JP3216552B2 - 光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光記録媒体およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により、
情報の記録が可能である光情報記録媒体に関するもので
ある。
情報の記録が可能である光情報記録媒体に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来の書換可能光記録媒体の技術は、以
下のごときものである。光記録媒体のＡｌ含有層は通常
真空中での成膜は最後であり、成膜終了後、大気中へと
取り出される。従って、Ａｌ含有層のうち片面は不活性
な状態におかれているが、反対側の面は紫外線硬化樹脂
などで保護されるまでは活性なまま大気と接することに
なり、空気中の水分と反応し、Ａｌ含有膜を劣化させる
水酸化アルミニウムＡｌ（ＯＨ）3 などが生成される。
この結果、Ａｌ含有層が劣化する。この劣化は、Ａｌ含
有層の光学的特性および熱特性を変化させるため、特に
相変化型の光記録媒体においては、コントラストの低下
や冷却効率の低下をもたらす。その結果、光記録媒体の
長期保存耐久性や、繰り返し記録耐久性を劣化させる原
因となる。
下のごときものである。光記録媒体のＡｌ含有層は通常
真空中での成膜は最後であり、成膜終了後、大気中へと
取り出される。従って、Ａｌ含有層のうち片面は不活性
な状態におかれているが、反対側の面は紫外線硬化樹脂
などで保護されるまでは活性なまま大気と接することに
なり、空気中の水分と反応し、Ａｌ含有膜を劣化させる
水酸化アルミニウムＡｌ（ＯＨ）3 などが生成される。
この結果、Ａｌ含有層が劣化する。この劣化は、Ａｌ含
有層の光学的特性および熱特性を変化させるため、特に
相変化型の光記録媒体においては、コントラストの低下
や冷却効率の低下をもたらす。その結果、光記録媒体の
長期保存耐久性や、繰り返し記録耐久性を劣化させる原
因となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述の従来の光記録媒
体のＡｌ含有層における課題は、Ａｌ含有層の劣化によ
る長期保存耐久性の悪化および繰り返し記録耐久性の悪
化を防止することにある。すなわち、Ａｌ含有層の劣化
を防げば良い。
体のＡｌ含有層における課題は、Ａｌ含有層の劣化によ
る長期保存耐久性の悪化および繰り返し記録耐久性の悪
化を防止することにある。すなわち、Ａｌ含有層の劣化
を防げば良い。
【０００４】本発明は、かかる従来の光記録媒体の課題
を解決し、長期保存耐久性および繰り返し記録耐久性に
優れた光記録媒体を提供せんとするものである。
を解決し、長期保存耐久性および繰り返し記録耐久性に
優れた光記録媒体を提供せんとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、かかる課題を
解決するため、次のような手段を採用するものである。
すなわち、本発明の光記録媒体は、基板上に形成された
記録層に光を照射することによって情報の記録、消去、
再生が可能な光記録媒体において、少なくともＡｌが含
まれる層をもち、その層に含まれる酸素原子が０．００
１原子％以上０．０５原子％以下であることを特徴とす
るものである。
解決するため、次のような手段を採用するものである。
すなわち、本発明の光記録媒体は、基板上に形成された
記録層に光を照射することによって情報の記録、消去、
再生が可能な光記録媒体において、少なくともＡｌが含
まれる層をもち、その層に含まれる酸素原子が０．００
１原子％以上０．０５原子％以下であることを特徴とす
るものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の光記録媒体においては、
基板上に、少なくとも第１誘電体層、記録層、第２誘電
体層、反射層をこの順で積層することが、記録時に基
板、記録層などが熱によって変形し、記録特性が劣化す
ることを防止するなど、基板、記録層を熱から保護する
効果、光学的な干渉効果により、再生時の信号コントラ
ストを改善する効果があることから好ましい。
基板上に、少なくとも第１誘電体層、記録層、第２誘電
体層、反射層をこの順で積層することが、記録時に基
板、記録層などが熱によって変形し、記録特性が劣化す
ることを防止するなど、基板、記録層を熱から保護する
効果、光学的な干渉効果により、再生時の信号コントラ
ストを改善する効果があることから好ましい。
【０００７】本発明の第１誘電体層および第２誘電体層
としては、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 、窒化シリコン、酸化アル
ミニウムなどの無機薄膜がある。特に、ＺｎＳの薄膜、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｅなどの金属
の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａｌなどの窒化物の薄膜、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物の薄膜およびこれらの化合
物の混合物の膜が、耐熱性が高いことから好ましい。ま
た、これらに炭素や、ＭｇＦ2 などのフッ化物を混合し
たものも、膜の残留応力が小さいことから好ましい。特
に、ＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜あるいは、ＺｎＳとＳｉ
Ｏ2 と炭素の混合膜は、記録、消去の繰り返しによって
も、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化が起きにくい
ことから好ましく、特にＺｎＳとＳｉＯ2と炭素の混合
膜が好ましい。ＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜においては、
ＳｉＯ2 の混合比が１５〜３５モル％が好ましく、Ｚｎ
ＳとＳｉＯ2 と炭素を構成材料とする混合膜において
は、ＳｉＯ2 の混合比が１５〜３５モル％であり、炭素
の混合比が１〜１５％モル％であることが好ましい。
としては、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 、窒化シリコン、酸化アル
ミニウムなどの無機薄膜がある。特に、ＺｎＳの薄膜、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｅなどの金属
の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａｌなどの窒化物の薄膜、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物の薄膜およびこれらの化合
物の混合物の膜が、耐熱性が高いことから好ましい。ま
た、これらに炭素や、ＭｇＦ2 などのフッ化物を混合し
たものも、膜の残留応力が小さいことから好ましい。特
に、ＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜あるいは、ＺｎＳとＳｉ
Ｏ2 と炭素の混合膜は、記録、消去の繰り返しによって
も、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化が起きにくい
ことから好ましく、特にＺｎＳとＳｉＯ2と炭素の混合
膜が好ましい。ＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜においては、
ＳｉＯ2 の混合比が１５〜３５モル％が好ましく、Ｚｎ
ＳとＳｉＯ2 と炭素を構成材料とする混合膜において
は、ＳｉＯ2 の混合比が１５〜３５モル％であり、炭素
の混合比が１〜１５％モル％であることが好ましい。
【０００８】本発明のＡｌ含有反射層には、酸素原子を
原子密度で０．００１原子％以上０．０５原子％以下含
むことが必要である。この範囲の酸素を含むことで、こ
れ以上の酸化を防ぐことができ、反射層の劣化、ひいて
は光記録媒体の劣化を防ぐことができる。反射層の酸素
の原子密度が０．００１原子％未満であれば、十分な効
果を得ることができず、反射層の劣化を招く。一方、
０．０５原子％を越えると、含んだ酸素自身によって反
射層が劣化する。ここでいう反射層の劣化とは主に熱物
性の変化、特に熱伝導度の低下と反射率の低下のことで
あり、冷却効率の悪化およびコントラストの低下をもた
らす。
原子密度で０．００１原子％以上０．０５原子％以下含
むことが必要である。この範囲の酸素を含むことで、こ
れ以上の酸化を防ぐことができ、反射層の劣化、ひいて
は光記録媒体の劣化を防ぐことができる。反射層の酸素
の原子密度が０．００１原子％未満であれば、十分な効
果を得ることができず、反射層の劣化を招く。一方、
０．０５原子％を越えると、含んだ酸素自身によって反
射層が劣化する。ここでいう反射層の劣化とは主に熱物
性の変化、特に熱伝導度の低下と反射率の低下のことで
あり、冷却効率の悪化およびコントラストの低下をもた
らす。
【０００９】酸素以外の本発明のＡｌ含有反射層の材質
としては、光反射性を有するＡｌ、およびＡｌを主成分
とし、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｆなどの添加元素を含む合金およ
びＡｌにＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化物、金
属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したものなど
があげられる。金属Ａｌ、およびこれらを主成分とする
合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導率を高くできるこ
とから好ましい。前述の合金の例として、ＡｌにＳｉ、
Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍ
ｎなどの少なくとも１種の元素を合計で５原子％以下、
１原子％以上加えたものなどがある。特に、材料の価格
が安くできることから、Ａｌを主成分とする合金が好ま
しく、とりわけ、耐腐食性が良好なことから、ＡｌにＴ
ｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｐｄから選ばれる
少なくとも１種以上の金属を合計で５原子％以下０．５
原子％以上添加した合金が好ましい。とりわけ、耐腐食
性が良好でかつヒロックなどの発生が起こりにくいこと
から、反射層を添加元素を合計で０．５原子％以上３原
子％未満含む、Ａｌ−Ｈｆ−Ｐｄ合金、Ａｌ−Ｈｆ合
金、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｃ
ｒ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金、Ａｌ
−Ｓｉ−Ｍｎ合金のいずれかのＡｌを主成分とする合金
で構成することが好ましい。
としては、光反射性を有するＡｌ、およびＡｌを主成分
とし、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｆなどの添加元素を含む合金およ
びＡｌにＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化物、金
属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したものなど
があげられる。金属Ａｌ、およびこれらを主成分とする
合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導率を高くできるこ
とから好ましい。前述の合金の例として、ＡｌにＳｉ、
Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍ
ｎなどの少なくとも１種の元素を合計で５原子％以下、
１原子％以上加えたものなどがある。特に、材料の価格
が安くできることから、Ａｌを主成分とする合金が好ま
しく、とりわけ、耐腐食性が良好なことから、ＡｌにＴ
ｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｐｄから選ばれる
少なくとも１種以上の金属を合計で５原子％以下０．５
原子％以上添加した合金が好ましい。とりわけ、耐腐食
性が良好でかつヒロックなどの発生が起こりにくいこと
から、反射層を添加元素を合計で０．５原子％以上３原
子％未満含む、Ａｌ−Ｈｆ−Ｐｄ合金、Ａｌ−Ｈｆ合
金、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｃ
ｒ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金、Ａｌ
−Ｓｉ−Ｍｎ合金のいずれかのＡｌを主成分とする合金
で構成することが好ましい。
【００１０】本発明の記録層としては、とくに限定する
ものではないが、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−
Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｔ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
合金、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｅ合金な
どがある。多数回の記録の書換が可能であることから、
Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金が好ましい。
特に、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｔ
−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金は、消去時間が短く、かつ多数
回の記録に優れることから好ましい。さらには、その組
成は次式で表される範囲にあることが熱安定性と繰り返
し安定性に優れている点からより好ましい。
ものではないが、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−
Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｔ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
合金、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｅ合金な
どがある。多数回の記録の書換が可能であることから、
Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金が好ましい。
特に、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｔ
−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金は、消去時間が短く、かつ多数
回の記録に優れることから好ましい。さらには、その組
成は次式で表される範囲にあることが熱安定性と繰り返
し安定性に優れている点からより好ましい。
【００１１】 Ｍz（ＳｂxＴｅ1-x）1-y-z（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）y ０．３５≦ｘ≦０．５ ０．２≦ｙ≦０．５ ０．０００５≦ｚ≦０．０１ ここで、ＭはＰｄ、Ｎｂ、Ｐｔから選ばれる少なくとも
１種の金属を表す。また、ｘ、ｙ、ｚおよび数字は、各
元素の原子の数（各元素のモル数）を表す。
１種の金属を表す。また、ｘ、ｙ、ｚおよび数字は、各
元素の原子の数（各元素のモル数）を表す。
【００１２】本発明の基板の材料としては、透明な各種
の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。埃、基板の
傷などの影響を避けるために、透明基板を用い、集束し
た光ビームで基板側から記録を行うことが好ましく、こ
のような透明基板材料としては、ガラス、ポリカーボネ
ート、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィン樹
脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられる。
特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さく、成形が
容易であることからポリカーボネート樹脂、アモルファ
ス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。
の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。埃、基板の
傷などの影響を避けるために、透明基板を用い、集束し
た光ビームで基板側から記録を行うことが好ましく、こ
のような透明基板材料としては、ガラス、ポリカーボネ
ート、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィン樹
脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられる。
特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さく、成形が
容易であることからポリカーボネート樹脂、アモルファ
ス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。
【００１３】基板の厚さは特に限定するものではない
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０１ｍ
ｍ未満では、基板側から集束した光ビームで記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では、
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照
射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になる。基板はフレキシブルなもの
であっても良いし、リジッドなものであっても良い。フ
レキシブルな基板は、テープ状、シート状、カード状で
使用する。リジッドな基板は、カード状、あるいはディ
スク状で使用する。また、これらの基板は、記録層など
を形成した後、２枚の基板を用いて、エアーサンドイッ
チ構造、エアーインシデント構造、密着張り合わせ構造
としてもよい。
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０１ｍ
ｍ未満では、基板側から集束した光ビームで記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では、
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照
射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になる。基板はフレキシブルなもの
であっても良いし、リジッドなものであっても良い。フ
レキシブルな基板は、テープ状、シート状、カード状で
使用する。リジッドな基板は、カード状、あるいはディ
スク状で使用する。また、これらの基板は、記録層など
を形成した後、２枚の基板を用いて、エアーサンドイッ
チ構造、エアーインシデント構造、密着張り合わせ構造
としてもよい。
【００１４】本発明の光記録媒体の記録に用いる光源と
しては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源
であり、特に半導体レーザー光は、光源が小型化できる
こと、消費電力が小さいこと、変調が容易であることか
ら好ましい。
しては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源
であり、特に半導体レーザー光は、光源が小型化できる
こと、消費電力が小さいこと、変調が容易であることか
ら好ましい。
【００１５】記録は結晶状態の記録層にレーザー光パル
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。また、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の記録
マークを形成しても良い。消去はレーザー光照射によっ
て、アモルファスの記録マークを結晶化するか、もしく
は結晶状態の記録マークをアモルファス化して行うこと
ができる。記録速度を高速化でき、かつ記録層の変形が
発生しにくいことから記録時はアモルファスの記録マー
クを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好ましい。
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。また、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の記録
マークを形成しても良い。消去はレーザー光照射によっ
て、アモルファスの記録マークを結晶化するか、もしく
は結晶状態の記録マークをアモルファス化して行うこと
ができる。記録速度を高速化でき、かつ記録層の変形が
発生しにくいことから記録時はアモルファスの記録マー
クを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好ましい。
【００１６】また、記録マーク形成時は光強度を高く、
消去時はやや弱くし、１回の光ビームの照射により、書
換を行う１ビームオーバーライトは、書換の所用時間が
短くなることから好ましい。
消去時はやや弱くし、１回の光ビームの照射により、書
換を行う１ビームオーバーライトは、書換の所用時間が
短くなることから好ましい。
【００１７】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて述べる。反射層、記録層等を基板上に形成する方法
としては、真空中の薄膜形成法、例えば真空蒸着法、イ
オンプレーティング法、スパッタリング法などがあげら
れる。特に組成、膜厚のコントロールが容易であること
から、スパッタリング法が好ましい。特に、酸素ガスを
含む雰囲気下でスパッタリングすることにより、層全体
に酸素原子を取り込むことができる。
いて述べる。反射層、記録層等を基板上に形成する方法
としては、真空中の薄膜形成法、例えば真空蒸着法、イ
オンプレーティング法、スパッタリング法などがあげら
れる。特に組成、膜厚のコントロールが容易であること
から、スパッタリング法が好ましい。特に、酸素ガスを
含む雰囲気下でスパッタリングすることにより、層全体
に酸素原子を取り込むことができる。
【００１８】形成する記録層などの厚さの制御は、水晶
振動子膜厚計などで堆積状態をモニタリングすること
で、容易に行える。記録層などの形成は、基板を固定し
たままの状態、あるいは、移動、回転した状態のどちら
で行ってもよい。
振動子膜厚計などで堆積状態をモニタリングすること
で、容易に行える。記録層などの形成は、基板を固定し
たままの状態、あるいは、移動、回転した状態のどちら
で行ってもよい。
【００１９】本発明の光記録媒体の好ましい層構成とし
て、透明基板／第１誘電体層／記録層／第２誘電体層／
反射層をこの順に積層するものがあげられる。ただし、
これに限定されるものではなく、本発明の効果を著しく
損なわない範囲において、反射層などを形成した後、
傷、変形の防止などのため、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 などの誘
電体層あるいは紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層などを
必要に応じて設けることができる。光は透明基板側から
入射するものとする。また、反射層などを形成した後、
あるいはさらに前述の樹脂保護層を形成した後、２枚の
基板を対向して、接着剤で張り合わせてもよい。
て、透明基板／第１誘電体層／記録層／第２誘電体層／
反射層をこの順に積層するものがあげられる。ただし、
これに限定されるものではなく、本発明の効果を著しく
損なわない範囲において、反射層などを形成した後、
傷、変形の防止などのため、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 などの誘
電体層あるいは紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層などを
必要に応じて設けることができる。光は透明基板側から
入射するものとする。また、反射層などを形成した後、
あるいはさらに前述の樹脂保護層を形成した後、２枚の
基板を対向して、接着剤で張り合わせてもよい。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
【００２１】（分析、測定方法）反射層、記録層の組成
は、ＩＣＰ発光分析（セイコー電子工業（株）製）によ
り確認した。またキャリア対ノイズ比および消去率（記
録後と消去後の再生キャリア信号強度の差）、クロスト
ーク、クロスイレーズはスペクトラムアナライザにより
測定した。
は、ＩＣＰ発光分析（セイコー電子工業（株）製）によ
り確認した。またキャリア対ノイズ比および消去率（記
録後と消去後の再生キャリア信号強度の差）、クロスト
ーク、クロスイレーズはスペクトラムアナライザにより
測定した。
【００２２】記録層、誘電体層、反射層の形成中の膜厚
は、水晶振動子膜厚計によりモニターした。また各層の
厚さは走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察す
ることにより測定した。反射層内に含まれる酸素の割合
は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）によって測定し
た。
は、水晶振動子膜厚計によりモニターした。また各層の
厚さは走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察す
ることにより測定した。反射層内に含まれる酸素の割合
は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）によって測定し
た。
【００２３】（実施例１）厚さ１．２ｍｍ、直径１２ｃ
ｍ、１．２μｍピッチのスパイラルグルーブ付きポリカ
ーボネート製基板を毎分３０回転で回転させながら、基
板上にマグネトロンスパッタ法により記録層、誘電体
層、反射層を形成した。
ｍ、１．２μｍピッチのスパイラルグルーブ付きポリカ
ーボネート製基板を毎分３０回転で回転させながら、基
板上にマグネトロンスパッタ法により記録層、誘電体
層、反射層を形成した。
【００２４】まず、真空容器内を１×１０-4Ｐａまで排
気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス雰囲気内でＳｉＯ
2 を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをスパッタし、基板上
に膜厚１５０ｎｍの第１保護層を形成した。続いて、Ｐ
ｄ、Ｎｂ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合金ターゲットを
スパッタして、組成Ｎｂ0.006 Ｐｄ0.001 Ｇｅ0.173Ｓ
ｂ0.26Ｔｅ0.56の膜厚２３ｎｍの記録層を形成した。さ
らに次に、ＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳとＣ
の同時スパッタで、ＺｎＳとＣとのモル混合比が８：１
となるように、膜厚３５ｎｍの第２誘電体層を形成し
た。さらにＡｌ98 .1Ｈｆ1.7 Ｐｄ0.2 合金ターゲットを
Ａｒ：Ｏ2 ＝２０００：１の混合ガス雰囲気下でスパッ
タして膜厚７０ｎｍの反射層を形成した。
気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス雰囲気内でＳｉＯ
2 を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをスパッタし、基板上
に膜厚１５０ｎｍの第１保護層を形成した。続いて、Ｐ
ｄ、Ｎｂ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合金ターゲットを
スパッタして、組成Ｎｂ0.006 Ｐｄ0.001 Ｇｅ0.173Ｓ
ｂ0.26Ｔｅ0.56の膜厚２３ｎｍの記録層を形成した。さ
らに次に、ＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳとＣ
の同時スパッタで、ＺｎＳとＣとのモル混合比が８：１
となるように、膜厚３５ｎｍの第２誘電体層を形成し
た。さらにＡｌ98 .1Ｈｆ1.7 Ｐｄ0.2 合金ターゲットを
Ａｒ：Ｏ2 ＝２０００：１の混合ガス雰囲気下でスパッ
タして膜厚７０ｎｍの反射層を形成した。
【００２５】このようにして作製したディスクのうちの
一枚の反射層内の酸素原子の割合を二次イオン質量分析
法により測定したところ、０．００５原子％であった。
一枚の反射層内の酸素原子の割合を二次イオン質量分析
法により測定したところ、０．００５原子％であった。
【００２６】別のディスクのうちの一枚を真空容器から
取り出した後、反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂を
スピンコートし、紫外線を照射して硬化させ、厚さ１０
μｍの樹脂層を形成し、本発明の光記録媒体を得た。
取り出した後、反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂を
スピンコートし、紫外線を照射して硬化させ、厚さ１０
μｍの樹脂層を形成し、本発明の光記録媒体を得た。
【００２７】この光記録媒体に波長８３０ｎｍの半導体
レーザのビームでディスク全面の記録層を結晶化し、初
期化した。
レーザのビームでディスク全面の記録層を結晶化し、初
期化した。
【００２８】この光記録媒体の記録特性を線速度１２ｍ
／秒の条件で、対物レンズの開口数０．４７、半導体レ
ーザーの波長７９０ｎｍの光学ヘッドを使用して、周波
数８．８７ＭＨｚ（デュティ２９％）、ピークパワー８
〜１６ｍＷ、ボトムパワー４〜９ｍＷの各条件に変調し
た半導体レーザー光で一回記録した後、再生パワー１．
０ｍＷの半導体レーザー光を照射してバンド幅３０ｋＨ
ｚの条件でＣ／Ｎを測定した。さらにこの部分を３．３
３ＭＨｚ（デュティ２１％）で、先と同様に変調した半
導体レーザー光を照射し、ワンビーム・オーバーライト
し、この時の８．８７ＭＨｚの前記録信号の消去率と記
録マークの再生信号の終端部のエッジのジッタを測定し
た。ピークパワー１０ｍＷで実用上十分な５０ｄＢのＣ
／Ｎが得られ、かつボトムパワー４〜７ｍＷで実用上十
分な２０ｄＢの消去率が得られた。
／秒の条件で、対物レンズの開口数０．４７、半導体レ
ーザーの波長７９０ｎｍの光学ヘッドを使用して、周波
数８．８７ＭＨｚ（デュティ２９％）、ピークパワー８
〜１６ｍＷ、ボトムパワー４〜９ｍＷの各条件に変調し
た半導体レーザー光で一回記録した後、再生パワー１．
０ｍＷの半導体レーザー光を照射してバンド幅３０ｋＨ
ｚの条件でＣ／Ｎを測定した。さらにこの部分を３．３
３ＭＨｚ（デュティ２１％）で、先と同様に変調した半
導体レーザー光を照射し、ワンビーム・オーバーライト
し、この時の８．８７ＭＨｚの前記録信号の消去率と記
録マークの再生信号の終端部のエッジのジッタを測定し
た。ピークパワー１０ｍＷで実用上十分な５０ｄＢのＣ
／Ｎが得られ、かつボトムパワー４〜７ｍＷで実用上十
分な２０ｄＢの消去率が得られた。
【００２９】さらに、ピークパワー１２ｍＷ、ボトムパ
ワー６ｍＷ、周波数８．８７ＭＨｚの条件で、ワンビー
ム・オーバーライトの繰り返しを１万回行った後、同様
の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化は、いずれも
２ｄＢ以内でほとんど変化が認められず、ジッタの増加
もほとんど見られなかった。また、この光記録媒体を８
０℃相対湿度８０％の環境に１０００時間おいた後、そ
の後記録部分を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満
でほとんど変化がなかった。さらに、再度、記録、消去
を行い、Ｃ／Ｎ、消去率を測定したところ、同様にほと
んど変化がなかった。
ワー６ｍＷ、周波数８．８７ＭＨｚの条件で、ワンビー
ム・オーバーライトの繰り返しを１万回行った後、同様
の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化は、いずれも
２ｄＢ以内でほとんど変化が認められず、ジッタの増加
もほとんど見られなかった。また、この光記録媒体を８
０℃相対湿度８０％の環境に１０００時間おいた後、そ
の後記録部分を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満
でほとんど変化がなかった。さらに、再度、記録、消去
を行い、Ｃ／Ｎ、消去率を測定したところ、同様にほと
んど変化がなかった。
【００３０】（実施例２）反射層を形成する際のスパッ
タガス中の酸素の割合をＡｒ：Ｏ2 ＝１０００：１にし
た以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。
このようにして作製した光記録媒体の反射層内に含まれ
る酸素の割合を二次イオン質量分析法で測定したとこ
ろ、０．０２％であった。
タガス中の酸素の割合をＡｒ：Ｏ2 ＝１０００：１にし
た以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。
このようにして作製した光記録媒体の反射層内に含まれ
る酸素の割合を二次イオン質量分析法で測定したとこ
ろ、０．０２％であった。
【００３１】実施例１と同様に記録特性を測定したとこ
ろ、１回記録後のＣ／Ｎ・消去率・ジッタ、繰り返し記
録後のＣ／Ｎ・消去率・ジッタ、湿熱保存後のＣ／Ｎ・
消去率、全てに関して、実施例１と同様な良好な特性が
得られた。
ろ、１回記録後のＣ／Ｎ・消去率・ジッタ、繰り返し記
録後のＣ／Ｎ・消去率・ジッタ、湿熱保存後のＣ／Ｎ・
消去率、全てに関して、実施例１と同様な良好な特性が
得られた。
【００３２】（比較例１）反射層を形成する際のスパッ
タガス中の酸素の分圧を０にした以外は実施例１と同様
にして光記録媒体を作製した。このようにして作製した
光記録媒体の反射層内に含まれる酸素の割合を二次イオ
ン質量分析法で測定したところ、検出できず、０．００
１％未満であった。
タガス中の酸素の分圧を０にした以外は実施例１と同様
にして光記録媒体を作製した。このようにして作製した
光記録媒体の反射層内に含まれる酸素の割合を二次イオ
ン質量分析法で測定したところ、検出できず、０．００
１％未満であった。
【００３３】実施例１と同様に記録特性を測定したとこ
ろ、１回記録後のＣ／Ｎ、消去率は同等の特性を示した
が、ワンビーム・オーバーライトの繰り返しを１万回行
った後の測定では、Ｃ／Ｎで約５ｄＢの減少が見られ
た。また、この光記録媒体を８０℃相対湿度８０％の環
境に１０００時間おいた後、その後記録部分を再生した
ところ、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変化がな
かったが、再度の記録、消去を行っての測定では、Ｃ／
Ｎで約５ｄＢ、消去率でも約６ｄＢの減少が見られた。
ろ、１回記録後のＣ／Ｎ、消去率は同等の特性を示した
が、ワンビーム・オーバーライトの繰り返しを１万回行
った後の測定では、Ｃ／Ｎで約５ｄＢの減少が見られ
た。また、この光記録媒体を８０℃相対湿度８０％の環
境に１０００時間おいた後、その後記録部分を再生した
ところ、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変化がな
かったが、再度の記録、消去を行っての測定では、Ｃ／
Ｎで約５ｄＢ、消去率でも約６ｄＢの減少が見られた。
【００３４】（比較例２）反射層を形成する際のスパッ
タガス中の酸素の割合をＡｒ：Ｏ2 ＝２００：１にした
以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。こ
のようにして作製した光記録媒体の反射層内に含まれる
酸素の割合を二次イオン質量分析法で測定したところ、
０．１％であった。
タガス中の酸素の割合をＡｒ：Ｏ2 ＝２００：１にした
以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。こ
のようにして作製した光記録媒体の反射層内に含まれる
酸素の割合を二次イオン質量分析法で測定したところ、
０．１％であった。
【００３５】実施例１と同様に記録特性を測定したとこ
ろ、１回記録後のＣ／Ｎ、消去率は同等の特性を示した
が、ワンビーム・オーバーライトの繰り返しを１万回行
った後の測定では、Ｃ／Ｎで約６ｄＢの減少が見られ
た。また、この光記録媒体を８０℃相対湿度８０％の環
境に１０００時間おいた後、その後記録部分を再生した
ところ、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変化がな
かったが、再度の記録、消去を行っての測定では、Ｃ／
Ｎで約５ｄＢ、消去率でも約５ｄＢの減少が見られた。
ろ、１回記録後のＣ／Ｎ、消去率は同等の特性を示した
が、ワンビーム・オーバーライトの繰り返しを１万回行
った後の測定では、Ｃ／Ｎで約６ｄＢの減少が見られ
た。また、この光記録媒体を８０℃相対湿度８０％の環
境に１０００時間おいた後、その後記録部分を再生した
ところ、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変化がな
かったが、再度の記録、消去を行っての測定では、Ｃ／
Ｎで約５ｄＢ、消去率でも約５ｄＢの減少が見られた。
【００３６】
【発明の効果】本発明では、光記録媒体のＡｌ含有反射
層に一定範囲の量の酸素原子を含ませることでＡｌ含有
反射層の劣化が防がれ、長期保存耐久性および繰り返し
記録耐久性に優れた光記録媒体を得ることができた。
層に一定範囲の量の酸素原子を含ませることでＡｌ含有
反射層の劣化が防がれ、長期保存耐久性および繰り返し
記録耐久性に優れた光記録媒体を得ることができた。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−225967（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−198005（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−12036（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−247335（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−62445（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 7/24
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に形成された記録層に光を照射す
ることによって情報の記録、消去、再生が可能な光記録
媒体であって、少なくともＡｌを含む層を有し、該Ａｌ
層に含まれる酸素原子が０．００１原子％以上０．０５
原子％以下であることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 該Ａｌ層全体に酸素原子が分布している
ことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 該Ａｌ層が反射層であることを特徴とす
る請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 情報の記録および消去が、非晶相と結晶
相の間の相変化により行われることを特徴とする請求項
１記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 該Ａｌ層が少なくともＨｆを含むことを
特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項６】 該Ａｌ層が少なくともＨｆとＰｄを含む
ことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項７】 少なくともＡｌを含む層を有する光記録
媒体を製造する方法であって、該Ａｌ層を酸素ガスを
０．０１％以上０．２％以下含む雰囲気中でスパッタリ
ングにより成膜することを特徴とする光記録媒体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31054996A JP3216552B2 (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31054996A JP3216552B2 (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10154353A JPH10154353A (ja) | 1998-06-09 |
| JP3216552B2 true JP3216552B2 (ja) | 2001-10-09 |
Family
ID=18006582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31054996A Expired - Fee Related JP3216552B2 (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3216552B2 (ja) |
-
1996
- 1996-11-21 JP JP31054996A patent/JP3216552B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10154353A (ja) | 1998-06-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |