JPH0288288A - 第三元素を含有するアンチモン‐錫合金からなる光学記録材料 - Google Patents

第三元素を含有するアンチモン‐錫合金からなる光学記録材料

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光学記録に有用であるアンチモン−錫合金に関
する。
〔従来の技術〕
カルコゲン化薄膜及び無定形から結晶への相転移を使用
する薄膜光学記録層は、１９７０年代初めからの多くの
研究の主題であった。初期の関心は、無定形から結晶へ
の相転移は基本的に可逆プロセスであるので、「消去す
ることができる」、そしてそれで再使用できる光学記録
層に焦点が合わされていた。低い出力の比較的長期のレ
ーザパルスが、層上の局所的スポットを融点以下にスポ
ットが結晶化するために十分な時間加熱するために使用
される。これらの結晶スポットを、次いでより高い出力
の短期のレーザパルスにより結晶スポットの融点以上に
加熱し、スポットの構造をランダムにすることができる
。この層は、レーザパルスの終端で、加熱されたスポッ
トの冷却速度が、ランダムにされた構造が無定形状態を
達成するために冷凍されるに十分高いように設計される
。
かくして、レーザ出力及び期間を調節することにより、
層上の選択された領域の状態を、無定形状態と結晶状態
との間で切り替えて、情報蓄積のために使用することが
できる無定形及び結晶スポットのパターンを作り出すこ
とができる。相転移は可逆的であるので、このパターン
は消すことができ異なった記録されたパターンで置き換
えることができる。理論的には、この消去−書き込みサ
イクルは何回でも行うことができる。
上記書き込み一消去一書き込みサイクルが実際的使用の
ものである光学記録層のために、非常に僅かの物質が知
られている。消去可能な層−変化型光学記録層は商業化
されていない。
ヨーロッパ特許出願第０１８４４５２号には、アンチモ
ン−インジウム及びアンチモン−インジウム錫合金のあ
る種の消去可能な光学記録層が開示されている。情報記
録及び消去は、二つの異なった結晶状態の間で層を切り
替えることにより達成されると言われている。これらの
層は、一般に、情報を記録できる前に二つの結晶状態の
一つに最初転換されるべき無定形状態で製造される。大
量熱処理又は長期レーザ露光の何れかにより達成される
結晶化された状態は、無定形状態よりも低い反射率を有
すると言われている。実施例は、そこに開示された物質
が非常に遅い結晶化速度を有していることを示している
。この応用は更に、そこに開示された光学記録材料が、
一般に無定形状態が不安定であるために、無定形から結
晶への転移機構で使用するために不適当であることを教
示している。かくして、無定形から結晶への転移が遅く
無定形状態が不安定であるために、この文献に開示され
た合金は一回書き込み型記録には適していない。
多くの注目がまた、いわゆる「−回書き込み型」薄膜光
学記録層に向けられている。−回書き込みは、単純に、
層が一度だけ記録できることを意味している。このよう
な層は消去することができず、次の記録のために再使用
することができない。
薄膜光学記録層は製造されたときは一般に無定形である
ので、−回書き込み層に記録工程として結晶化工程を使
用することが望ましい。しかしながら、遅い結晶化の問
題は、多くの公知の物質で高いデータレートの達成を妨
げる。高いデータレートは、コンピュータで使用するた
めに設計された一回書き込み層のために重要である。
かくして、本質的な困難性は、研究された多くの層の結
晶化の速度が普通低すぎることである。
実際的な応用のために、マイクロセカンド（μＳ）より
も短いレーザパルスにより結晶化され得る層を有するこ
とが望ましい。現在、僅かな物質がこのような能力を示
している。高い結晶化速度を有するいくつかの物質（例
えば、Ｔｅ−３ｎ合金）について、データ保持時間は、
無定形状態の不安定性のためにしばしば適切ではない。
かくして、問題は、先行技術が、ａ）１．０μｓより小
さい結晶化速度、ｂ）良好な耐腐食性、Ｃ）安定な無定
形状態、及びｄ）高速、高密度記録能力の組み合わせを
有する一回書き込み型光学記録層を提供しないことであ
る。
１９８７年１０月２７日発行の特開昭６２−２４６７８
８号公報には、光学記録のためのアンチモン−錫−ケル
マニウム合金が開示されている。この公報には、他の第
三の元素がアンチモン−錫と共に使用できるという示唆
はない。
〔発明が解決しようとする課題〕
高性能の光学記録物質についてのニーズが引き続きある
。
〔課題を解決するための手段〕
本発明により、合金の一回書き込み型の無定形の薄膜光
学記録層を含んでなり、該合金が１）該型又は僅かに歪
んだ塩化す）　ＩＪクロム結晶を有するような量及び比
率のアンチモン及び錫、並びに２）少なくとも１種の他
の元素（但し、核層の元素は、インジウム、アルミニウ
ム、亜鉛、又はゲルマニウムではない）を含んで成る記
録材料が提供される。
好ましい態様に於いて、合金中に存在する追加の元素は
、無定形から結晶への転移温度を上昇させる。無定形か
ら結晶への転移汲度の上昇は、記録物質の長期安定性の
ために重要である。高い転移温度を有する記録層は、自
発的な無定形から結晶への転移の傾向が少ない。例えば
、（活性化エネルギー１００Ｋｃａ１１モル、貯蔵温度
５０℃、及び１％結晶化で記録層が駄目になると仮定し
て）約９０℃の転移温度を有する合金は約１年の貯蔵寿
命を有すると推定される。若し転移温度が１１０℃に上
昇するならば、貯蔵寿命は約１５００年に増加するであ
ろう。
無定形から結晶への転移温度を上昇させることが見出さ
れた元素には、インジウム、アルミニウム、亜鉛及びゲ
ルマニウムに加えて、カドミウム、ニッケル、鉄、マン
ガン、銅、酸素、ニオブ及びシリコンが含まれる。かく
して、これらはアンチモン−錫合金のために好ましい元
素である。
他の好ましい態様に於いて、本発明の記録物質は、この
記録物質が光学記録に使用されるとき改良された搬送波
対雑音比を示すであろう。合金に於ける追加の元素は、
合金の層を平滑にするか又は合金をより硬くし、そうし
てレーザが結晶標識を作るために使用されるとき変形が
より小さくなると思われる。
記録層の搬送波対雑音比を増大させることが見出された
元素には、インジウムに加えて、クロム、ビスマス、ニ
オブ及びタングステンが含まれる。
かくして、これらの元素もまた本発明に於いて好ましい
。
アンチモン−錫（二価）及びアンチモン−錫−インジウ
ム合金で、レーザ記録により生成される結晶領域は、全
て同じ結晶状態であり、そしてそれで上記ヨーロッパ特
許出願第０１８４４５２号に記載された物質により示さ
れるような典型的な消去可能な記録層から区別できる。
かくして、本発明の他の面で、合金の無定形の薄膜光学
記録層に結晶領域の形態でそこに記録された情報を有す
る上記記録層を含んでなり、該合金が１）該結晶領域が
塩化ナトリウム型又は歪んだ塩化す）　ＩＪクロム結晶
を有するような量及び比率のアンチモン及び錫、並びに
２）少なくとも１種の他の元素（但し、核層の元素は、
インジウム、アルミニウム、亜鉛、又はゲルマニウムで
はない）を含んで成る記録された材料を提供する。
本発明の更に他の面で、ａ）合金の一回書き込み型の無
定形の薄膜光学記録層を含んでなり、該合金が１）該合
金の結晶性レーザ記録された標識が塩化ナトリウム型又
は歪んだ塩化ナトリウム型結晶を有するような量及び比
率のアンチモン及び錫、並びに２）少なくとも１種の他
の元素（但し、核層の元素は、インジウム、アルミニウ
ム、亜鉛、又はゲルマニウムではない）を含んで成る記
録材料を容易する工程、並びに ｂ）情報変調レーザビームを該記録層に合焦して核層に
結晶及び無定形領域のパターン（但し、該結晶領域の全
部が無定形領域とは異なる反射率の同じ結晶状態にある
）を形成する工程を含んでなる、情報を記録する方法を
提供する。
〔作　用〕
合金が一回書き込み応用のために見出されたこと、ａ）
　１．０μｓより小さい結晶化速度、ｂ）良好な耐腐食
性、Ｃ）安定な無定形状態、及びｄ）高速、高密度記録
能力の組み合わせを有すること、及び追加の元素がこの
合金に含まれた場合でさえもこの性質の組み合わせを保
持したことは、驚くべきことであった。心配は、追加の
元素が結晶性層の結晶構造を崩壊でき、それでアンチモ
ン−錫合金ベースの有用な性能を減少するか又は除くこ
とであった。然るに、性能が実際に増大する場合があっ
たことは特に驚くべきことであった。
本発明者らが今や見出したように、アンチモン−錫合金
に添加される追加の元素の選択は限定的ではなく、カド
ミウム、ガリウム、チタン、珪素、マンガン、テルリウ
ム、ニオブ、鉄、銅、タングステン、鉛、モリブデン、
硫黄、ニッケル、酸素、セレン、タリウム、砒素、燐、
金、パラジウム、白金、ハフニウム、及びバナジウムが
使用できる。
これらの元素の混合物もまた有用である。
この合金に含有されるべき第三の元素の量は、選択され
た元素と改良されるべき性質に依存する。
例えば、その量は、合金が記録のために使用されるとき
搬送波対雑音比を著しく改良する最小の量から、−回書
き込み型アンチモンー錫性質の性能が低下する量まで、
すなわち、その元素がアンチモン−錫の塩化ナトリウム
型結晶構造と干渉し始める点までの範囲であって良い。
ある場合に、搬送波対雑音比は０．６原子％のように少
ない第三元素により改良されるであろう。幾分より高い
濃度、例えば、３〜３５原子％が、更に著しい量で無定
形から結晶への転移温度を上昇するために有用である。
第三の元素が転移温度を上昇させる態様に於いて、第三
の元素は、少なくとも約３℃はど転移温度を上昇させる
に十分な量で存在することが好ましい。第三の元素は一
般に少量で、好ましくは３と２５原子％の間で存在する
。最適量は、選択された元素に依存して変えられ、日常
の実験法により決定できる。
アンチモン及び錫の量並びにその比率は、レーザ記録さ
れた標識の結晶層が塩化す）　＋Ｊウム型結晶又は僅か
に歪んだ塩化す）　ＩＪウム型の結晶構造を有する結晶
からなるようなものである。これは当該技術で公知であ
る形態の形であり、対象の合金の試料を結晶化させ、Ｘ
−線回折又は電子ビーム回折分析を行うことにより決定
できる。若しＸ−線回折又は電子回折パターンが塩化ナ
トリウムと同−又は実質的に同一であるならば、それは
塩化す）　ＩＪウム型の結晶構造であると考えられる。
アンチモンと錫の総厚子％は好ましくは少なくとも６５
％である。合金中の錫の原子％に対するアンチモンの原
子％の比は、好ましくは１と９との間である。かくして
、本発明で有用な合金は、式：％式％ （式中、Ｅは第三の元素（又は元素の混合物）であり、
ｘ、ｙ及び２は、合金中の元素の原子％を表し、ｙに対
するＸの比は約１と９との間であり、Ｚは０．６と３５
原子％の間である） により表すことができる。
一般に好ましい第三の元素のために、好ましい合金は下
記の組成（元素の次の数字は、合金中の原子％を表す）
を有する。
５ｂ６６Ｓｎ２８Ｇａ６．５ｂ５８Ｓｎ３２ＧａｌＯ，
５ｂ６４Ｓｎ３０Ｃｄ６゜５ｂ５２Ｓｎ３９Ｃｄ９．５
ｂ５０Ｓｎ３４Ｃｄ１６．５ｂ６８Ｓｎ８Ｔｅ２４゜５
ｂ６１Ｓｎ２６Ｃｒ１３．５ｂ６７Ｓｎ２９Ｂｉ４．５
ｂ６３Ｓｎ２７ＮｂｌＯ。
５ｂ６２Ｓｎ２７Ｔｉｌｌ、　　５ｂ６２Ｓｎ２７Ｓｉ
１１．　　　（Ｓｂ８６Ｓｎ１４）、Ｏｙ。
（Ｓｂ７７Ｓｎ２３）、０．、　５ｂ５９Ｓｎ３２Ｎｉ
９．　５ｂ７０Ｓｎ２６Ｆｅ４゜Ｓｂ６６Ｓｎ２５Ｍｎ
９　ａｎｄ　５ｂ６１Ｓｎ２８Ｃｕｌｌ。
光学記録層は、本発明の合金を使用する合金ターゲット
からのＲＦ（ラジオ周波数）及びＤＣ（直流）スパッタ
リングのような公知の薄膜沈着技術により製造できる。
磁界を適用することによるスパッタリング方法（マグネ
トロンスパッタリング）の増強も使用できる。膜の厚さ
は、コントラスト、感度、製造速度、材料コスト、制御
の容易さ、データレ−）　（ｄａｔａ　ｒａｔｅ）、等
々のような要因の間の妥協に依存して、数十〜数百ナノ
メーターであってよい。
使用することができる支持体には、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリメチルメタクリレート、及びポリカーボ
ネートのようなプラスチック板、ガラス板、紙、及びア
ルミニウムのような金属板が含まれる。
本発明の合金を使用して作られた薄膜上への情報記録は
、その層に情報変調されたレーデビームを合焦すること
によって行われ、それによりそうでなければ無定形層中
に結晶化領域の形でその層に情報のパターンを形成させ
る。
有用な記録材料は、記録材料の外側表面から順番に、外
被層、薄膜光学記録層、及び基体からなる。ドライブ信
号に対応して、記録層に合焦されたダイオード記録ビー
ムの強度は、記録されるべき情報により変調される。
記録の間、記録材料は一定速度、例えば、１８００回転
／分（ｒｐｍ）で回転する。その結果、情報のトラック
が選択された結晶化領域の形態で光学記録層に記録され
る。記録を続けるにつれて、記録スポットは記録材料を
半径方向内側に横切って走査され、それにより情報はス
パイラル又は同心円トラックに沿って記録される。記録
された情報標識のサイズ及び間隔は、記録材料の半径方
向の位置と同様に、記録レーザドライブ信号の情報内容
により変わる。
リードパック工程の間、このように記録された情報を有
する記録材料は、記録工程の間回転したのと同じ速度で
回転する。読み出しレーザビームの光路は、高教値開ロ
レンズにより記録材料の再生スポットに合焦される。記
録材料は反射型のものであり、それで、再生スポットを
形成する放射線は、光学記録材料に記録された情報標識
で干渉した後高数値開口レンズを通って反射して戻る。
レンズは、反射したレーザ放射線を、検出器に入る反射
レーザ放射線の放射照度に於ける時間的変化量（コント
ラスト）に対応して電気的再生信号を作る検出器上に向
ける。
記録材料の他の形式もまた有用である。例えば、アルミ
ニウムのような反射性基体では、基体の両面に本発明の
合金からなる記録層を設けることができる。それで、有
用な記録材料は、平滑層、本発明の相変化合金の層及び
透明な保護外被の層が両面に被覆されたアルミニウムで
ある。同様な態様に於いて、合金は、次いで接着剤で基
体の両面に接着される透明な基体の上に設けられる。更
に他の態様に於いて、上記のような合金は、記録層を形
成する透明な基体の上に設けられる。次いで光学記録層
は、接着層で同一の記録材料の記録層に接着される。接
着層の厚さは、二つの記録層の光学的分離を与える。
下記に示す実施例に於いて、試料を無定形から結晶への
転移温度について試験した。その方法は下記の通りであ
る。試験すべき沈着したフィルムを、流通窒素雰囲気下
で熱板上に置いた。このフィルムは最初は無定形であっ
た。温度を、１０ミリケルビン／秒の速度で上昇させた
。この加熱の間、この層の表面の正反射率を、層の全部
が結晶化し反射率が最大値になるまでモニターする。デ
ータを解析し、無定形から結晶への転移温度を、試料が
その全反射率変化の半分に到達したときの温度として得
る。
また下記実施例に於いて、合金を動態性能について試験
した。動態性能値を測定するために標準試験様式を使用
した。特に、被覆物は透明ガラス基体上に沈着し、動態
試験スタンドで試験した。
使用した記録ヘッドは、０．５５値開ロレンズを利用す
る、７８０ｎｍ読み取りダイオードレーザ及び３３Ｑｎ
ｍ書き込みダイオードレーザから成っていた。読み取り
パワーは高周波数インジェクション（ｈｉｇｈｆｒｅｑ
ｕｅｎｃｙ　１ｎｊｅｃｔｉｏｎ）で０．５ｍＷであっ
た。ディスクは、半径約５５ｍｍ、線速度１０ｍ／ｓ及
び２．７８ＭＨｚ５０％デユーティサイクル書き込み周
波数で試験した。搬送波対雑音比は、３０ＫＨｚ解像力
帯域幅を使用するＨＰ３５８５Ａスペクトルアナライザ
ーで測定した。搬送波レベルは２．７８ＭＨｚで測定し
た。雑音レベルは搬送波周波数よりも５００ＫＨｚはど
上及び下で測定し平均した。最適記録パワー（動態感度
）は、搬送波周波数の二次高調波について最小強度が観
察されたパワーであった。下記の性能値は、十分低いシ
ステム雑音レベルを有する任意の研究用動態光学記録試
験装置（ｒｅｓｅａｒｃｈ　ｑｕａｌｉｔｙ　ｄｙｎａ
ｍｉｃｏｐｔｉｃａｌ　ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ　ｔｅｓｔ
　ｆａｃｉｌｉｔｙ）で得ることができる。
〔実施例〕
下記の実施例は本発明の実施を更に説明するために示さ
れる。
実施例１ （ａ）光学記録媒体の製造： ｓｂ及びＳｎのそれぞれ７０原子％及び３０原子％の量
の混合物から成る合金ターゲットを、第三の元素；Ｃｒ
、　Ｎｂ、　Ｂｉ　、　Ｔｉ　、　Ｓｉ又はＷと共に共
スパッタした。
スパッタリング系をＩ　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ未満に排
気し、室内にスパッタリングガスとしてＡｒ　　３ｍＴ
ｏｒｒを充填した。２インチ直径のＳｂｏ、　ｌ５ｎｏ
、３合金ターゲツトのために５０Ｗの入力パワーを使用
した。第三の元素ターゲットへのパワー及び沈着時間は
、沈着した７Ｑｎ＋ｔ＋厚さのフィルム中の第三の元素
の量・を変えるために変化させた。各フィルムの組成は
、個々のターゲットからの沈着の速度から決定した。
フィルムはガラス製顕微鏡スライド及び１３０ｍｍガラ
ス製ディスク基体上に沈着させた。次いで、スパッタリ
ング装置を常圧に戻し、次いでフィルムを室温に自然冷
却した。
（ｂ）光学記録媒体の特性表示： 上記工程で得られたガスラ製ディスク基体試料（ガラス
基体）を、書き込み性能について動態的に評価した。最
適記録パワー（ＯＲＰ）　、Ｉ送波対雑音比（ＣＮＲ）
　、搬送波（ＣＡＲＲ）、書き込まれた雑音（１すＮＯ
［ＳＥ）、及び書き込まれない雑音（ＵＮＯＩＳＥ）を
、１．８−の標識長さを得るために、１０ｍ／Ｓ線速度
及び５０％デユーティサイクルでの２．７８Ｍ１ｌｚ記
録周波数で決定した。記録及び読み取りはガラス基体を
通して行った。
８３０ｎｆｌ＋での無定形フィルムの反射率（ＲＦＬｖ
）は、フィルム側から分光光度計で測定した。若し層の
反射率が低すぎる、例えば、１５％未満であると、トラ
ッキングが問題である。若し高すぎる、例えば、７０％
を超えると、書き込まれた領域のコントラスト（ＤＬＴ
　Ｒ）が低すぎる。
約１ｐｍサイズの標識の無定形相と結晶相との間の反射
率に於ける変化（ＤＬＴ　Ｒ）を、８３０ｎｍダイオー
ドレーザ及び顕微鏡で（フィルム側から）測定した。Ｄ
ＬＴ　Ｒ又はコントラストは、良好な搬送波信号を与え
る上で重要である。
（Ｃ）結論： 試料についてのデータを下記第１表に示す。各側に於い
て、アンチモン−錫合金の性能は、第三の元素の添加に
より改良された。ある場合には、無定形から結晶への転
移温度が改良されている。
他の場合には、ＣＮＲが改良されている。
Ｃｒ： 動態記録に於ける改良が、Ｓｂ７゜５ｎ３ｏ合金フィル
ムへのＣｒの添加により達成される。１７．４原子％ま
でのＣｒの添加により、ＣＮＲ，書き込まれた及び書き
込まれない雑音が連続的に改良され、より高濃度のＣｒ
により更に改良されるであろうことを示していた。
Ｂｌ： ０．７〜４．７原子％の間の低濃度でのＢｉ　の添加で
、ＣＮＲ，書き込まれた及び書き込まれない雑音が改良
された。５．０原子％より高い濃度でスパッタされたフ
ィルムは結晶性であった。
Ｎｂ： ０．６〜１５．６原子％のＮｂの添加で、ＣＮＲ，書き
込まれた及び書き込まれない雑音が連続的に改良される
。９．８原子％又はそれより高い濃度でＮｂは、また、
無定形相の転移温度を上昇させ、熱安定性を改良する。
Ｔ１； ２．３原子％又はそれより低い濃度でＴｉ　は、書き込
み性能で改良を与えなかった。３．９〜６．１原子％の
濃度で結晶性フィルムを生成した。８．６原子％又はそ
れより高い濃度はＣＮＲを改良した。
Ｓに ６．２原子％又はそれより高いＳｌの添加は、無定形＋
目の転移温度を上昇させ、フィルムの熱安定性を改良し
た。
Ｗ： 書き込まれた雑音及びＣＮＲに於ける改良は、１３、１
４原子％までのタングステンの添加により達成される。
９．４６原子％又はそれより高いタングステン濃度は、
また、無定形相の転移温度を上昇させ、熱安定性を改良
する。
Ｐｂ： ５ｔｌｔｏＳｎｚｏへの低濃度（１，０５〜７．４８原
子％）でのＰｂの添加は、無定形相の転移温度を１３５
℃まで上昇させ、フィルムの熱安定性を改良する。７．
４８原子％より高いＰｂ濃度の組成物は、結晶性フィル
ムを生成する。！Ｊｌ態性能もまた鉛の添加により改良
される。低い書き込み雑音はより高い信号対雑音比を生
じ、一方感度及び擾送波強度は対照に比較して本質的に
変化しない。
Ｈｆ　： １．２９〜８．６７原子％のハフニウム濃度は、無定形
相の転移温度を上昇させ、フィルムの熱安定性を改良す
る。８．６７原子％までのハフニウムの添加により、動
態性能もまた改良される。低い書き込み雑音はより良好
な信号対雑音比を生じる。８．６７原子％より上のハフ
ニウムの濃度で、フィルムは感度が低くなり過ぎ、コン
トラスト（無定形相と結晶相との間の反射率の変化）が
減少する。
実施例２ 実施例の別のシリーズに於いて、合金を二つのターゲッ
トからの共スパッタリングの代わりに混合粉末ターゲッ
トからスパッタした他は同様の方法で試料を製造した。
これらの試料を、前記のような転移温度について試験し
、スタティックピットテスター（ｓｔａｔｉｃ　ｐｉｔ
　ｔｅｓｔｅｒ）で書き込み感度及びコントラストにつ
いて試験した。スタティックピットテスターは、マイク
ロコンビコータが試料位置、レーザパワー及びレーザパ
ルス幅を制御する自動化設備を与える。各記録層を、ス
タティックピットテスター内で７９０ｎｍレーザダイオ
ードで露光してスポットのマトリックスを生じさせ、そ
の際レーデパワーを０．７〜１２ｍＷに変え、パルス幅
を５０〜３０．０００ナノ秒に変える。光学記録のため
の記録層の適合性は、試料の露光された領域と未露光の
領域との間の、すなわち、結晶状態と無定形状態との間
の反射に於ける変化を測定することにより決定される。
表に於いて、５０ナノ秒のパルス幅で書き込むために必
要なレーデパワーは、フィルムの感度の尺度である。よ
り低いパワーはより高い感度を示す。
更に、錫に対するアンチモンの比を変えた。結果を第■
表に示す。
第ｎ表 ＳｂＸ　Ｓｎｙ　＋　ＥＺ　Ａ１１ａｙ−回書き込み型
光学記録用 ５ｂ７０Ｓｎ３０ Ｓｂ７５Ｓｎ２２Ｇａ３ Ｓｂ６６Ｓｎ２８Ｇａ６ Ｓｂ５８Ｓｎ３２ＧａｌＯ ３ｂ６０Ｓｎ２２Ｇａ１８ Ｓｂ５３Ｓｎ４３Ｃｄ４ Ｓｂ６４Ｓｎ３０Ｃｄ６ Ｓｂ７７Ｓｎ１７Ｃｄ６ Ｓｂ５２Ｓｎ３９Ｃｄ９ Ｓｂ７３Ｓｎ１５Ｃｄ１２ Ｓｂ４４Ｓｎ４４Ｃｄ　１２ 第■表（続き） Ｓｂｘ　　Ｓｎｙ　　＋　εｚ　　Ａ１１ｏｙ−回書き
込み型光学記録用 〔発明の効果〕 本発明は改良された性質の光学記録要素を提供する。例
えば、上昇した結晶転移温度及び搬送波対雑音比が提供
される。
５ｂ５０Ｓｎ３４Ｃｄ１６　　１５５　　　　　３Ｓｂ
６２Ｓｎ２１Ｃｄ１７　　１８８　　　　　４Ｓｂ６８
Ｓｎ８Ｔｅ２４　　１２５　　　　１０Ｓｂ５９Ｓｎ３
２Ｎｉ９　　１０９　　　　　１２Ｓｂ７０Ｓｎ２６Ｆ
ｅ４　　１１０　　　　　５Ｓｂ６６Ｓｎ２５Ｍｎ９　
　１３６　　　　　４Ｓｂ６１Ｓｎ２８Ｃｕｌｌ　　　
１２３　　　　　４（Ｓｂ６８ｎ３２）ｘＯｙ　　１５
０　　　　　２．５（Ｓｂ８２Ｓｎ１８）Ｘ［ｌ’／　
　１６０　　　　　３（Ｓｂ７７Ｓｎ２３）ｘＯｙ　　
１７０　　　　　２．５（Ｓｂ６８Ｓｎ３２＞ｘ［］ｙ
　　１３０　　　　　３フイルムは反応性スパッタリン
グにより製造した。Ａｒ中１，３％の酸素をスパッタリ
ングの間に使用した。全圧は３　ｍｔｏｒｒであった。
流速は２３ｃｐｍであった。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、合金の一回書き込み型の無定形の薄膜光学記録層を
    含んでなり、該合金が１）該合金の結晶性レーザ記録さ
    れた標識が塩化ナトリウム型又は歪んだ塩化ナトリウム
    型結晶を有するような量及び比率のアンチモン及び錫、
    並びに２）少なくとも１種の他の元素（但し、該他の元
    素は、インジウム、アルミニウム、亜鉛、又はゲルマニ
    ウムではない）を含んで成る記録材料。 ２、ａ）合金の一回書き込み型の無定形の薄膜光学記録
    層からなり、該合金が１）該合金の結晶性レーザ記録さ
    れた標識が塩化ナトリウム型又は歪んだ塩化ナトリウム
    型結晶を有するような量及び比率のアンチモン及び錫、
    並びに２）少なくとも１種の他の元素（但し、該他の元
    素は、インジウム、アルミニウム、亜鉛、又はゲルマニ
    ウムではない）から成る記録材料を用意する工程、並び
    にｂ）情報変調レーザビームを該記録層に合焦して該層
    に結晶及び無定形領域のパターン（但し、該結晶領域の
    全部が無定形領域とは異なる反射率を有する同一の結晶
    状態にある）を形成する工程を含んでなる情報の記録方
    法。
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