JPS6144690A - 光による記録材料 - Google Patents
光による記録材料Info
- Publication number
- JPS6144690A JPS6144690A JP59166417A JP16641784A JPS6144690A JP S6144690 A JPS6144690 A JP S6144690A JP 59166417 A JP59166417 A JP 59166417A JP 16641784 A JP16641784 A JP 16641784A JP S6144690 A JPS6144690 A JP S6144690A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- film
- recording medium
- temperature
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光記、録方式の分野に属する記録材料に関し
、特に書き換え可能な光記録媒体である。
、特に書き換え可能な光記録媒体である。
従来の技術
記録方式には、（イ）磁気記録方式、（ロ）光磁気記録
方式、（ハ）光記録方式がある。
方式、（ハ）光記録方式がある。
（イ）の磁気記録方式の分野では、磁性粉末をテープに
塗布し、テープの面内方向に記録する長手方向記録、さ
らに記録密度を向上させた高密度長手記録、テープに垂
直方向に磁化する垂直磁気記録方式がある。（０）の光
磁気記録方式は、光力−効果を利用した方式である。（
ハ）の光記録方式にはａ：光により穴をあけて、その有
無により記録する。
塗布し、テープの面内方向に記録する長手方向記録、さ
らに記録密度を向上させた高密度長手記録、テープに垂
直方向に磁化する垂直磁気記録方式がある。（０）の光
磁気記録方式は、光力−効果を利用した方式である。（
ハ）の光記録方式にはａ：光により穴をあけて、その有
無により記録する。
ｂ＝アモルファス相と結晶質相の光透過率の遷りを記録
する。Ｃ：アモルファス相と結晶質相の光反射率の違い
を記録するなどの方法がある。
する。Ｃ：アモルファス相と結晶質相の光反射率の違い
を記録するなどの方法がある。
この中（ハ）光記録方式は、最近の情報社会の発展と大
量の情報を高速に処理できるシステムの開発の必要性か
ら注目され、高密度大容量光ディスクメモリが開発され
つつある。
量の情報を高速に処理できるシステムの開発の必要性か
ら注目され、高密度大容量光ディスクメモリが開発され
つつある。
光デイスクメモリとは、高速（４５０〜１８００ｒｐｍ
）で回転するディスクにレーザー光を焦点をしぼって
照射し、そのメモリＢＩＤに情報ビットを記録し、同じ
レーザーで書き込んだ記録をこわさないように読みとる
ものである。
）で回転するディスクにレーザー光を焦点をしぼって
照射し、そのメモリＢＩＤに情報ビットを記録し、同じ
レーザーで書き込んだ記録をこわさないように読みとる
ものである。
この光デイスクメモリは、再生専用の光学式ビデオディ
スクとは異なり、即時記録再生高速ランダムアクセスな
どの機能を有し、この書き換え可能な光デイスク方式は
、将来磁気ディスクに置き換えるものとして期待されて
いる。
スクとは異なり、即時記録再生高速ランダムアクセスな
どの機能を有し、この書き換え可能な光デイスク方式は
、将来磁気ディスクに置き換えるものとして期待されて
いる。
しかしながら光記録にも長所とともに短所がある。
まず長所であるが、■非接触で記録や再生ができ、多少
のゴミ、傷があっても使え、取り扱いが簡単であり、垂
直磁気記録方式のように記録媒体から離れるとＳ／Ｎ比
が低下する方式に比べると有利である、■大きさはフロ
ッピーブイスフの半分で記録密度が磁気ディスクより１
〜２桁高い、■価格はフロッピーディスクと同等であり
、ビット当りの価格に換算すると磁気テープ並になる、
等が挙げられる。
のゴミ、傷があっても使え、取り扱いが簡単であり、垂
直磁気記録方式のように記録媒体から離れるとＳ／Ｎ比
が低下する方式に比べると有利である、■大きさはフロ
ッピーブイスフの半分で記録密度が磁気ディスクより１
〜２桁高い、■価格はフロッピーディスクと同等であり
、ビット当りの価格に換算すると磁気テープ並になる、
等が挙げられる。
そして、短所であるが、■書き換え可能な光ディスクに
はＴｅ Ｏｘ 、Ｆｅ Ｇｅ系のカルコゲナイドのアモ
ルファス相と結晶相の変態による光反射率の違いを読み
とるものであるが、カルコゲン薄膜は温度に弱く、酸化
を受って透過率が経時変化する、■アクセス時間とデー
タ転送速度が磁気ディスクと比較すると劣っている。こ
れはＬｉ録媒体の感度と半導゛体し−ザー出力の関係か
ら回転スピードを磁気ディスク並に上げられないためで
ある、■ビット誤り率が磁気ディスクの１０−７〜１Ｏ
−８（訂正前）に比べて光ディスクでは１０−６前後で
あり、１〜２桁低い、などである。ただし、■は光ディ
スクを作製する際の品質（異物、ピンホールなどの欠陥
、製造工程での微小な傷）の低下によるものであり、こ
れは誤り訂正することによって１０−’Ｏ〜１０ と
なり磁気テープ並になっている。
はＴｅ Ｏｘ 、Ｆｅ Ｇｅ系のカルコゲナイドのアモ
ルファス相と結晶相の変態による光反射率の違いを読み
とるものであるが、カルコゲン薄膜は温度に弱く、酸化
を受って透過率が経時変化する、■アクセス時間とデー
タ転送速度が磁気ディスクと比較すると劣っている。こ
れはＬｉ録媒体の感度と半導゛体し−ザー出力の関係か
ら回転スピードを磁気ディスク並に上げられないためで
ある、■ビット誤り率が磁気ディスクの１０−７〜１Ｏ
−８（訂正前）に比べて光ディスクでは１０−６前後で
あり、１〜２桁低い、などである。ただし、■は光ディ
スクを作製する際の品質（異物、ピンホールなどの欠陥
、製造工程での微小な傷）の低下によるものであり、こ
れは誤り訂正することによって１０−’Ｏ〜１０ と
なり磁気テープ並になっている。
明が 決しようとする問題点
本発明は上記従来の光記録方式における短所、すなわち
、透過率の経時変化、アクセス時間とデータ転送速度の
遅さ、ビット誤り率の大きさ等の点について改善しよう
とするものである。
、透過率の経時変化、アクセス時間とデータ転送速度の
遅さ、ビット誤り率の大きさ等の点について改善しよう
とするものである。
問題点を解決するための手段
本発明は温度および応力によりオーステナイト相とマル
テンサイト相が可逆的に変態する全屈材料よりなる薄膜
層を有することを特徴とする光による記録材料である。
テンサイト相が可逆的に変態する全屈材料よりなる薄膜
層を有することを特徴とする光による記録材料である。
本発明で利用するオーステナイト相とマルテンサイト相
が可逆的に変態する最も基本的な特徴は“原子の連携運
動にもとづくせん断変形的な格子変態である″というこ
とである。
が可逆的に変態する最も基本的な特徴は“原子の連携運
動にもとづくせん断変形的な格子変態である″というこ
とである。
この変態が可逆的に発生する代表的な合成は形状記憶金
属が挙げられる。形状記憶効果とは、一旦合金にある形
状を記憶させると、これを変形しても一定の温度以上に
加熱するだけで記憶した元の形に戻ってしまう現象と−
股に言われている。
属が挙げられる。形状記憶効果とは、一旦合金にある形
状を記憶させると、これを変形しても一定の温度以上に
加熱するだけで記憶した元の形に戻ってしまう現象と−
股に言われている。
形状記憶効果の原因としては、■応力によって誘起され
るマルテンサイトとその逆変態過程、■結晶学的に同等
なマルテンサイトの兄第相の応力下における食い合いと
その逆変態過程、■マルテンサイト結晶内の双晶界面の
移動、などが主なものである。合金系によって主因が異
なり、温度や応力の条件によっても違ってくる。
るマルテンサイトとその逆変態過程、■結晶学的に同等
なマルテンサイトの兄第相の応力下における食い合いと
その逆変態過程、■マルテンサイト結晶内の双晶界面の
移動、などが主なものである。合金系によって主因が異
なり、温度や応力の条件によっても違ってくる。
Ｎｉ Ｔｉの場合は高温度で存在する母相ＣｓＣｌ型結
晶（ｂｃｃ）構造は、変態温度以下に冷却すると他の単
斜晶系のマルテンサイト相に変態する。マルテンサイト
変態の発生により、現象としては表面組織に笹の葉（レ
ンズ）状、又はラス状、・バタフライ状、短棚状などの
表面起伏を伴なう模様が現われる。
晶（ｂｃｃ）構造は、変態温度以下に冷却すると他の単
斜晶系のマルテンサイト相に変態する。マルテンサイト
変態の発生により、現象としては表面組織に笹の葉（レ
ンズ）状、又はラス状、・バタフライ状、短棚状などの
表面起伏を伴なう模様が現われる。
同様の変態が観察される伯の系としては、Ａｕ（Ｃｄ
、 Ｉ ｎ−Ｔｌ 、Ｃｕ−Ａｌ−Ｎｉ 。
、 Ｉ ｎ−Ｔｌ 、Ｃｕ−Ａｌ−Ｎｉ 。
Ｃｕ−Ｚｎ 、 Ｎ ｉ−Ａ Ｉ 、Ｃｕ−Ａ ｌ−Ｚ
ｎと多いが、現在実際に使用されているのはＮ ｉ−４
ｉ系とＣｕ−Ａ Ｉ−Ｚ ｎ系のみである。中でもＣｕ
−Ａｌ−７ｎ系はＮ ｉ−Ｔ ｉよりもがなり安価で加
工製造がはるかに容易で圧延−１線引加工ができるので
、広い用途が考えられているが、結晶粒界が大きため、
粒界からの破壊を防止できない欠点がある。
ｎと多いが、現在実際に使用されているのはＮ ｉ−４
ｉ系とＣｕ−Ａ Ｉ−Ｚ ｎ系のみである。中でもＣｕ
−Ａｌ−７ｎ系はＮ ｉ−Ｔ ｉよりもがなり安価で加
工製造がはるかに容易で圧延−１線引加工ができるので
、広い用途が考えられているが、結晶粒界が大きため、
粒界からの破壊を防止できない欠点がある。
本発明は、以上のようなオーステナイト−マルテンサイ
ト可逆的変態をする材料の薄膜の表面起伏による光の反
射率の変化を信号として記録し、それを読取り、再生し
、さらに可逆的な変態を利用して、表面起伏を平坦化す
ることにより、信号を消去するものである。
ト可逆的変態をする材料の薄膜の表面起伏による光の反
射率の変化を信号として記録し、それを読取り、再生し
、さらに可逆的な変態を利用して、表面起伏を平坦化す
ることにより、信号を消去するものである。
上記薄膜を形成するには、スパッタリング法、イオンブ
レーティング法として真空蒸着、化学蒸着、分子線エピ
タキシーさらにプラズマλブーイング法、クラスターイ
オンビーム法等各種成膜法が用いられる。
レーティング法として真空蒸着、化学蒸着、分子線エピ
タキシーさらにプラズマλブーイング法、クラスターイ
オンビーム法等各種成膜法が用いられる。
以下に薄膜作成法について、代表的なＲｆスパッタ装置
を使用した場合をもって説明する。
を使用した場合をもって説明する。
第１図に示すように、容器１内のＡｒガス圧を１〜５
Ｘ １Ｏ−２Ｔ Ｏｒｒとし、ターゲット２とサブスト
レート ３とを４０〜５０ｍｍ間隔で固定した。
Ｘ １Ｏ−２Ｔ Ｏｒｒとし、ターゲット２とサブスト
レート ３とを４０〜５０ｍｍ間隔で固定した。
ターゲット２としては、組成調節されたＮｉ Ｔｉイン
ゴット母材をアーク溶解炉で再込んで成型したものを用
いた。
ゴット母材をアーク溶解炉で再込んで成型したものを用
いた。
スパッタ膜を堆積するサブストレート３には、ガラス、
石英、アクリル基板、Ａ１、Ｃｕ薄膜、Ｓｔ ０２など
各種の材質が使用される。そして、ターゲットの熱膨張
係数に近いもので密着性の向上のため、ターゲットの含
有成分と同一の元素が入ってるものが適当である。
石英、アクリル基板、Ａ１、Ｃｕ薄膜、Ｓｔ ０２など
各種の材質が使用される。そして、ターゲットの熱膨張
係数に近いもので密着性の向上のため、ターゲットの含
有成分と同一の元素が入ってるものが適当である。
サブストレート３の加熱は、スパッター膜の結晶化に必
要であり、高周波電源４により下部より加熱する。
要であり、高周波電源４により下部より加熱する。
勿論、アモルファス構造を有する膜をスパッタ堆積後、
真空熱処理することにより、結晶化させることは可能で
あるが、その際の問題点としては、Ｎｉ Ｔｉ ５Ｃｕ
−Ｚｎ−ＡＩ系合金を例にとると、Ｔｉ Ｓｚｎ １Ａ
＋の酸化、炭化による組成ズレがあり、オーステナイト
、マルテンサイト変態温度（Ｍｓ 温度）が数１０℃変
化することが挙げられる。
真空熱処理することにより、結晶化させることは可能で
あるが、その際の問題点としては、Ｎｉ Ｔｉ ５Ｃｕ
−Ｚｎ−ＡＩ系合金を例にとると、Ｔｉ Ｓｚｎ １Ａ
＋の酸化、炭化による組成ズレがあり、オーステナイト
、マルテンサイト変態温度（Ｍｓ 温度）が数１０℃変
化することが挙げられる。
第２図に１４５φのＮｉ Ｔｉ （５０：５０）ター
ゲットを使用し出力０．８ｋ Ｗにおける堆積膜厚の時
間依存性を示すが、膜の堆積率は時間と直線関係を有す
る。
ゲットを使用し出力０．８ｋ Ｗにおける堆積膜厚の時
間依存性を示すが、膜の堆積率は時間と直線関係を有す
る。
第３図は出力当りの面積比を下げて８０φＮｉ Ｔｉ
（５０：５０）ターゲットの出力と結晶構造と堆積率
との関係をスパッタ時間５時間について示したものであ
る。８０φターゲツトの場合は０．６Ｋ Ｗで非晶質構
造から結晶質に変化する。
（５０：５０）ターゲットの出力と結晶構造と堆積率
との関係をスパッタ時間５時間について示したものであ
る。８０φターゲツトの場合は０．６Ｋ Ｗで非晶質構
造から結晶質に変化する。
次に得られた薄膜の変態温度を調べた。第４図は８０φ
ターゲツトで０．８Ｋ Ｗ ｘ １０ｈｒのスパッタリ
ングにより作成された膜の低温ＤＳＣ測定の結果である
。膜内体はオーステナイ！−マルチ〕ノサイト変憇を行
なうが、ＤＳＣの結果からはマルテンサイト変態とその
逆変態は明瞭なピークとして出ておらず、非常に小さな
巾の広いピークとして見出せる。勿論測定上一体のバル
クは作り得ず、５０μｍ程度の膜を何店にも積層して測
定に供している。そのため、温度の追従性が悪いことも
あるが、ＤＳＧのピークを明瞭に持たないことが、スパ
ッター膜の特徴とも言える。ざらに昇温、降温のビーク
温度差は５０℃以上あり、通常のＮｔ Ｔｉとは異なる
。つまりＮｉ ＴｉターゲットからＮｉ 、 Ｔｉの原
子がバラバラにサブストレートに堆積する際、コラムが
成長するが、コラム間には、Ｃ，Ｏ，Ａｒが侵入し、Ｔ
ｉと結合する。そのためマルテンサイト開始温度（、Ｍ
Ｓ）を左右する有効金属Ｔｉｆｆ１がコラム付近と中心
部では異なっている場合、明瞭なピークとして現われな
いで、分散したピークとして現われる。それに伴なって
マルテンサイトとその逆変態温度差が５０℃以上開いて
くる。
ターゲツトで０．８Ｋ Ｗ ｘ １０ｈｒのスパッタリ
ングにより作成された膜の低温ＤＳＣ測定の結果である
。膜内体はオーステナイ！−マルチ〕ノサイト変憇を行
なうが、ＤＳＣの結果からはマルテンサイト変態とその
逆変態は明瞭なピークとして出ておらず、非常に小さな
巾の広いピークとして見出せる。勿論測定上一体のバル
クは作り得ず、５０μｍ程度の膜を何店にも積層して測
定に供している。そのため、温度の追従性が悪いことも
あるが、ＤＳＧのピークを明瞭に持たないことが、スパ
ッター膜の特徴とも言える。ざらに昇温、降温のビーク
温度差は５０℃以上あり、通常のＮｔ Ｔｉとは異なる
。つまりＮｉ ＴｉターゲットからＮｉ 、 Ｔｉの原
子がバラバラにサブストレートに堆積する際、コラムが
成長するが、コラム間には、Ｃ，Ｏ，Ａｒが侵入し、Ｔ
ｉと結合する。そのためマルテンサイト開始温度（、Ｍ
Ｓ）を左右する有効金属Ｔｉｆｆ１がコラム付近と中心
部では異なっている場合、明瞭なピークとして現われな
いで、分散したピークとして現われる。それに伴なって
マルテンサイトとその逆変態温度差が５０℃以上開いて
くる。
第５図はスパッタ膜全体を温度変化させたときの熱サイ
クルによる光学的反射率の変化を示した。スパッタ膜厚
は３μｍで膜内体は結晶化している。反射率が最大を１
００％として、最低の反射率は０％とすると、そ′のヒ
ステリシス温度差は１００℃位有する。
クルによる光学的反射率の変化を示した。スパッタ膜厚
は３μｍで膜内体は結晶化している。反射率が最大を１
００％として、最低の反射率は０％とすると、そ′のヒ
ステリシス温度差は１００℃位有する。
本発明は、以上のようなオーステナイト、マルテンサイ
ト変態の表面起伏による光の反射率の変化を表面起伏の
信号として記録し、それを光で読み取り、再生し、さら
に可逆的な変態を利用して、表面起伏を平坦化すること
により、信号を消去する。
ト変態の表面起伏による光の反射率の変化を表面起伏の
信号として記録し、それを光で読み取り、再生し、さら
に可逆的な変態を利用して、表面起伏を平坦化すること
により、信号を消去する。
この記録、再生、消去の方法を具体的に示すと、記録媒
体と同程度の熱膨張率を有するサブストレートの記録面
を０．１μ鋼の面精度で表面を整える。その俊、記録媒
体を１〜２μｍ成膜し、それを結晶化してオーステナイ
ト←→マルテンサイト変態が生ずる膜とする。
体と同程度の熱膨張率を有するサブストレートの記録面
を０．１μ鋼の面精度で表面を整える。その俊、記録媒
体を１〜２μｍ成膜し、それを結晶化してオーステナイ
ト←→マルテンサイト変態が生ずる膜とする。
情報の書き込みは熱応力を利用し、膜面に０．５〜１μ
ｍの集束されたレーザービームを当てると膜面で変態し
、表面起伏を生じる。
ｍの集束されたレーザービームを当てると膜面で変態し
、表面起伏を生じる。
この記録は熱又は応力を加えない限り安定である。つぎ
に、読み出しは低出力の光源を利用し、膜の温度が上昇
しない程度にし、光の反射率の変化で情報を読み取る。
に、読み出しは低出力の光源を利用し、膜の温度が上昇
しない程度にし、光の反射率の変化で情報を読み取る。
消去の際は、せ、マルテンサイト−オーステナイト変態
、ざらに転移の消去も行なうことで繰返し可能な記録媒
体となっている。
、ざらに転移の消去も行なうことで繰返し可能な記録媒
体となっている。
実施例
基板には外径１００ｍｍ 、 １．０ｍｍ厚の耐熱性
樹脂を使用し、光ガイドトラックを設け、その上に記録
媒体と同一の熱膨張係数を有する透明な窒化物をスパッ
タリングで形成し、さらに重ねて記録媒体を堆積する。
樹脂を使用し、光ガイドトラックを設け、その上に記録
媒体と同一の熱膨張係数を有する透明な窒化物をスパッ
タリングで形成し、さらに重ねて記録媒体を堆積する。
さらにこの記録媒体を保護するため、上記窒化物をさら
にスパッタリングで形成する。
にスパッタリングで形成する。
記録用ヘッドは波長１．２μｍ位の比較的長波長のレー
ザーを用いて直径０．６μｍ位のスポットに絞り込み、
電気信号にて強度を変えて記録薄膜に照射する。
ザーを用いて直径０．６μｍ位のスポットに絞り込み、
電気信号にて強度を変えて記録薄膜に照射する。
以上の様な方法で、ディスク回転数２５００ｒｐＩ、記
録計８０ｍｍとし、記録用８ｍＷ、消去用２０ｍ Ｗの
レーザーパワーで繰返し記録・消去を行なった結果、初
１１１１ｃ／Ｎ５７ｄ［３以上、１０万回以上の繰返し
が可能であった。
録計８０ｍｍとし、記録用８ｍＷ、消去用２０ｍ Ｗの
レーザーパワーで繰返し記録・消去を行なった結果、初
１１１１ｃ／Ｎ５７ｄ［３以上、１０万回以上の繰返し
が可能であった。
発明の効果
本発明は■金属材料であるためと、結晶質相同士のマル
テンサイトとオーステナイト相の変態であり、温度の上
昇、降下による酸化に強いことである。勿論変態におけ
る転移の集積により光の反射率は幾分変化する。■マル
テンサイト オーステナイト変態のスピードが速いので
書き込みスピードを上げることができる。アクセス時間
、転送速度は光記録と同等であり、半導体レーザーを使
用すると、熱のため記録が変化することがあり、レーザ
ー以外の低熱ｍの再生装置の場合は、再生スピードを上
げることが可能である。■ビット誤り率は製造方法が光
記録と同様であるので、はぼ同じレベルにある。
テンサイトとオーステナイト相の変態であり、温度の上
昇、降下による酸化に強いことである。勿論変態におけ
る転移の集積により光の反射率は幾分変化する。■マル
テンサイト オーステナイト変態のスピードが速いので
書き込みスピードを上げることができる。アクセス時間
、転送速度は光記録と同等であり、半導体レーザーを使
用すると、熱のため記録が変化することがあり、レーザ
ー以外の低熱ｍの再生装置の場合は、再生スピードを上
げることが可能である。■ビット誤り率は製造方法が光
記録と同様であるので、はぼ同じレベルにある。
第１図は本発明で薄膜形成に用いるＲｒスパッタ装置の
概略図、第２図は堆積膜厚と時間との関係を示すグラフ
、第３図は出力と結晶構造と堆積率との関係を示すグラ
フ、第４図は薄膜の低温ＤＳＣ測定の結果を示すグラフ
、第５図は薄膜の温度と反射強度との関係を示すグラフ
である。 １・・・容器、２・・・ターゲット、 ３・・・サブストレート、４・・・高周波電源。
概略図、第２図は堆積膜厚と時間との関係を示すグラフ
、第３図は出力と結晶構造と堆積率との関係を示すグラ
フ、第４図は薄膜の低温ＤＳＣ測定の結果を示すグラフ
、第５図は薄膜の温度と反射強度との関係を示すグラフ
である。 １・・・容器、２・・・ターゲット、 ３・・・サブストレート、４・・・高周波電源。
Claims (1)
- （１）温度および応力によりオーステナイト相とマルテ
ンサイト相が可逆的に変態する金属材料よりなる薄膜層
を有することを特徴とする光による記録材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59166417A JPS6144690A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 光による記録材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59166417A JPS6144690A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 光による記録材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6144690A true JPS6144690A (ja) | 1986-03-04 |
| JPH0514629B2 JPH0514629B2 (ja) | 1993-02-25 |
Family
ID=15831034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59166417A Granted JPS6144690A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 光による記録材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6144690A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62175670U (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-07 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS57111839A (en) * | 1980-05-14 | 1982-07-12 | Rca Corp | Reversible information recording body and method of reversibly recording and erasing information to said recording body |
| JPS597093A (ja) * | 1982-07-06 | 1984-01-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学記録媒体 |
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| JPS5967086A (ja) * | 1982-09-28 | 1984-04-16 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 書き換え可能な光情報記録媒体 |
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| JPS6042095A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-06 | Hitachi Ltd | 情報の記録用部材およびその製造方法 |
| JPS60124037A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光デイスク |
| JPS60129945A (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-11 | Seikosha Co Ltd | 光情報記録媒体 |
-
1984
- 1984-08-10 JP JP59166417A patent/JPS6144690A/ja active Granted
Patent Citations (11)
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Also Published As
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