JPS5935988A - 情報記録媒体 - Google Patents
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- JPS5935988A JPS5935988A JP57145936A JP14593682A JPS5935988A JP S5935988 A JPS5935988 A JP S5935988A JP 57145936 A JP57145936 A JP 57145936A JP 14593682 A JP14593682 A JP 14593682A JP S5935988 A JPS5935988 A JP S5935988A
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- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00454—Recording involving phase-change effects
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
デジタルオーディオディスク等に適用して好適な情報記
録媒体に係る。
録媒体に係る。
背景技術とその問題点
光学式の反射型或いは透過型ビデオディスク、デジタル
オーディオディスク等は既に実用化されるに至っている
が、通常のこの種のディスクにおいては、一般ユーザー
はそのディスクに記録された情報を読み出すのみの使用
態様を保っている。
オーディオディスク等は既に実用化されるに至っている
が、通常のこの種のディスクにおいては、一般ユーザー
はそのディスクに記録された情報を読み出すのみの使用
態様を保っている。
一般ユーザーにおいてその媒体、例えばディスクに任意
の情報を蒼き込むことのできる記録可能な情報記録媒体
も種々提案されてはいるものの未だ実用化されるに至っ
ていない。従来提案されている記録可能な情報記録媒体
としては、例えばその記録材料層として厚さの薄い低融
点金属）換例えばビスマスＢｉ、テルルＴｅによって構
成し、これにレーザー光を情報信号に応じて照射してこ
れを溶融させ、その溶融部において透孔ないしは四部よ
り成る形状的記録ビットを形成してその情報記録を行う
ようにしている。
の情報を蒼き込むことのできる記録可能な情報記録媒体
も種々提案されてはいるものの未だ実用化されるに至っ
ていない。従来提案されている記録可能な情報記録媒体
としては、例えばその記録材料層として厚さの薄い低融
点金属）換例えばビスマスＢｉ、テルルＴｅによって構
成し、これにレーザー光を情報信号に応じて照射してこ
れを溶融させ、その溶融部において透孔ないしは四部よ
り成る形状的記録ビットを形成してその情報記録を行う
ようにしている。
ところがこのような透孔或いは四部による記録ピットを
形成する記録態様を採るものにおいては、記録層に対す
る溶融のためにその書き込みに大きなパワーを必要とし
、またこのようにして例えば溶融によって形成した記録
ピットの形状もその制御がなしにくいためにノイズレベ
ルが高くなり、また解像度が低いすなわち高密度記録が
なしにくいという欠点を有する。
形成する記録態様を採るものにおいては、記録層に対す
る溶融のためにその書き込みに大きなパワーを必要とし
、またこのようにして例えば溶融によって形成した記録
ピットの形状もその制御がなしにくいためにノイズレベ
ルが高くなり、また解像度が低いすなわち高密度記録が
なしにくいという欠点を有する。
発明の目的
本発明においては情報記録を溶融或いは蒸発等の機械的
形状変化による記録ピットとして形成するを回避し、そ
の情報配録を特に光学的特性の変化として記録するよう
にして解像度の向上と記録パワーの低減化を図る。
形状変化による記録ピットとして形成するを回避し、そ
の情報配録を特に光学的特性の変化として記録するよう
にして解像度の向上と記録パワーの低減化を図る。
そしてまた特に本発明においては、この記録時の光学的
特性の変化が実質的に顕著に生ずるようにして感度の格
段的向上を図る。
特性の変化が実質的に顕著に生ずるようにして感度の格
段的向上を図る。
発明の概要
第１図を参照して本発明による情報記録媒体を説明する
。図中Ｓは本発明による情報記録媒体を全体として示す
。
。図中Ｓは本発明による情報記録媒体を全体として示す
。
本発明においては、基体、例えばガラス基板或いはアク
リル樹脂等の透明の基体（１）を設け、この基体（１）
上に、多層構造の記録層を被着形成する。
リル樹脂等の透明の基体（１）を設け、この基体（１）
上に、多層構造の記録層を被着形成する。
この記録層は、夫々異種の物質より成り、夫々記録光例
えば５ｏｏｏ Ｘの波長の半導体レーザー光の吸収加熱
によってすなわち、主としてこのレーザー光の吸収によ
る熱エネルギーによって、或いは、この熱エネルギーと
レーザー光の光エネルギーによって、その光学的特性す
なわち光学定数例えば屈折率ル或いは及び消光係数ｋが
変化する少くとも第１及び第２の記録層（２）及び（３
）が積層された構成とする。
えば５ｏｏｏ Ｘの波長の半導体レーザー光の吸収加熱
によってすなわち、主としてこのレーザー光の吸収によ
る熱エネルギーによって、或いは、この熱エネルギーと
レーザー光の光エネルギーによって、その光学的特性す
なわち光学定数例えば屈折率ル或いは及び消光係数ｋが
変化する少くとも第１及び第２の記録層（２）及び（３
）が積層された構成とする。
各記録層（２）及び（３）は、記録光の照射による光学
的定数の変化により決まる変調度が最も大きく採れる膜
厚とするも、夫々例えば５０〜１０００ Ｘに選定され
、その全体的な厚さは、記録部の熱容量等の問題から解
像度の低下を来すことのない千数百Ａ程度以下とするこ
とが望ましい。
的定数の変化により決まる変調度が最も大きく採れる膜
厚とするも、夫々例えば５０〜１０００ Ｘに選定され
、その全体的な厚さは、記録部の熱容量等の問題から解
像度の低下を来すことのない千数百Ａ程度以下とするこ
とが望ましい。
この情報記録媒体に対する情報の書き込み、すなわち記
録光の照射は、第１の記録層すなわち基体（１）側から
の照射によって行われる。
録光の照射は、第１の記録層すなわち基体（１）側から
の照射によって行われる。
第２の記録層（３）は、記録光に対して第１の記録層（
２）に比しては高い反射率を有する層とされる。
２）に比しては高い反射率を有する層とされる。
第１の記録層（２）は、例えばＴ １１ Ｔ ｅ ＠
） Ｉ ｎ！１ｒｅＢ＃Ｔｌ、 Ｓｅ、 、８ｂ！ｓｅ
、 、ｓｔ、 Ｓｅ、のうちがら選ばれ、第２の記録層
（３）は、例えばＳｂ、 Ｔｅ３ 、Ｉｎ、 Ｔｅ３
、ＴＩ！Ｔｅ３．ＴＩ、 Ｓｅ、 、Ｂｉ、 Ｓｅ、
、Ｂｉ、 Ｔｅ、のうちがら選ばれる。尚、これら各化
合物は、これら各化学式における化学量論的混合比に厳
密に選定されるものではなく、その光学的特性が許され
る範囲でその混合比を変更することができる。
） Ｉ ｎ！１ｒｅＢ＃Ｔｌ、 Ｓｅ、 、８ｂ！ｓｅ
、 、ｓｔ、 Ｓｅ、のうちがら選ばれ、第２の記録層
（３）は、例えばＳｂ、 Ｔｅ３ 、Ｉｎ、 Ｔｅ３
、ＴＩ！Ｔｅ３．ＴＩ、 Ｓｅ、 、Ｂｉ、 Ｓｅ、
、Ｂｉ、 Ｔｅ、のうちがら選ばれる。尚、これら各化
合物は、これら各化学式における化学量論的混合比に厳
密に選定されるものではなく、その光学的特性が許され
る範囲でその混合比を変更することができる。
本発明による情報記録媒体に対する情報の記録は、第１
図に矢印ａをもって示すように基体（１）側から、記録
情報に応じて変調された記録光、例えば半導体レーザー
光（波長５ｏｏｏＸ ）を照射することによって行う。
図に矢印ａをもって示すように基体（１）側から、記録
情報に応じて変調された記録光、例えば半導体レーザー
光（波長５ｏｏｏＸ ）を照射することによって行う。
すなわち、このレーザー光の第１及び第２の記録層（２
）及び（３）への吸収による加熱によって、或いはこれ
ら加熱と共にレーザー光自体の光エネルギーによって第
１及び第２の記録層（２）及び（３）に光学的特性の変
化を生じさせる。この場合、この記録光に対する実質的
反射率が低く高効率の記録がなされるように、第２の記
録層（３）の反射率が第１の記録層（２）のそれより大
で且つ第１の記録Ｍ （２）の厚さを、記録光に対して
干渉効果が生じるような厚さとする。
）及び（３）への吸収による加熱によって、或いはこれ
ら加熱と共にレーザー光自体の光エネルギーによって第
１及び第２の記録層（２）及び（３）に光学的特性の変
化を生じさせる。この場合、この記録光に対する実質的
反射率が低く高効率の記録がなされるように、第２の記
録層（３）の反射率が第１の記録層（２）のそれより大
で且つ第１の記録Ｍ （２）の厚さを、記録光に対して
干渉効果が生じるような厚さとする。
またこのようにして情報の記録がなされた記録媒体から
その記録情報の読み出しを行うには、例えば記録時のパ
ワーより低いパワーをもって同様の半導体レーザー光を
、同様に、例えば基体（１）側から走査し、その反射光
量によって情報の読み出しを行う。
その記録情報の読み出しを行うには、例えば記録時のパ
ワーより低いパワーをもって同様の半導体レーザー光を
、同様に、例えば基体（１）側から走査し、その反射光
量によって情報の読み出しを行う。
実施例
実施例１゜
ガラス基板より成る基体（１）上に、第１の記録層（２
）としてＳｂ、Ｓｅａを被着し、これの上に第２の記録
層（３）としてＴ５Ｔｅｌを被着した２層構造の記録層
を構成した。この構成による情報記録媒体において、そ
の第２の記録層（３）としてのＴＩ、Ｔｅ、の厚さを４
０ＯＡに選定し、第１の記録層（２）としてのＳｂ、Ｓ
ｅｓ層の厚さを変化させた場合の、記録光としての波長
５ｏｏｏＸの半導体レーザー光に対する反射率Ｒを第２
図に示す。
）としてＳｂ、Ｓｅａを被着し、これの上に第２の記録
層（３）としてＴ５Ｔｅｌを被着した２層構造の記録層
を構成した。この構成による情報記録媒体において、そ
の第２の記録層（３）としてのＴＩ、Ｔｅ、の厚さを４
０ＯＡに選定し、第１の記録層（２）としてのＳｂ、Ｓ
ｅｓ層の厚さを変化させた場合の、記録光としての波長
５ｏｏｏＸの半導体レーザー光に対する反射率Ｒを第２
図に示す。
第２図中曲線（２１）は、記録前における反射率を示す
もので、曲線いは記録後すなわち第１及び第２の記録層
に対しての加熱が行われた後の状態における反射率を示
す。曲線（２１＋をみることによって明らかなように、
記録前の状態では、第１の記録層８ｂ、８ｅ、層の厚さ
が４００Ｘ〜６５０Ｘ程度の領域と、１５５０Ａ〜１８
５０Ａ程度の領域とにおいて、反射率Ｒが低い値を示し
、しかも曲線（２）より明らかなように記録後において
はその反射率Ｒが高められて、両者の差が３０％にも及
ぶ変化を示す。すなわち、これら領域において、記録層
の記録前と記録後において大きくその反射率が変化して
いる。この反射率の変化は両記録層（１）及び（２）に
対する加熱によって光学的定数が変化し、両者の変化が
相俟って顕著な変化すなわち大きな変調度が得られるも
のである。
もので、曲線いは記録後すなわち第１及び第２の記録層
に対しての加熱が行われた後の状態における反射率を示
す。曲線（２１＋をみることによって明らかなように、
記録前の状態では、第１の記録層８ｂ、８ｅ、層の厚さ
が４００Ｘ〜６５０Ｘ程度の領域と、１５５０Ａ〜１８
５０Ａ程度の領域とにおいて、反射率Ｒが低い値を示し
、しかも曲線（２）より明らかなように記録後において
はその反射率Ｒが高められて、両者の差が３０％にも及
ぶ変化を示す。すなわち、これら領域において、記録層
の記録前と記録後において大きくその反射率が変化して
いる。この反射率の変化は両記録層（１）及び（２）に
対する加熱によって光学的定数が変化し、両者の変化が
相俟って顕著な変化すなわち大きな変調度が得られるも
のである。
すなわち、このように変調度が増大する理由は次の通り
である。ここに、？Ｊは、屈折率、ｋｉは消光係数で、
ａ、ｂは、夫々第１及び第２の記録層（２）及び（３）
の膜厚、Ａｉは入射光、Ｂ１は反射光であり、第３図に
示すように、媒体Ｓの各層（１）（２）（３）及び外気
（空気）の各光学的媒質の各光学的定数を夫々１〜４の
添字を付して示す。そして今複素屈折率を分、、消光係
数をに、とすると△ ｒＬｊ”’ ｒＬ４＋ ｉｋ４ となる。ここで第３図の構成を採る場合においてＦ ＝
１ ＋ｒ１． ｒ、、 ｅｘｐ （２ｕ、 ａｉ ）
＋ｒ、、 ｒ、、ｅｘｐ（２ｕ、ｂｊ ）＋ｒ１． ｒ
、４ｅｘｐ （２（ｕ、ｂ＋ｕ、ａ）ｊ ）Ｇ＝ｒ１．
！２．ｅｘｐ （２ｕ！ａｊ ）＋ｒ、、 ｅ ｘｐ
（２（ｕ、ｂ＋ｕ、ａ）Ｑ＋ ｒ １ｔ ｒ ｔ ｓ
％４ ｅ ｘ ｐ （２ｗ ｓ ｂ ＊ ）とおくと、
反射率Ｒは で与−えられる。ここで”ｊｌ”Ｎは夫々町 ＝（２φ
） （ｒＬｊ＋番”ｔ） とする。
である。ここに、？Ｊは、屈折率、ｋｉは消光係数で、
ａ、ｂは、夫々第１及び第２の記録層（２）及び（３）
の膜厚、Ａｉは入射光、Ｂ１は反射光であり、第３図に
示すように、媒体Ｓの各層（１）（２）（３）及び外気
（空気）の各光学的媒質の各光学的定数を夫々１〜４の
添字を付して示す。そして今複素屈折率を分、、消光係
数をに、とすると△ ｒＬｊ”’ ｒＬ４＋ ｉｋ４ となる。ここで第３図の構成を採る場合においてＦ ＝
１ ＋ｒ１． ｒ、、 ｅｘｐ （２ｕ、 ａｉ ）
＋ｒ、、 ｒ、、ｅｘｐ（２ｕ、ｂｊ ）＋ｒ１． ｒ
、４ｅｘｐ （２（ｕ、ｂ＋ｕ、ａ）ｊ ）Ｇ＝ｒ１．
！２．ｅｘｐ （２ｕ！ａｊ ）＋ｒ、、 ｅ ｘｐ
（２（ｕ、ｂ＋ｕ、ａ）Ｑ＋ ｒ １ｔ ｒ ｔ ｓ
％４ ｅ ｘ ｐ （２ｗ ｓ ｂ ＊ ）とおくと、
反射率Ｒは で与−えられる。ここで”ｊｌ”Ｎは夫々町 ＝（２φ
） （ｒＬｊ＋番”ｔ） とする。
このように反射率Ｒは、屈折率Ｊと消光係数に、と波長
λによって決まることがわかる。
λによって決まることがわかる。
すなわち、記録層が第１及び第２の２層構造の記録層（
２）及び（３）により構成される場合、各記録層（２）
及び（３）の各光学定１％とに、・、ｒＬｓとに、の各
々の増減によって、全体としての記録層の反射率Ｒが増
減する。ことになり、第１及び第２の記録層（２）及び
（３）の各物質の組合せによって、記録前と記録後にお
ける夫々の光学的定数の変化によって全体としての反射
率Ｒの変化が大きくなることが理解される。
２）及び（３）により構成される場合、各記録層（２）
及び（３）の各光学定１％とに、・、ｒＬｓとに、の各
々の増減によって、全体としての記録層の反射率Ｒが増
減する。ことになり、第１及び第２の記録層（２）及び
（３）の各物質の組合せによって、記録前と記録後にお
ける夫々の光学的定数の変化によって全体としての反射
率Ｒの変化が大きくなることが理解される。
そして、各物質の加熱前と加熱後における屈折率ル、と
消光係−に４についての変化を測定した結果を第４図に
示す。第４図において矢印の起点は、加熱前の状態で矢
印の先端が各材料に対する加熱後の各層を示すものであ
り、また■は加熱によっても光学的定数が変化しなかっ
たものを示す。これより明らかなように前述した実施例
１．における第１の記録層（２）としてのＳｂｚ Ｓ
ｅｓ ＊ ’）： タ＠２ （７） 記録層（３）と
してのＴ１．Ｔｅ、についてその変化をみると、加熱後
すなわち記録後においてはそのｓｂ、、ｓｅ。
消光係−に４についての変化を測定した結果を第４図に
示す。第４図において矢印の起点は、加熱前の状態で矢
印の先端が各材料に対する加熱後の各層を示すものであ
り、また■は加熱によっても光学的定数が変化しなかっ
たものを示す。これより明らかなように前述した実施例
１．における第１の記録層（２）としてのＳｂｚ Ｓ
ｅｓ ＊ ’）： タ＠２ （７） 記録層（３）と
してのＴ１．Ｔｅ、についてその変化をみると、加熱後
すなわち記録後においてはそのｓｂ、、ｓｅ。
に関しては屈折率及び消光係数の双方が正の方向に変化
し、Ｔｔ、Ｔｅ、に閃しては主として屈折率町が負に大
きく変化していることがわかる。従ってこれらの両者の
光学定数の変化が相俟って上述した（１）式Ｒが大きく
変化することが理解される。
し、Ｔｔ、Ｔｅ、に閃しては主として屈折率町が負に大
きく変化していることがわかる。従ってこれらの両者の
光学定数の変化が相俟って上述した（１）式Ｒが大きく
変化することが理解される。
上述したように本発明構成によれば、複数の記録層すな
わち第１及び第２の記録層（２）及び（３）の両者の光
学的定数の変化が相俟って全体の記録層、・とじての反
射率Ｒを大きく変化させることができ高い変調度を得る
ことができる。
わち第１及び第２の記録層（２）及び（３）の両者の光
学的定数の変化が相俟って全体の記録層、・とじての反
射率Ｒを大きく変化させることができ高い変調度を得る
ことができる。
特に実施例１゜における第１の記録層として８ｂ、Ｓｅ
、を、第２の記録層としてＴｌｌＴｅ１によって構成し
た本発明による磁気記録媒体においては、８ｂｌＳｅｌ
の膜厚が４００〜６５０ Ｘ程度の薄い膜厚範囲におい
て記録前と記録後の反射率Ｒが３０％にも及ぶ大なる変
化を生じている。このように薄い膜厚において高い変調
度が得られるということは、。
、を、第２の記録層としてＴｌｌＴｅ１によって構成し
た本発明による磁気記録媒体においては、８ｂｌＳｅｌ
の膜厚が４００〜６５０ Ｘ程度の薄い膜厚範囲におい
て記録前と記録後の反射率Ｒが３０％にも及ぶ大なる変
化を生じている。このように薄い膜厚において高い変調
度が得られるということは、。
記録層自体の熱容量を小さくできるので、より低いパワ
ーでの記録を行うことができる。
ーでの記録を行うことができる。
実施例２゜
実施例１．と同様の構成によるも第２の記録層（３）を
厚さ４００ ＸのＴＩ、８ｅ、とした。この場合におい
ても、記録層全体として、その記録前と記録後において
実施例とほぼ同様に反射率Ｒに４０％程度の変化が得ら
れる。
厚さ４００ ＸのＴＩ、８ｅ、とした。この場合におい
ても、記録層全体として、その記録前と記録後において
実施例とほぼ同様に反射率Ｒに４０％程度の変化が得ら
れる。
実施例３゜
実施例１゜と同様の構成によるも第２の記録層（３）を
厚さ４００ ＸのＢｉ、Ｔｅ、とした。この場合の第１
の記録層（２）のＳｂ、Ｓｅ３の厚さを変えたときの、
夫々の記ｆＭ ｆａｉｌと記録後の半導体レーザー（波
長５ｏｏｏＸ）に対する媒体全体としての反射率Ｒを測
定した結果を第５図中曲線６１）及び（５？）に示す。
厚さ４００ ＸのＢｉ、Ｔｅ、とした。この場合の第１
の記録層（２）のＳｂ、Ｓｅ３の厚さを変えたときの、
夫々の記ｆＭ ｆａｉｌと記録後の半導体レーザー（波
長５ｏｏｏＸ）に対する媒体全体としての反射率Ｒを測
定した結果を第５図中曲線６１）及び（５？）に示す。
この場合においても、第１の記録層（２）の厚さが４０
０Ａ＆１度の薄い膜厚領域で反射率１ｔが２０％程度に
も変化している。
０Ａ＆１度の薄い膜厚領域で反射率１ｔが２０％程度に
も変化している。
実施例４゜
実施例１．と同様の構成によるも第２の記録層（３）を
厚さ６００ ＸのＩｎ１Ｔｅ＝とした。この場合の第１
の記録層（２）のＳｂ！Ｓｅ、の厚さを変えたときの、
夫々の記録前と記録後の半導体レーザー（波長５ｏｏｏ
Ｘ ）に対する媒体全体とじての反射率Ｒを測定した結
果を第６図中曲線ｉ１）及び（［ｉ９に示す。この場合
においても、第１の記録層（２）の厚ざが数百Ｘ程度の
薄い膜厚領域で反射率几が２０％程度変化する。
厚さ６００ ＸのＩｎ１Ｔｅ＝とした。この場合の第１
の記録層（２）のＳｂ！Ｓｅ、の厚さを変えたときの、
夫々の記録前と記録後の半導体レーザー（波長５ｏｏｏ
Ｘ ）に対する媒体全体とじての反射率Ｒを測定した結
果を第６図中曲線ｉ１）及び（［ｉ９に示す。この場合
においても、第１の記録層（２）の厚ざが数百Ｘ程度の
薄い膜厚領域で反射率几が２０％程度変化する。
実施例５゜
実施例１．と同様の構成によるも第２の記録層（３）を
厚さ４００ Ｘの５ｂｌＴｅＢ とした。この場合の第
１の記録層（２）のＳｂ、Ｓｅ、の厚さを変えたときの
、夫々の記録前と記録後の半導体レーザー（波長５ｏｏ
ｏＸ）に対する媒体全体としての反射率Ｒを測定した結
果を第７図中曲線σ〃及びσ４に示す。この場合におい
ても、第１の記録層（２）の厚さが５５０ｘ程度の薄い
膜厚領域で反射率Ｒが２０％以上変化する。
厚さ４００ Ｘの５ｂｌＴｅＢ とした。この場合の第
１の記録層（２）のＳｂ、Ｓｅ、の厚さを変えたときの
、夫々の記録前と記録後の半導体レーザー（波長５ｏｏ
ｏＸ）に対する媒体全体としての反射率Ｒを測定した結
果を第７図中曲線σ〃及びσ４に示す。この場合におい
ても、第１の記録層（２）の厚さが５５０ｘ程度の薄い
膜厚領域で反射率Ｒが２０％以上変化する。
比較例１゜
実施例１、における第２の記録層（３）に代えて、加、
２熱吟よっても光学的定数が殆んど生じない４００ｘの
厚さのＴｅ層によって構成した。この場合の媒体全体と
しての、記録前と、記録後の反射率Ｒは夫々第８”図中
曲線のり及び１８３となり、その変化は高々１５９６で
あった。
２熱吟よっても光学的定数が殆んど生じない４００ｘの
厚さのＴｅ層によって構成した。この場合の媒体全体と
しての、記録前と、記録後の反射率Ｒは夫々第８”図中
曲線のり及び１８３となり、その変化は高々１５９６で
あった。
発明の効果
上述したように本発明構成によれば、複数の記録層すな
わち第１及び第２の記録Ｊ＠ （２）及び（３）の両者
の光学的定数の変化が相俟って全体の記録層としての反
射率Ｒを大きく変化させることができ高い変調度を得る
ことができる。
わち第１及び第２の記録Ｊ＠ （２）及び（３）の両者
の光学的定数の変化が相俟って全体の記録層としての反
射率Ｒを大きく変化させることができ高い変調度を得る
ことができる。
尚、上述した各側は、記録層が第１及び第２の２層構造
を採った場合であるが、ある場合は、３層構造以上とす
ることもできる。しかしながら、この場合、記録層全体
の厚さは千数百Ｘ以下にとどめて、記録層の熱台…が増
大し、記録パワーが高められるようなことがないように
する。
を採った場合であるが、ある場合は、３層構造以上とす
ることもできる。しかしながら、この場合、記録層全体
の厚さは千数百Ｘ以下にとどめて、記録層の熱台…が増
大し、記録パワーが高められるようなことがないように
する。
１１図は本発明による情報記録媒体の一例の路線的拡大
断面図、第２図はその反射率特性曲線図、給３図はその
光学的特性の説明図、第４図ないし第７図は夫々本発明
の各側の反射率特性曲線図、第８図は比較例における反
射率特性曲線図である。 Ｓは本発明による情報記録媒体、（１）はその基体、（
２）及び（３）は第１及び第２の記録層である。 第１図 第２図 Ｓｂｚ Ｓｅｓの月莫厚（ノペン 手続補正書 昭和５７年１１月１１日 １、事件の表示 昭和５７年特許願第 １４５９３６ 号２・発明の名
称 情報記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２１
８） ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 ４、代 理 人 東京都新宿区西新宿１丁目８番１号（
新組ビル）置東京（０３）３４３−５８２１ （代表）
６、補正により増加する発明の数 ７°補正ｆｌＮ象 明細書の特許請求の範囲の欄、及び
発明の詳細な説明の欄 ８、補正の内容 （１）％許請求の範囲を別紙のように補正する。 （２）明細書中、第５頁１行「変更することができる。 」の次に［そして特にＴｅ系の化合物において、８ｂ
、 Ｉｎ 、Ｑｅ 、Ｂｉ 、Ｔｌのうちから選ばれた
少くも１つの元素８０〜２０原子兆と、Ｔｅ ２０〜８
０原子丸の化合物よりなる場合は加熱によりその光学的
特性を充分に変化させることができる。Ｔｅの童が前述
の範囲をはずれると、上述のＴｅ化合物がたとえばＳｂ
２Ｔｅ３ 、 ＩｎＴｅ 、 Ｉｎ２Ｔｅ３ 。 ＴｌＴｅ 、 Ｔｌ２Ｔｅ３ 、 Ｔ１３Ｔｅ２ 、
Ｂ１１４Ｔｅ６ 、 Ｂｉ２Ｔｅ 。 Ｂｉ Ｔｅ 、 Ｂｉ２Ｔｅ３ 、 ＧｅＴｅ 、 Ｇ
ｅＴｅ２ Ｋ安定な結晶相を有し、レーザー光の照射に
よって与えられる熱によって光学的特性が変化するのは
、非晶質のこれら化合物の蒸着層から結晶相へ変化する
ために生ずると思われるが、この結晶相への変化が起こ
りやすいためには上述の安定な結晶相を作りやすい組成
の近傍でなければならないからである。」を加入する。 以 上 ２、特許請求の範囲 基体上に加熱により光学的特性が変化する記録層が形成
されてなり、該記録層は、Ｓｂ 、 ＴＩ 、 Ｑｅ
。 Ｂｉ、Ｉｎの中から選ばれた少（とも１つの元素８０〜
２０原子％とＴｅ ２０〜８ＯＮ子％との化合物より成
ることを特徴とする情報記録媒体。 ５０３−
断面図、第２図はその反射率特性曲線図、給３図はその
光学的特性の説明図、第４図ないし第７図は夫々本発明
の各側の反射率特性曲線図、第８図は比較例における反
射率特性曲線図である。 Ｓは本発明による情報記録媒体、（１）はその基体、（
２）及び（３）は第１及び第２の記録層である。 第１図 第２図 Ｓｂｚ Ｓｅｓの月莫厚（ノペン 手続補正書 昭和５７年１１月１１日 １、事件の表示 昭和５７年特許願第 １４５９３６ 号２・発明の名
称 情報記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２１
８） ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 ４、代 理 人 東京都新宿区西新宿１丁目８番１号（
新組ビル）置東京（０３）３４３−５８２１ （代表）
６、補正により増加する発明の数 ７°補正ｆｌＮ象 明細書の特許請求の範囲の欄、及び
発明の詳細な説明の欄 ８、補正の内容 （１）％許請求の範囲を別紙のように補正する。 （２）明細書中、第５頁１行「変更することができる。 」の次に［そして特にＴｅ系の化合物において、８ｂ
、 Ｉｎ 、Ｑｅ 、Ｂｉ 、Ｔｌのうちから選ばれた
少くも１つの元素８０〜２０原子兆と、Ｔｅ ２０〜８
０原子丸の化合物よりなる場合は加熱によりその光学的
特性を充分に変化させることができる。Ｔｅの童が前述
の範囲をはずれると、上述のＴｅ化合物がたとえばＳｂ
２Ｔｅ３ 、 ＩｎＴｅ 、 Ｉｎ２Ｔｅ３ 。 ＴｌＴｅ 、 Ｔｌ２Ｔｅ３ 、 Ｔ１３Ｔｅ２ 、
Ｂ１１４Ｔｅ６ 、 Ｂｉ２Ｔｅ 。 Ｂｉ Ｔｅ 、 Ｂｉ２Ｔｅ３ 、 ＧｅＴｅ 、 Ｇ
ｅＴｅ２ Ｋ安定な結晶相を有し、レーザー光の照射に
よって与えられる熱によって光学的特性が変化するのは
、非晶質のこれら化合物の蒸着層から結晶相へ変化する
ために生ずると思われるが、この結晶相への変化が起こ
りやすいためには上述の安定な結晶相を作りやすい組成
の近傍でなければならないからである。」を加入する。 以 上 ２、特許請求の範囲 基体上に加熱により光学的特性が変化する記録層が形成
されてなり、該記録層は、Ｓｂ 、 ＴＩ 、 Ｑｅ
。 Ｂｉ、Ｉｎの中から選ばれた少（とも１つの元素８０〜
２０原子％とＴｅ ２０〜８ＯＮ子％との化合物より成
ることを特徴とする情報記録媒体。 ５０３−
Claims (1)
- 基体上に夫々異種の物質で夫々上として加熱により光学
的特性が変化する少くとも第１及び第２の記録層が積層
されてなることを特徴とする情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57145936A JPS5935988A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57145936A JPS5935988A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5935988A true JPS5935988A (ja) | 1984-02-27 |
Family
ID=15396490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57145936A Pending JPS5935988A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5935988A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0278789A2 (en) * | 1987-02-13 | 1988-08-17 | EASTMAN KODAK COMPANY (a New Jersey corporation) | Recording elements comprising write-once thin film alloy layers |
| WO1990007181A1 (en) * | 1988-12-19 | 1990-06-28 | Eastman Kodak Company | Erasable phase change optical recording elements and methods |
-
1982
- 1982-08-23 JP JP57145936A patent/JPS5935988A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0278789A2 (en) * | 1987-02-13 | 1988-08-17 | EASTMAN KODAK COMPANY (a New Jersey corporation) | Recording elements comprising write-once thin film alloy layers |
| WO1990007181A1 (en) * | 1988-12-19 | 1990-06-28 | Eastman Kodak Company | Erasable phase change optical recording elements and methods |
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