコンの蒸着終了時の基板入射反射率は１１
．９％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの媒体反射率は２３
．８％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ、再生信
号も大きく良好であった。

実施例３７ 内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内
溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化ニッケルを９
５ｎｍ蒸着し、その上に酸化アルミニウムを８０ｎｍ蒸
着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシアニリ
ノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素を
９０％以上含む有機薄膜を記録層として８．Ｏｎｍ蒸着
した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射の反射
率をモニターしながら行ない、第１のスペーサ層酸化ニ
ッケルの蒸着終了時の基板入射反射率は２１．２％と、
極大値をとる厚さよりも薄く設定し、第２のスペーサ層
酸化アルミニウムの蒸着終了時の基板入射反射率は９．
４％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの媒体反射率は２３
．８％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ、再生信
号も大きく良好であった。

実施例３８ 内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内
溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化ニッケルを９
５ｎｍ蒸着し、その上に酸化マグネシウムを９０ｎｍ蒸
着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシアニリ
ノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素を
９０％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎｍ蒸着し
た。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射の反射率
をモニターしながら行ない、第１のスペーサ層酸化ニッ
ケルの蒸着終了時の基板入射反射率は２１．２％と、極
大値をとる厚さよりも薄く設定し、第２のスペーサ層酸
化マグネシウムの蒸着終了時の基板入射反射率は５．５
％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの媒体反射率は２２
．５％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ、再生信
号も大きく良好であった。

１１男並 内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内
溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化スズを７５ｎ
ｍ蒸着し、その上にフッ化マグネシウムを７０ｎｍ蒸着
し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシアニリノ
）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素を９
０％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎｍ蒸着した
。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射の反射率を
モニターしながら行ない、第１のスペーサ層酸化スズの
蒸着終了時の基板入射反射率は２５．９％と、極大値を
とる厚さよりも薄く設定し、第２のスペーサ層フッ化マ
グネシウムの蒸着終了時の基板入射反射率は２０．５％
と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの媒体反射率は２５
．３％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ、再生信
号も大きく良好であった。

５並 内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内
溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化スズを５５ｎ
ｍ蒸着し、その上に２酸化シリコンを１１００ｎ蒸着し
、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシアニリノ）
−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素を９０
％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎｍ蒸着した。

この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射の反射率をモ
ニターしながら行ない、第１のスペーサ層酸化スズの蒸
着終了時の基板入射反射率は２０．５％と、極大値をと
る厚さよりも薄く設定し、第２のスペーサ層２酸化シリ
コンの蒸着終了時の基板入射反射率は１２．０％と、極
小値をとる厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの媒体反射率は２６
．３％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ、再生信
号も大きく良好であった。

実施例４１ 内径１５　ｍｍ　、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの
案内溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化スズを５
５ｎｍ蒸着し、その上に酸化アルミニウムを１１００ｎ
蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシアニ
リノ）−２，３−ジシアノ−１９，４−ナフトキノン色
素を９０％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎｍ蒸
着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射の反
射率をモニターしながら行ない、第１のスペーサ層酸化
スズの蒸着終了時の基板入射反射率は２０゜５％と、極
大値をとる厚さよりも薄く設定し、第２のスペーサ層酸
化アルミニウムの蒸着終了時の基板入射反射率は１１．
０％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの媒体反射率は２３
．９％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ、再生信
号も大きく良好であった。

１１１混 内径１５ｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２＋ｎｍの案内
溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化スズを６５ｎ
ｍ蒸着し、その上に酸化マグネシウムを１１００ｎ蒸着
し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシアニリノ
）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素を９
０％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎｍ蒸着した
。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射の反射率を
モニターしながら行ない、第１のスペーサ層酸化スズの
蒸着終了時の基板入射反射率は２３．６％と、極大値を
とる厚さよりも薄く設定し、第２のスペーサ層酸化マグ
ネシウムの蒸着終了時の基板入射反射率は８．７％と、
極小値をとる厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの媒体反射率は２４
．８％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ、再生信
号も大きく良好であった。

実施例４３ 内径１５　ｍｍ　、外径１２０ｆｆ１ｍ、厚さ１．２ｍ
ｍの案内溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化スズ
を７５ｎｍ蒸着し、その上に酸化ゲルマニウムを１１０
０ｎ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシ
ア、　ニリン）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキ
ノン色素を９０％以上含む有機薄膜を記録層として８０
ｎｍ蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入
射の反射率をモニターしながら行ない、第１のスペーサ
層酸化スズの蒸着終了時の基板入射反射率は２５．９％
と、極大値をとる厚さよりも薄く設定し、第２のスペー
サ層酸化ゲルマニウムの蒸着終了時の基板入射反射率は
５．０％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの媒体反射率は２３
．５％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ、再生信
号も大きく良好であった。

ス羞男Ｍ 内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内
溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、酸化スズを８５ｎ
ｍ蒸着し、その上に銅フタロシアニン色素を１１００ｎ
蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシアニ
リノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素
を９０％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎｍ蒸着
した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射の反射
率をモニターしながら行ない、第１のスペーサ層酸化ス
ズの蒸着終了時の基板入射反射率は２７．３％と、極大
値をとる厚さよりも薄く設定し、第２のスペーサ層銅フ
タロシアニン色素の蒸着終了時の基板入射反射率は２．
３％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。

このようにして作製した光ディスクの媒体反射率は２０
．１％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ、再生信
号も大きく良好であった。

実施例４５ 内径１５胴、外径１２０ａｕｎ、厚さ１．２ｍｍの案内
溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、銅フタロシアニン
色素を９５ｎｍ蒸着し、その上に酸化マグネシウムを９
Ｑｎｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキ
シアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノ
ン色素を９０％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎ
ｍ蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射
の反射率をモニターしながら行ない、第１のスペーサ層
銅フタロシアニン色素の蒸着終了時の基板入射反射率は
２０．４％と、極大値をとる厚さよりも薄く設定し、第
２のスペーサ層酸化マグネシウムの蒸着終了時の基板入
射反射率は５．５％と、極小値をとる厚さよりも薄く設
定した。

このようにして作製した光ディスクの媒体反射率は２１
．７％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ、再生信
号も大きく良好であった。

ス１舅胚 内径１５ｍ＋ｎ、外径１２０＋ｎｍ、厚さ１．２ｍｍの
案内溝付きアクリル樹脂ディスク基板に、銅フタロシア
ニン色素を３５ｎｍ蒸着し、その上に２酸化シリコンを
８０ｎｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−メチ
ルアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノ
ン色素を９５％以上含む有機薄膜を記録層として８０ｎ
ｍ蒸着した。この成膜の際、波長８３０ｎｍの基板入射
の反射率をモニターしながら行ない、第１のスペーサ層
銅フタロシアニン色素の蒸着終了時の基板入射反射率は
１９．６％と、極大値をとる厚さよりも薄く設定し、第
２のスペーサ層２酸化シリコンの蒸着終了時の基板入射
反射率は１１．５％と、極小値をとる厚さよりも薄く設
定した。

このようにして作製した光ディスクの媒体反射率は２７
．８％と大きいためサーボ信号が大きく、かつ、再生信
号も大きく良好であった。

Ｌ貝匁皇呈 上記実施例から明らかなように、本発明により再生信号
及びサーボ信号の大きな光情報記録媒体が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である光情報記録媒体の概略
図、 第２図、第３図は本発明の光情報記録媒体の原理を説明
するための概略図、 第４図から第３５図は光情報記録媒体の反射率の記録層
厚さによる変化を示す図、 第３６図から第４０図は比較のための反射率の記録層厚
さによる変化を示す図である。 （主な参照番号） １０・・基板、　２０・・記録層、 ３０・・第１のスペーサ層、 ４０・・第２のスペーサ層、

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 レーザ光の照射によって情報を記録しかつ読み取る光情
   報記録媒体で、該レーザ光に対して透明な基板上に、該
   レーザ光に対して実質的に透明でかつ該レーザ光の波長
   での屈折率が該基板の屈折率より大きい第１のスペーサ
   層と、該レーザ光に対して実質的に透明でかつ該レーザ
   光の波長での屈折率が該第１のスペーサ層より小さい第
   ２のスペーサ層と、該レーザ光を吸収する記録層の少な
   くとも３層が積層されている光情報記録媒体であって、 前記第１のスペーサ層は前記記録層と前記第２のスペー
   サ層が形成されていない状態での基板入射反射率が極大
   となる厚さか或いはそれよれも薄くし、前記第２のスペ
   ーサ層は前記第１のスペーサ層が形成されていて前記記
   録層が形成されていない状態での基板入射反射率が極小
   となる厚さよりも薄くしたことを特徴とする光情報記録
   媒体。