JPS597093A - 光学記録媒体 - Google Patents

光学記録媒体

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JPS597093A
JPS597093A JP57118030A JP11803082A JPS597093A JP S597093 A JPS597093 A JP S597093A JP 57118030 A JP57118030 A JP 57118030A JP 11803082 A JP11803082 A JP 11803082A JP S597093 A JPS597093 A JP S597093A
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JP
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thin film
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optical
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政廣 樋口
Osamu Oota
修 太田
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Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔利用分野〕 本発明は光学的な記録媒体に関するものであり、レーザ
光等の光及び熱エネルギーを用いて情報を高密度に記録
し、且つ再生可能な記録媒体に関す杷 レーザ光線を利用して高密度な情報の記録・再生を行う
装置及び技術は公知である。そして光学的記録材料につ
いては、レーザ光の照射により、ピット（凹部）を形成
するものと、照射部の光学的特性（例えば、反射率、吸
収係数、屈折率）を変化させるものとがある。
前者は、レーザ光等のエネルギービームラ照射して、基
板上の金属等の薄膜を溶融あるいは蒸発させピラトラ形
成するものである。この方式の記録材料の代表例として
は、低融点金属であるＢｉ、８ｅ、’ｌ”ｅ、　Ｇｏ、
■ユ等の単体金員及び合金である。
後Ｍは、レーザ光照射により、基板上の薄膜の光学的な
性質の変化を生ぜしめるものである。即ち、物質の相転
移あるいは原子間の結合状態を替えて、反射率、透過率
あるいは屈折率等の光学的性質の変化を行うものである
。本発明は、斯かる復音の方式に関する。
〔従来技術〕
前記光学的性質の変化を利用する記録材料の代べ例とし
てカルコゲン化物が知られている。即ち、酸素？除く周
期率表の第六族の元素Ｓ、８ｅ、　’ｒｅ等の金属ある
いは半缶属の化合物薄膜である。例えば、特公昭５４−
４７２５号にテルル低酸化物Ｔ。
０ｘＣｏ＜ｘ＜２−０）ｋ主成分とする材料について報
告されている。
これは、非晶質状態から結晶状態あるいは他の非晶質状
態への相転移による光学的特性への変化によるものであ
る。テルル低酸化物はレーザ光照射による加熱昇温によ
り黒化する。熱黒化転移温度はＴｅ成分の鰍によシ異な
り、１゛ｅ成分が多いと転移温度が低く、反対にＴｅ成
分が少ないと転移温度は高い、、Ｘ＝０．８〜１．２の
間で、熱黒化転移温度は８０℃〜１５０℃である。１’
θＯ）ｃ、　Ｘ＝１．１　の薄膜（厚み１２００Ｘ）に
ついて、半導体レーザ波長で透過率が１５％から５％へ
と減少し、反射率が１５％から５０％へと増加する。
ところで、信号を記録再生する場合、ＳｌＳ比の点から
光学的特性変化が大きいことが望しい。１゛ｅＯｘの場
合、再生は表面反射変化により行う。
８／Ｎ比の点からＨえば、反射光変化の鰍は未だ不充分
である。
〔目　的〕
光学的特性変化が大きい記録媒体を提供することを目的
とする。更に、光学的特性の変化により生ずる表面変化
を抑えんとするものである。
〔要　点〕
カルコゲン元素Ｔｅと他の酸化物により、効果的に非晶
質状態を得て、カルコゲン元素の特徴（光学的変化）を
用いるものである。酸化物を用いる理由は、一般に酸化
物は透明のものが多く、初期光学的濃度を小さく出来る
からである。
更に、光学的特性の変化した部分に生ずる表面変化を、
酸化シリコン薄膜を、前記非晶質薄膜の上に積層するこ
′とによジ防止するものである。
〔実施例〕
本発明に係る記録媒体はテルル（Ｔｏ）、シリコン（＄
１）及び酸素（０）からなる。即ち、透過率の高い酸化
シリコン８Ｊ、ｏＸ　（ｏ＜ｘ≦２）とテルル（Ｔｅ）
とからなる非晶質薄膜を用いる。薄膜の組成は”’ｅ　
　ｙ　　５ｉｏｘ　　１ｏｏ−ｙ（Ｙはモル％、０＜Ｙ
＜１００、ｏ＜ｘ≦２）である。Ｙ−４５、Ｘ＝＋２、
膜厚１ｓｏｏＸなる場合、第１図に示すような熱転移に
よる反射率及び透過率の変化をした。熱転移温度は約１
６０℃である。
この熱転移により半導体レーザ波長（”８０００＾〕に
於いて透過率は５６％から２０％へと減少し、また反射
率は２０％から４０％へと増加した。
−酸化シリコン（ＪＯ）とテルル（Ｔｅ　）との非晶質
状態に於いても殆んど同様の効果が得られた。
即ち、８１０２が８ｉ０ｚ（０（Ｘ≦２）となっても、
形成される非晶質状態薄膜の転移温度及び光学的特性変
化に大きな差がないことを示している。
ところで、上述した酸化シリコンテルル薄膜について、
光照射し、光学的特性の変化した部分には、゛、表面変
化を生ずる。上記薄膜を１５０℃にて熱処理し、その後
、表面状態を観察したところ、多少表面に突起が生じて
いた。斯かる表面状態の変化は、記録信号の再生の際に
、再生信号の８／Ｎ比の劣化、再生信号の信号量の減少
等をもたらす。
本発明は斯かる欠点全除去する為に非晶質薄膜の上に、
酸化シリコン薄膜を形成している。厚みは５００λ以上
とすると良い。
次に第２図を参照して、上記材料を利用した記録媒体に
ついて説明する。基板（１）としては、ガラ７板若Ｌ＜
はポリメチルメタクレート樹脂、ポリ塩化ビニール樹脂
ミポリカーボネート樹脂、ポリエチルテレフタレート樹
脂等の合成樹脂シート若しくはフィルムを用いる。この
上に熱定数等を調整する為に熱絶縁層（２）を設ける。
これは、テルル・酸化シリコン薄膜の熱黒化転移を低パ
ワーのレーザ光にて生ぜしめる為のものである。この熱
絶縁層として、酸化シリコン、プラヌ゛マ重合膜、合成
樹脂等が効果的である。この上に、テルル・酸化シリコ
ンの非晶質薄膜（３）ケ形成する。その組成は上述した
通りである。更にこの上に、酸化シリコン薄膜（４）を
形成する。その厚みは前述した通り、５００λ以上とす
ると良い。
〔効　果〕
カルコゲン元素特有の光学特性変化を示すテルル・酸化
シリコンからなる非晶質薄膜を用いたので、従来に比較
して大きな光学特性の変化が得られた。更に、光学的特
性の変化した部分の非晶質薄膜に生ずる表面変化を酸化
シリコン薄膜で抑えたので、再生信号の劣化を防止でき
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る記録媒体の特性を示す図、第２図
は本発明に係る記録媒体の構成を示す図である。 （１）・・・・・・基板、（２）・・・・・・熱絶縁層
、（３）・・・・・・非晶質薄膜、（４）・・・・・・
酸化シリコン薄膜。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）光学的あるいは熱的なエネルギー照射により光学
    特性変化を得る光学記録媒体であって、基板上にテルル
    （Ｔｅ）と酸化シリコン（ｓｉｏｘ）を主成分とする非
    晶質薄膜を形成すると共に、この非晶質薄膜の上に、こ
    の非晶質薄膜の表面変化を防止する表面変化防止膜を形
    成したことを特徴とする光学記録媒体。
  2. （２）非晶質薄膜が、Ｔｅ　ｙ　８１０Ｘ　１００−Ｙ
    　（但し、０（Ｘ≦２．０（Ｙ（１００、Ｙはモル％）
    を主成分とし、表面変化防止膜が酸化シリコン薄膜であ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学記
    録媒体。
JP57118030A 1982-07-06 1982-07-06 光学記録媒体 Granted JPS597093A (ja)

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JPH0376237B2 JPH0376237B2 (ja) 1991-12-04

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