JPS5928478B2 - レ−ザ−ビ−ム記録方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はレーザービーム記録方法に関する強度変調且つ
走査或いは偏向されたレーザービームを高エネルギー密
度のスポットに集束し記録媒体に照射することによつて
記録媒体の一部を選択的に融解及び／又は蒸発すること
により変形及び／又は除去して情報の記録を行う方式は
一般に知られている。

この方式に用いられる記録媒体として従来知られている
のは支持体上にＲｈ、Ｂ１等の金属又は半金属の吸収層
を厚さ０．１ミクロン程度に薄膜として形成したもので
ある。

しかしこれら金属の薄膜の光反射率は通常使用されるレ
ーザー光の波長すなわち可視域、近赤外域、及び赤外域
で５０％以上の値を示す。すなわちこのままの状態では
照射したレーザー光の内金属の薄膜に吸収される光エネ
ルギー（有効光エネルギー）は５０％以下となつて効率
あるいは感度の観点から好ましくない。金属薄膜め高反
射率は主として金属の高い光吸収係数にもとずくもので
あつて反射率を低下させるためには必然的に低吸収係数
の物質を選択せねばならない。しかしこの場合には高光
吸収係数の物質と同量の光エネルギーを吸収させるため
には光吸収係数の比率だけ低光吸収係数の物質の膜厚を
増加させねばならない。しかし記録層の厚さと感度は相
反関係にあるため、反射率の低下がそのまま記録媒体の
有効光エネルギーの増加云い換えれば感度の向上に結び
つかず場合によつては感度の低下をもたらす。

一部、このことについて高い光吸収係数の材料の吸収層
を用いてなお高感度な記録媒体を与えるために吸収層の
上に反射防止層を付設する方法がある。即ち、吸収層上
に光学的関係を満足する屈接率及び層厚を有する反射防
止層を形成することによつて同じ光吸収係数及び層厚を
もつ吸収層単独の場合にくらべて有効光エネルギーを低
下させることなくその光反射率を１／２以下更に良好な
場合には１／１０以下に低減できる。このように記録層
が吸収層と反射防止層より構成される記録媒体は光反射
率の低減の他に相反則不軌の効果にもよつて感度が吸収
層だけのものに比らべて数倍以上場合によつては十倍以
上向上するばかりでなく記録密度あるいは解像力をも改
善されるものである。このことについて、金属層のよう
な高い熱伝導率の吸収層は記録時においてレーザービー
ムの照射部周辺の吸収層の温度もかなり上昇しその部分
にも触解等による変形が生じる。本来記録密度あるいは
解像力はそのレーザービームの集束スポツト径にのみそ
の最低値が限定されるべきものであるからこの周辺の変
形は記録密度あるいは解像力の低下につながるものであ
る。この原因となる熱伝導量はレーザービームの照射時
間に比例するものであつて１つの記録部分に対する照射
時間が短かい程、熱伝導量も低下し変形部分も小さくな
る。すなわち一定のパワーのレーザーを光源として用い
る場合、記録媒体の感度が高い程照射時間は短かくなり
高解像力が期待できることになる。反射防止層を付設し
た記録媒体の高解像力の原因も主としてこの効果による
と思われるがその他に未知の効果も存在するものと思わ
れる。しかしながら、このような反射防止層を付設した
記録媒体についてもいくつかの点でなお改善される余地
はある。

そのことは次に説明される。レーザービームを数ミクロ
ン以下のビーム径に集束するのに必要な光学系のワーキ
ングデイスタンス（レンズ表面から焦点までの距離）は
通常数百ミクロン以下と短かいために、レーザーの照射
条件によつてはレーザー照射時に記録媒体から発生する
記録媒体材刺の蒸気または粒子がレンズの表面に付着し
その後の記録精度を低める場合もある。又、これらレン
ズ系の焦点深度は通常数ミクロン以下であるため記録媒
体表面に有効にレーザー光を集束させるには何らかの手
段で集光状態を検出しその結果をフイードバツクさせ実
時間で一定の集束状態を維持することが必要とされる。
そのための最も一般的な方式として記録媒体からの反射
光を検出した場合レーザー照射毎に発生する記録媒体材
料の蒸気または飛散粒子が障害となつて検出精度を損う
場合もある。また、レーザーの照射条件並びに記録媒体
の材料によつては、レーザー照射時に発生する記録媒体
材相の蒸気特にその飛散粒子が記録情報のノイズの原因
となることもある。これは、レーザー照射により記録媒
体は溶解し、一時的ではあるが沸騰するためその一部は
飛沫粒子となつてレーザー照射部の記録媒体上に付着し
、この飛沫粒子は記録情報のノイズの一因となると考え
られる。而して本発明は、レーザービームの反射防止を
効果的に行つて、高感度で高解像の記録ができるレーザ
ービームの記録力法を提供することを主たる目的とする
。

本発明によるレーザービーム記録方法は、レーザービー
ムを吸収する吸収層、該吸収層の上に配した吸収層表面
におけるレーザービームの反射率を低減させる反射防止
層および該反射防止層の上に配した保護層を主体として
成る記録媒体に、該反射防止層の光吸収係数が０．３以
上となり、該反射防止層の光吸収係数と屈折率との比が
１．０以下となり、該保護層に対して透過性となる波長
のレーザービームを照射して記録することを特徴とする
ものである。

本発明による記録方法は、照射するレーザービームの波
長における反射防止層の光吸収係数および光吸収係数と
屈折率との比を一定以上又は以下とすることにより、後
述するように高い反射防止効果を実現でき、より弱いレ
ーザービームで高速記録かできるものである。

また、反射防止層は薄く指触などの僅かな外力によつて
も傷つき易いものである。反射防止層に傷が生じた場合
、その傷の部分では反射防止効果が失われるため記録む
らの原因になる。しかし、本発明では、反射防止層の上
に保護層を備えた記録媒体を用いることによつて、反射
防止層の傷発生が防止でき、記録むらを無くすことがで
きるものである。また本発明では、レーザービーム照射
時に生ずる記録材制の蒸気または飛散粒子が保護層によ
り内部に封じ込められるため、より高解像の記録ができ
るものである。第１図に示す記録媒体は吸収層３と反射
防止層２より構成される。

すなわちレーザービーム１の入射側に反射防止層２、吸
収層３が順次積層されている。通常吸収層は第２図のよ
うに支持体４の上に薄膜として形成されるものであるが
用途によつて例えば記録情報を反射光の強度比の形で読
みだす目的において、又記録レーザービームの出力が充
分大きい場合などにおいては必ずしも薄膜である必要は
なく吸収層自身に支持体としての役わりをかねさせるこ
ともできるものである。保護層５は第３図のように反射
防止層上に形成される。支持体が使用するレーザーの波
長で充分透過性である場合には第４図の構成も有効であ
る。さらにここでは説明のため吸収層、反射防止層、保
護層、さらには支持体をすべて単一層として表わしたが
実施に際してはこれら各層とも二層あるいはそれ以上の
多層構成として形成されることも有効であり、特に保護
層、反射防止層においてその効果は大きい。

さらに図に示さないが支持体と吸収層の間に中間層ある
いは下引き層を用いることは後述のように支持体への熱
伝導損失の改善及び支持体と金属層の接着性、密着性を
向上させる目的に有効となる。支持体は必要に応じて省
略されてもよい。第５図及び第６図は保護層をつけない
記録媒体と保護層をつけた記録媒体との記録状態を示し
たものである。第５図のように記録媒体に例えば、レン
ズ７を用いてレーザービーム１を集束させるとその部分
の反射防止層２及び吸収層３は吸集した光エネルギーに
より加熱され触解又は蒸発除去されて変形される。レー
ザービームの照射条件によつては、除去された記録層の
一部は表面張力等により周辺部にもり上り、他の一部は
粒子又は蒸気となる。それらのあるものは付着物６とし
てレンズなどに付着し、又あるものは記録周辺部の記録
媒体上に付着し、さらにあるものは記録部に残存する。
そしてこれらの付着物が記録の傷害あるいはノイズの原
因となる。それに対して本発明の記録媒体においては保
護層５が著しい変形を受けないようにレーザービームの
光エネルギーを設定した記録においては第６図に示すよ
うに周辺部又はレンズ等への付着物は存在しない。

又記録部の付着物も粒子状をとるよりもむしろ支持体又
は保護層の表面に一様な状態で付着するためノイズ等の
原因にはなりにくい。次に本発明の記録媒体の構成材刺
について順次説明する。基本的には吸収層に用いられる
物質は水銀等常温で液状を呈するものを除けば既知の金
属、半金属、半導体はすべて使用が可能である。

また、実用上のコスト及び安全性への配慮を考えると出
来うるかぎり低出力のレーザーを使用することが望まし
くその意味で記録媒体の感度は高いことが好ましい。高
感度であるために吸収層が満さねばならない条件として
は、低熱伝導率、低融点又は低沸点、あるいは低融解熱
又は低気化熱さらには高光吸収など係数が挙げられる。
また、吸収層の形成上の条件として厚さ数ミクロン以下
の安定な薄膜が得やすいことが挙げられる。又、記録層
は主として支持体と保護層の間に密閉されているため多
少条件は緩和されるのにしても今日の状況からみるにそ
の公害性（毒性）等にも配慮しなければならない。これ
らの条件にもとずいて吸収層材相として好ましいものは
Ｐｔ，Ｒｈ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，ｌｒ等の貴金属Ｃｒ，
ＭＯ，Ｔａ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｂ
ｌ等の周期表に上げられている金属及び半金属及びＧｅ
，Ｓｉに代表される半導体でありそれら物質の組合せよ
りなる合金及び化合物である。

さらにこれら物質の内例えばＢｉ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，
Ａｇのように比較的低温の領域で周囲の酸素や硫化物な
どと結合し部分的にせよ酸化物あるいは硫化物を形成す
るものについてはこれら金属、半金属、半導体などと、
それらの酸化物、硫化物の複合体も好ましい材相となる
。反射防止層の材刺はその屈接率及び層厚が金属層の屈
折率をパラメーターとした反射防止条件から必然的に設
定されるため一概に述べることはできない。

しかしながら１．安定な厚さ１ミクロン以下の薄膜が容
易に作成できること、２．吸収層と通常の条件下で反応
しそのため記録層が変質しないこと、３．使用方法にも
よるが無公害又は低公害性であることが望ましい、の条
件を満すものとしては通常レンズなどの反射防止膜に用
いられている酸化アルミニユーム、弗化マグネシウム、
弗化カルシユムに代表される透明誘電体、低真空蒸発沈
積あるいは真空蒸着等によるポリパラキシリレン、エポ
キシ樹脂、弗素樹脂、さらには酸化インジウム、酸化ス
ズ、ちつ化ハーフニウム等透明導電体膜材料として用い
られるものが有効である。

又、本発明者等は、吸収層が金属層のように大きな光吸
収係数を有することから、反射防止には、反射防止層自
体もある程度の吸収係数を有する物質による反射防止層
が特に有効であることを見出した。

すなわち反射防止層材刺の複素屈折率ｎ（ｎ＝ＮＯ−１
Ｋ：ＮＯ＝屈折率、ｉ：ＦＩ，Ｋ二吸Ｋ収係数）が一く
１．０〉０．３の条件を満す場合記ＮＯ録層全体の反射
率を容易に数パーセント程度に低下できる。

吸収率の低い透明物質で反射防止層を形成し第５図およ
び第６図のように金属層と反射防止層を共に除去する場
合において反射防止層の除去に必要な熱エネルギーは主
として吸収層からの熱伝導による。通常このような熱伝
導による記録では効率、高速記録の面で不利な点が多い
がそれに対してそれ自身に吸収を有する反射防止層では
それ自身もレーザービームの光エネルギーを吸収し、温
度上昇するためより高感度が遅成できるものと考えられ
る。

このことから、反射防止層材料として好ましいものは単
体ではＣｒ，Ｓｎ，Ｇｅ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｓｅ等の金属、
半金属、半導体物質であり化合物では酸化インジウム、
酸化チタン、酸化タングステン等の酸化物及びヒ化イン
ジウムに代表される金属と半金属の化合物である。

さらに特に好ましい物質としてはカルコゲナイドが上げ
られる。すなわちここで云うカルコゲナイド物質とは、
カルコゲン元素即ちＳ，Ｓｅ，Ｔｅを含む化合物であり
、広義にはＳ，Ｓｅ，Ｔｅ単体をも含む多種類の材料群
を称するものである。

代表的なものはカルコゲン元素以外にＡｓ，Ｓｂ，Ｐ，
Ｇｅ，Ｓｉ，Ｔｌｌその他の金属、ハロゲン元素の中か
ら選択される材刺を単種又は複数種含んでいる。カルコ
ゲン元素としてはＳ１これと化合物を形成すべき材料と
しては、Ｇｅ，ｎ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｆｅ，Ｂｉ，Ａ
ｌ，Ｓｉ，Ｚｎ，、などの金属、半金属或いは半導体が
良く特に、薄膜として好ましいものは、Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓ
ｎ，Ｃｕ，Ａｇｌの単独又は複数種を含むカルコゲナイ
ド物質である。以上有効な反射防止層材料を述べた。

しかしこれらの物質の内、特に酸化物とカルコゲナイド
については、これらの化合物ではその種類も多く且つ化
学量論的組成比を必ずしも満足しないものが大部分を占
めるためすべてのものを列記できない。従つてこれら酸
化物及びカルコゲナイドでは酸素及びカルコゲン元素の
含有率の微量な変化によりその物性特に光学的性質が変
化するため実際に反射防止層として用いる場合にはその
作成条件によつて最も適合するものを選択すればよい。
反射防止層の光吸収率は相対的に吸収層より小さく設定
されるのがよい。

吸収層および反射防止層の形成手段は多くあり、それぞ
れ一長一短があるが最も一般的なものは抵抗加熱、電子
ビーム加熱及びイオンビーム加熱などの力式による真空
蒸着法、スパツタリング法である。吸収層に用いる材料
の性質、記録媒体の用途によつてその最適条件が変化し
、一概に述べることはできないが一般に１０〜０．０１
μであり特に１〜０．１μが感度、分解能の点から好ま
しい領域である。又、反射防止層の厚さもこれが光学的
条件により設定されるものであるためレーザービームの
波長等によつて変化し一概にその範囲を定められないが
、通常は１ミクロン以下最も一般的には０．０１〜０．
３ミクロンである。支持体は本質的な影響をもつもので
はない。

書き込まれた情報を読み出す時、透過性を用いるか反射
光を利用するかなどの差により支持体を透明、半透明、
不透明物質にするかが設定される。又、使用するレーザ
ービームの強度等により支持体の熱容量、反射率等の物
理量が制限されるのでこれからも支持体物質が設定され
る。通常用いられる支持体はポリエステル、ポリエチレ
ン、アセテート等の透明な高分子類、酸化物ガラス、板
状又は箔状のＡｌ等の金属等である。保護層は次の条件
を満すように設定されるのがよい。１）少くとも使用す
るレーザービームの波長でレーザービーム照射時には透
過性であること２）光学的に一様な層が容易に形成でき
ること３）耐久性、機械的強度特にその表面強度が実用
上充分であること４）吸収層または反射防止層との密着
性がよいこと５）保護層の存在により記録媒体としての
感度が著しい低下を示さないこと６）用途にもよるが通
常情報記録に際して保護層は破壊されるなどの著しい変
化を生じないこと上記条件の内条４ｉ！＋１．６）は照
射するレーザービームのエネルギー量に依存する。

すなわち後述の実施例から明らかなように通常これら保
護層はそのレーザービームの波長で透過性でありそれ自
信がレーザービームを吸収も、その温度が上昇すること
はほとんど無視できる。しかし保護層下部の記録層は力
）なりの高温になるため熱伝導等により保護層も加熱さ
れる。結局保護層が加熱変形あるいは分解破壊等を生ず
るか否かはそれが受けとる熱量によつてきまり例えばあ
るレーザービームのエネルギーまでは記録層のみ溶融及
び／又は蒸発変形し、保護層の変化はないかあるいは第
５図に示されるような付着物か外部に現れない点におい
て、無視できるがそれ以上のエネルギーを与えると保護
層も変化すると考えられる。本発明において保護層材相
は上記条件を満足すればよく無機物質、有機物質のいか
んを問かない。

無機物質について具体例を上げれば特にアルゴンレーザ
ー、クリプトンレーザー、Ｈｅ−Ｈｅレーザー等の可視
域、近赤外レーザーにより記録を行う場合などＺｎＯ，
ＭｇＯ，Ａｌ２Ｏ３，ＳｌＯ，ＳｉＯ２ｚｒＯ２，ｃｅ
Ｏ２，Ｉｎ２Ｏ３，ｓｎＯ２，ＴｉＯ２の酸化物及びＭ
ｇＦ２，ＣａＦ２，ＣｅＦｅの弗化物に代表される透明
誘電体及び透明導電体が好ましくＺｎｓ，Ｇｅｓ２，Ｓ
ｂ２Ｓ３等のカルコゲン化合物も又、有効である。これ
ら無機物質による保護層の作製は記録層の場合と同様で
あるが、特に抵抗加熱及び電子ビーム加熱による真空蒸
着法を採用することにより同一ベルジヤ一内で連続して
形成することかできる特長を有する。すなわちこれによ
つて記録媒体で問題となる記録層表面へのゴミ等の付着
を防止できるのみならず記録媒体作製に要する時間、費
用等の面においても有効となる。無機物質による保護層
の膜厚はその物質の物性定数、例えば屈折率、熱伝導率
、融点、融解熱等の性質と保護層に関する条件の対応を
記録層材料と関連ずけ個々に設定されるべきものである
が一般にその膜厚は１０μ〜０．１μが好ましい。有機
物質特に有機高分子樹脂として一般に知られる物質も本
発明の保護層材相として有効なものである。

周知のようにこれら有機物質の種類はぼう大であるが本
発明において有効なものは溶剤揮散及び触媒によつて硬
化する性質をもつものである。例えば溶剤揮散型として
はニトロセルロース系、アセチルセルロース系、ポリ塩
化ビニル系、ポリカーボネイト系、飽和ポリエステル系
、ポリスチレン系、アクリル系などの樹脂があり触媒硬
化型としては不飽和ポリエステル系、ポリウレタン系、
工、ポキシ系などが上げられる。その内特に塗布の容易
性、フイルムのような屈曲性に富む物質による支持体と
の適合性、レーザーによる記録の際の安定性などの点で
特に好ましいものは線状飽和ポリエステルとして知られ
るもの、又はニトロセルロースとアクリル樹脂の組合せ
によるものである。上記有機高分子樹脂を保護層として
形成する手段はすでに各種のものが知られており代表的
なものを列記すればスプレー方式、デイツピイグ、ブレ
ード及びバ一によるコーテイングが挙げられる。

又、弗素樹脂など特殊なものについては低真空での蒸着
も一様性の面で好ましいものである。有機物質による保
護層の膜厚は通常数十ミクロン以下であるが２〜２０ミ
クロンの領域がとくに好まし０）２ミクロン以下であつ
ても記録層材相と照射レーザービームエネルギーの組合
せによつては充分前述の保護層に関する条件を満足しう
るが、通常に塗布方式であられれやすい微小な保護層膜
厚の変化がそのまま干渉色となつて観察できることのあ
るためマイクロフイルム等の用途では画像性の面で好ま
しくなり、又、１ミクロン以下の膜厚では上記有機高分
子の機械的強度が不充分であることが多く通常不適当で
ある。さらに保護層が二層構成である場合にはその一つ
をポリエステル、アセテート等の有機透明フイルムとし
、一方の接着性樹脂とすることによりラミネート方式に
より保護層を形成することも有効である。次に実施例に
より本発明を更に説明する。

実施例 １ 次の表に示す材料及び条件で記録媒体を製造した。

形成された反射防止層の０，４８８ミクロンの波長光に
対する光吸収係数および屈折率はそれぞれ１，０７およ
び２．９８でその比は０．３６であつた。

また、吸収層単独では反射率４８％であつたが、この反
射防止層によつて反射率は１０％まで減少できた。この
反射防止層の上に保護層形成して記録媒体を作成した。
保護層材制は線状飽和ポリエステル樹脂（商品名：バイ
ロン２００）で、これをメチルエチルケトンにより３０
（：！）に希釈し、さらにこれをトルエンにより２：１
に希釈したものを用いた。作製方法は通常のスピンナー
方法で保護層の厚さは２〜３ミクロンとした。この様に
して製造した記録媒体にビデオ信号を記録した。

即ち、記録媒体を回転デイスク上に固定し１８００ｒｐ
ｍで回転した。光源にはアルゴンレーザ゛一（波長０．
４８８ミクロン、出力２００ｍＷ）をもちいさらに電気
光学素子によりビデオ信号に従つてＦＭ変調した。レー
ザービームの集束はワーキングデイスタンス約７０ミク
ロンの顕微鏡対物レンズを使用した。その際対物レンズ
の支持台はデイスク一回転につき約２ミクロンだけ半径
力向に移動するように設定した。この記録方式によつて
ビデオ信号は記録媒体の凹凸の形でスパイラル状に記録
された。

又、保護層に識別できる変化はみとめられることなく、
記録層に記録が行われた。さらに記録媒体の表面を詳細
に観察したところドロツプアウトの原因となる他の部分
からの粒状物質の記録部分への付着はみとめられなかつ
た。また、反射防止層を設けることによつて、吸収層単
独の場合に較べてレーザービームの光エネルギーは約１
／４で記録することができた。

また、本実施例において、次の表に示す物質により吸収
層および反射防止層を形成した記録媒体についてアルゴ
ンレーザーの波長光に対する反射率および相対感度を求
めた。

なお、上記表において相対感度は吸収層として７００λ
厚のビスマス層にレーザー記録をするに必要なレーザー
ビームの光エネルギーを１とした場合のものである。

実施例 ２ 実施例１の記録媒体において支持体を厚さ７５μのポリ
エステルフイルムとしたものを作製した。

また保護層は線状飽和ポリエステル樹脂の代りに、ニト
ロセルロース、アクリル樹脂及び少量の可塑剤を配合し
たもの（商品名：アロンＳｌＯＯ５）をメチルエチルケ
トンとトルエンでそれぞれ２：２：１で希釈したものを
バーコーテイングにより厚さ３ミクロンに塗布、乾燥さ
れて形成された。記録方式は次の通りである。直径２（
：Ｔｎのドラム表面に本実施例の記録媒体を粘着テープ
により支持体を下にしてはりつけた後ドラムを回転され
る方向で一力向の走査を行つた。それと直角力向の走査
はレーザー光を集束する対物レンズをドラムの軸方向に
一定速度で移動させることで実施したレーザー光の強度
変調は電気光学素子によりそれにオリジナルの画像の各
点の濃度に従つた信号を入力させることで行つた記録条
件は集束ビーム径約３ミクロン、走査速度約２．５ｍ／
秒、記録時間（オリジナル：Ａ４サイズ、縮小率１／９
）１分、解像力５００本／Ｍｍでレーザーはアルゴンレ
ーザー（波長０．４８８ミクロン出力約２００ｍＷ）で
あつた。上記方法により記録したマイクロ画像を透過形
のマイクロフイルムビユア一により観察を行つた。

その結果保護層を付設しなかつた記録媒体を用いた場合
に、白抜き部分（レーザービーム照射部）において記録
層物質と思われる直径数ミクロンの島状に多少存在し画
像像をそこなつている付着物が観察されるのに対して、
本実施例の保護層のある記録媒体では島状とはならず一
様な形で分布しており画像は良好であつた。又、保護層
にはみとめうる変化は存在しなかつた。次にレーザーの
出力を４００ｍＷに上げて記録を行つたところ保護層は
熱変形しているのがみとめられた。

実施例 ３ 実施例２の記録媒体において、保護層材判としてＣａＦ
２を用いて記録層を形成したものと同一真空ペルシャー
内で連続蒸着して記録媒体を作製した。

連続蒸着では記録層、保護層を別個に蒸着するものにく
らべ記録層表面のゴミの付着が大巾に減少し又、作製に
用する時間も半分以下に減少した。ＣａＦ２蒸着膜の膜
厚は約１．２μであり、蒸着源はＣａＦ２単結晶を用い
た。この信号をもつ記録媒体に実施例２の記搬装置によ
りマイクロ画像を同じ条件で記録した所良好な画像が得
られ又、使用したレーザーの最高出力４００ｍＷ以内で
は保護層の破壊はみとめられなかつた。

実施例 ４ 実施例３の保護層ＣａＦ２にかえて硫化亜鉛を用いた記
録媒体を作製した。

硫化亜鉛は抵抗加熱法により真空蒸着により作製した。
蒸着条件は次のとおりである。

この方法によつて作製したＺｎＳ膜はほぼ可視域で透明
であつた。

この保護層をもつ記録媒体に実施例２の記録装置により
マイクロ画像を同じ条件で記録した所、良好な画像が得
られ、又、使用したレーザーの最高出力４００ｍＷ以内
では保護層の破壊はみとめられなかつた。

実施例 ５ 実施例４の保護層を、下記の蒸着条件で電子ビーム蒸着
したＳｉＯ２にかえた記録媒体を作製した。

この保護層をもつ記録媒体に実施例２の記録装置により
マイクロ画像を同じ条件で記録した所、良好な画像が得
られ、又使用したレーザーの最高出力４００ｍＷ以内で
は保護層の破壊はみとめられなかつた。実施例 ６ 記録媒体として吸収層としてＡｕの真空蒸着膜（厚さ０
．１ミクロン）、反射防止層としてＳｉの電子ビーム蒸
着膜（厚さ０．０１４ミクロン、０．４８８ミクロンの
波長光における光吸収係数および屈折率はそれぞれ１．
２０および２。

９０）、支持体ポリエステルフイルム（厚さ７５ミクロ
ン）、を作成し、さらに保護層としてニトロセルロース
系樹脂を実施例２と同様な条件及び方式で形成した。

次にこの記録媒体について実施例２と同様な刀式でマイ
クロ画像を記録したところ良好な画像が得られた。実施
例 ７ 実施例６の記録媒体について反射防止層のみをＴｌＯ（
厚さ０．０６ミクロン、０．４８８ミクロンの波長光に
対する光吸収率および屈折率はそれぞれ０．５および１
．６５）Ｉこかえたものを作製し、同様な実験を行つた
。

ここでＴＩＯ層はタングステンボートにより抵抗加熱法
真空蒸着で作成した。

次にこの記録媒体に実施例２の方式に準じてマイクロ画
像を記録し良好な画像を得ることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は記録媒体の１例を示す。 第２図〜第４図は本発明の記録媒体の各１態様を示す。
第５図は記録方法の１例を示す。第６図は本発明の記録
媒体を用いての記録方法の１態様を示す。１・・・・・
・レーザービーム、２・・・・・・反射防止層、３・・
・・・・吸収層、４・・・・・・支持体、５・・・・・
・保護層、６・・・・・・付着物、７・・・・・ルンズ
。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ レーザービームを吸収する吸収層、該吸収層の上に
   配した吸収層表面におけるレーザービームの反射率を低
   減させる反射防止層および該反射防止層の上に配した保
   護層を主体として成る記録媒体に、該反射防止層の光吸
   収係数が０．３以上となり、該反射防止層の光吸収係数
   と屈折率との比が１．０以下となり、該保護層に対して
   透過性となる波長のレーザービームを照射して記録する
   ことを特徴とするレーザービーム記録方法。