JPH0465462B2 - - Google Patents
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- JPH0465462B2 JPH0465462B2 JP58240106A JP24010683A JPH0465462B2 JP H0465462 B2 JPH0465462 B2 JP H0465462B2 JP 58240106 A JP58240106 A JP 58240106A JP 24010683 A JP24010683 A JP 24010683A JP H0465462 B2 JPH0465462 B2 JP H0465462B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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-
- G—PHYSICS
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- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
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- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/2432—Oxygen
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レーザ光照射により記録膜に情報を
ビツト記録する光メモリデイスクおよびその製造
方法に関するものである。
ビツト記録する光メモリデイスクおよびその製造
方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、実時間での記録再生が可能な光メモリデ
イスクが大容量高密度メモリとして大いに期待さ
れている。これは例えば高速回転するデイスクに
レーザ光を照射してその記録膜にビツト記録し、
同じレーザ光によつて読み取るものである。
イスクが大容量高密度メモリとして大いに期待さ
れている。これは例えば高速回転するデイスクに
レーザ光を照射してその記録膜にビツト記録し、
同じレーザ光によつて読み取るものである。
記録再生を非接触で行うため、ピツクアツプお
よびデイスクを傷つけないこと、および情報への
アクセスが高速でできる等の利点を有している。
よびデイスクを傷つけないこと、および情報への
アクセスが高速でできる等の利点を有している。
このような光メモリデイスクを可能にする記録
膜として、TeOx（Ｏ＜ｘ＜２）薄膜がある。こ
のTeOxはTeO2とTeとの混合物である。この薄
膜はレーザ光照射による熱により相変態が生じ、
反射率の増大および透過率の減少によつて記録ビ
ツトを形成するものである。
膜として、TeOx（Ｏ＜ｘ＜２）薄膜がある。こ
のTeOxはTeO2とTeとの混合物である。この薄
膜はレーザ光照射による熱により相変態が生じ、
反射率の増大および透過率の減少によつて記録ビ
ツトを形成するものである。
TeOx薄膜を形成する方法としては、真空蒸着
法が最適であり、第１図において、その蒸着方法
の一例を説明する。
法が最適であり、第１図において、その蒸着方法
の一例を説明する。
Te蒸着源１とTeO2蒸着源２を設け、デイスク
基板３を回転させながら、それぞれの蒸着源１，
２の温度を制御して蒸着を行う。
基板３を回転させながら、それぞれの蒸着源１，
２の温度を制御して蒸着を行う。
TeOx薄膜はその組成すなわちTeOxのｘの値
によつて、その特性が大きく変化する。第２図は
TeOx薄膜の組成による熱転移温度の差異を測定
したものである。ガラス基板に蒸着されたこれら
の膜は、加熱しながらその透過率を測定すると、
特定温度で透過率の転移が見られる。
によつて、その特性が大きく変化する。第２図は
TeOx薄膜の組成による熱転移温度の差異を測定
したものである。ガラス基板に蒸着されたこれら
の膜は、加熱しながらその透過率を測定すると、
特定温度で透過率の転移が見られる。
すなわち、Te成分の多い組成（TeOxのｘ値
の小さな組成）では熱転移温度が低いのに対し、
TeO2成分の多い組成（TeOxのｘ値の大きな組
成）では熱転移温度が高くなつている。
の小さな組成）では熱転移温度が低いのに対し、
TeO2成分の多い組成（TeOxのｘ値の大きな組
成）では熱転移温度が高くなつている。
レーザ光によつて加熱昇温して膜を相変態させ
て記録ビツトを形成させる場合、この転移温度が
低いほど記録感度が高い材料であるといえる。従
つてTe成分の多い組成（以下、Te richな組成と
呼ぶ）ほど高感度な記録膜になり得るわけであ
る。
て記録ビツトを形成させる場合、この転移温度が
低いほど記録感度が高い材料であるといえる。従
つてTe成分の多い組成（以下、Te richな組成と
呼ぶ）ほど高感度な記録膜になり得るわけであ
る。
次に、こられのTeOx薄膜の安定性を調べた結
果が第３図である。ガラス基板上に蒸着した組成
の異なるTeOx薄膜を40℃、90％の湿度中に長時
間放置して、透過率の変化を測定した。Te rich
な組成の膜は数時間で透過率に著しい変化を示す
が、TeO2 richな膜は全く変化がみられず、非常
に安定である。
果が第３図である。ガラス基板上に蒸着した組成
の異なるTeOx薄膜を40℃、90％の湿度中に長時
間放置して、透過率の変化を測定した。Te rich
な組成の膜は数時間で透過率に著しい変化を示す
が、TeO2 richな膜は全く変化がみられず、非常
に安定である。
以上の結果より、TeOx薄膜は、記録感度およ
び変化量の点では、Te richな組成が有利である
が、安定性の点からみるとTeO2 richな組成が優
れており、どちらでも一長一短がある問題点を有
している。
び変化量の点では、Te richな組成が有利である
が、安定性の点からみるとTeO2 richな組成が優
れており、どちらでも一長一短がある問題点を有
している。
発明の目的
本発明は上記の問題点を解消し、記録感度が高
く、かつ安定性に優れた光メモリデイスクおよび
その製造方法を提供することを目的とする。
く、かつ安定性に優れた光メモリデイスクおよび
その製造方法を提供することを目的とする。
発明の構成
本願発明の光メモリデイスクは、金属または半
金属Ｍと酸素Ｏとの組成比がMOx（Ｏ＜ｘ＜Ａ、
ＡはＭの量を１とした場合の酸素Ｏの量を化学当
量比で表わした値）である記録用の薄膜をデイス
ク基板上に形成し、前記薄膜の厚さ方向で、ｘの
値がデイスク基板に近い方から遠い方に向かつて
連続的に大きくなる様に設定し、記録膜のデイス
ク基板側の面を光照射面となすとともに、その熱
エネルギーで前記薄膜の相を厚さ方向全域に渡つ
て変態させて情報の記録を行なうメモリデイスク
である。
金属Ｍと酸素Ｏとの組成比がMOx（Ｏ＜ｘ＜Ａ、
ＡはＭの量を１とした場合の酸素Ｏの量を化学当
量比で表わした値）である記録用の薄膜をデイス
ク基板上に形成し、前記薄膜の厚さ方向で、ｘの
値がデイスク基板に近い方から遠い方に向かつて
連続的に大きくなる様に設定し、記録膜のデイス
ク基板側の面を光照射面となすとともに、その熱
エネルギーで前記薄膜の相を厚さ方向全域に渡つ
て変態させて情報の記録を行なうメモリデイスク
である。
また、本願発明の光メモリデイスクの製造方法
は、蒸発源にはMOxを主成分とする焼結体を用
いるととももに、デイスク基板にMOxを蒸着す
る少なくとも初期において、蒸着速度を連続的に
上昇させることにより、上記構成の光メモリデイ
スクを安定に製造できるようになしたものであ
る。
は、蒸発源にはMOxを主成分とする焼結体を用
いるととももに、デイスク基板にMOxを蒸着す
る少なくとも初期において、蒸着速度を連続的に
上昇させることにより、上記構成の光メモリデイ
スクを安定に製造できるようになしたものであ
る。
実施例の説明
記録時にレーザ光の出力を上げてビツト記録を
行い、加熱変態によつて生じたビツト部の反射率
変化を、出力を下げたレーザ光によつて再生する
光デイスクの場合、レーザ光の照射される側の記
録膜の組成が光デイスクの特性を左右する大きな
要素となる。
行い、加熱変態によつて生じたビツト部の反射率
変化を、出力を下げたレーザ光によつて再生する
光デイスクの場合、レーザ光の照射される側の記
録膜の組成が光デイスクの特性を左右する大きな
要素となる。
そこで、TeOx薄膜で記録膜を形成する場合、
記録膜の、レーザ光が照射される光照射面側すな
わちデイスク基板側ではTe richであり、反対側
ではTeO2 richな組成となるようにｘの値を連続
的に変化させることにより、安定性と記録時の感
度を高めることができる。
記録膜の、レーザ光が照射される光照射面側すな
わちデイスク基板側ではTe richであり、反対側
ではTeO2 richな組成となるようにｘの値を連続
的に変化させることにより、安定性と記録時の感
度を高めることができる。
次に、上記のTeOx薄膜の構成を可能にする製
造方法について説明する。第４図は製造方法を示
す模式構成図である。
造方法について説明する。第４図は製造方法を示
す模式構成図である。
ハース４に蒸着源であるTeOx焼結体５をセツ
トする。このTeOx焼結体５に電子ビーム６が集
中的に当てられ、その局部加熱によつて蒸着物質
が蒸発する。TeOx焼結体５の上方に、レーザ光
案内用の溝トラツク７を有するデイスク基板８が
回転しており、溝トラツク７を有する面にTeOx
薄膜が蒸着される。
トする。このTeOx焼結体５に電子ビーム６が集
中的に当てられ、その局部加熱によつて蒸着物質
が蒸発する。TeOx焼結体５の上方に、レーザ光
案内用の溝トラツク７を有するデイスク基板８が
回転しており、溝トラツク７を有する面にTeOx
薄膜が蒸着される。
ここで蒸発源５に焼結体を用いることの利点は
次の通りである。もし、５を焼結体ではなく粉末
とすると、例えば電子ビーム加熱により粉末をそ
の表面側から高温に加熱し溶融させた場合、その
溶融部は液状となつてすり鉢状に陥没する。従つ
て、蒸着蒸気の供給は、陥没したすり鉢状の表面
から行なわれることとなる。
次の通りである。もし、５を焼結体ではなく粉末
とすると、例えば電子ビーム加熱により粉末をそ
の表面側から高温に加熱し溶融させた場合、その
溶融部は液状となつてすり鉢状に陥没する。従つ
て、蒸着蒸気の供給は、陥没したすり鉢状の表面
から行なわれることとなる。
その結果、すり鉢状の表面から蒸発する蒸気
は、必然的に基板に対して斜めに入射するものが
増大し、基板上への良好な蒸着が極めて困難にな
る。
は、必然的に基板に対して斜めに入射するものが
増大し、基板上への良好な蒸着が極めて困難にな
る。
これに対して、本実施例のように蒸発源５を焼
結体とすれば、溶融部の溶湯の表面は陥没するこ
となくほぼ水平な状態を保つことができ、良好な
蒸着が可能となるのである。
結体とすれば、溶融部の溶湯の表面は陥没するこ
となくほぼ水平な状態を保つことができ、良好な
蒸着が可能となるのである。
TeOx焼結体５を電子ビームによつて加熱する
場合、電子ビームのパワーを低くして蒸着速度を
低くすると、Te richな膜が形成され、パワーを
上げて蒸着速度を高くするとTeO2がrichな膜が
形成される。これはTeの蒸発温度が450℃である
のに対し、TeO2の蒸発温度は733℃と高くなつて
いるためである。
場合、電子ビームのパワーを低くして蒸着速度を
低くすると、Te richな膜が形成され、パワーを
上げて蒸着速度を高くするとTeO2がrichな膜が
形成される。これはTeの蒸発温度が450℃である
のに対し、TeO2の蒸発温度は733℃と高くなつて
いるためである。
したがつて加熱温度を低くするとTeのみが蒸
発しやすくTe richな膜が形成されるが、加熱温
度が高くなるとTeO2も蒸発しやすくなり、TeO2
richな膜が形成される。
発しやすくTe richな膜が形成されるが、加熱温
度が高くなるとTeO2も蒸発しやすくなり、TeO2
richな膜が形成される。
そこでデイスク基板にTeOx薄膜を蒸着するに
際して、少なくともその初期において、蒸着速度
を連続的に上昇させることにより、基板に近い方
から遠い方に向かつてTe richな組成からTeO2
richな組成に連続的に変化させることができる。
際して、少なくともその初期において、蒸着速度
を連続的に上昇させることにより、基板に近い方
から遠い方に向かつてTe richな組成からTeO2
richな組成に連続的に変化させることができる。
第５図ａは、溝トラツクを形成したアクリル等
のデイスク基板９に第６図に示す蒸着速度の時間
的変化でTeOx薄膜を約120nmの膜厚で形成し、
さらに保護基板１１を接着相１２を介して密着構
造にした完成させたデイスクの模式図である。第
５図ｂは、同様に薄膜の上に樹脂コーテイング１
２をほどこした上に、ハードコート層１３を設け
たデイスクである。このデイスクを1800rpmで回
転させ、矢印１４の方からレーザ光を照射し5M
Hzの単位周波数を記録した。その結果、58dBを
超えるＣ／Ｎ比が得られ、かつ、40℃、湿度90％
の雰囲気に放置しても５年以上でも有意な変化は
見られていない。
のデイスク基板９に第６図に示す蒸着速度の時間
的変化でTeOx薄膜を約120nmの膜厚で形成し、
さらに保護基板１１を接着相１２を介して密着構
造にした完成させたデイスクの模式図である。第
５図ｂは、同様に薄膜の上に樹脂コーテイング１
２をほどこした上に、ハードコート層１３を設け
たデイスクである。このデイスクを1800rpmで回
転させ、矢印１４の方からレーザ光を照射し5M
Hzの単位周波数を記録した。その結果、58dBを
超えるＣ／Ｎ比が得られ、かつ、40℃、湿度90％
の雰囲気に放置しても５年以上でも有意な変化は
見られていない。
なお、蒸着源としてTeOx焼結体としたが、他
の成分、たとえばGe、Sn等が添加されたTeOx
焼結体を用いても、主成分がTeOx焼結体であれ
ば、高感度で高安定の光メモリデイスクを得るこ
とができる。
の成分、たとえばGe、Sn等が添加されたTeOx
焼結体を用いても、主成分がTeOx焼結体であれ
ば、高感度で高安定の光メモリデイスクを得るこ
とができる。
前記実施例ではTeOxを例にして示したが、本
願発明は、GeOx（Ｏ＜ｘ＜２）、SnOx（Ｏ＜ｘ＜
２）、InOx（Ｏ＜ｘ＜1.5）、BiOx（Ｏ＜ｘ＜1.5）
等金属または半金属Ｍと酸素Ｏとの組成比が
MOx（Ｏ＜ｘ＜Ａ、ＡはＭの量を１とした場合の
酸素Ｏの量を化学当量比で表わした値）である記
録用の薄膜も、蒸発源として、それぞれの焼結体
を用いることにより良好に形成できる。
願発明は、GeOx（Ｏ＜ｘ＜２）、SnOx（Ｏ＜ｘ＜
２）、InOx（Ｏ＜ｘ＜1.5）、BiOx（Ｏ＜ｘ＜1.5）
等金属または半金属Ｍと酸素Ｏとの組成比が
MOx（Ｏ＜ｘ＜Ａ、ＡはＭの量を１とした場合の
酸素Ｏの量を化学当量比で表わした値）である記
録用の薄膜も、蒸発源として、それぞれの焼結体
を用いることにより良好に形成できる。
発明の効果
以上のように、本発明の光メモリデイスクによ
れば、記録膜の厚み方向において、TeOxのｘ値
を、デイスク基板に近い部分ではｘの値が小さ
く、遠い部分ではｘが大きくなるように、連続的
に変化させるとともに、デイスク基板側を光照射
面としているので、記録感度が高く、しかも安定
性に優れた光メモリデイスクを得ることができ
る。
れば、記録膜の厚み方向において、TeOxのｘ値
を、デイスク基板に近い部分ではｘの値が小さ
く、遠い部分ではｘが大きくなるように、連続的
に変化させるとともに、デイスク基板側を光照射
面としているので、記録感度が高く、しかも安定
性に優れた光メモリデイスクを得ることができ
る。
また、ｘの値を連続的に変化させているので、
記録膜の厚み方向において、熱膨張率が急激に変
化することがない。そのため、記録時の光照射加
熱による相変態において、記録膜内の熱歪は暖和
され、記録層に剥離、クラツク等が発生すること
はなく、この点からも記録部の変質、劣化をを招
きにくい。
記録膜の厚み方向において、熱膨張率が急激に変
化することがない。そのため、記録時の光照射加
熱による相変態において、記録膜内の熱歪は暖和
され、記録層に剥離、クラツク等が発生すること
はなく、この点からも記録部の変質、劣化をを招
きにくい。
また、本願発明の光メモリデイスクの製造方法
によれば、蒸発源に焼結体を用いているので、蒸
着蒸気の基板への供給状態が安定し、ｘの値を膜
厚方向に連続的に変化させたTeOx膜を基板上に
安定に形成できる。
によれば、蒸発源に焼結体を用いているので、蒸
着蒸気の基板への供給状態が安定し、ｘの値を膜
厚方向に連続的に変化させたTeOx膜を基板上に
安定に形成できる。
第１図は従来のTeOx薄膜を形成する方法の一
例を示す斜視図、第２図は組成を変えたTeOx薄
膜の熱転移温度を測定した特性図、第３図は組成
を変えたTeOx薄膜の安定性を調べた特性図、第
４図は本発明の光メモリデイスクの製造方法を実
施した装置の原理図、第５図ａ，ｂはそれぞれ本
発明の実施例における光メモリデイスクの断正面
図、第６図は第４図の装置における蒸着速度の時
間的変化の一例を示す特性図である。 ８，９…デイスク基板、５…TeOx焼結体、１
０…TeOx薄膜、１１…保護基板。
例を示す斜視図、第２図は組成を変えたTeOx薄
膜の熱転移温度を測定した特性図、第３図は組成
を変えたTeOx薄膜の安定性を調べた特性図、第
４図は本発明の光メモリデイスクの製造方法を実
施した装置の原理図、第５図ａ，ｂはそれぞれ本
発明の実施例における光メモリデイスクの断正面
図、第６図は第４図の装置における蒸着速度の時
間的変化の一例を示す特性図である。 ８，９…デイスク基板、５…TeOx焼結体、１
０…TeOx薄膜、１１…保護基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属または半金属Ｍと酸素Ｏとの組成比が
MOx（０＜ｘ＜Ａ、ＡはＭの量を１とした場合の
酸素Ｏの量を化学当量比で表した値）である記録
用の薄膜をデイスク基板上に形成し、前記薄膜の
厚さ方向の全域において、ｘの値がデイスク基板
に近い方から遠い方に向かつて連続的に大きくな
るように設定し、前記デイスク基板を光照射面と
し、前記薄膜の相を厚さ方向に渡つて変態させて
情報の記録を行う光メモリデイスク。 ２ MOxとしてGeOx（０＜ｘ＜２）、SnOx（０
＜ｘ＜２）、TeOx（０＜ｘ＜２）、InOx（０＜ｘ
＜1.5）、BiOx（０＜ｘ＜1.5）のうち１つを用いた
特許請求の範囲第１項記載の光メモリデイスク。 ３ 金属または半金属Ｍと酸素Ｏとの組成比が
MOx（０＜ｘ＜Ａ、ＡはＭの量を１とした場合の
酸素Ｏの量を化学当量比で表した値）であるとと
もに、ｘの値がデイスク基板に近い方から遠い方
に向かつて連続的に大きくなる記録用の薄膜をデ
イスク基板上に形成する光メモリデイスクの製造
方法であつて、MOxを主成分とする焼結体を蒸
着源とし、電子ビーム蒸着法を用い、前記デイス
ク基板にMOxを蒸着する少なくとも初期におい
て、蒸着速度を連続的に上昇させることを特徴と
する光メモリデイスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58240106A JPS60131650A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 光メモリデイスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58240106A JPS60131650A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 光メモリデイスクおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60131650A JPS60131650A (ja) | 1985-07-13 |
| JPH0465462B2 true JPH0465462B2 (ja) | 1992-10-20 |
Family
ID=17054575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58240106A Granted JPS60131650A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 光メモリデイスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60131650A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6323235A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報記録担体 |
| JP2794467B2 (ja) * | 1989-10-04 | 1998-09-03 | 同和鉱業株式会社 | 光ディスクおよびその製造法 |
| JP3852408B2 (ja) * | 2002-07-09 | 2006-11-29 | ソニー株式会社 | 光記録媒体 |
| AU2003266698A1 (en) * | 2002-10-01 | 2004-04-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for manufacturing same |
| JP3852420B2 (ja) | 2003-03-13 | 2006-11-29 | ソニー株式会社 | 光記録媒体 |
| JP4627704B2 (ja) * | 2004-09-21 | 2011-02-09 | 株式会社リコー | 追記型光記録媒体 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5046317A (ja) * | 1973-08-29 | 1975-04-25 | ||
| JPS563442A (en) * | 1979-06-20 | 1981-01-14 | Toshiba Corp | Optical memory disk and its manufacture |
| JPS57208299A (en) * | 1981-06-19 | 1982-12-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Recording method of optical information |
| JPS5854338A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録媒体および記録方法 |
-
1983
- 1983-12-20 JP JP58240106A patent/JPS60131650A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5046317A (ja) * | 1973-08-29 | 1975-04-25 | ||
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| JPS5854338A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録媒体および記録方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60131650A (ja) | 1985-07-13 |
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