JP2003335063A

JP2003335063A - 光記録媒体

Info

Publication number: JP2003335063A
Application number: JP2002145777A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Tabata; 浩田畑; Osamu Kobayashi; 理小林; Naoyuki Kubo; 尚之久保; Masashi Yoshikawa; 正志吉川
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 2002-05-21
Filing date: 2002-05-21
Publication date: 2003-11-25

Abstract

(57)【要約】【課題】低線速度から高線速度の幅広い線速域で、記
録ストラテジの影響が小さく、さらに良好な記録特性を
保つことができる光記録媒体を提供する。【解決手段】基板１上に少なくとも、第１保護層２、
記録層３、第２保護層４、反射層５を順次積層した構成
の光記録媒体Ａであって、前記記録層３は（Ｓｂ _xＴ
ｅ_y）_aＧｅ_bＩｎ_cＡｇ_dからなり、かつ前記記録層３を
構成する各原子比は、２．５≦ｘ／ｙ≦３．５、０．８
５≦ａ≦０．９５、０．０３≦ｂ≦０．１、０．００５
≦ｃ≦０．０５、０．００１≦ｄ≦０．０３、但し、ａ
＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射によって
情報の記録、消去、再生を行う光記録媒体に関するもの
である。特に本発明では、低線速から高線速にかけて幅
広い記録速度において、記録ストラテジの影響が小さ
く、良好な記録特性が得られ、かつ良好な高線速での多
数回オーバーライト記録特性を可能とする光ディスク、
光カードなどの書き換え可能な相変化型光記録媒体であ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来の書き換え可能な相変化型光記録媒
体の技術は以下の通りである。即ち、相変化型光記録媒
体は、記録または消去、再生の各パワーを有するレーザ
光が照射される面を有する基板上に、誘電体層、記録
層、誘電体層、反射層を少なくとも順次積層した構成の
光記録媒体である。この相変化型光記録媒体は、記録時
にレーザ光パルスが記録層に印加（照射）されることに
よって、記録層が溶融され、急冷されることにより、非
結晶の記録マークを形成する。この記録マークの反射率
は、記録層が結晶状態である場合より低く、この記録マ
ークを光学的に記録情報として読み取ることが可能であ
る。この記録マークを消去する場合、記録パワーより小
さなパワーのレーザ光を照射することにより、記録層を
結晶化温度以上融点以下の温度にし、非結晶状態から結
晶状態にすることによって記録マークを消去し、オーバ
ーライト可能としている。

【０００３】こうした記録層の材料としては、Ｇｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金などが速い
結晶化速度の点から好まれている。これらの記録材料を
用いてなる記録層を使用した光記録媒体では、通常記録
層の両面に耐熱性と透過性を兼ね備えた誘電体層をそれ
ぞれ設けており、記録時の記録層の変形、開口を防いで
いる。

【０００４】さらに、誘電体層がＺｎＳ成分を含んでい
る材料の場合では、Ｓの記録層への浸透を防ぐために、
記録層の片面、または両面に窒化物などの界面層を挿入
しているものもある。また、レーザ光入射方向と反対側
の誘電体層の上にＡｌ、Ａｇなどを主成分とした金属反
射層を積層し、高い反射率を可能とした技術が知られて
いる。

【０００５】ところで、近年の相変化型記録媒体は記録
密度が高いために、その記録速度の高速化が要求されて
おり、それと同時に低線速記録互換性の点から広域線速
化（マルチスピード化）も要求されている。従来の高線
速化は記録層中のＳｂ量を多くするなどの手法によっ
て、結晶化転移速度を向上させ高線速オーバーライト可
能としていた。しかしこのように単純に結晶化速度を向
上させ高線速記録に対応した相変化型記録媒体を用いて
低線速記録を行なう場合、記録層の結晶化度が高くなっ
た為に非結晶マークが消えやすくなる。このため、非結
晶マークを形成するために照射するレーザ光を所定の態
様でパルス変調する記録ストラテジは、標準記録ストラ
テジを示す書込みパルス（図３（ｃ））から高結晶化ス
トラテジを示す書込みパルス（図３（ｄ））のように、
記録パルス幅の大きな変更が必要であった。具体的に
は、先頭パルス(Ｔｔｏｐ)７のパルス幅０．５周期
(Ｔ)，マルチパルス(Ｔｍｐ)８のパルス幅０．４Ｔ，冷
却パルス(Ｔｃ)９のパルス幅０．６Ｔ(図３（ｃ）)から
先頭パルス７のパルス幅０．４Ｔ，マルチパルス８のパ
ルス幅０．２Ｔ，冷却パルス９のパルス幅１．３Ｔ(図
３（ｄ）))。因みに、図３（ａ）は相変化型光記録媒体
の４Ｔマークの高結晶化ストラテジでの記録パルス系
列、図３（ｂ）は先頭パルス７のパルス幅０．５Ｔ，マ
ルチパルス８のパルス幅０．５Ｔ，冷却パルス９のパル
ス幅０．５Ｔの記録ストラテジを示す書込みパルスであ
る。

【０００６】実際に、高線速化させた記録媒体の低線速
記録では、高結晶化ストラテジでしか良好な記録特性が
得られず、標準記録ストラテジでは記録ができない、ま
たは記録特性が著しく低下するなどの高線速化の弊害が
現れた。このような実状から、低線速記録時に高結晶化
ストラテジを使用することにより、高線速化した媒体の
低線速記録特性を維持し広域線速化を可能とする手段も
検討された。しかし一方、繰り返し記録可能なデジタル
多用途ディスク（以下「ＤＶＤ−ＲＷ」と記す）のＶｅ
ｒ１．０規格のように、低線速記録時に図３（ｃ）の標
準記録ストラテジを必須とした場合には、標準記録スト
ラテジの縛りから結晶化速度を上げることができず高線
速化させるのは難しかった。ここで低線速記録時に標準
記録ストラテジで良好な記録特性が得られる記録媒体で
は、高線速記録での特性が良くなかった。このように相
変化型記録媒体の記録時における広域線速化において、
標準記録ストラテジでの低線速記録と高線速記録特性の
両立、つまり記録ストラテジ非依存型の広域線速化は難
しかった。

【０００７】ここで従来の相変化型光記録媒体における
記録ストラテジ非依存型の広域線速化における問題点
は、具体的には以下のようなものである。即ち、Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金を記録層
に用いた光記録媒体では、広域線速化（例えばＤＶＤ規
格の１〜２倍速（1倍速：３．４９ｍ／ｓ））にした場
合、低線速記録において標準記録ストラテジで良好に記
録できない、または広域線速記録で安定した良好な記録
ができないことが課題であった。実際には、Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ合金の記録層を用いた場合では、高線速化させて
も標準記録ストラテジで特性がよくなる傾向であった
が、記録速度全域においてジッタが良くないことと高線
速記録時のオーバーライト特性に問題があった。

【０００８】また、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金を記録
層に用いた場合では、ジッタや高線速記録時のオーバー
ライト特性は良かったが、記録ストラテジマージンが狭
く、標準記録ストラテジの低線速記録と高線速化の両立
が難しかった。また、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金では
Ｓｂ量を多くし高線速化組成にするほど、非結晶の記録
マークの結晶化が起こりやすくなり、再生光劣化や高温
環境下の劣化が激しいというデメリットもあった。

【０００９】また以下の公報では、前述のＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ合金に添加元素を加えることにより、高線速記録で
は安定した特性を得たものもあるが、記録ストラテジ非
依存型の広域線速化はできていない。即ち、特開平１０
−１１２０６３号公報に記載された光学的情報記録媒体
では、記録膜層組成にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金にＡｇを加
えた組成系にしており、これは消去率が十分ではなく高
線速記録でのオーバーライト特性は十分ではなかった。
また特開２０００−３１３１７０号公報に記載された光
学的情報記録媒体の記録膜層組成はＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合
金にＩｎを加えた組成系にしており、これは記録ストラ
テジ非依存型の広域線速化はできていたが、実際にジッ
タ特性が十分ではなかった。

【００１０】さらに特許第３１５０２６７号公報に記載
された光記録媒体では高線速化を目的としているが、記
録ストラテジ非依存型の広域線速化できることが極一部
しかないものであった。具体的には、特許第３１５０２
６７号公報に記載された光記録媒体の記録膜層組成で
は、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金に添加元素を混ぜたＧ
ｅ（またはＳｉ）−Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金の５元
素系であり、基板上に相変化型の記録層を有し、この記
録層は下記式で表わされる主成分を含有する光記録媒体
である。［（Ａ_aＢ_bＣ_c）_1-dＤ_d］_1-eＥ_e （ここで、ＡはＡｇおよび／またはＡｕであり、ＢはＳ
ｂおよび／またはＢｉであり、ＣはＴｅおよび／または
Ｓｅであり、ＤはＩｎであるか、ＩｎならびにＡｌおよ
び／またはＰであり、ＥはＳｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＰｂ
から選択される少なくとも１種の元素である。またａ、
ｂ、ｃ、ｄおよびｅは原子比を表わし、０．００１≦ａ
≦０．２０、０．４０≦ｂ≦０．９０、０．１０≦ｃ≦
０．５０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、０＜ｄ≦０．０６、０．０
０１≦ｅ≦０．１０である。）

【００１１】前記した記録層がＭ（ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、ＷおよびＭｏから選択され
る少なくとも１種の元素である）を含み、記録層中のＭ
の比率が５原子％以下である光記録媒体である。ここで
は高線速記録を可能としているが、記録ストラテジ非依
存型の広域線速化できているのは極一部の範囲であり、
実施例では［（Ａｇ_aＳｂ_bＴｅ_c）_1-dＩｎ_d］_1-eＳｉ_e
（ここで、ａ＝０．１２３、ｂ＝０．５４４、ｃ＝０．
３３３、ｄ＝０．０５、ｅ＝０．０１７）であり、この
例では問題とする広域線速化できなかった。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】前述したように、従来
の相変化型記録媒体は、記録速度の広域線速化（マルチ
スピード化）において、標準記録ストラテジを用いての
低線速から高線速に亘るそれぞれの記録速度における記
録特性を常時良好とすることが出来ない、つまり記録ス
トラテジ非依存型の広域線速化の記録は難しかった。具
体的には従来の相変化型記録媒体は、低線速から高線速
に亘って満遍なく、記録ストラテジの影響が小さく、良
好な記録特性が得られ、また高線速における記録の際に
は多数回のオーバーライトを行なっても常時記録特性を
良好に維持することができないという問題があった。

【００１３】そこで本発明は、前記した問題を解決する
ために創案されたものであり、基板上に少なくとも、第
１保護層、記録層、第２保護層、反射層を順次積層した
構成の光記録媒体であって、前記記録層は（Ｓｂ_xＴ
ｅ_y）_aＧｅ_bＩｎ_cＡｇ_dからなり、かつ前記記録層を構
成する各原子比は、２．５≦ｘ／ｙ≦３．５、０．８５
≦ａ≦０．９５、０．０３≦ｂ≦０．１、０．００５≦
ｃ≦０．０５、０．００１≦ｄ≦０．０３、但し、ａ＋
ｂ＋ｃ＋ｄ＝１とすることにより、記録速度の広域線速
化（マルチスピード化）において、標準記録ストラテジ
を用いての低線速から高線速に至るそれぞれの記録速度
における記録特性を常時良好とし、つまり記録ストラテ
ジ非依存型の広域線速化の記録を達成することが出来、
低線速から高線速に亘って満遍なく、記録ストラテジの
影響が小さく、良好な記録特性が得られ、また高線速に
おける記録の際には多数回のオーバーライトを行なって
も常時記録特性を良好に維持することができる光記録媒
体を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明は、次の構成(１)〜(４)を有する光記録
媒体を提供する。 (１) 図１に示すように、基板１上に少なくとも、第１
保護層２、記録層３、第２保護層４、反射層５を順次積
層した構成の光記録媒体Ａであって、前記記録層３は、
（Ｓｂ_xＴｅ_y）_aＧｅ_bＩｎ_cＡｇ_dからなり、かつ前記記
録層３を構成する各原子比は、２．５≦ｘ／ｙ≦３．５、０．８５≦ａ≦０．９５、０．０３≦ｂ≦０．１、０．００５≦ｃ≦０．０５、０．００１≦ｄ≦０．０３、但し、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１であることを特徴とする光記録媒体。 (２) 前記記録層３は、更にＭ（ＭはＶ、Ｃｒ、Ｔｉ、
Ａｌから選ばれる少なくとも１種の元素である）を含
み、かつ前記記録層３中のＭの比率が３原子％以下であ
ることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 (３) 前記反射層５は、Ａｇを主成分としかつＰｄ、Ｃ
ｕ、Ｎｉ、Ｎｄから選ばれる少なくとも一種の添加元素
を含んでなり、かつ前記反射層に対する前記添加元素の
合計の比率が５原子％以下であることを特徴とする請求
項１または請求項２記載の光記録媒体。 (４) 前記基板１は螺旋状または同心円状の溝を有し、
かつ前記溝の深さｄ_gが、２０ｎｍ≦ｄ_g≦３０ｎｍであ
ることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか
１記載の光記録媒体。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の態様につき
その好ましい実施例について、図１、図２を用いて説明
する。図１は本発明の光記録媒体の一実施例を示す部分
拡大縦断面図、図２は本発明の実施例１〜実施例８と比
較例１〜比較例７とを比較した比較表である。

【００１６】(光記録媒体の構成)本発明の光記録媒体Ａ
は、図１に示すように、基板１上に第１保護層２、記録
層３、第２保護層４、反射層５、保護膜６を順次積層し
たものを基本構成とする。ここで記録又は再生用レーザ
光は基板１の入射面１ａ側から照射される（照射方向
Ｌ）。本発明の光記録媒体Ａとしては、ＤＶＤ−ＲＷな
どの相変化型光ディスク、光カードなどの繰り返し情報
をオーバーライト可能な媒体が挙げられる。なお以下の
説明においては本発明の実施例として相変化型光ディス
クについて説明するが、これ以外の光カード等の同様な
構成を有する光記録媒体についても本発明を適用可能で
あることは言うまでもない。

【００１７】前記した基板１の材料としては、透明な各
種の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。埃、基板
１の傷などの影響を避けるために、透明な基板１を用
い、集光したレーザ光で基板１側から記録をすることが
好ましく、このような透明基板１の材料として、ガラ
ス、ポリカーボネイト、ポリメチル・メタクリレート、
ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂な
どが挙げられる。特に、光学的複屈折、吸湿性が小さ
く、成形が容易であることからポリカーボネイト樹脂が
好ましい。

【００１８】上記基板１の厚さは、特に限定するもので
はないが、デジタル多用途ディスク（以下「ＤＶＤ」と
記す）との互換性を考慮すると０．６ｍｍ厚が好ましい
(ＤＶＤの全厚は１．２ｍｍ)。実用的には０．０１ｍｍ
〜５ｍｍの範囲内である。基板１の厚さが０．０１ｍｍ
未満では、基板１側から収束したレーザ光で記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では対
物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照射
レーザ光のスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になる。

【００１９】基板１はフレキシブルなものでも良いし、
リジッドなものであっても良い。フレキシブルな基板１
は、テープ状、シート状、カード状で使用する。リジッ
ドな基板１は、カード状、或いはディスク状で使用す
る。また、これらの基板１は、記録層３、第１，第２保
護層２、４、反射層５、保護膜６などを積層した後、２
枚の基板１を背中合わせにして、エアーサンドイッチ構
造、エアーインシデント構造、密着貼り合わせ構造とし
ても良い。また、上記第１，第２保護層２、４は、記録
時に基板１、記録層３などが熱によって変形して記録特
性が劣化することを防止するなど、基板１、記録層３を
熱から保護する効果、光学的な干渉効果により、再生時
の信号コントラストを改善する効果がある。

【００２０】上記第１，第２保護層２、４はそれぞれ、
記録再生のレーザ光に対して透明であって屈折率ｎが
１．９≦ｎ≦２．３の範囲にある。第１，第２保護層
２、４はそれぞれ、同一の材料、組成でなくとも良く、
異種の材料から構成されているもかまわない。特に、Ｚ
ｎＳとＳｉＯ₂の混合膜は、記録、消去の繰り返しによ
っても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化が起きに
くいことから好ましい。

【００２１】第１保護層２の厚さは、およそ５〜５００
ｎｍの範囲である。第１保護層２は、基板１や記録層３
から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いことか
ら、４０〜３００ｎｍの範囲が好ましい。第２保護層４
は、Ｃ／Ｎ、消去率などの記録特性、安定に多数回の書
き換えが可能なことから、０．５〜５０ｎｍの範囲が好
ましい。

【００２２】反射層５の材料としては、光反射性を有す
るＡｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属、およびこれらを主成分
とし、１種類以上の金属または半導体からなる添加元素
を含む合金及びＡｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属にＡｌ、Ｓ
ｉなどの金属窒化物、金属酸化物、金属カルコゲン化物
などの金属化合物を混合したものなどが挙げられる。Ａ
ｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属、及びこれらを主成分とする
合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導度を高くできるこ
とから好ましく、それらの合金の例として、ＡｌにＳ
ｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎ
ｂ、Ｍｎ、Ｚｒなどの少なくとも１種の元素を、或い
は、Ａｕ或いはＡｇにＣｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、
Ｎｉ、Ｎｄなどの少なくとも１種の元素をえたものなど
が一般的である。しかし高線速記録を考慮した場合に
は、とりわけ熱伝導率の高いＡｇを主成分とする金属ま
たは合金が記録特性の点から好ましい。

【００２３】また、反射層５に純銀を用いた場合には、
ＡｇＳ化合物の生成を抑制する為、反射層５に接する層
はＳを含有していない材料を用いることが好ましい。反
射層５に接する層にＳを含んでいる場合には、反射層５
の材料はＡｇを主成分とし、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、
Ｐｔ、Ｎｉ、Ｎｄなどの少なくとも１種の元素を合計で
１原子％以上２０原子％以下加えるたものを使用するこ
とが好ましい。

【００２４】この反射層５の厚さとして、反射層５を形
成する金属或いは合金の熱伝導率の大きさによって反射
層５の膜厚は変化するが、５０ｎｍ〜３００ｎｍ以下で
あるのが好ましい。反射層５は５０ｎｍ以上となると光
学的には変化せず、反射率の値に影響を与えないが、冷
却速度への影響が大きくなる。また、３００ｎｍ以上の
厚さを形成するのは製造する上で時間を要するため、熱
伝導率の高い材質の反射層５を用いることにより層厚を
なるべく制御する。

【００２５】本発明の特徴とする記録層３の組成は、Ｇ
ｅ−Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金にＶまたはＴｉ、Ｃ
ｒ、Ａｌの少なくとも１種類以上含んでいる合金層であ
る。また、記録層３の膜厚は、記録時のレーザーパワー
が小さくできる範囲である、１０〜２５ｎｍが好まし
い。

【００２６】また記録層３の片面、もしくは両面に接し
ている界面層を設けても良い。この材質としては、硫黄
物を含まない材料であることが重要である。硫黄物を含
む材料を界面層として用いると、繰り返しオーバーライ
トにより界面層中の硫黄が記録層３中に拡散し、記録特
性が劣化することがあるので好ましくない。また、消去
特性が優れないという点からも好ましくない。窒化物、
酸化物、炭化物のうち少なくとも１種を含む材料が好ま
しく、具体的には窒化ゲルマニウム、窒化シリコン、窒
化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウ
ム、酸化クロム、炭化シリコン、炭素のうち少なくとも
１種を含む材料が好ましい。また、これらの材料に酸
素、窒素、水素などを含有させても良い。前述の窒化
物、酸化物、炭化物は化学量論組成でなくても良く、窒
素、酸素、炭素が過剰或いは不足していても良い。この
ことで界面層が剥離しにくくなり、保存耐久性等が向上
するなど、膜の特性が向上する場合がある。

【００２７】さらに第２保護層４はＺｎＳとＳｉＯ₂の
化合物であり、反射層５にＡｇまたはＡｇ合金を用いる
場合には、第２保護層４と反射層５の間に拡散防止層を
挿入することが好ましい。これは第２保護層４中のＳと
反射層５中のＡｇとの化学反応のＡｇＳ化合物による反
射率の低下を抑制するためである。この拡散防止層の材
料としては、界面層３と同様に硫黄物を含まない材料で
あるのが重要である。窒化物、酸化物、炭化物のうち少
なくとも１種を含む材料が好ましく、具体的には窒化ゲ
ルマニウム、窒化ゲルマニウムクロム、窒化シリコン、
窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウ
ム、酸化クロム、炭化シリコン、炭素のうち少なくとも
１種を含む材料が好ましい。また、これらの材料に酸
素、窒素、水素などを含有させても良い。前述の窒化
物、酸化物、炭化物は化学量論組成でなくても良く、窒
素、酸素、炭素が過剰或いは不足していても良い。

【００２８】本発明の光記録媒体の記録に用いる光源と
しては、レーザ光、ストロボ光のごとき高強度の光源で
あり、特に半導体レーザ光は光源が小型化できること、
消費電力が小さいこと、変調が容易であることから好ま
しい。記録は結晶状態の記録層３にレーザ光パルスなど
を照射して非結晶の記録マークを形成して行う。また、
反対に非結晶状態の記録層３に結晶状態の記録マークを
形成しても良い。消去はレーザ光照射によって、非結晶
の記録マークを結晶化するか、もしくは結晶状態の記録
マークを非結晶化して行うことができる。記録マークを
高速化でき、かつ記録層３の変形が発生しにくいことか
ら記録時は非結晶の記録マークを形成し、消去時は結晶
化を行う方法が好ましい。

【００２９】また、記録マーク形成時は光強度を高く、
消去時はやや弱くし、１回の光ビームの照射により書き
換えを行う１ビーム・オーバーライトは、書き換えの所
要時間が短くなることから好ましい。

【００３０】(光記録媒体の製造方法)次に、本発明の光
記録媒体の製造方法について述べる。まず、第１，第２
保護層２、４、記録層３、反射層５などを基板１上に積
層する方法としては、公知の真空中での薄膜形成法、例
えば真空蒸着法（抵抗加熱型や電子ビーム型）、イオン
プレーティング法、スパッタリング法（直流や交流スパ
ッタリング、反応性スパッタリング）などが挙げられ
る。特に、組成、膜厚のコントロールが容易であること
から、スパッタリング法が好ましい。

【００３１】また、真空漕内で複数の基板１を同時に成
膜するバッチ法や基板１を１枚ずつ処理する枚葉式成膜
装置を使用することが好ましい。形成する第１，第２保
護層２、４、記録層３、反射層５などの層厚の制御は、
スパッタ電源の投入パワーと時間を制御したり、水晶振
動型膜厚計などで、堆積状態をモニタリングすることで
容易に行える。

【００３２】また、第１，第２保護層２、４、記録層
３、反射層５などの形成は、基板１を固定したまま、或
いは移動、回転した状態のどちらでも良い。膜厚の面内
の均一性に優れることから、基板１を自転させることが
好ましく、さらに公転を組み合わせることがより好まし
い。必要に応じて基板１の冷却を行うと、基板１の反り
量を減少させることができる。

【００３３】また、本発明の効果を著しく損なわない範
囲において、反射層５などを形成した後、これらの膜の
変形防止などのため、ＺｎＳ、ＳｉＯ₂などの誘電体層
或いは紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層などを必要に応
じて設けても良い。また、反射層５などを形成した後、
或いはさらに前述の樹脂保護層を形成した後、２枚の基
板１を対向して接着剤などで貼り合わせても良い。

【００３４】記録層３は、実際に記録を行う前に、あら
かじめレーザ光、キセノンフラッシュランプなどの光を
照射し、結晶化させておくことが好ましい。

【００３５】（実施例）さて、以下に本発明の光記録媒
体の（実施例１）〜（実施例１１）及び（比較例１）〜
（比較例１３）について順次説明する(図２参照)。ここ
では相変化型光ディスクを例にして述べる。

【００３６】以下の実施例では、波長が６５０ｎｍのレ
ーザダイオード、ＮＡ＝０．６０の光学レンズを搭載し
たパルステック社製光ディスクドライブテスタ（ＤＤＵ
１０００）を用いて記録（１ビーム・オーバーライト）
を行った。

【００３７】記録線速度は３．５ｍ／ｓ（ＤＶＤ規格１
倍速相当）および、７．０ｍ／ｓ（ＤＶＤ規格２倍速相
当）で、８−１６変調ランダムパターンによる評価を行
った。クロック周期Ｔはそれぞれ３８．２ｎｓおよび、
１９．１ｎｓで、ビット長は０．２６７μｍ／ｂｉｔで
ある。ＤＶＤ−ＲＯＭと同密度の記録を行い、容量は
４．７Ｇｂｙｔｅｓに相当する。記録は、隣接トラック
も含め１０回オーバーライトした後、その再生信号の振
幅の中心でスライスし、クロック・トゥー・データ・ジ
ッタclock to data jitter を測定した。測定にはＳｈ
ｉｂａＳｏｋｕ社製再生専用機（ＬＭ２２０Ａ）で線速
７．０ｍ／ｓで行った。再生パワーＰｒは０．７ｍＷで
一定とした。また、記録ストラテジとして、３．５ｍ／
ｓでの記録では、ＤＶＤ−ＲＷＶｅｒ１．１規格で標
準としている、Ｔｔｏｐ＝０．５０[T]、Ｔｍｐ＝０．
４０[T]、Ｔｃｌ＝０．６０[T]（標準記録ストラテジ）
を用い、７．０ｍ／ｓでの記録ではＴｔｏｐ＝０．４５
[T]、Ｔｍｐ＝０．４８[T]、Ｔｃｌ＝０．５１[T]の最
適記録ストラテジを用いた（図３(ｃ)，(ｂ)参照）。ま
た、記録膜組成の定量分析には、シーメンス社製の蛍光
Ｘ線分析装置ＳＲＳ３０３を用いた。

【００３８】（実施例１）各層は、直径が１２０ｍｍ、
板厚が０．６ｍｍのポリカーボネイト樹脂製の基板１上
に形成した。基板１にはトラックピッチが０．７４μｍ
で空溝が形成されている。この溝深さは２５ｎｍであ
り、グルーブ幅とランド幅の比は、およそ４０：６０で
あった。

【００３９】まず、真空容器内を３×１０^-4Ｐａまで排
気した後、２×１０^-1ＰａのＡｒガス雰囲気中でＳｉＯ
₂を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳを高周波マグネトロン
スパッタ法により、基板１上に層厚６０ｎｍの第１保護
層２を形成した。

【００４０】続いて、記録層３をＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅの３
元素単一合金ターゲットとＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの４
元素単一合金ターゲットのコスパッタにより層厚１６ｎ
ｍ（組成比：Ｇｅ₅Ａｇ₁Ｉｎ₂Ｓｂ₆₉Ｔｅ₂₃）を作成
し、続いて第２保護層４を第１保護層２と同じ材料で１
６ｎｍ、反射層５をＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕターゲットで８０
ｎｍ、順次積層した。

【００４１】この基板１を真空容器内より取り出した
後、この反射層５上にアクリル系紫外線硬化樹脂（ソニ
ーケミカル製ＳＫ５１１０）をスピンコートし、紫外線
照射により硬化させて膜厚が３μｍの保護膜６を形成し
て光ディスクを得た。

【００４２】さらに粘着シールを用いて同様に形成した
基板１を２枚貼り合わせ、両面記録型光ディスクを作製
した。こうして作製した光ディスクにトラック方向のビ
ーム幅が半径方向より広い形をしているワイドビームの
レーザ光を照射して、記録層３を結晶化温度以上に加熱
し、初期化処理を行った。そして、基板１側から相変化
記録層３の案内溝であるグルーブ部に記録を行った。グ
ルーブはレーザ光の入射方向から見て凸状になってい
る。

【００４３】記録の条件である各パルスの幅は、３．５
ｍ／ｓ（以下、１倍速）での記録では、ＤＶＤ−ＲＷ
Ｖｅｒ１．１規格で標準とされている、Ｔｔｏｐ＝０．
５０[Ｔ]、Ｔｍｐ＝０．４０[Ｔ]、Ｔｃｌ＝０．６０
[Ｔ]（標準ストラテジ）を用い、７．０ｍ／ｓ（以下、
２倍速）での記録ではＴｔｏｐ＝０．４５[Ｔ]、Ｔｍｐ
＝０．４８[Ｔ]、Ｔｃｌ＝０．５１[Ｔ]の最適記録スト
ラテジを用いた（図３参照）。記録パワーと消去パワー
は最適な大きさを選択し、ボトムパワーは０．５ｍＷを
使用し、それぞれ隣接トラックを含め１０回オーバーラ
イトを行った。

【００４４】次に再生信号のクロック・トゥー・データ
・ジッタを測定した。１倍速、２倍速のそれぞれのジッ
タは７．４％、７．４％と良好な特性が得られた。

【００４５】（実施例２）第１保護層２と記録層３の間
にＧｅターゲットで層厚２ｎｍのＧｅＮ界面層を反応性
スパッタにて挿入した他は実施例１と同様の光記録媒体
を作製した。実施例１と同様の測定をしたところ、１倍
速、２倍速記録のいずれにおいても図２のとおり実施例
１とほぼ同等の特性が得られた。

【００４６】（実施例３）記録層３としてＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅの３元素単一合金ターゲットとＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅの４元素単一合金ターゲットのコスパッタにより
（組成比：Ｇｅ₁₀Ａｇ₂Ｉｎ₃Ｓｂ₆₆Ｔｅ₁₉）作成した他
は実施例１と同様の光記録媒体を作製した。実施例１と
同様の測定をしたところ、１倍速、２倍速記録のいずれ
においても図２のとおり実施例１とほぼ同等の特性が得
られた。

【００４７】（実施例４）記録層３としてＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅの３元素単一合金ターゲットとＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅの４元素単一合金ターゲットのコスパッタにより
（組成比：Ｇｅ₃Ａｇ₁Ｉｎ₁Ｓｂ₆₈Ｔｅ₂₇）作成した他
は実施例１と同様の光記録媒体を作製した。実施例１と
同様の測定をしたところ、１倍速、２倍速記録のいずれ
においても図２のとおり実施例１とほぼ同等の特性が得
られた。

【００４８】（実施例５）記録層３としてＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅの３元素単一合金ターゲットとＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅの４元素単一合金ターゲットのコスパッタにより
（組成比：Ｇｅ_4.5Ａｇ₃Ｉｎ_0.5Ｓｂ₇₀Ｔｅ₂₂）作成し
た他は実施例１と同様の光記録媒体を作製した。実施例
１と同様の測定をしたところ、１倍速、２倍速記録のい
ずれにおいても図２のとおり実施例１とほぼ同等の特性
が得られた。

【００４９】（実施例６）記録層３としてＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅの３元素単一合金ターゲットとＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅの４元素単一合金ターゲットのコスパッタにより
（組成比：Ｇｅ_4.9Ａｇ_0.1Ｉｎ₅Ｓｂ₆₇Ｔｅ₂₃）作成し
た他は実施例１と同様の光記録媒体を作製した。実施例
１と同様の測定をしたところ、１倍速、２倍速記録のい
ずれにおいても図２のとおり実施例１とほぼ同等の特性
が得られた。

【００５０】（実施例７）記録層３としてＧｅ−Ａｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの５元素単一合金ターゲットとＶター
ゲットのコスパッタにより（組成比：Ｇｅ₄Ａｇ₁Ｉｎ₂
Ｓｂ₆₉Ｔｅ₂₃Ｖ₁）作成した他は実施例１と同様の光記
録媒体を作製した。実施例１と同様の測定をしたとこ
ろ、１倍速、２倍速記録のいずれにおいても図２のとお
り実施例１とほぼ同等の特性が得られた。

【００５１】（実施例８）記録層３としてＧｅ−Ａｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの５元素単一合金ターゲットとＣｒタ
ーゲットのコスパッタにより（組成比：Ｇｅ₄Ａｇ₁Ｉｎ
₂Ｓｂ₆₉Ｔｅ₂₃Ｃｒ₁）作成した他は実施例１と同様の光
記録媒体を作製した。実施例１と同様の測定をしたとこ
ろ、１倍速、２倍速記録のいずれにおいても図２のとお
り実施例１とほぼ同等の特性が得られた。

【００５２】（実施例９）記録層３としてＧｅ−Ａｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの５元素単一合金ターゲットとＴｉタ
ーゲットのコスパッタにより（組成比：Ｇｅ₄Ａｇ₁Ｉｎ
₂Ｓｂ₆₉Ｔｅ₂₃Ｔｉ₁）作成した他は実施例１と同様の光
記録媒体を作製した。実施例１と同様の測定をしたとこ
ろ、１倍速、２倍速記録のいずれにおいても図２のとお
り実施例１とほぼ同等の特性が得られた。

【００５３】（実施例１０）記録層３としてＧｅ−Ａｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの５元素単一合金ターゲットとＡｌ
ターゲットのコスパッタにより（組成比：Ｇｅ₄Ａｇ₁Ｉ
ｎ₂Ｓｂ₆₉Ｔｅ₂₃Ａｌ₁）作成した他は実施例１と同様の
光記録媒体を作製した。実施例１と同様の測定をしたと
ころ、１倍速、２倍速記録のいずれにおいても図２のと
おり実施例１とほぼ同等の特性が得られた。

【００５４】（実施例１１）反射層５としてＡｇ−Ｎｄ
−Ｃｕターゲットをスパッタにより作成した他は実施例
１と同様の光記録媒体を作製した。実施例１と同様の測
定をしたところ、１倍速、２倍速記録のいずれにおいて
も図２のとおり実施例１とほぼ同等の特性が得られた。

【００５５】（比較例１）記録層３としてＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅの３元素単一合金ターゲットとＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅの４元素単一合金ターゲットのコスパッタにより
（組成比：Ｇｅ₅Ａｇ₁Ｉｎ₂Ｓｂ₇₃Ｔｅ₁₉）作成した他
は実施例１と同様の光記録媒体を作製した。しかし、図
２のとおり、１倍速、２倍速のそれぞれのジッタは１
０．５％、７．２％と実施例１と比べて１倍速記録特性
が著しく劣っていた。

【００５６】（比較例２）記録層３としてＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅの３元素単一合金ターゲットとＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅの４元素単一合金ターゲットのコスパッタにより
（組成比：Ｇｅ₅Ａｇ₁Ｉｎ₂Ｓｂ₆₃Ｔｅ₂₉）作成した他
は実施例１と同様の光記録媒体を作製した。しかし、図
２のとおり、１倍速、２倍速のそれぞれのジッタは７．
１％、１０．３％と実施例１と比べて２倍速記録特性が
著しく劣っていた。

【００５７】（比較例３）記録層３としてＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅの３元素単一合金ターゲットとＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅの４元素単一合金ターゲットのコスパッタにより
（組成比：Ｇｅ₁₀Ａｇ₃Ｉｎ₅Ｓｂ₆₄Ｔｅ₁₈）作成した他
は実施例１と同様の光記録媒体を作製した。しかし、図
２のとおり、１倍速、２倍速のそれぞれのジッタは１
０．２％、８．２％と実施例１と比べて１倍速記録特性
が劣っていた。

【００５８】（比較例４）記録層３としてＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅの３元素単一合金ターゲットとＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅの４元素単一合金ターゲットのコスパッタにより
（組成比：Ｇｅ_0.5Ａｇ_0.5Ｉｎ₃Ｓｂ₆₉Ｔｅ₂₇）作成し
た他は実施例１と同様の光記録媒体を作製した。しか
し、図２のとおり、１倍速、２倍速のそれぞれのジッタ
は７．６％、１０．３％と実施例１と比べて２倍速記録
特性が著しく劣っていた。

【００５９】（比較例５）記録層３としてＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅの３元素単一合金ターゲットとＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅの４元素単一合金ターゲットのコスパッタにより
（組成比：Ｇｅ₁Ａｇ₃Ｉｎ₃Ｓｂ₆₆Ｔｅ₂₇）作成した他
は実施例１と同様の光記録媒体を作製した。しかし、図
２のとおり、１倍速、２倍速のそれぞれのジッタは８．
５％、１１．２％と実施例１と比べて２倍速記録特性が
著しく劣っていた。

【００６０】（比較例６）記録層３としてＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅの３元素単一合金ターゲットとＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅの４元素単一合金ターゲットのコスパッタにより
（組成比：Ｇｅ₁₂Ａｇ₁Ｉｎ₁Ｓｂ₆₇Ｔｅ₁₉）作成した他
は実施例１と同様の光記録媒体を作製した。しかし、図
２のとおり、１倍速、２倍速のそれぞれのジッタは１
０．１％、８．８％と実施例１と比べて１倍速記録特性
が著しく劣っていた。

【００６１】（比較例７）記録層３としてＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅの３元素単一合金ターゲットとＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅの４元素単一合金ターゲットのコスパッタにより
（組成比：Ｇｅ_4.8Ａｇ₃Ｉｎ_0.2Ｓｂ₇₀Ｔｅ₂₂）作成し
た他は実施例１と同様の光記録媒体を作製した。しか
し、図２のとおり、１倍速、２倍速のそれぞれのジッタ
は８．８％、１０．１％と実施例１と比べて２倍速記録
特性が著しく劣っていた。

【００６２】（比較例８）記録層３としてＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅの３元素単一合金ターゲットとＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅの４元素単一合金ターゲットのコスパッタにより
（組成比：Ｇｅ₃Ａｇ₁Ｉｎ₇Ｓｂ₆₇Ｔｅ₂₂）作成した他
は実施例１と同様の光記録媒体を作製した。しかし、図
２のとおり、１倍速、２倍速のそれぞれのジッタは１
０．３％、８．１％と実施例１と比べて１倍速記録特性
が著しく劣っていた。

【００６３】（比較例９）記録層３としてＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅの３元素単一合金ターゲットとＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅの４元素単一合金ターゲットのコスパッタにより
（組成比：Ｇｅ_4.5Ａｇ₅Ｉｎ_0.5Ｓｂ₆₉Ｔｅ₂₁）作成し
た他は実施例１と同様の光記録媒体を作製した。しか
し、図２のとおり、１倍速、２倍速のそれぞれのジッタ
は８．９％、１１．０％と実施例１と比べて２倍速記録
特性が著しく劣っていた。

【００６４】（比較例１０）記録層３としてＧｅ−Ｓｂ
−Ｔｅの３元素単一合金ターゲットとＩｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
の３元素単一合金ターゲットのコスパッタにより（組成
比：Ｇｅ₅Ｉｎ₅Ｓｂ ₆₇Ｔｅ₂₃）作成した他は実施例１と
同様の光記録媒体を作製した。しかし、図２のとおり、
１倍速、２倍速のそれぞれのジッタは１０．０％、８．
５％と実施例１と比べて１倍速記録特性が著しく劣って
いた。

【００６５】（比較例１１）記録層３としてＧｅ−Ａｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの５元素単一合金ターゲットとＶタ
ーゲットのコスパッタにより（組成比：Ｇｅ₄Ａｇ₁Ｉｎ
₂Ｓｂ₆₇Ｔｅ₂₁Ｖ₅）作成した他は実施例１と同様の光記
録媒体を作製した。実施例１と同様の測定をしたとこ
ろ、図２のとおり、１倍速、２倍速のそれぞれのジッタ
は１３．６％、９．４％と実施例１と比べて１倍速・２
倍速記録特性が著しく劣っていた。

【００６６】（比較例１２）記録層３としてＧｅ−Ａｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの５元素単一合金ターゲットとＣｏ
ターゲットのコスパッタにより（組成比：Ｇｅ₄Ａｇ₁Ｉ
ｎ₂Ｓｂ₆₉Ｔｅ₂₃Ｃｏ₁）作成した他は実施例１と同様の
光記録媒体を作製した。この光記録媒体の初期化を試み
たところ、初期化が困難で、さらに記録ができなかっ
た。

【００６７】（比較例１３）反射層５としてＡｌ−Ｔｉ
を成膜し作成した他は実施例１と同様の光記録媒体を作
製した。実施例１と同様の測定をしたところ、１倍速、
２倍速のそれぞれのジッタは図２のとおり、８．３％、
８．７％と実施例１と比べて若干劣っていたが、良好に
近かった。

【００６８】これより、（ｘ／ｙ）＜２．５であると高
線速度でのオーバーライト特性が良くなく、逆に（ｘ／
ｙ）＞３．５であると低線速度でのオーバーライト特性
が良くない。また、ａ＜０．８５であると記録媒体とし
ての記録媒体の反射率が十分でなく、ａ＞０．９５であ
ると高温高湿条件下での保存特性が劣ってしまうので、
実用的でなくなる。ｂ＜０．０３であると耐光性が劣っ
てしまい、ｂ＞０．１であると反射率の低下が激しい。
ｃやｄの量に応じて高線速度での特性が得られるが、
ｃ、ｄ＞０．０５であるとオーバーライト特性や記録媒
体の反射率が悪くなるので、ｃ＋ｄは最小限の量にする
ことが好ましい。また、記録層３に３原子％以下で、Ｖ
またはＣｒ、Ｔｉ、Ａｌを加えることで、高線速記録で
の繰り返しオーバーライト特性が向上する。３原子％よ
り多くくわえると、初期ジッタの悪化を伴い、さらに記
録媒体の反射率を低下させるので好ましくなかった。

【００６９】反射層５の材料は、図２のとおりＡｌ合
金、Ａｇ合金どちらでも良好な特性は得られたが、熱伝
導度の高いＡｇ合金の方が有利であった。また添加元素
は５原子％以下であると、Ａｇ単元素の高反射特性や高
熱伝導特性を損なわないので、良好な記録特性が得られ
る。しかし、添加元素を５原子％より多く加えると、反
射特性や熱伝導特性を著しく悪化させるので記録特性に
悪影響を与える。また、レーザーの記録波長が６５０ｎ
ｍ付近の場合、基板１の溝深さは２０ｎｍ〜３０ｎｍが
好ましく、２０ｎｍ以下であると変調度が十分に得られ
ず、逆に３０ｎｍ以上であると記録媒体の反射率が十分
に得られなかった。

【００７０】

【発明の効果】前述した構成を有する本発明は、記録速
度の広域線速化（マルチスピード化）において、標準記
録ストラテジを用いての低線速から高線速に至るそれぞ
れの記録速度における記録特性を常時良好とし、つまり
記録ストラテジ非依存型の広域線速化の記録を達成する
ことが出来、低線速から高線速に亘る各線速においても
それぞれ、記録ストラテジの影響が小さく、良好な記録
特性が得られ、また高線速における記録の際には多数回
のオーバーライトを行なっても常時記録特性を良好に維
持することができる光記録媒体を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の一実施例を示す部分拡
大縦断面図

【図２】本発明の実施例１〜実施例１１と比較例１〜
比較例１３とを比較した比較表

【図３】記録用レーザ光をパルス変調する記録ストラ
テジの各態様をそれぞれ示す図

【符号の説明】

１基板１ａレーザー入射面２第１保護層３記録層４第２保護層５反射層６保護膜７Ｔｔｏｐ（先頭パルス）８Ｔｍｐ（マルチパルス）９Ｔｃｌ（冷却パルス）Ａ光記録媒体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者久保尚之神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番地日本ビクター株式会社内 (72)発明者吉川正志神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番地日本ビクター株式会社内Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA23 EA36 FA01 FA12 FA14 FA23 FB05 FB09 FB12 FB16 FB17 FB21 FB30 5D029 JA01 JB18 MA13 WB17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に少なくとも、第１保護層、記録
層、第２保護層、反射層を順次積層した構成の光記録媒
体であって、前記記録層は、（Ｓｂ_xＴｅ_y）_aＧｅ_bＩｎ
_cＡｇ_dからなり、かつ前記記録層を構成する各原子比
は、２．５≦ｘ／ｙ≦３．５、０．８５≦ａ≦０．９５、０．０３≦ｂ≦０．１、０．００５≦ｃ≦０．０５、０．００１≦ｄ≦０．０３、但し、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１であることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】前記記録層は、更にＭ（ＭはＶ、Ｃｒ、
Ｔｉ、Ａｌから選ばれる少なくとも１種の元素である）
を含み、かつ前記記録層中のＭの比率が３原子％以下で
あることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】前記反射層は、Ａｇを主成分としかつＰ
ｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｎｄから選ばれる少なくとも一種の添
加元素を含んでなり、かつ前記反射層に対する前記添加
元素の合計の比率が５原子％以下であることを特徴とす
る請求項１または請求項２記載の光記録媒体。
【請求項４】前記基板は螺旋状または同心円状の溝を
有し、かつ前記溝の深さｄ_gが、２０ｎｍ≦ｄ_g≦３０ｎ
ｍであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のい
ずれか１記載の光記録媒体。