JP2000185466A

JP2000185466A - 光情報記録媒体

Info

Publication number: JP2000185466A
Application number: JP10364274A
Authority: JP
Inventors: Osamu Akutsu; 収圷; Itsuro Nakamura; 逸郎中村; Kenji Oishi; 健司大石; Katsunori Oshima; 克則大嶋; Junji Kuroda; 順治黒田
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 1998-12-22
Filing date: 1998-12-22
Publication date: 2000-07-04

Abstract

(57)【要約】【課題】線速度が遅くても記録マークの終端部を確実
にアモルファス状態化することによって、このマーク部
分を良好なＣ／Ｎで再生でき、また繰り返し記録特性の
向上が得られる光情報記録媒体を提供する。【解決手段】基板上に記録層を有し、光の照射により
原子の配列が変化して情報の記録および消去が行われる
光情報記録媒体であって、記録層が銅、アルミニウム、
テルル、アンチモン、ビスマスを含有する合金からな
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により記
録層を構成する原子の配列が変化して情報の記録および
消去が行なわれる光情報記録媒体であって、特に書き換
え特性および高密度記録に優れた光学的情報記録用媒体
に関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザビームの照射による情報の記録、
再生及び消去可能な光メモリー媒体の一つとして、結晶
−非晶質間、あるいは結晶１−結晶２の２つの結晶相間
の転移を利用する、いわゆる相変化型記録媒体がよく知
られている。相変化形型記録媒体は、Ｔｅ、Ｓｅ等のカ
ルコゲンを主成分とし基板上に形成された記録層とこの
記録層を両面から挟み込む２枚の透光性誘電体層とレー
ザビームの入射側（基板側）とは反対に設けた反射層と
保護層から構成されている。この記録層の代表的な材料
系としては、ゲルマニウム・アンチモン・テルル系（Ｇ
ｅＳｂＴｅ系）、銀・インジウム・アンチモン・テルル
系（ＡｇＩｎＳｂＴｅ系）が良く知られていて、実用化
されている。

【０００３】記録原理は次の通りである。成膜直後の記
録層は非晶質（アモルファス）状態で反射率は低い。ま
ずはじめに、レーザビームを照射して記録層を加熱し、
媒体全面を反射率の高い結晶状態にする。これを初期化
という。初期化した媒体にレーザビームを局所的に照射
して記録層を溶融、急冷し、アモルファス状態に相変化
させる。相変化に伴い記録層の光学的性質（反射率、透
過率、複屈折率等）が変化して、情報を記録する。再生
は、弱いレーザ光を照射して結晶とアモルファスとの反
射率差、または位相差を検出して行う。書き換えは、結
晶化を引き起こす低エネルギーの消去パワーの上に重畳
した記録ピークパワーを記録層に投入することにより消
去過程を経ることなくすでに記録された記録マーク上に
オーバーライトする。

【０００４】さて、上述したＧｅＳｂＴｅ系、ＡｇＩｎ
ＳｂＴｅ系材料を記録層に用いた相変化型記録媒体とし
ては、次のものが知られている。即ち、特開平１−２７
７３３８号公報には（Ｓｂ_xＴｅ_1-x）_1-yＭ_y（ここで、
原子比ｘは０．４≦ｘ＜０．７、原子比ｙはｙ≦０．
２、ＭはＡｇ、Ａｌ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｇａ、
Ｇｅ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｓｎ及びＺｎか
らなる群から選ばれる少なくとも１種の元素）で表され
る組成の合金からなる記録層を有する光記録媒体が提案
されている。この媒体は、ＳｂＴｅ２元系に第３元素を
添加することにより結晶化温度を高めて非晶質状態の安
定性を向上させ、さらに消去の高速化を図っている。し
かし、この公報には４元系以上の多元系媒体の具体的な
実施例は記載されていない。また、１ビームオーバーラ
イト時の書換性能は示されておらず、書き込み消去の繰
り返し回数も１０００回と書換媒体としての特性が不十
分である。

【０００５】また、本発明者等は、光記録材料の欠点を
見事に解決する新材料として、ＡｌＴｅＳｂ系ならびに
これにＩ族のＡｕ、Ａｇ、Ｃｕを加えた系の記録材料を
見いだし特開平２−１５０３８４号公報に開示してき
た。この開示技術により、極めて優れた性能を有する相
変化形光ディスクを獲得できることは、既に明らかであ
ったが、転送速度の高速化や記録密度の増加により、さ
らなる改良が必要となった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】線速度の遅い光ディス
クではレーザビームによる熱の影響が照射領域外まで及
ぶことになる。ＣｕＡｌＴｅＳｂ系相変化媒体はレーザ
ビームで加熱された領域が急速に冷却されてアモルファ
スや微結晶状態になることで信号が記録されるが、信号
記録部が長いマークでは線速度が遅いと照射終了領域が
隣接する照射部の余熱の影響を受けて引き続きわずかに
加熱されるために、この照射終了領域が徐冷状態となっ
てしまい完全なアモルファス状態にならない。このた
め、この部分で良好なＣ／Ｎが得られなくなり、また良
好な繰り返し記録特性も得られなくなる。このような問
題を解決するために、本発明は、記録層が銅、アルミニ
ウム、テルル、アンチモンの４元系に、添加元素として
ビスマスを含有する合金からなることによって、結晶転
移速度の遅い材料を記録層に用いて結晶転移が可能な冷
却速度の範囲を広げることにより、信号記録部が長いマ
ークでは線速度が遅いと照射終了領域が隣接する照射部
の余熱の影響を受けないから、この照射終了領域は急冷
状態となるのでアモルファス状態とすることができる結
果、この照射終了領域を含むマークを良好なＣ／Ｎで再
生でき、また良好な繰り返し記録特性が得られる光情報
記録媒体を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明は、次の（１），（２）の構成を有する
光情報記録媒体を提供する。（１）基板上に記録層を有し、光の照射により前記記
録層を構成する原子の配列が変化して情報の記録および
消去が行われる光情報記録媒体であって、前記記録層
は、銅、アルミニウム、テルル、アンチモン、ビスマス
を含有する合金からなることを特徴とする光情報記録媒
体。

【０００８】（２）前記記録層を構成する銅、アルミ
ニウム、テルル、アンチモン、ビスマスの各原子比は、０．９００≦ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ≦０．９９９で、且つ、０．００１≦ｂ≦０．１０（但し、ｗ：銅の原子比、ｘ：アルミニウムの原子比、
ｙ：テルルの原子比、ｚ：アンチモンの原子比、ｂ：ビ
スマスの原子比）の範囲内にあることを特徴とする請求
項１記載の光情報記録媒体。

【０００９】

【発明の実施の態様】以下、本発明の光情報記録媒体を
詳細に説明する。本発明の光情報記録媒体は、基板上に
記録層を有し、光の照射により記録層を構成する原子の
配列が変化して情報の記録および消去が行われる光情報
記録媒体である。図１に示すように、この記録層の記録
材料は、結晶状態とアモルファス状態の少なくとも２つ
の状態をとり得る銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、
テルル（Ｔｅ）、アンチモン（Ｓｂ）の４元系を主成分
とし、かつ添加元素であるビスマス（Ｂｉ）を含有した
合金からなる相変化型光記録材料である。この合金は消
去状態である結晶状態において、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔｅ、Ｓ
ｂのうちの単体の結晶相あるいは２元素以上の組み合わ
せで構成される結晶相を形成するものである。結晶状態
が単一相であるとは限らず、２相以上の結晶相が混在し
ていてもよい。記録状態であるアモルファス状態におい
て、Ｘ線回折パターンは示さないが局所的には短距離秩
序を有していてもよく、規則的な電子線回折パターンを
示す場合もある。

【００１０】また、前記した記録層は、記録、消去、あ
るいは、書き換え（オーバーライト）を繰り返しても、
従来の記録層に比べ優れた繰り返し耐久性と高密度記録
が得られる。この記録層の記録材料としてＣｕ、Ａｌ、
Ｔｅ、Ｓｂを主成分とすることは前述した通りであり、
添加元素としてＢｉを０．１原子％（原子比）以上１０
原子％未満含有する。即ち、この記録層を構成するＣ
ｕ、Ａｌ、Ｔｅ、Ｓｂの各原子比は、０．９００≦ｗ＋
ｘ＋ｙ＋ｚ≦０．９９９で、且つ、０．００１≦ｂ≦
０．１０（但し、ｗ：Ｃｕの原子比、ｘ：Ａｌの原子
比、ｙ：Ｔｅの原子比、ｚ：Ｓｂの原子比、ｂ：Ｂｉの
原子比）の範囲内にあることとした。ＣｕＡｌＴｅＳｂ
系の相変化型光記録材料において、Ｓｂの含有量が結晶
化速度を強く支配しており、Ｓｂの含有量の増加ととも
に結晶化速度が速くなり、転送速度を高速にすることが
できる。しかし、Ｓｂの含有量が過剰であると繰り返し
オーバーライト性能が低下し、さらにＳｂの含有量が過
剰であると記録層の成膜直後から結晶状態となり、高反
射率を呈するようになる。しかし、Ｓｂの含有量を変化
させてしまうと、前記した相変化型光記録材料のＳｂ以
外の成分（ＣｕＡｌＴｅ）の含有量も調整しなくてはな
らない。ここで、Ｓｂの含有量を調整する以外の方法で
結晶化速度を制御する方法を検討したところ、Ｂｉが結
晶化速度を制御することを見いだした。

【００１１】そこで、本発明では、ＣｕＡｌＴｅＳｂ系
の相変化型光記録材料にＣｕＡｌＴｅＳｂの各原子数の
比（原子比）のバランスを崩すことなく、Ｂｉを添加す
ることで結晶化速度を制御し、線速度３．５ｍ／ｓのよ
うな遅い線速度でも、記録が可能になり、それと同時に
同じ媒体で線速度６．０ｍ／ｓの記録条件でも良好なＣ
／Ｎの記録特性が得られた。即ち、結晶転移速度の遅い
この相変化型光記録材料を記録層に用いて結晶転移が可
能な冷却速度の範囲を広げることにより、信号記録部が
長いマークでは線速度が遅いと照射終了領域が隣接する
照射部の余熱の影響を受けないから、この照射終了領域
は急冷状態となってアモルファス状態とすることができ
る結果、この部分で良好なＣ／Ｎを得ることができ、ま
た良好な繰り返し記録特性が得られる。

【００１２】ところで、本発明の光情報記録媒体の代表
的な積層構成は、（ア）透明基板／第１誘電体層／記録
層／第２誘電体層の積層体、あるいは、（イ）透明基板
／第１誘電体層／記録層／第２誘電体層／反射層の積層
体である。ここでレーザービームは透明基板側から入射
する。但し、本発明の光情報記録媒体にの構成はこれに
限定されるものではなく、前記した反射層上に本発明の
効果を損なわない範囲で、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、ＺｎＯ、
ＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、Ｚｒ
Ｏ₂等の金属酸化物、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、ＴｉＮ、Ｂ
Ｎ、ＺｒＮ、ＧｅＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ₂Ｓ₃、
ＴａＳ₄等の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ₂Ｃ、ＷＣ、Ｔ
ｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物などの保護層や紫外線硬化樹
脂などの樹脂層、他の基板と貼り合わせるための接着剤
層などを設けてもよい。また、記録感度を重視する（高
める）用途には、前記した反射層を設けない前記した
（ア）の構成が好ましく、高記録密度で記録する場合、
あるいは、記録の繰返し耐久性を重視する用途では、前
記した（イ）の構成のように反射層を設けた構成が好ま
しい。

【００１３】前記した第１、第２誘電体層は、記録時に
前記した透明基板、記録層などがレーザビームの照射熱
によって変形し、記録特性が劣化することを防止するな
ど、透明基板、記録層を熱から保護する効果、光学的な
干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善する
効果がある。さらに、記録層の結晶化を促進して、消去
率を向上する効果もある。この第１、第２誘電体層とし
ては、ＺｎＳ，ＳｉＯ ₂、窒化シリコン、酸化アルミニ
ウムなどの無機薄膜がある。特にＳｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｔ
ｉ，Ｚｒ，Ｔａなどの金属あるいは半導体の酸化物の薄
膜、Ｓｉ、Ｇｅ，Ａｌなどの金属あるいは半導体の窒化
物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉなどの金属あるいは
半導体の炭化物の薄膜、ＺｎＳ、Ｉｎ₂Ｓ₃、ＴａＳ₄、
ＧｅＳ₂等の金属あるいは半導体の硫化物の薄膜、及び
これらの化合物の２種類以上の混合物の膜が、耐熱性が
高く、化学的に安定なことから好ましい。さらに、記録
層への第１、第２誘電体層を構成する原子の拡散がない
ものが好ましい。これらの酸化物、硫化物、窒化物、炭
化物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折
率等の制御のために組成を制御したり、混合して用いる
ことも有効である。

【００１４】また、これらにＭｇＦ₂などのフッ化物を
混合してなる第１、第２誘電体層も、膜（層）の残留応
力が小さいことから好ましい。特にＺｎＳとＳｉＯ₂の
混合膜は、記録、消去の繰り返しによっても、記録感
度、Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化が起きにくいことから好
ましい。第１、第２誘電体層の厚さは、およそ１０〜５
００ｎｍである。第１誘電体層は、透明基板や記録層か
ら剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いことか
ら、８０〜３００ｎｍが好ましい。また第２誘電体層
は、Ｃ／Ｎ、消去率などの記録特性、安定に多数回の書
換が可能なことから１０〜５０ｎｍが好ましい。第１誘
電体層と第２誘電体層は、同一ではなく異なる化合物か
ら構成されてもよい。

【００１５】前記した記録層の厚さとしては、特に限定
するものではないが、１０〜１００ｎｍである。特に記
録、消去感度が高く、多数回の記録消去が可能であるこ
とから１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下とすることが好まし
い。

【００１６】前記した反射層の材質としては、光反射性
を有するＡｌ、Ａｕ，Ａｇなどの金属、及びこれらを主
成分とし、Ｔｉなどの添加元素を含む合金及びＡｌ，Ａ
ｕ、Ａｇなどの金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金
属酸化物、金属カルコゲン化物などの金属化合物を混合
したものなどがあげられる。Ａｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金
属、及びこれらを主成分とする合金は、光反射性が高
く、かつ熱伝導率を高くできることから好ましい。前述
の合金の例として、ＡｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ，Ｐｄ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂ、Ｍｎ，Ｐｄ，Ｚｒなどの
少なくとも１種の元素を合計で５原子％以下、１原子％
以上加えたもの、あるいは、ＡｕにＣｒ，Ａｇ、Ｃｕ，
Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの少なくとも１種の元素を合計で
２０原子％以下１原子％以上加えたものなどがある。と
りわけ、耐腐食性が良好でかつ繰り返し性能がのびるこ
とから、反射層を添加元素を合計で０．５原子％以上３
原子％未満含む、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａ
ｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｚｒ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合
金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ合金のいずれかのＡｌを主成分と
する合金で構成することが好ましい。前記した反射層の
厚さとしては、おおむね１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下で
ある。特に、記録感度が高く、高速でシングルビーム・
オーバーライトが可能であり、かつ消去率が大きく消去
特性が良好であることから、次のごとく、本発明の光情
報記録媒体の主要部を構成することが好ましい。

【００１７】前記した基板の材料としては、透明な各種
の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこり、基
板の傷などの影響をさけるために、透明基板を用い、集
束した光ビーム（レーザビーム）で基板側から前記した
記録層への記録を行なうことが好ましい。この様な透明
基板材料としては、ガラス、ポリカーボネイト、ポリメ
チル・メタクリレート、ポリオレフィン樹脂、エポキシ
樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられる。特に、光学的
複屈折が小さく、吸湿性が小さく、成形が容易であるこ
とからポリカーボネイト樹脂が好ましい。

【００１８】さらに記録密度を向上するため、こうした
透明基板上に積層媒体を設け極薄い板厚の透光性基板を
通して、いわゆる表読みを行ってもよく、この場合には
光ビームは基板を通過しないので不透明な基板を用いる
ことが可能となる。基板の厚さは特に限定するものでは
ないが、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０
１ｍｍ未満では、基板側から集束した光ビ−ムで記録す
る場合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上で
は、対物レンズの開口数を大きくすることが困難にな
り、照射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記
録密度をあげることが困難になる。基板はフレキシブル
なものであっても良いし、リジッドなものであっても良
い。フレキシブルな基板は、テープ状、シート状、カ−
ド状で使用する。リジッドな基板は、カード状、あるい
はディスク状で使用する。また、これらの基板は、記録
層などを形成した後、２枚の基板を用いて、エアーサン
ドイッチ構造、エアーインシデント構造、密着貼り合せ
構造としてもよい。

【００１９】本発明の光情報記録媒体の記録に用いる光
源としては、レーザ光（レーザビーム）を用いることが
好ましく、主に近赤外域の波長８３０ｎｍから紫外域の
３００ｎｍの範囲にあるレーザ光である。１次光を２次
高調波発生素子（ＳＨＧ素子）を用いて短波長化した光
源を利用することもできる。

【００２０】本発明の光情報記録媒体への記録は結晶状
態の記録層にレーザ光パルスなどを照射して加熱してか
ら急冷した後にアモルファスの記録マークを形成して行
う。また、反対にアモルファス状態の記録層に結晶状態
の記録マークを形成してもよい。消去はレーザ光照射に
よって、アモルファスの記録マークを結晶化するか、も
しくは、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行
うことができる。

【００２１】実用的には、結晶化を引き起こす低エネル
ギーの消去パワーの上に重畳した記録ピークパワーを記
録層に投入することにより消去過程を経ることなくすで
に記録された記録マーク上にオーバーライトする。この
とき記録レーザパルスは、記録マーク長より短い周期の
複数のパルスＴ1，Ｔ2，Ｔ3，Ｔ4に分割される。分割パ
ルスパターンの例を図２に示す。

【００２２】次に、本発明の光情報記録媒体の製造方法
について述べる。基板上に、第1誘電体層、記録層、第2
誘電体層、反射層などを順次積層形成する方法として
は、公知の真空中での薄膜形成法、例えば真空蒸着法
（抵抗加熱型や電子ビーム型）、イオンプレーティング
法、スパッタリング法（直流や交流スパッタリング、反
応性スパッタリング）などがあげられる。特に組成、膜
厚のコントロールが容易であることから、スパッタリン
グ法が好ましい。スパッタ法では、例えば、記録層の記
録材料とその添加材料を各々のターゲットを同時にスパ
ッタすることにより容易に混合状態の記録層を形成する
ことができる。成膜前の真空度は、１×１０^-4Ｐａ以下
にするのが好ましい。形成する反射層、記録層、第1、
第２誘電体層などの厚さの制御は、スパッタ電源の投入
パワーと時間を制御したり、水晶振動型膜厚計などで、
堆積状態をモニタリングすることで、容易に行える。反
射層、記録層、第1、第２誘電体層などの形成は、基板
を固定したまま、あるいは移動、回転した状態のどちら
でもよい。膜厚の面内の均一性に優れることから、基板
を自転させることが好ましく、さらに公転を組合わせる
ことが、より好ましい。必要に応じて基板の冷却を行う
と反り量を減少することができる。

【００２３】以下に本発明の光情報記録媒体の実施例を
示すが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。実施例では、波長６３５ｎｍのレーザダイオード、
開口数ＮＡ＝０．６０の光学レンズ（対物レンズ）を搭
載したパルステック社製光ディスクドライブテスタ（Ｄ
ＤＵ１０００）を用いて記録（１ビーム・オーバーライ
ト）を行った。再生光パワーＰrは０．７ｍＷで線速に
よらず一定とした。

【００２４】［実施例１］線速度３．５ｍ／ｓで８−１
６変調ランダムパターンによる評価を行なった。記録マ
ークを形成するクロック周期Ｔは、３８．２ナノ秒（ｎ
ｓ）である。再生信号の振幅の中心でスライスし、クロ
ック・トゥー・データ・ジッタclock to data jitterを
測定した。マークの検出にはタイムインターバルアナラ
イザー（横河電気社製、ＴＡ３２０）を用いた。媒体
は、直径１２０mm、板厚０．６ｍｍのポリカーボネイト
樹脂基板上に形成した。溝（グルーブ）の深さは３５ｎ
ｍ、ランド・グルーブ幅の比は５５／４５、連続溝でト
ラックピッチは、０．７４μｍである。初期化は、評価
機を使いグルーブの非晶質部分に１５ｍＷの連続光を１
回照射することによって行った。線速度３．５ｍ／ｓで
Ｐ１＝１２ｍＷ、Ｐ２＝８ｍＷ、Ｐ３＝０．５ｍＷ、Ｐ
４＝０．５ｍＷで８−１６変調ランダムパターンを図２
に示すストラテジでＴ１＝０．５Ｔ、Ｔ２＝０．３Ｔ、
Ｔ３＝０．７Ｔ、Ｔ４＝０．６Ｔでグルーブに記録し、
再生信号の振幅の中心でスライスしてクロック・トゥー
・データ・ジッタclock to data jitterを測定した。イ
ニシャルのＬＥは８．０％、ＴＥは８．１％であった。
１万回オーバーライト後には、ＬＥは９．０％、ＴＥ
は、９．０％、２万回オーバーライト後には、ＬＥは
９．５％、ＴＥは、９．９％であった。良好な繰り返し
性能を示した。

【００２５】基板を毎分６０回転で遊星回転させなが
ら、スパッタ法により、基板上に第１誘電体層、記録
層、第２誘電体層、反射層の順に真空成膜を行った。ま
ず、真空チャンバー内を６×１０^-5Ｐａまで排気した
後、２．０×１０^-1ＰａのＡｒガスを導入した。ＳｉＯ
₂を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳを高周波マグネトロン
スパッタ法により基板上に膜厚１９０ｎｍの第１誘電体
層を形成した。続いて、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔｅ、Ｓｂからな
る４元素単一ターゲット（直径２インチ、厚さ３ｍｍ）
にＢｉチップ（５ｍｍ角、厚さ１ｍｍ）を中心部分に１
個のせて直流電源でスパッタして記録層を形成した。組
成Ｃｕ_0.09Ａｌ_0.08Ｔｅ_0.28Ｓｂ_0.54Ｂｉ_0.01の膜厚２
２ｎｍの記録層を形成した。組成分析は同様の記録層を
別に１００ｎｍの厚さでＳｉ基板上に形成し、これをＩ
ＣＰ発光分析法により分析した。さらに第１誘電体層と
同様の材質の第２誘電体層を９ｎｍ形成し、この上にＡ
ｌ，Ｃｒからなる２元素単一ターゲットを直流スパッタ
法にて、組成Ａｌ₉₇Ｃｒ₃の厚さ３００ｎｍの反射層を
形成した。このディスクを真空容器より取り出した後、
この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂（住友化学製
ＸＲ１１）をスピンコートし、紫外線照射により硬化さ
せて膜厚１０μｍの樹脂層を形成し本発明の光情報記録
媒体を得た。さらにスクリーン印刷法を用いて遅効性紫
外線硬化樹脂を保護膜上に塗布し、同様に形成したディ
スクを貼り合わせ加圧して両面ディスクを作製した。

【００２６】こうして作製した光ディスクにレーザ光や
フラッシュランプ等を照射して、記録膜を結晶化温度以
上に加熱し初期化処理を行う。実用的には、特開平７−
２８２４７５号公報に記載されているような初期化装置
を用いる。スピンドルに光ディスクを装着した後、大出
力のレーザ光を照射して記録層を加熱して高反射率の状
態に変化させる。光ディスクに照射されるレーザビーム
はトラック幅よりも大きなビーム径を有し、好ましくは
半径方向に長く、ディスクを回転しながら複数のトラッ
クを同時に初期化する。具体的には初期化レーザの波長
は、８３０ｎｍ、照射ビームの形状は、トラック方向が
２μmで半径方向が２０μmの幅の広い形をしている。デ
ィスクを線速度２ｍ／ｓで回転させ、半径２２．０ｍｍ
から初期化を開始した。初期化レーザビームは、パワー
７６ｍＷで半径外周方向に５μm／回転の速度で移動さ
せ、半径５８．０ｍｍで初期化を終了した。

【００２７】［実施例２］記録層の組成および、膜厚構
成を前記した［実施例１］と同じとし、ダイレクト・オ
ーバーライト性能を調べた。使用した基板は、板厚０．
６ｍｍ、溝深さは３５ｎｍ、ランド・グルーブ幅の比は
５５／４５、連続溝でトラックピッチは、０．７４μｍ
である。初期化は、評価機を使いグルーブの非晶質部分
に１０ｍＷの連続光を１回照射することによって行っ
た。図３に示すＤＶＤ−ＲＡＭの規格にあるストラテジ
を使い、線速度６ｍ／ｓ、Ｐ１＝１３ｍＷ、Ｐ２＝８ｍ
Ｗ、Ｐ３＝０．５ｍＷ、Ｐ４＝０．５ｍＷでグルーブに
記録し、再生信号の振幅の中心でスライスしてクロック
・トゥー・データ・ジッタclock to data jitterを測定
した。クロック周期Ｔは、３４．２ナノ秒（ｎｓ）であ
る。イニシャルのＬＥは６．８％、ＴＥは６．６％であ
った。１万回オーバーライト後には、ＬＥは７．０％、
ＴＥは、６．８％であった。良好な繰り返し性能を示し
た。

【００２８】

【発明の効果】本発明の光情報記録媒体は、記録層が
銅、アルミニウム、テルル、アンチモン、ビスマスを含
有する合金からなることによって、結晶転移速度の遅い
材料を記録層に用いて結晶転移が可能な冷却速度の範囲
を広げることにより、例えば、信号記録部が長いマーク
であっても線速度が遅いことにより照射終了領域が隣接
する照射部の余熱の影響を受けることは回避されるか
ら、この照射終了領域を急冷状態として確実にアモルフ
ァス状態とすることができるので、従って、この照射終
了領域を含む全てのマークを良好なＣ／Ｎで再生するこ
とができ、また良好な繰り返し記録特性が得られ、記録
消去の繰り返し耐久性が向上するという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光情報記録媒体の記録層の組成を説明
するための図である。

【図２】本発明の光情報記録媒体に記録するレーザビー
ムの波形を説明するための図である。

【図３】ＤＶＤ−ＲＡＭに記録するレーザビームの波形
を説明するための図である。

【符号の説明】

Ｔクロック周期Ｔ１〜Ｔ４パルス周期

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大嶋克則神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番地日本ビクター株式会社内 (72)発明者黒田順治神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番地日本ビクター株式会社内Ｆターム(参考） 2H111 EA37 EA39 FA01 FB09 FB10 FB12 FB21 4K029 BA23 BC07 BD00 5D029 JA01 JB16 JC18

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に記録層を有し、光の照射により前
記記録層を構成する原子の配列が変化して情報の記録お
よび消去が行われる光情報記録媒体であって、前記記録層は、銅、アルミニウム、テルル、アンチモ
ン、ビスマスを含有する合金からなることを特徴とする
光情報記録媒体。
【請求項２】前記記録層を構成する銅、アルミニウム、
テルル、アンチモン、ビスマスの各原子比は、０．９００≦ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ≦０．９９９で、且つ、０．００１≦ｂ≦０．１０（但し、ｗ：銅の原子比、ｘ：アルミニウムの原子比、
ｙ：テルルの原子比、ｚ：アンチモンの原子比、ｂ：ビ
スマスの原子比）の範囲内にあることを特徴とする請求
項１記載の光情報記録媒体。