JP2000067463A

JP2000067463A - 光記録媒体

Info

Publication number: JP2000067463A
Application number: JP11164930A
Authority: JP
Inventors: Toshinaka Nonaka; 敏央野中
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1998-06-12
Filing date: 1999-06-11
Publication date: 2000-03-03

Abstract

(57)【要約】【課題】結晶相と非晶相間の相変化において生じる体積
変化を小さくし、繰り返し記録、消去に対する耐久性を
向上させる。【解決手段】光の照射による記録層のアモルファス相と
結晶相の間の相変化により情報の記録及び消去が行われ
る光記録媒体において、結晶相と非晶相の密度差が８．
０％以下であることを特徴とする光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により、
情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に
関するものである。特に本発明は、記録情報の消去、書
換機能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可能
な光ディスク、光カード、光テープなどの書換可能相変
化型光記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】相変化の技術を用いた書換可能な相変化
光記録媒体は、Ｔｅ合金を主成分とする記録層を有して
いるものが知られている。記録時は結晶状態の記録層に
集束したレーザ光パルスを短時間照射し、記録層を部分
的に溶融する。溶融した部分は熱拡散により急冷され、
固化し、非晶状態の記録マークが形成される。この記録
マークの光線反射率は、結晶状態より低く、光学的に記
録信号として再生可能である。さらに消去時には、記録
マーク部分にレーザー光を照射し、記録層の融点以下、
結晶化温度以上の温度に加熱することによって非晶状態
の記録マークを結晶化し、もとの未記録状態に戻す。

【０００３】これらＴｅ合金を記録層とした光記録媒体
では、結晶化速度が速く、照射パワーを変調するだけ
で、円形のビームによる高速のオーバーライトが可能で
ある（T.Ohta et al, Proc.Int.Symp.on Optical Memor
y 1989 p49-50 ）。これらの書換可能な相変化光記録媒
体として、光ディスクが例にあげられる。

【０００４】非晶相と結晶相の相変化により記録を行う
相変化記録では、非晶相と結晶相間で密度が異なると該
相変化により体積変化が起きる。このため、該密度変化
が大きいと記録、消去を繰り返すことにより膜が割れた
り、多層の場合には層間剥離が起きたりして、バースト
エラー等の原因となるという問題がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前述
の光記録媒体の問題を解決し、非晶相と結晶相間の密度
差が小さく、相変化による体積変動が小さい記録材料を
用いることによって、記録、消去の繰り返しによる劣化
の起きにくい光記録媒体を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、光の照射によ
る記録層の非晶相と結晶相の間の相変化により情報の記
録及び消去が行われる光記録媒体において、前記非晶相
と前記結晶相の密度変化率が８．０％以下であることを
特徴とする光記録媒体である。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明の光記録媒体では、記録層
に非晶相と結晶相の密度変化率が８％以下、より詳細に
は８．０％以下であるものを用いることが重要であり、
好ましくは５．０％以下である。本発明でいう密度変化
率は、結晶相の密度から非晶相の密度を引いた結果を非
晶相の密度で割ったものである。記録層の結晶相と非晶
相の密度変化率が８．０％より大きい場合は、成膜後に
全面を結晶化させる初期化工程で膜の割れや剥離などの
問題点を生じることがある。密度変化率を８．０％以
下、好ましくは５．０％以下とすることによって、繰り
返し記録、消去を行うことにより膜の割れや剥離が生じ
ることなく、従ってバーストエラー等が抑制できる。

【０００８】本発明では記録層の結晶相のサイトの欠損
を２０％以上、さらに好ましくは１０％以上とすること
が好ましい。記録層の結晶相のサイトの欠損が２０％未
満の場合、結晶相、非晶相間の相変化での体積変化が大
きくなりやすく、繰り返し記録、消去を行うことによ
り、バーストエラー等の原因となる膜の割れや剥離など
の問題点を生じることがあり、さらに、記録層の結晶相
のサイトの欠損が１０％未満の場合、成膜後に全面を結
晶化させる初期化工程で膜の割れや剥離などの問題点を
生じることがある。

【０００９】本発明では記録層の結晶相の異なるサイト
の数が２以下であることが好ましい。記録層の結晶相の
異なるサイトの数が多くなると、一般的に異なる元素そ
れぞれに対し、特定の適当なサイトを与えやすくなるた
め、異なる元素が同一サイトにランダムに混在する場合
よりも、欠損が生じにくくなる。この傾向は、異なるサ
イトの数が３以下となると大きく制限されるが、２以下
ではより大きく制限されるためにより好ましい。

【００１０】本発明では記録層の結晶相が少なくとも異
なる２種類のサイトＡ、Ｂを有し、それぞれのサイトに
存在する原子の平均原子サイズａ、ｂが０．９９０≦ｂ
／ａ≦１．０００であることが好ましい。結晶構造中に
異なる２種類以上のサイトを有する場合、大きい原子か
らなるサイトの間を埋めるように小さい原子からなるサ
イトが存在する形態が、原子の充填密度が上がり密な結
合が形成されるため、構造が安定する。したがって、記
録層の結晶構造が２種類のサイトを有し、かつそれぞれ
のサイト中に存在する原子の平均原子サイズが近接して
いる場合は、一方のサイトに欠損を生じさせることで、
実効的な大きさを大きく異なったものとなり、構造が安
定化する。このため、２種類のサイトＡ、Ｂ中のそれぞ
れの平均原子サイズａ、ｂが０．９９０≦ｂ／ａ≦１．
０００である場合、サイト欠損が多く生じやすくなる。
結晶中にサイト欠損を多く含む場合は、結晶相と非晶相
の間の相変化にともなう体積変化が小さくなるため、前
述のように膜の割れや剥離が起きにくくなったり、非晶
から結晶への相変化時の原子移動が小さくなりやすくな
るため、結晶化速度が高くなりやすくなるなどのメリッ
トがある。本発明でいうサイトとは結晶の基本格子中の
等価でない原子位置のことである。

【００１１】本発明の記録層の材料は、結晶状態と非晶
状態の少なくとも２つの状態をとり得る材料であれば組
成を特に限定するものではないが、この条件を満たすも
のの一つとしてＴｅやＳｅを主成分とするカルコゲン化
合物がある。これらカルコゲン化合物としては、Ｐｄ−
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、
Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｉ−Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ合金、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｅ合金、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、
Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｖ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
合金などがある。多数回の記録の書換が可能であること
から、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｉ
−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｃｏ
−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金が好ましい。特にＰｄ−Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金
は、消去時間が短く、かつ多数回の記録、消去の繰り返
しが可能であり、Ｃ／Ｎ、消去率などの記録特性に優れ
ることから好ましく、とりわけ、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ合金が、前述の特性に優れることからより好ま
しい。

【００１２】記録層の厚さとしては特に限定するもので
はないが、１０〜１５０ｎｍである。特に記録、消去感
度が高く、多数回の記録消去が可能であることから、１
５ｎｍ〜５０ｎｍとすることが好ましい。

【００１３】第１および第２誘電体層は、記録時に基
板、記録層などが熱によって変形し記録特性が劣化する
ことを防止するなど、基板、記録層を熱から保護する効
果、光学的な干渉効果により、再生時の信号コントラス
トを改善する効果がある。第１および第２誘電体層とし
ては、ＺｎＳ、ＳｉＯ₂、窒化シリコン、酸化アルミニ
ウム、炭素などの無機薄膜があげられる。特にＺｎＳの
薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａなどの金属
の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａｌなどの窒化物の薄膜、Ｓ
ｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物の薄膜及びこれらの
混合物、炭素の膜が、耐熱性が高いことから好ましい。
また、これらに炭素や、ＭｇＦ₂などのフッ化物を混合
したものも、膜の残留応力が小さいことから好ましく使
用される。特に下地誘電体層および第２誘電体層にはＺ
ｎＳとＳｉＯ₂の混合膜、あるいはＺｎＳとＳｉＯ₂と
炭素の混合膜を用いることが、記録、消去の繰り返しに
よっても、記録感度、キャリア対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）お
よび消去率（記録後と消去後の再生キャリア信号強度の
差）などの劣化が起きにくいことから好ましく、内部応
力の低減効果の大きい点からは、ＳｉＯ₂１５〜３５モ
ル％、炭素１〜１５モル％であることが、さらに好まし
い。また第２誘電体層はＺｎＳとＳｉＯ₂の混合物の層
とＳｉＯ₂層とを積層するなど、複数の層で構成しても
よい。

【００１４】第１誘電体層の厚さとしては、特に限定さ
れないが、通常、およそ１０〜５００ｎｍである。さら
には、基板や記録層から剥離し難く、クラックなどの欠
陥が生じ難いことから、５０〜４００ｎｍがより好まし
い。

【００１５】第２誘電体層の厚さは、およそ５〜２５０
ｎｍ程度である。さらには１０〜５０ｎｍとすること
が、良好な消去率の得られる消去パワーの範囲が広いこ
とから好ましい。

【００１６】非晶相として堆積させた記録層にレーザー
光を照射し、結晶化させる初期化工程を低パワーレザー
で行えること、再生時の信号コントラストを改善できる
ことから第２誘電体層の上にさらに反射層を積層しても
よい。

【００１７】反射層の材質としては、光反射性を有する
Ａｌ、Ａｕなどの金属、これらを主成分とし、Ｔｉ、Ｃ
ｒ、Ｈｆなどの添加元素を含む合金及びＡｌ、Ａｕなど
の金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化物、金
属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したものなど
があげられる。Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれらを主
成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導率を高
くできることから好ましい。前述の合金の例としては、
ＡｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｎｂ、Ｍｎなどの少なくとも１種の元素を合計で５
原子％以下、１原子％以上加えたもの、あるいは、Ａｕ
にＣｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの少なくと
も１種の元素を合計で１原子％以上２０原子％以下加え
たものなどがあげられる。特に、材料の価格が安いこと
から、ＡｌもしくはＡｌを主成分とする合金が好まし
く、とりわけ、耐腐食性が良好なことから、ＡｌにＴ
ｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｐｄから選ばれる
少なくとも１種以上の金属を合計で０．５原子％以上５
原子％以下添加した合金が好ましい。さらに、耐腐食性
が良好でかつヒロックなどの発生が起こりにくいことか
ら、添加元素を合計で０．５原子％以上３原子％未満含
む、Ａｌ−Ｈｆ−Ｐｄ合金、Ａｌ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｔ
ｉ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ
−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ
合金のいずれかのＡｌを主成分とする合金で構成するこ
とが好ましい。これらＡｌ合金のうちでも、次式で表さ
れる組成を有するＡｌ−Ｈｆ−Ｐｄ合金は、特に優れた
熱安定性を有するため、多数回の記録、消去を繰り返し
において、記録特性の劣化を少なくすることができる。Ｐｄ_jＨｆ_kＡｌ_1-j-k ０．００１＜ｊ＜０．０１０．００５＜ｋ＜０．１０ここで、ｊ、ｋは各元素の原子の数（各元素のモル数）
を表す。

【００１８】上述した反射層の厚さとしては、いずれの
合金からなる場合にもおおむね１０ｎｍ以上２００ｎｍ
以下、さらに好ましくは５０〜２００ｎｍとするのが好
ましい。

【００１９】本発明の基板の材料としては、公知の透明
な各種の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこ
り、基板の傷などの影響をさけるために、透明基板を用
い、集束した光ビームで基板側から記録を行なうことが
好ましく、この様な透明基板材料としては、ガラス、ポ
リカーボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリオ
レフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあ
げられる。特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さ
く、成形が容易であることからポリカーボネート樹脂、
アモルファス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。

【００２０】基板の厚さとしては、特に限定されるもの
ではないが、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。
０．０１ｍｍ未満では、基板側から集束した光ビームで
記録する場合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ
をこえる場合は、対物レンズの開口数を大きくすること
が困難になり、照射光ビームスポットサイズが大きくな
るため、記録密度をあげることが困難になる。

【００２１】基板はフレキシブルなものであっても良い
し、リジットなものであってもよい。フレキシブルな基
板は、テープ状、シート状、カード状で使用する。リジ
ットな基板は、カード状、あるいはディスク状で使用す
る。また、これらの基板は、記録層などを形成した後、
２枚の基板を用いて、エアーサンドイッチ構造、エアー
インシデント構造、密着張合せ構造としてもよい。

【００２２】本発明の光記録媒体の記録に用いる光源と
しては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源
があげられ、特に半導体レーザー光は、光源が小型化で
きること、消費電力が小さいこと、変調が容易であるこ
とから好ましい。

【００２３】記録は結晶状態の記録層にレーザー光パル
スなどを照射して非晶状態の記録マークを形成して行
う。あるいは、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の記
録マークを形成してもよい。消去はレーザー光照射によ
って、非晶状態の記録マークを結晶化するか、もしく
は、結晶状態の記録マークを非晶化して行うことができ
る。記録速度を高速化でき、かつ記録層の変形が発生し
にくいことから記録時は非晶状態の記録マークを形成
し、消去時は結晶化を行う方法が好ましい。また、記録
マーク形成時は光強度を高く、消去時はやや弱くし、１
回の光ビームの照射により書換を行う１ビーム・オーバ
ーライトは、書換の所用時間が短くなることから好まし
い。

【００２４】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて述べる。反射層、記録層を基板上に形成する方法と
しては、公知の真空中での薄膜形成法、例えば真空蒸着
法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などが
あげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容易であ
ることから、スパッタリング法が好ましい。形成する記
録層などの厚さの制御は、公知の技術である水晶振動子
膜厚計などで、堆積状態をモニタリングすることで、容
易に行える。記録層などの形成は、基板を固定したまま
の状態、あるいは、移動、回転した状態のどちらで行っ
ても良い。膜厚の面内の均一性に優れることから、基板
を自転させても良く、さらに公転を組合わせても良い。

【００２５】本発明の光記録媒体の好ましい層構成とし
て、基板、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層をこの
順に積層してなるもの、より好ましくは、基板、第１誘
電体層、記録層、第２誘電体層、反射層をこの順に積層
してなるものがあげられる。但しこれに限定されるもの
ではなく、本発明の効果を著しく損なわない範囲におい
て、反射層などを形成した後、傷、変形の防止などのた
め、ＺｎＳ、ＳｉＯ₂などの誘電体層あるいは紫外線硬
化樹脂などの樹脂保護層などを必要に応じて設けること
ができる。光は透明基板側から入射するものとする。ま
た、反射層などを形成した後、あるいはさらに前述の樹
脂保護層を形成した後、２枚の基板を対向して、接着剤
で張り合わせてもよい。

【００２６】記録層は、実際に記録を行う前に、予めレ
ーザー光、キセノンフラッシュランプなどの光を照射し
結晶化させておくことが好ましい。

【００２７】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。（分析、測定方法）記録層の結晶構造はＸ線回折測定
（理学電機社製のＸ線発生装置：ＲＵ−２００Ｒ、Ｘ線
源：ＣｕＫα、ゴニオメータ：２１５５Ｄ型、計数記録
装置：ＲＡＤ−Ｂ）により行った。記録層と反射層の組
成分析は、ＩＣＰ発光分析（セイコー電子工業（株）製
SPS4000 ）により行った。密度測定はＸ線反射率測定法
（理学電機社製Ｘ線反射率測定装置）により行った。

【００２８】記録層、誘電体層、反射層の形成中の膜厚
は、水晶振動子膜厚計によりモニターした。また各層の
厚さは、走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察
することにより測定した。

【００２９】（実施例１）厚さ０．６ｍｍ、直径１２ｃ
ｍのポリカーボネート製基板を毎分３０回転で回転させ
ながら、スパッタリング法により、記録層を形成した。
Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなるターゲットをスパッタして、
組成Ｇｅ_0.17Ｓｂ_0.26Ｔｅ_0.57の膜厚８μｍの記録層を
形成した。次に基板をクロロホルムで溶解し、粉末もし
くは薄片化した記録層を濾過回収し、乾燥、粉砕した。
これを真空中で、１５０℃、３０分の熱処理を行い、Ｘ
線回折測定用試料とした。０．０２゜間隔のステップス
キャンで２θ＝２０〜１４５゜の測定を行い、リートベ
ルト法により結晶構造解析を行ったところ、２つのサイ
トを有する岩塩型構造となっており、４ａサイトはＴｅ
がほぼ１００％占有しており、欠損はほとんどなく、４
ｂサイトはＧｅとＳｂが占有しているが欠損が約２５％
あることがわかった。また、それぞれのサイトに存在す
る原子の平均原子サイズｂ／ａは０．９５２であった。

【００３０】厚さ１．１ｍｍのガラス基板を毎分３０回
転で回転させながら、スパッタリング法により、記録
層、誘電体層を形成した。まず、真空容器内を１×１０
^-4Ｐａまで排気した後、２×１０^-1ＰａのＡｒガス零囲
気中でＺｎＳを１２ｍｏｌ％添加したＳｉＯ₂ターゲッ
トをスパッタし、基板上に膜厚２０ｎｍの誘電体層を形
成した。続いて、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなるターゲット
をスパッタして、組成Ｇｅ_0.17Ｓｂ_0.26Ｔｅ_0.57の膜厚
８０ｎｍの記録層を形成した。さらに前述の誘電体層を
２０ｎｍ形成した。この試料のＸ線回折測定を行ったと
ころ、結晶性の回折ピークは認められず、非晶であっ
た。この非晶記録層の密度測定をＸ線反射率測定法によ
り行ったところ、５．８８ｇ／ｃｍ²であった。さらに
この試料に１５０℃、３０分間の熱処理を行った後、再
びＸ線回折測定と密度測定を行ったところ、記録層は岩
塩型の結晶となっており密度は、６．１１ｇ／ｃｍ²と
なっていることがわかった。つまり、非晶相と結晶相の
密度変化率は３．９％であった。

【００３１】厚さ０．６ｍｍ、直径１２ｃｍ、０．７４
μｍピッチのスパイラルグルーブ付きポリカーボネート
製基板を毎分３０回転で回転させながら、スパッタリン
グ法により、記録層、誘電体層、反射層を形成した。ま
ず、真空容器内を１×１０^-4Ｐａまで排気した後、２×
１０^-1ＰａのＡｒガス零囲気中でＺｎＳを１２ｍｏｌ％
添加したＳｉＯ₂ターゲットをスパッタし、基板上にそ
れぞれ膜厚１００ｎｍの第１誘電体層を形成した。続い
てＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなるターゲットをスパッタし
て、組成Ｇｅ_0.17Ｓｂ_0.26Ｔｅ_0.57の膜厚２０ｎｍの記
録層を形成した。さらに前述の第２誘電体層を１６ｎｍ
形成し、この上に、Ａｌ_98.1Ｈｆ_1.7Ｐｄ _0.2合金をス
パッタして膜厚１６０ｎｍの反射層を形成し、光ディス
クを得た。

【００３２】さらに、反射層形成後に紫外線硬化樹脂
（大日本インキ（株）製SD-101）をスピンコートし、紫
外線照射により硬化させて膜厚５μｍの樹脂層を形成し
た。この光記録媒体に波長８１０ｎｍの半導体レーザー
のビームでディスク全面の記録層を結晶化し初期化し
た。

【００３３】上記ディスクの消去率測定を行った。まず
波長６６０ｎｍ、レンズ開口数０．６の光学ヘッドを有
する光ディスクドライブを用いて、線速９ｍ／ｓ、記録
パワー１０ｍＷで周波数１０．６ＭＨｚで１万回記録を
行い、次にパワー５．５ｍＷでＤＣ消去を行い、消去率
を測定したところ３０ｄＢと高い値であった。

【００３４】（実施例２）実施例１の記録層の組成をＧ
ｅ_0.191Ｓｂ_0.251Ｔｅ_0.558（ｂ／ａ＝０．９４７）と
した以外は同様にして試料を作製し、結晶構造、密度の
測定解析を行ったところ、熱処理前後の結晶性について
は実施例１と同様であり、熱処理後の結晶構造も実施例
１と同じ岩塩型であった。密度測定の結果は熱処理前の
非晶相が５．７６ｇ／ｃｍ²で、熱処理後の結晶相が
６．０７ｇ／ｃｍ²であった。つまり、非晶相と結晶相
の密度変化率は５．４％であった。

【００３５】記録層の組成をＧｅ_0.191Ｓｂ_0.251Ｔｅ
_0.558とした以外は実施例１と同様にしてディスクを作
製し、消去率測定を実施例１と同様に行ったところ、３
０ｄＢと高い値であった。

【００３６】（実施例３）実施例１の記録層の組成をＧ
ｅ_0.222Ｓｂ_0.222Ｔｅ_0.556（ｂ／ａ＝０．９３７）と
した以外は同様にして試料を作製し、結晶構造、密度の
測定・解析を行ったところ、熱処理前後の結晶性につい
ては実施例１と同様であり、熱処理後の結晶構造も実施
例１と同じ岩塩型であった。密度測定の結果は熱処理前
の非晶相が５．８６ｇ／ｃｍ²で、熱処理後の結晶相が
６．１３ｇ／ｃｍ²であった。つまり、非晶相と結晶相
の密度変化率は４．６％であった。

【００３７】記録層の組成をＧｅ_0.222Ｓｂ_0.222Ｔｅ
_0.556とした以外は実施例１と同様にしてディスクを作
製し、消去率測定を実施例１と同様に行ったところ、３
０ｄＢと高い値であった。

【００３８】（実施例４）実施例１の記録層の組成をＧ
ｅ_0.181Ｓｂ_0.279Ｔｅ_0.539（ｂ／ａ＝０．９５２）と
した以外は同様にして試料を作製し、結晶構造、密度の
測定・解析を行ったところ、熱処理前後の結晶性につい
ては実施例１と同様であり、熱処理後の結晶構造も実施
例１と同じ岩塩型であった。密度測定の結果は熱処理前
の非晶相が５．８７ｇ／ｃｍ²で、熱処理後の結晶相が
６．１０ｇ／ｃｍ²であった。つまり、非晶相と結晶相
の密度変化率は３．９％であった。

【００３９】記録層の組成をＧｅ_0.181Ｓｂ_0.279Ｔｅ
_0.539とした以外は実施例１と同様にしてディスクを作
製し、消去率測定を実施例１と同様に行ったところ、３
０ｄＢと高い値であった。

【００４０】（実施例５）Ａｇ、Ｓｂ、Ｔｅからなるタ
ーゲットを用いて、組成がＡｇＳｂ₂Ｔｅ₄（結晶相の欠
損２６％、サイト数２、ｂ／ａ＝０．９９１、非晶層と
結晶相の密度変化率３．８％）である記録層とした以外
は実施例１と同様にしてディスクを作製し、線速を１２
ｍ／ｓとした他は実施例１と同様にして消去率を測定し
たところ、３０ｄＢ以上の高い値であった。Ａｇより原
子サイズの大きいＩｎやＳｎでＡｇの一部または全部と
置換した場合も同様の結果であった。

【００４１】（比較例１）実施例１の記録層の組成をＧ
ｅ_0.5Ｔｅ_0.5（ｂ／ａ＝０．８５９）とした以外は同様
にして試料を作製し、結晶構造、密度の測定解析を行っ
た。結晶構造は岩塩型が歪んだ菱面体晶となっており、
ＧｅとＴｅはいづれも互いに異なる１つのサイトに欠損
がない状態で存在していることがわかった。熱処理前後
の結晶性については実施例１と同様の結果を得た。密度
測定の結果は熱処理前の非晶相が５．６０ｇ／ｃｍ
²で、熱処理後の結晶相が６．０６ｇ／ｃｍ²であった。
つまり、密度変化率は８．２％であった。消去率測定も
実施例１とほぼ同様に行ったが、信号振幅にむらがあ
り、適正な評価ができなかった。

【００４２】

【発明の効果】本発明の光記録媒体によれば、高速、高
密度での記録、消去が可能で繰り返し耐久性に優れる光
記録媒体が得られる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光の照射による記録層の非晶相と結晶相の
間の相変化により情報の記録及び消去が行われる光記録
媒体において、前記非晶相と前記結晶相の密度変化率が
８．０％以下であることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】結晶相の欠損が２０％以上であるサイトが
存在することを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】結晶相の異なるサイトの数が２以下である
ことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項４】結晶相が少なくとも異なる２種類のサイト
Ａ、Ｂを有し、それぞれのサイトに存在する原子の平均
原子サイズａ、ｂが、０．９９０≦ｂ／ａ≦１．０００
であることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項５】少なくとも、基板、第１誘電体層、記録
層、第２誘電体層の順に積層してなることを特徴とする
請求項１記載の光記録媒体。