JPS6346635A - 光学的記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、書替可能な光学的記録媒体（光ディスク）に
関する。

（従来の技術） 近年来、各種の技術分野において高密度記録再生が要求
されるようになり、色々な形式の情軸記録媒体による高
密度記録再生が試みられるようになったが、安定な動作
を行なう半導体レーザが容易に得られるようになったの
に伴い、レーザ光を用いて高密度記録再生を行うように
した各種の光ディスクが既に実用化されたり、あるいは
実用化のための研究開発が行われている現状にあること
は周知のとおりである。

すなわち、幾何学的な凹部あるいは凸部として形成され
ているビットにより情報信号が記録された原盤から大量
に複製された記録済み光ディスク（再生専用の光ディス
ク）が１例えばビデオ・ディスクやコンパクト・ディス
ク等ζして、一般の家庭にも普及し始めている他、１回
だけユーザが追加して記録できる光ディスク（追記型光
ディスク）や書替可能な光ディスク（消去可能な光ディ
スク）なども、例えばオフィス用ファイルメモリ、その
他の用途での実用化のために研究開発されている。

そして、従来提案されている追記型の光ディスりあるい
は書替可能な光ディスクは、それらのものにおける記録
層がレーザ光ビームのスポットの加熱作用により、どの
ような物理的な変化で情報信号の記録を行うようにして
いるのかに着目して分類すると、ビット形成型、泡ある
いは凹凸形成型、光磁気型、相変化型（熱エネルギによ
り光の透過率２反射率、吸収率等に変化が生じる熱変態
型）等の各種形式のものとして大別できる。

前記した各種形式の光ディスクの内で、記録層に徐加熱
、徐冷部と急加熱、急冷却とを繰返すときに、記録層の
光の反射率を可逆的に変化しうるような相変化型の記録
層を備えている光ディスクは、既記録情報の書替え可能
な光ディスクとしての応用の可能性もあるので、例えば
カルコゲナイド系多元組成物を記録材料に使用し、アモ
ルファス−結晶間の相変化により情報信号の記録を行う
ようにした相変化型の光ディスクについては、従来から
盛んに研究が行われて来ていることは周知のとおりであ
る。

（発明が解決しようとする問題点） ところで、前記したカルコゲナイド系の多元組成物の簿
膜からなる記録層を備えている光ディスクは、情報信号
の記録に先立ってそれの記録層を予め結晶状態にしてお
き、情報信号で強度変調されているレーザ光の照射によ
り記録層に結晶状態からアモルファス状態への変化を起
こさせて書替可能な光ディスクとして使用するようにし
た場合には、レーザ光感度も良く、また信号対雑音比も
高くとれるのであるが、レーザ光の照射によって結晶状
態からアモルファスの状態に変化した部分がアモルファ
スの状態に保持されている期間（アモルファスの状態の
寿命）が短かく、情報信号に従って結晶状態からアモル
ファス状態に変化した部分が容易に結晶状態に移行して
いくために情報保持能力のないことが欠点となっていた
。

また、前記した従来の書替可能な光ディスクでは、それ
の記録層に記録された情報を消去するために、記録層を
アモルファスの状態から結晶状態への相変化を生じさせ
るのに、記録層に対してパワー密度の低いレーザ光を多
数回照射するか、あるいは、記録層に対して長円形状の
レーザ光で照射する等の工夫が必要であって、厩記録情
報の高速消去が不可能である等の欠点を有していた。

さらに、前記した光ディスクの記録層に使用される記録
材料は毒性が強いものであるために、光ディスクの製造
時に公害が発生したり、業務用。

事務用、家庭用等としての使用時にトラブルを生じるこ
ともあり、また、廃棄等のことを考えると、それの記録
層として毒性のない材料を使用した書替可能な光ディス
クの出現が要望された。

本出願人会社では前記したような問題点のない記録材料
を用いた記録層を備えている光ディスクの記録層の構成
材料（書替可能な相変化型の記録材料）を探索するに当
り、共晶にはそれが急加熱。

急冷却されるときに結晶性が低下し、また、それが徐加
熱、徐冷部されるときに結晶性が向上するという性質の
あることに着目し、比較的に低温度の共融点を示す共晶
を形成させるべき成分元素を。

元素の周期率表における主としてＩｂ、　Ｉｌｂ、Ｉ［
Ｉｂ、ＩＶａ。

ＩＶｂ、Ｖａ、ＶＩａ、■の各族元素中から選択して色
々な二元合金を作って、それらが記録材料として適する
かどうかについての実験を重ねて来たが、前記した色々
の二元合金の内で錫が３０〜７０重量％の組成範囲（共
晶組成範囲の近傍の組成範囲）の錫。

鉛合金は共晶系であって、急加熱、急冷却の際に結晶性
の低下することが予想され、また、それの共融点の温度
も低いために、それが書替可能な記録層を構成する相変
化型の記録材料として望ましい性質を有するのではない
かと考えられたので、錫が３０〜７０重景％の組成範囲
（共晶組成範囲の近傍の組成範囲）の錫、鉛合金による
薄膜を記録層として備えている光ディスクについては特
別な期待を持って研究が進められた。

そして、前記した錫が３０〜７０重量％の組成範囲（共
晶組成範囲の近傍の組成範囲）の錫、鉛合金による薄膜
を記録層として備えている光ディスクとして、基板上に
例えば３００オングストローム乃至１０００オングスト
ロームの膜厚の記録層を、結晶粒界ノイズが最小となる
ようなスパッタリング条件（到達真空度が１０−４〜１
０−’Ｔｏｒｒ、アルゴン圧が１０−”Ｔｏｒｒ、薄膜
堆積速度が毎秒０．２〜２オングストローム）において
、アルゴンガス中でスパッタリングにより付着形成した
ものを作って、記録層の諸特性を調べたところ、特に、
到達真空度が８Ｘ１０”〜３　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ、
アルゴン圧が１０−”Ｔｏ　ｒ　ｒ、薄膜堆積速度が毎
秒０．２〜２オングストロームのスパッタリング条件で
作られた３００〜１０００オングストロームの膜厚で、
錫が３０乃至７０重量％の組成範囲（共晶組成範囲の近
傍の組成範囲）の錫。

鉛合金による薄膜を記録層として備えている光ディスク
はグレインノイズが小さく、また、それの記録層にレー
ザ光を照射した際に、前記した薄膜による記録層の反射
率が初期反射率２０％〜５０％（初期反射率はスパッタ
リング時の到達真空度によって変化する）に比べて５％
程度の増加が認められるとともに、前記した記録層上に
保護膜を付けた状態の光ディスクを毎分９００回転で回
転させ、それの直径が１００ｍｍの付近の記録層の部分
に対して５００　Ｋ　Ｈｚの矩形波で強度変調されてい
る７ｍｗのレーザ光を照射して情報信号の記録を行って
から、前記した情報信号の記録部分に対（て再生用の一
定の強度のレーザ光を照射して情報信号の再生を行った
ところ、５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られたことにより、
この光ディスクは相変化による情報信号の記録の可能な
光ディスクとして実用になることが確められた。なお、
前記した製作条件下で作られた錫が３０〜７０重量％の
組成筒Ｈ（共晶組成範囲の近傍の組成範囲）の錫鉛合金
の薄膜のＸ線回折パターンは、＊と鉛からの結晶ピーク
を示していることから、前記した錫鉛合金の薄膜は結晶
質であることが明らかにされ、また、スパッタリング条
件内での各要因の変化がＸ線回折パターンに反映してく
ることが確かめられた。・ 前記したように錫が３０〜７０重量％の組成範囲（共晶
組成範囲の近傍の組成範囲）の錫、鉛合金による薄膜を
記録層として備えている光ディスクは、前記したように
感度及びＣ／Ｎの点で実用に適すると認められるととも
に、耐候性の点についても、通常の環境においては実用
に適することが明らかにされたが、それを高温下で放置
した場合に、媒体ノイズが上昇し易いという点が問題に
なった・ 前記のように錫が３０〜７０重量％の組成範囲（共晶組
成範囲の近傍の組成範囲）の錫、鉛合金による薄膜を記
録層として備えている光ディスクを高温下で放置した際
に生じる媒体ノイズの増加・は、記録層を構成している
錫鉛合金における錫と鉛との結晶性が良好になることに
よるものと考えられた。

そして、前記した間厘点は既述した錫が３０〜７０重量
％の組成範囲（共晶組成範囲の近傍の組成範囲）の錫、
鉛合金による薄膜をスパッタリングによって成膜する際
に使用されるアルゴンガス中に体積比で２．５％〜７．
５％の酸素ガスを混入し、スパッタリングによって成膜
させる錫、鉛、よりなる薄膜中に酸素原子を取込ませる
ことにより、錫と鉛との結晶化を抑制することができ、
前記した構成の記録層、すなわち、錫、鉛、酸素の三成
分からなる記録材料の薄膜で構成された記録層を備えて
いる光ディスクを高温下で長期間放置しても媒体ノイズ
が増加しないようにすることができた。

なお、前記のように成膜された錫、鉛、酸素の三成分か
らなる記録材料の薄膜で構成された記録層中に取込まれ
た酸素原子は、記録層を構成している錫と鉛との結晶性
の制御に有効に作用することが確められたが、成膜され
た錫、鉛、酸素の三成分からなる記録材料の薄膜中に取
込まれる酸素原子が多すぎた場合には、そのような錫、
鉛、酸素の三成分からなる記録材料の薄膜による記録層
を備えた光ディスクの記録層にレーザ光を照射した際に
、記録層は相変化に基づいて光の反射率に変化を生じる
とともに、記録層を構成している膜に穴がおいてしまう
という現象が起きるので、成膜された錫、鉛、酸素の三
成分からなる記録材料の薄膜中への酸素原子の取込みに
よる錫と鉛との結晶性の制御には限界があることも明ら
かにされた。

前記したように錫が３０〜７０重景％の組成範囲（共晶
組成範囲の近傍の組成範囲）の錫、鉛、酸素の三成分か
らなる記録材料の薄膜を記録層として備えている光ディ
スクは、それの記録層とされる錫、鉛、酸素の三成分か
らなる記録材料による薄膜をスパッタリングによって成
膜する際に、アルゴンガス中に体積比で２．５％〜７．
５％の酸素ガスを混入したガスを使用して、成膜された
錫鉛合金薄膜中に酸素原子を取込ませることにより、薄
膜中の錫と鉛との結晶性が良好に制御され、それによっ
て既述のように感度及びＣ／Ｎの点で実用に適すると認
められるとともに、耐候性の点についても何ら問題がな
く、実用に適する追記型の光ディスクとなされることが
確められたが、この光ディスクでは書替えができない点
が問題になった。

そして、既述のような諸利点を有する錫が３０〜７０重
量％の組成範囲（共晶組成範囲の近傍の組成範囲）の錫
、鉛、酸素の三成分からなる記録材料の薄膜を記録層と
して備えている光ディスクが、それを書替可能な光ディ
スクとすることができれば前記した従来の相変化型の書
替可能な光ディスクにおける問題点が良好に解決できる
書替可能な光ディスクとして有効に使用できるために、
錫が３０〜７０重量％の組成範囲（共晶組成範囲の近傍
の組成範囲）の錫、鉛、酸素の三成分からなる記録材料
の薄膜を記録層を備えた光ディスクを書替可能な光ディ
スクにするために、さらに研究が進められた。

（問題点を解決するための手段） さて、発明者等は錫鉛合金の薄膜による記録層を備えた
書替可能な光ディスクを得るための研究を進める内に、
錫鉛に他の金属を添加してアモルファス化された合金薄
膜を得ることができれば、そのアモルファス化された合
金薄膜の記録層を用いて書替可能な光ディスクを得るこ
とができるのではないだろうかとい・う着想に基づいて
、錫鉛合金をアモルファス化しつるような他の金属につ
いての探索を行い、その結果、錫鉛にパラジウムを添加
すればアモルファス化された錫鉛パラジウム三元合金薄
膜が得られることを見出した。

前記した錫鉛パラジウム三元合金薄膜は、三元合金であ
るため、錫、鉛、パラジュウムの３つのターゲットを独
立に同時に使用するか、または、錫鉛合金のターゲット
とバラジュウムのターゲットの２つのターゲットを独立
に同時に使用するかしてスパッタリングにより作成する
ことができる。

前記した錫鉛パラジウム三元合金薄膜を、スパッタリン
グ法の適用によって作成する際に、前記したスパッタリ
ングの条件として、錫鉛二元合金薄謹（パラジウムを含
有しない状態）の結晶粒界ノイズを極小とさせうるよう
な条件、すなわち、既述した錫鉛合金の成膜時に採用さ
れたスパッタリング条件と同様に、到達真空度を１０−
４〜１０−’Ｔｏｒｒ、アルゴン圧を１０−”Ｔｏｒｒ
、薄膜堆積速度を毎秒０．２〜２オングストロームとし
て、錫と鉛とが共晶組成となるようにしつつ、パラジウ
ムの添加量を変えた多数の錫鉛パラジウム三元合金薄膜
をスパッタリング法によって作成した。

第１ｒｙＪは錫と鉛とを共晶組成になるようにして成膜
しながら、同時にパラジウムを添加して成膜した場合に
得られる合金薄膜の結晶性の変化の状態を示す図であり
、この図において横軸は成膜された合金薄膜中のパラジ
ウムの含有率、縦軸は成膜された合金薄膜中の鉛成分の
結晶性（面心立方格子（１１１）からのＸ線回折高さ）
を示している。

そして、錫鉛パラジウム三元合金の薄膜のＸ線回折パタ
ーン中には、パラジウムの添加量の〇−５０％の範囲に
おいて、錫と鉛のピークしか存在せず、また、パラジウ
ムの添加量の増加と共に錫と鉛のピークが小さくなり、
パラジウム５０％の添加量においては、すべての回折ピ
ークが消失して錫鉛パラジウム三元合金の薄膜はアモル
ファスとなることが判った。

前記のようにして作成された錫鉛パラジウム合金薄膜に
レーザ光を照射してみたところ、錫鉛パラジウム合金薄
膜でも、既述した錫鉛合金の薄膜の場合と同様に、それ
にレーザー光が照射されたときに反射率が増加する現象
を起こしたが、合金薄膜中のパラジウムの含有量が多く
なると、相変化によって反射率を増加させるために必要
とされるレーザーパワーの増加が認めら、れた。

しかし、前記した錫鉛パラジウム合金の薄膜による記録
層を備えた光ディスクにおいても、それの記録層には情
報信号が１回記録できるだけで、前記した前記した錫鉛
パラジウム合金の薄膜による記録層を備えた光ディスク
は、それの記録層における錫鉛パラジウム合金の薄膜中
のパラジウム′の含有率がどうであっても書替可能な光
ディスクとしては使用できなかった。

ところが、記録層を構成するのに用いられる錫鉛パラジ
ウム合金の薄膜をスパッタリング法によって成膜する際
に、スパッタリングに使用されるアルゴンガス中に体積
比で２．５％〜７．５％の酸素ガスを混入し、スパッタ
リングによって成膜された錫鉛パラジウム合金の薄膜中
に酸素原子を取込ませたところ、そのようにして作成さ
れた錫。

鉛、パラジウム、酸素の四成分からなる記録材料の薄膜
による記録層では、レーザー光の照射による相変化（こ
の場合は結晶性の変化）を可逆的に生じさせうろことを
見出した。

本発明は、前記したように酸素を取込ませた錫。

鉛、パラジウムを成分として構成された薄膜がレーザ光
の照射による相変化を可逆的に生じるという点に着目し
、基板上に錫（Ｓ　ｎ）　、鉛（ｐｂ）、パラジウム（
Ｐｄ）、酸素（Ｏ）の四成分からなる記録材料の薄膜を
記録層として備えている光学的記録媒体であって、前記
した記録材料の薄膜を構成している前記した四成分の重
量比が。

［（Ｓ　ｎ　ｘ＊　Ｐ　ｂ　（１−ｘ））（１−ｙ）　
ｔ　Ｐ　ｄ　ｙ］（１ｚ　）＊　Ｏｚただし、０．５（
ｘ（Ｏ，７ ０，０５＜　ｙ　＜０．１５ ０．０３　＜　ｚ　＜０．０９ として表わされる如き記録材料の薄膜よりなる記録層を
備えている光学的記録媒体を提供するものである。

（実施例） 以下１本発明の光学的記録媒体の具体的な内容について
詳細に説明する。１本発明の光学的記録媒体は、基板上
に錫（Ｓ　ｎ）　、鉛（ｐｂＬパラジウム（Ｐｄ）、酸
素（Ｏ）の四成分からなる記録材料の薄膜を記録層とし
て備えている光学的記録媒体であって、前記した記録材
料の薄膜を構成している前記した四成分の重量比が、 ［（Ｓ　ｎｘ、ｐ　ｂ　（１−ｘ））（１−ｙ）ｐＰ　
ｄｙ］（１−ｚ）、Ｏｚただし、０．５＜　ｘ＜０．７ ０．０５　＜　７　＜０．１５ ０．０３　＜　　ｚ　＜０．０９ として表わされる如き記録材料の薄膜よりなる記録層を
備えているものであって、それの記録層はし・−ザ光の
照射によって可逆的相変化を生じうるものである。

本発明の光学的記録媒体において、それの記録層を構成
している錫、鉛、パラジウム、酸素の四成分の内で、ま
ず錫と鉛とに着目すると、錫と鉛とは錫の含有率が６０
±１０重量％の組成範囲の錫鉛合金を形成できるような
組成、すなわち、＄１と鉛との共晶組成範囲付近の組成
となされるのが好適であるが、それは錫と鉛とが前記の
ように錫の含有率が６０±１０重量％の組成範囲となる
ようにされた場合には、錫と鉛との共晶組成付近セの急
冷時に結晶性が低下し易くなると考えられるからである
。

次に、錫と鉛との二つの成分の合計に対するパラジウム
の含有量は５〜１５重量％が好適である。

それは、前記した量以上の量のパラジウムを添加したの
では１作成された錫、＃ａ、パラジウムの三成分による
薄膜にレーザー光を照射しても、薄膜に十分な相変化を
生じさせることができなかったからである。

さて１本発明の光学的記録媒体において、それの記録層
を構成する錫（Ｓ　ｎ）、鉛（ｐ　ｂ）　、パラジウム
（Ｐｄ）、酸素（Ｏ）の四成分からなる記録材料の薄膜
は、錫、鉛、パラージュウムの３つのターゲットを独立
に同時に使用したり、または錫鉛合金のターゲットとバ
ラジュウムのターゲットの２つのターゲットを独立に同
時に使用したりすることによって、スパッタリングによ
り作成することができるが、前記した錫、鉛、パラジウ
ム、酸素の四成分からなる記録材料の薄膜を、スパッタ
リング法の適用によって作成する際における前記したス
パッタリングの条件としては、結晶粒界ノイズを極小と
させうるような条件となるように、到達真空度を３　Ｘ
　１０−”〜６　Ｘ　１０−’Ｔｏ　ｒ　ｒ、アルゴン
圧を１０°”Ｔｏｒｒ、薄膜堆積速度を毎秒０．２〜２
オングストロームとし、またアルゴンガスに対する酸素
ガスの混合率は、体積比で２．５％〜７．５％とするの
が好適であった。

すなわち、アルゴンガスに対する酸素ガスの混合率が、
体積比で２．５％以下の場合には、錫。

鉛、パラジウム、酸素の四成分からなる記録材料の薄膜
を高温（６０℃以上）で放置した際にグレインノイズが
上昇し、また、アルゴンガスに対する酸素ガスの混合率
が、体積比で７．５％以上の場合には、前記した錫、鉛
、パラジウム、酸素の四成分からなる記録材料の薄膜を
レーザー光で照射した際に相変化（反射率変化）を起こ
さずに、膜に穴があき易くなるからである。

第２図は、前記したような組成、製法に従って得た錫、
鉛、パラジウム、酸素の四成分からなる記録材料の薄膜
の可逆的相変化の状態を示したものであり、この第２図
において横軸は温度、縦軸は光の反射率である。

１！１（Ｓｎ）、鉛（ｐ　ｂ）　、パラジウム（Ｐｄ）
、酸素Ｃｏ）の四成分からなる記録材料の薄膜における
前記した四成分の重量比が、 ［（Ｓ　ｎｘ＊Ｐ　ｂ　（１−ｘ））（１−ｙ）＊Ｐ　
ｄｙ］（１−ｚ）、Ｏｚただし、０．５＜　ｘ＜０．７ ０．０５　＜　　ｙ＜０．１５ ０．０３　＜　ｚ　＜０．０９ として表わされる如き記録層を３００オングストローム
の膜厚として円盤状のフォトポリマ案内溝付アクリル基
板上に形成させて実施した本発明の光ディスクについて
、その光ディスクを９０Ｏｒｐｍで回転させて、記録層
に４．８ｍｗのレーザー光を直径的１μｍの円状のスポ
ットとして照射したところ、記録層におけるレーザ光の
照射部分は光の反射率が低下し透過率が増加した状態に
変化した（ただし、光ディスクは保護膜なしのものであ
り、また、前記したレーザ光のスポットによる照射は光
ディスクにおける直径１００１ｍｍ付近になされた場合
）。

次に、前記した光ディスクにおける同じ場所に５．２ｍ
ｗのレーザー光を直径的１μｌの円状のスポットとして
照射すると、光の反射率と透過率とは薄膜作成時の状態
に復帰したが、これは相変化が可逆的に誘起されている
ことを示している。

このことは前記した錫、鉛、パラジウム、！２素を成分
とする記録層の温度変化に対する光の反射率を測定した
第２図を参照するとよく理解できる。

第２図は昇温過程（昇温速度１０℃／分）での錫。

鉛、パラジウム、酸素を成分とする記録層の光の反射率
変化をＨｅＮｅレーザー光で測定したものである（？ｔ
ｌ！定波長６３２８オングストローム、サンプルに対し
て垂直入射）、そして、前記した第２図を見ると１６０
℃を境にして反射率の高い低温相と反射率の低い高温相
とが認められる。また、第２図中の２３０℃における光
の反射率の急激な低下は錫成分の融解によるものである
。

前述した光ディスクに形成された錫、釦、パラジウム、
酸素を成分とする薄膜による記録層での可逆的な光の反
射率の変化を、第２図を参照して説明すると、前記した
ように４．８ｍｗのレーザー光を直径約１μ朧の円状の
スポットとして照射した場合は徐冷（アニール）の効果
による高温相の実現として説明でき、また５、２ｍｗの
レーザー光を直径約１μ閣の円状のスポットとして照射
した場合は急冷（クウェンチ）の効果による高温相から
低温相への復帰として説明できる。

（効果） 以上、詳細に説明したところから明らかなように１本発
明の基板上に錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、パラジウム（Ｐ
ｄ）、！素（Ｏ）の四成分からなる記録材料の薄膜を記
録層として備えている光学的記録媒体であって、前記し
た詑゛録材料の薄膜を構成している前記した四成分の重
量比が。

［（Ｓ　ｎＸ、　Ｐ　ｂ　（１−Ｘ））（１−ｙ）＋　
Ｐ　ｄｙ］（１−ｚ　）、Ｏｚただし、０．５＜　ｘ＜
０．７ ０−０５　＜　ｙ　＜０．１５ ０．０３　＜　ｚ　＜０．０９ として表わされる如き記録材料の３膜よりなる記録層を
備えている光学的記録媒体は、それの記録層の光の反射
率がレーザ光の照射によって可逆的に変化されるので、
書替可能な光ディスクを容易に提供できる。また、光デ
ィスクに対する情報信号の書込み読みだしと消去は円形
状のレーザービームだけでよく長円ビームを必要としな
い、さらに、相変化のスピードが速いことも利点であり
、さらにまた、高温放置下での成分物質の結晶化も抑制
されていて長期の保存に耐え、また、書込み消去に必要
なレーザーパワーが小さくてすむし、無毒性の記録材料
であるために安全であり、記録層をスパッタリングで作
成するので大量生産に適するなどの諸利点が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は錫と鉛とを共晶組成になるようにして成膜しな
がら、同時にパラジウムを添加して成膜した場合に得ら
れる合金薄膜の結晶性の変化の状態を示す図、第２図は
昇温過程（昇温速度１０℃／分）での錫、鉛、パラジウ
ム、酸素を成分とする薄膜の光の反射率変化をＨａＮｅ
レーザー光で測定したものである（測定波長６３２８オ
ングストローム、サンプルに対して垂直入射）である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板上に錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、パラジウム（Ｐｄ）
   、酸素（Ｏ）の四成分からなる記録材料の薄膜を記録層
   として備えている光学的記録媒体であって、前記した記
   録材料の薄膜を構成している前記した四成分の重量比が
   、 ［｛Ｓｎｘ、Ｐｂ（１−ｘ）｝（１−ｙ）、Ｐｄｙ］（
   １−ｚ）、Ｏｚただし、０．５＜ｘ＜０．７ ０．０５＜ｙ＜０．１５ ０．０３＜ｚ＜０．０９ として表わされる如き記録材料の薄膜よりなる記録層を
   備えている光学的記録媒体