JP3163943B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JP3163943B2 JP3163943B2 JP10656495A JP10656495A JP3163943B2 JP 3163943 B2 JP3163943 B2 JP 3163943B2 JP 10656495 A JP10656495 A JP 10656495A JP 10656495 A JP10656495 A JP 10656495A JP 3163943 B2 JP3163943 B2 JP 3163943B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- dielectric layer
- optical recording
- layer
- recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光の照射により、情報
の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に関す
るものである。特に、本発明は、記録情報の消去、書換
機能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可能な
光ディスクなどの書換可能相変化型光記録媒体に関する
ものである。
の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に関す
るものである。特に、本発明は、記録情報の消去、書換
機能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可能な
光ディスクなどの書換可能相変化型光記録媒体に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の書換可能相変化型光記録媒体の技
術は、以下のごときものである。これれらの光記録媒体
は、テルルなどを主成分とする記録層を有し、記録時
は、結晶状態の記録層に集束したレーザー光パルスを短
時間照射し、記録層を部分的に溶融する。溶融した部分
は熱拡散により急冷され、固化し、アモルファス状態の
記録マークが形成される。この記録マークの光線反射率
は、結晶状態より低く、光学的に記録信号として再生可
能である。
術は、以下のごときものである。これれらの光記録媒体
は、テルルなどを主成分とする記録層を有し、記録時
は、結晶状態の記録層に集束したレーザー光パルスを短
時間照射し、記録層を部分的に溶融する。溶融した部分
は熱拡散により急冷され、固化し、アモルファス状態の
記録マークが形成される。この記録マークの光線反射率
は、結晶状態より低く、光学的に記録信号として再生可
能である。
【０００３】また、消去時には、記録マーク部分にレー
ザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の
温度に加熱することによって、アモルファス状態の記録
マークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。
ザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の
温度に加熱することによって、アモルファス状態の記録
マークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。
【０００４】これらの書換型相変化光記録媒体の記録層
の材料としては、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 などの合金（N.Ya
mada et al, Proc. Int. Symp. on Optical Memory 198
7 p61-66）が知られている。
の材料としては、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 などの合金（N.Ya
mada et al, Proc. Int. Symp. on Optical Memory 198
7 p61-66）が知られている。
【０００５】これらＴｅ合金を記録層とした光記録媒体
では、結晶化速度が速く、照射パワーを変調するだけ
で、円形の１ビームによる高速のオーバーライトが可能
である。これらの記録層を使用した光記録媒体では、通
常、記録層の両面に耐熱性と透光性を有する誘電体層を
設け、記録時に記録層に変形、開口が発生することを防
いでいる。さらに、光ビーム入射方向と反対側の誘電体
層に、光反射性のＡｌなどの金属反射層を設け、光学的
な干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善す
ると共に、冷却効果により、非晶状態の記録マークの形
成を容易にし、かつ消去特性、繰り返し特性を改善する
技術が知られている。特に、記録層及び記録層と反射層
の間の誘電体層を各々２０ｎｍ程度に薄く構成した「急
冷構造」では、誘電体層を２００ｎｍ程度に厚くした
「徐冷構造」に比べ、書換の繰返しによる記録特性の劣
化が少なく、また消去パワーのパワー・マージンが広い
点で優れている（T.Ohota et al., SPIE Proc. Vol. 13
16 (1990) pp367 - 373 ）。
では、結晶化速度が速く、照射パワーを変調するだけ
で、円形の１ビームによる高速のオーバーライトが可能
である。これらの記録層を使用した光記録媒体では、通
常、記録層の両面に耐熱性と透光性を有する誘電体層を
設け、記録時に記録層に変形、開口が発生することを防
いでいる。さらに、光ビーム入射方向と反対側の誘電体
層に、光反射性のＡｌなどの金属反射層を設け、光学的
な干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善す
ると共に、冷却効果により、非晶状態の記録マークの形
成を容易にし、かつ消去特性、繰り返し特性を改善する
技術が知られている。特に、記録層及び記録層と反射層
の間の誘電体層を各々２０ｎｍ程度に薄く構成した「急
冷構造」では、誘電体層を２００ｎｍ程度に厚くした
「徐冷構造」に比べ、書換の繰返しによる記録特性の劣
化が少なく、また消去パワーのパワー・マージンが広い
点で優れている（T.Ohota et al., SPIE Proc. Vol. 13
16 (1990) pp367 - 373 ）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述の従来の急冷構造
の書換可能相変化型光記録媒体における課題は、以下の
ようなものである。
の書換可能相変化型光記録媒体における課題は、以下の
ようなものである。
【０００７】従来のディスク構造では、記録マ−クの形
成に大きなレーザーパワーを必要とする。このため、記
録再生用のドライブに大きなパワーを発振できるレーザ
ーを搭載する必要があり、コスト高となる。
成に大きなレーザーパワーを必要とする。このため、記
録再生用のドライブに大きなパワーを発振できるレーザ
ーを搭載する必要があり、コスト高となる。
【０００８】本発明の目的は、前述の従来の光記録媒体
の課題を解決し、高感度な光記録媒体を提供することに
ある。
の課題を解決し、高感度な光記録媒体を提供することに
ある。
【０００９】また、本発明の別の目的は、保存安定性に
すぐれ、長寿命の光記録媒体を提供することにある。
すぐれ、長寿命の光記録媒体を提供することにある。
【００１０】本発明のさらに別の目的は、オーバーライ
トの繰返し耐久性に優れた光記録媒体を提供することに
ある。
トの繰返し耐久性に優れた光記録媒体を提供することに
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に形成
された記録層に光を照射することによって、情報の記
録、消去、再生が可能であり、情報の記録および消去
が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録
媒体において、前記光記録媒体が透明基板上に、少なく
とも第１誘電体層、記録層、第２誘電体層および反射層
をこの順に積層した構造を有し、該第２誘電体層の屈折
率の実部をｎ２とするとき、ｎ２が２≦ｎ２≦２．５で
あり、虚部をｋとするとき、ｋが０．０１≦ｋ≦０．３
であることを特徴とする光記録媒体である。また、基板
上に形成された記録層に光を照射することによって、情
報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消
去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記
録媒体において、前記光記録媒体が透明基板上に、少な
くとも第１誘電体層、記録層、第２誘電体層および反射
層をこの順に積層した構造を有し、該第２誘電体層が少
なくともＺｎＳとＳｉＯ2 とＣを構成材料として含む混
合膜であり、かつＺｎＳとＳｉＯ2 のモル比がＺｎＳ／
ＳｉＯ2 ＝８５／１５〜６５／３５、（ＺｎＳ＋ＳｉＯ
2 ）とＣのモル比が（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）／Ｃ＝９５／
５〜８０／２０であり、さらに第２誘電体層の屈折率の
虚部をｋとするとき、ｋが０．０１≦ｋ≦０．３である
ことを特徴とする光記録媒体である。
された記録層に光を照射することによって、情報の記
録、消去、再生が可能であり、情報の記録および消去
が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録
媒体において、前記光記録媒体が透明基板上に、少なく
とも第１誘電体層、記録層、第２誘電体層および反射層
をこの順に積層した構造を有し、該第２誘電体層の屈折
率の実部をｎ２とするとき、ｎ２が２≦ｎ２≦２．５で
あり、虚部をｋとするとき、ｋが０．０１≦ｋ≦０．３
であることを特徴とする光記録媒体である。また、基板
上に形成された記録層に光を照射することによって、情
報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消
去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記
録媒体において、前記光記録媒体が透明基板上に、少な
くとも第１誘電体層、記録層、第２誘電体層および反射
層をこの順に積層した構造を有し、該第２誘電体層が少
なくともＺｎＳとＳｉＯ2 とＣを構成材料として含む混
合膜であり、かつＺｎＳとＳｉＯ2 のモル比がＺｎＳ／
ＳｉＯ2 ＝８５／１５〜６５／３５、（ＺｎＳ＋ＳｉＯ
2 ）とＣのモル比が（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）／Ｃ＝９５／
５〜８０／２０であり、さらに第２誘電体層の屈折率の
虚部をｋとするとき、ｋが０．０１≦ｋ≦０．３である
ことを特徴とする光記録媒体である。
【００１２】本発明の第１及び第２誘電体層には、記録
時に基板、記録層などが熱によって変形し記録特性が劣
化することを防止するなど、基板、記録層を熱から保護
する効果、光学的な干渉効果により、再生時の信号コン
トラストを改善する効果がある。
時に基板、記録層などが熱によって変形し記録特性が劣
化することを防止するなど、基板、記録層を熱から保護
する効果、光学的な干渉効果により、再生時の信号コン
トラストを改善する効果がある。
【００１３】第１誘電体層の厚さｄ1 は、基板や記録層
から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いことか
ら、通常５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。記録再生
信号の高コントラスト化による高キャリア対ノイズ比
（Ｃ／Ｎ）化を図るためには、さらに好ましくは、ｄ1
は該誘電体層の屈折率の実部ｎ１および記録、再生に用
いる光の波長λに対して０．２５λ／ｎ１≦ｄ１≦０．
７０λ／ｎ１である。
から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いことか
ら、通常５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。記録再生
信号の高コントラスト化による高キャリア対ノイズ比
（Ｃ／Ｎ）化を図るためには、さらに好ましくは、ｄ1
は該誘電体層の屈折率の実部ｎ１および記録、再生に用
いる光の波長λに対して０．２５λ／ｎ１≦ｄ１≦０．
７０λ／ｎ１である。
【００１４】本発明において、第２誘電体層は、少なく
ともＺｎＳとＳｉＯ2 とＣを構成材料として含む混合膜
であり、かつＺｎＳとＳｉＯ2 のモル比がＺｎＳ／Ｓｉ
Ｏ2＝８５／１５〜６５／３５、（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）
とＣのモル比が（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）／Ｃ＝９５／５〜
８０／２０であり、さらに第２誘電体層の屈折率の虚部
をｋとするとき、ｋが０．０１≦ｋ≦０．３であるこ
と、または、屈折率の実部をｎ２とするとき、ｎ２が２
≦ｎ２≦２．５であり、虚部をｋとするとき、ｋが０．
０１≦ｋ≦０．３であることが、低パワーでの記録、消
去を可能にするために重要である。低パワー記録と、記
録再生信号の高コントラスト化による高Ｃ／Ｎの両立か
ら、ｋが０．０１≦ｋ≦０．３である。
ともＺｎＳとＳｉＯ2 とＣを構成材料として含む混合膜
であり、かつＺｎＳとＳｉＯ2 のモル比がＺｎＳ／Ｓｉ
Ｏ2＝８５／１５〜６５／３５、（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）
とＣのモル比が（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）／Ｃ＝９５／５〜
８０／２０であり、さらに第２誘電体層の屈折率の虚部
をｋとするとき、ｋが０．０１≦ｋ≦０．３であるこ
と、または、屈折率の実部をｎ２とするとき、ｎ２が２
≦ｎ２≦２．５であり、虚部をｋとするとき、ｋが０．
０１≦ｋ≦０．３であることが、低パワーでの記録、消
去を可能にするために重要である。低パワー記録と、記
録再生信号の高コントラスト化による高Ｃ／Ｎの両立か
ら、ｋが０．０１≦ｋ≦０．３である。
【００１５】前述の従来の急冷構造の書換可能相変化型
光記録媒体では、例えば、２０ｎｍの厚さの第二誘電体
層を有しており、良好な記録を行なうためには、１６ｍ
Ｗ以上のレーザーパワーを必要とする。これに対し、本
発明では、第二誘電体層を透明でなくすることにより、
この層に光吸収性を付与し、記録層の冷却を防ぐことに
より、感度を向上させ、同様の構成で、１５ｍＷ以下の
より小さなレーザーパワーで良好な記録が可能である。
通常用いられている光記録媒体の第二誘電体層の屈折率
はｋ＝０のものであり、ｋを０．０１以上とすることは
透明性を阻害するため、記録特性に障害となると従来考
えられていた。本発明は、従来の常識を破って、第二誘
電体層の屈折率の虚部ｋを０．０１≦ｋ≦０．３とする
ことによって、かえって、感度をあげることができ、小
パワーで良好に記録できることを見出だしたのである。
光記録媒体では、例えば、２０ｎｍの厚さの第二誘電体
層を有しており、良好な記録を行なうためには、１６ｍ
Ｗ以上のレーザーパワーを必要とする。これに対し、本
発明では、第二誘電体層を透明でなくすることにより、
この層に光吸収性を付与し、記録層の冷却を防ぐことに
より、感度を向上させ、同様の構成で、１５ｍＷ以下の
より小さなレーザーパワーで良好な記録が可能である。
通常用いられている光記録媒体の第二誘電体層の屈折率
はｋ＝０のものであり、ｋを０．０１以上とすることは
透明性を阻害するため、記録特性に障害となると従来考
えられていた。本発明は、従来の常識を破って、第二誘
電体層の屈折率の虚部ｋを０．０１≦ｋ≦０．３とする
ことによって、かえって、感度をあげることができ、小
パワーで良好に記録できることを見出だしたのである。
【００１６】また、さらには、第二誘電体層の厚さを３
０ｎｍ以上とすることにより、より低いパワ−での記録
が可能となる。
０ｎｍ以上とすることにより、より低いパワ−での記録
が可能となる。
【００１７】第一誘電体層としては、ＺｎＳ、ＳｉＯ2
、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜が
ある。特にＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｔａ，などの金属の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａｌなど
の窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物の薄膜
及びこれらの化合物の混合物の膜が、耐熱性が高いこと
から好ましい。また、これらに炭素や、ＭｇＦ2 などの
フッ化物を混合したものも、膜の残留応力が小さいこと
から好ましい。特にＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜あるい
は、ＺｎＳとＳｉＯ2 と炭素の混合膜は、記録、消去の
繰り返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの
劣化が起きにくいことから好ましく特にＺｎＳとＳｉＯ
2 と炭素の混合膜が好ましい。
、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜が
ある。特にＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｔａ，などの金属の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａｌなど
の窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物の薄膜
及びこれらの化合物の混合物の膜が、耐熱性が高いこと
から好ましい。また、これらに炭素や、ＭｇＦ2 などの
フッ化物を混合したものも、膜の残留応力が小さいこと
から好ましい。特にＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜あるい
は、ＺｎＳとＳｉＯ2 と炭素の混合膜は、記録、消去の
繰り返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの
劣化が起きにくいことから好ましく特にＺｎＳとＳｉＯ
2 と炭素の混合膜が好ましい。
【００１８】本発明における第２誘電体層は、例えば、
ｋが０．０１未満であるＺｎＳ、ＳｉＯ2 、窒化シリコ
ン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜、特にＺｎＳの薄
膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａなどの金属の
酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａｌなどの窒化物の薄膜、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物の薄膜及びこれらの化合物の混
合物の膜と、ｋが０．１以上である化合物との混合が好
ましい。ｋが０．１以上である化合物としては、炭素や
Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｈｆ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｎｂ、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇａ、Ｃｄ、Ｒｈ、Ｙ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどの単体物質やｋが０．
５以上の酸化物や硫化物などの化合物が挙げられる。こ
れらの中でも誘電体層が少なくともＺｎＳとＳｉＯ2 と
炭素を構成材料として含む混合膜でありことが好まし
く、さらに、第２誘電体層中のＺｎＳとＳｉＯ2 のモル
比がＺｎＳ／ＳｉＯ2 ＝８５／１５〜６５／３５であ
り、（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）とＣのモル比が（ＺｎＳ＋Ｓ
ｉＯ2 ）／Ｃ＝９５／５〜８０／２０であることが好ま
しい。
ｋが０．０１未満であるＺｎＳ、ＳｉＯ2 、窒化シリコ
ン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜、特にＺｎＳの薄
膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａなどの金属の
酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａｌなどの窒化物の薄膜、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物の薄膜及びこれらの化合物の混
合物の膜と、ｋが０．１以上である化合物との混合が好
ましい。ｋが０．１以上である化合物としては、炭素や
Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｈｆ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｎｂ、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇａ、Ｃｄ、Ｒｈ、Ｙ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどの単体物質やｋが０．
５以上の酸化物や硫化物などの化合物が挙げられる。こ
れらの中でも誘電体層が少なくともＺｎＳとＳｉＯ2 と
炭素を構成材料として含む混合膜でありことが好まし
く、さらに、第２誘電体層中のＺｎＳとＳｉＯ2 のモル
比がＺｎＳ／ＳｉＯ2 ＝８５／１５〜６５／３５であ
り、（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）とＣのモル比が（ＺｎＳ＋Ｓ
ｉＯ2 ）／Ｃ＝９５／５〜８０／２０であることが好ま
しい。
【００１９】特に、記録感度が高く、高速でワンビーム
・オーバーライトが可能であり、かつ消去率が大きく消
去特性が良好であることから、次のごとく、光記録媒体
の主要部を構成することが好ましい。
・オーバーライトが可能であり、かつ消去率が大きく消
去特性が良好であることから、次のごとく、光記録媒体
の主要部を構成することが好ましい。
【００２０】反射層の材質としては、光反射性を有する
Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれらを主成分とし、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｈｆなどの添加元素を含む合金及びＡｌ、Ａ
ｕなどの金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化
物、金属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したも
のなどがあげられる。Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれ
らを主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導
率を高くできることから好ましい。前述の合金の例とし
て、ＡｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｎなどの少なくとも１種の元素を合
計で５原子％以下、１原子％以上加えたもの、あるい
は、ＡｕにＣｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの
少なくとも１種の元素を合計で２０原子％以下１原子％
以上加えたものなどがある。特に、材料の価格が安くで
きることから、Ａｌを主成分とする合金が好ましく、と
りわけ、耐腐食性が良好なことから、ＡｌにＴｉ、Ｃ
ｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｐｄから選ばれる少なく
とも１種以上の金属を合計で５原子％以下０．５原子％
以上添加した合金が好ましい。とりわけ、耐腐食性が良
好でかつヒロックなどの発生が起こりにくいことから、
反射層を添加元素を合計で０．５原子％以上３原子％未
満含む、Ａｌ−Ｈｆ−Ｐｄ合金、Ａｌ−Ｈｆ合金、Ａｌ
−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｃｒ合金、
Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−
Ｍｎ合金のいずれかのＡｌを主成分とする合金で構成す
ることが好ましい。
Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれらを主成分とし、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｈｆなどの添加元素を含む合金及びＡｌ、Ａ
ｕなどの金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化
物、金属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したも
のなどがあげられる。Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれ
らを主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導
率を高くできることから好ましい。前述の合金の例とし
て、ＡｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｎなどの少なくとも１種の元素を合
計で５原子％以下、１原子％以上加えたもの、あるい
は、ＡｕにＣｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの
少なくとも１種の元素を合計で２０原子％以下１原子％
以上加えたものなどがある。特に、材料の価格が安くで
きることから、Ａｌを主成分とする合金が好ましく、と
りわけ、耐腐食性が良好なことから、ＡｌにＴｉ、Ｃ
ｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｐｄから選ばれる少なく
とも１種以上の金属を合計で５原子％以下０．５原子％
以上添加した合金が好ましい。とりわけ、耐腐食性が良
好でかつヒロックなどの発生が起こりにくいことから、
反射層を添加元素を合計で０．５原子％以上３原子％未
満含む、Ａｌ−Ｈｆ−Ｐｄ合金、Ａｌ−Ｈｆ合金、Ａｌ
−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｃｒ合金、
Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−
Ｍｎ合金のいずれかのＡｌを主成分とする合金で構成す
ることが好ましい。
【００２１】記録層としては、構成元素として少なくと
もＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの３元素を含む合金を用いることが
高速でオーバーライトが可能である点から好ましい。さ
らに、その組成は次式で表される範囲にあることが熱安
定性と繰返し安定性に優れている点から好ましい。 Ｍ z（Ｓｂx Ｔｅ1-x ）1-y-z （Ｇｅ0.5 Ｔｅ0.5 ）y ０．３５≦ｘ≦０．５ ０．２≦ｙ≦０．５ ０．０００５≦ｚ≦０．０１ ここで、Ｍはパラジウム，ニオブ、白金、銀、金、コバ
ルトから選ばれる少なくとも一種の金属、Ｓｂはアンチ
モン、Ｔｅはテルル、Ｇｅはゲルマニウムを表す。ま
た、ｘ，ｙ，ｚ、及び数字は、各元素の原子の数（各元
素のモル数）を表す。特に、パラジウム，ニオブの少な
くとも一種の前述の効果に優れることから好ましい。
もＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの３元素を含む合金を用いることが
高速でオーバーライトが可能である点から好ましい。さ
らに、その組成は次式で表される範囲にあることが熱安
定性と繰返し安定性に優れている点から好ましい。 Ｍ z（Ｓｂx Ｔｅ1-x ）1-y-z （Ｇｅ0.5 Ｔｅ0.5 ）y ０．３５≦ｘ≦０．５ ０．２≦ｙ≦０．５ ０．０００５≦ｚ≦０．０１ ここで、Ｍはパラジウム，ニオブ、白金、銀、金、コバ
ルトから選ばれる少なくとも一種の金属、Ｓｂはアンチ
モン、Ｔｅはテルル、Ｇｅはゲルマニウムを表す。ま
た、ｘ，ｙ，ｚ、及び数字は、各元素の原子の数（各元
素のモル数）を表す。特に、パラジウム，ニオブの少な
くとも一種の前述の効果に優れることから好ましい。
【００２２】また、本発明においては、記録、再生に用
いる光の波長をλ、第１誘電体層の厚さをｄ1 、屈折率
（実部）をｎ1 ，記録層の厚さをｄr 、第二誘電体層の
厚さをｄ2 、屈折率（実部）をｎ2 、反射層の厚さをｄ
f とするとき、次式 ０．２５λ／ｎ１≦ｄ1 ≦０．７０λ／ｎ１ １０≦ｄr ≦４０（単位ｎｍ） １０≦ｄ2 ≦６０（単位ｎｍ） ４０≦ｄf ≦２００ ２≦ｎ1 ≦２．５ ２≦ｎ2 ≦２．５ を満足するように、層厚さが設定されることが好まし
い。
いる光の波長をλ、第１誘電体層の厚さをｄ1 、屈折率
（実部）をｎ1 ，記録層の厚さをｄr 、第二誘電体層の
厚さをｄ2 、屈折率（実部）をｎ2 、反射層の厚さをｄ
f とするとき、次式 ０．２５λ／ｎ１≦ｄ1 ≦０．７０λ／ｎ１ １０≦ｄr ≦４０（単位ｎｍ） １０≦ｄ2 ≦６０（単位ｎｍ） ４０≦ｄf ≦２００ ２≦ｎ1 ≦２．５ ２≦ｎ2 ≦２．５ を満足するように、層厚さが設定されることが好まし
い。
【００２３】本発明の基板の材料としては、透明な各種
の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこり、基
板の傷などの影響をさけるために、透明基板を用い、集
束した光ビームで基板側から記録を行なうことが好まし
く、この様な透明基板材料としては、ガラス、ポリカー
ボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィ
ン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられ
る。特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さく、成
形が容易であることからポリカーボネート樹脂、アモル
ファス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。
の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこり、基
板の傷などの影響をさけるために、透明基板を用い、集
束した光ビームで基板側から記録を行なうことが好まし
く、この様な透明基板材料としては、ガラス、ポリカー
ボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィ
ン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられ
る。特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さく、成
形が容易であることからポリカーボネート樹脂、アモル
ファス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。
【００２４】基板の厚さは特に限定するものではない
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０１ｍ
ｍ未満では、基板側から集束した光ビ−ムで記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では、
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照
射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になる。基板はフレキシブルなもの
であっても良いし、リジッドなものであっても良い。フ
レキシブルな基板は、テープ状、シート状、カ−ド状で
使用する。リジッドな基板は、カード状、あるいはディ
スク状で使用する。また、これらの基板は、記録層など
を形成した後、２枚の基板を用いて、エアーサンドイッ
チ構造、エアーインシデント構造、密着張合せ構造とし
てもよい。
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０１ｍ
ｍ未満では、基板側から集束した光ビ−ムで記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では、
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照
射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になる。基板はフレキシブルなもの
であっても良いし、リジッドなものであっても良い。フ
レキシブルな基板は、テープ状、シート状、カ−ド状で
使用する。リジッドな基板は、カード状、あるいはディ
スク状で使用する。また、これらの基板は、記録層など
を形成した後、２枚の基板を用いて、エアーサンドイッ
チ構造、エアーインシデント構造、密着張合せ構造とし
てもよい。
【００２５】本発明の光記録媒体の記録に用いる光源と
しては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源
であり、特に半導体レーザー光は、光源が小型化できる
こと、消費電力が小さいこと、変調が容易であることか
ら好ましい。
しては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源
であり、特に半導体レーザー光は、光源が小型化できる
こと、消費電力が小さいこと、変調が容易であることか
ら好ましい。
【００２６】記録は結晶状態の記録層にレーザー光パル
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。また、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の記録
マークを形成してもよい。消去はレーザー光照射によっ
て、アモルファスの記録マークを結晶化するか、もしく
は、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行うこ
とができる。記録速度を高速化でき、かつ記録層の変形
が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記録マ
ークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好ましい。
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。また、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の記録
マークを形成してもよい。消去はレーザー光照射によっ
て、アモルファスの記録マークを結晶化するか、もしく
は、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行うこ
とができる。記録速度を高速化でき、かつ記録層の変形
が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記録マ
ークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好ましい。
【００２７】また、記録マーク形成時は光強度を高く、
消去時はやや弱くし、１回の光ビームの照射により書換
を行う１ビーム・オーバーライトは、書換の所要時間が
短くなることから好ましい。
消去時はやや弱くし、１回の光ビームの照射により書換
を行う１ビーム・オーバーライトは、書換の所要時間が
短くなることから好ましい。
【００２８】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて述べる。
いて述べる。
【００２９】反射層、記録層などを基板上に形成する方
法としては、公知の真空中での薄膜形成法、例えば真空
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法な
どがあげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容易
であることから、スパッタリング法が好ましい。
法としては、公知の真空中での薄膜形成法、例えば真空
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法な
どがあげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容易
であることから、スパッタリング法が好ましい。
【００３０】形成する記録層などの厚さの制御は、水晶
振動子膜厚計などで、堆積状態をモニタリングすること
で、容易に行える。
振動子膜厚計などで、堆積状態をモニタリングすること
で、容易に行える。
【００３１】記録層などの形成は、基板を固定したま
ま、あるいは移動、回転した状態のどちらでもよい。膜
厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転させる
ことが好ましく、さらに公転を組合わせることが、より
好ましい。
ま、あるいは移動、回転した状態のどちらでもよい。膜
厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転させる
ことが好ましく、さらに公転を組合わせることが、より
好ましい。
【００３２】また、本発明の効果を著しく損なわない範
囲において、反射層などを形成した後、傷、変形の防止
などのため、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 などの誘電体層あるいは
紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層などを必要に応じて設
けてもよい。また、反射層などを形成した後、あるいは
さらに前述の樹脂保護層を形成した後、２枚の基板を対
向して、接着材で張り合わせてもよい。
囲において、反射層などを形成した後、傷、変形の防止
などのため、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 などの誘電体層あるいは
紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層などを必要に応じて設
けてもよい。また、反射層などを形成した後、あるいは
さらに前述の樹脂保護層を形成した後、２枚の基板を対
向して、接着材で張り合わせてもよい。
【００３３】記録層は、実際に記録を行う前に、予めレ
ーザー光、キセノンフラッシュランプなどの光を照射し
予め結晶化させておくことが好ましい。
ーザー光、キセノンフラッシュランプなどの光を照射し
予め結晶化させておくことが好ましい。
【００３４】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。 （分析，測定方法） 反射層、記録層の組成は、ＩＣＰ発光分析（セイコー電
子工業（株）製）により確認した。またキャリア対ノイ
ズ比および消去率（記録後と消去後の再生キャリア信号
強度の差）は、スペクトラムアナライザにより測定し
た。
子工業（株）製）により確認した。またキャリア対ノイ
ズ比および消去率（記録後と消去後の再生キャリア信号
強度の差）は、スペクトラムアナライザにより測定し
た。
【００３５】記録層、誘電体層、反射層の形成中の膜厚
は、水晶振動子膜厚計によりモニターした。また各層の
厚さは、走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察
することにより測定した。
は、水晶振動子膜厚計によりモニターした。また各層の
厚さは、走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察
することにより測定した。
【００３６】実施例１ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３ｃｍ、１．２μｍピッチのス
パイラルグルーブ付きポリカーボネート製基板を毎分３
０回転で回転させながら、高周波マグネトロンスパッタ
法により、記録層、誘電体層、反射層を形成した。１ス
雰囲気中で、ＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳを
スパッタし、基板上に膜厚１６０ｎｍの屈折率２．２の
第１誘電体層を形成した。さらに、Ｐｄ、Ｎｂ、Ｇｅ、
Ｓｂ、Ｔｅからなる合金のターゲットをスパッタして、
Ｎｂ0.004 Ｐｄ0.001 Ｇｅ0.175 Ｓｂ0.26Ｔｅ0.56の膜
厚１９ｎｍの記録層を形成した。さらに次に、ＳｉＯ2
を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳとＣ（Ｃのｋ値は０．
９）の同時スパッタで、ＺｎＳとＣのモル混合比が、
８：１となるように（ＺｎＳ／ＳｉＯ2 モル比＝８／
２、（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）／Ｃモル比＝８／１）膜厚３
８ｎｍの第２誘電体層を形成し、次にＰｄ0.001 Ｈｆ0.
02Ａｌ0.979 合金の膜厚８０ｎｍの反射層を形成した。
パイラルグルーブ付きポリカーボネート製基板を毎分３
０回転で回転させながら、高周波マグネトロンスパッタ
法により、記録層、誘電体層、反射層を形成した。１ス
雰囲気中で、ＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳを
スパッタし、基板上に膜厚１６０ｎｍの屈折率２．２の
第１誘電体層を形成した。さらに、Ｐｄ、Ｎｂ、Ｇｅ、
Ｓｂ、Ｔｅからなる合金のターゲットをスパッタして、
Ｎｂ0.004 Ｐｄ0.001 Ｇｅ0.175 Ｓｂ0.26Ｔｅ0.56の膜
厚１９ｎｍの記録層を形成した。さらに次に、ＳｉＯ2
を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳとＣ（Ｃのｋ値は０．
９）の同時スパッタで、ＺｎＳとＣのモル混合比が、
８：１となるように（ＺｎＳ／ＳｉＯ2 モル比＝８／
２、（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）／Ｃモル比＝８／１）膜厚３
８ｎｍの第２誘電体層を形成し、次にＰｄ0.001 Ｈｆ0.
02Ａｌ0.979 合金の膜厚８０ｎｍの反射層を形成した。
【００３７】このディスクを真空容器より取り出した
後、この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂（大日本
インキ（株）製SD-101）をスピンコートし、紫外線照射
により硬化させて膜厚１０μｍの樹脂層を形成し本発明
の光記録媒体を得た。
後、この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂（大日本
インキ（株）製SD-101）をスピンコートし、紫外線照射
により硬化させて膜厚１０μｍの樹脂層を形成し本発明
の光記録媒体を得た。
【００３８】この光記録媒体に波長８２０ｎｍの半導体
レーザーのビームを照射して、ディスク全面の記録層を
結晶化し、初期化した。
レーザーのビームを照射して、ディスク全面の記録層を
結晶化し、初期化した。
【００３９】その後、線速度１２ｍ／秒の条件で、対物
レンズの開口数０．５、半導体レーザーの波長７８０ｎ
ｍの光学ヘッドを使用して、周波数８．６５ＭＨｚ（デ
ュティ３７％）、ピークパワー８〜１７ｍＷ、ボトムパ
ワー４〜９ｍＷの各条件に変調した半導体レーザー光で
１００回オーバーライト記録した後、再生パワー１．０
ｍＷの半導体レーザ光を照射してバンド幅３０ｋＨｚの
条件でＣ／Ｎを測定した。さらにこの部分を３．２４Ｍ
Ｈｚ（デュティ１９％）で、先と同様に変調した半導体
レーザ光を照射し、ワンビーム・オーバーライトし、こ
の時の８．６５ＭＨｚの前記録信号の消去率と記録マー
クの再生信号の終端部のエッジのジッタを測定した。ピ
ークパワー１０ｍＷで実用上十分な５０ｄＢのＣ／Ｎが
得られ、かつボトムパワー４〜７ｍＷで実用上十分な２
０ｄＢの消去率が得られた。
レンズの開口数０．５、半導体レーザーの波長７８０ｎ
ｍの光学ヘッドを使用して、周波数８．６５ＭＨｚ（デ
ュティ３７％）、ピークパワー８〜１７ｍＷ、ボトムパ
ワー４〜９ｍＷの各条件に変調した半導体レーザー光で
１００回オーバーライト記録した後、再生パワー１．０
ｍＷの半導体レーザ光を照射してバンド幅３０ｋＨｚの
条件でＣ／Ｎを測定した。さらにこの部分を３．２４Ｍ
Ｈｚ（デュティ１９％）で、先と同様に変調した半導体
レーザ光を照射し、ワンビーム・オーバーライトし、こ
の時の８．６５ＭＨｚの前記録信号の消去率と記録マー
クの再生信号の終端部のエッジのジッタを測定した。ピ
ークパワー１０ｍＷで実用上十分な５０ｄＢのＣ／Ｎが
得られ、かつボトムパワー４〜７ｍＷで実用上十分な２
０ｄＢの消去率が得られた。
【００４０】さらにピーク・パワー１２ｍＷ、ボトムパ
ワー６ｍＷ、周波数８．６５ＭＨｚの条件で、ワンビー
ム・オーバーライトの繰り返しを１万回行った後、同様
の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化は、いずれも
２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められず、ジッタの増加
もほとんどみられなかった。また、この光記録媒体を８
０℃、相対湿度８０％の環境に１０００時間置いた後、
その後記録部分を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未
満でほとんど変化がなかった。さらに再度、記録、消去
を行いＣ／Ｎ、消去率を測定したところ、同様にほとん
ど変化が見られなかった。
ワー６ｍＷ、周波数８．６５ＭＨｚの条件で、ワンビー
ム・オーバーライトの繰り返しを１万回行った後、同様
の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化は、いずれも
２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められず、ジッタの増加
もほとんどみられなかった。また、この光記録媒体を８
０℃、相対湿度８０％の環境に１０００時間置いた後、
その後記録部分を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未
満でほとんど変化がなかった。さらに再度、記録、消去
を行いＣ／Ｎ、消去率を測定したところ、同様にほとん
ど変化が見られなかった。
【００４１】この光記録媒体の一部を記録層と第２誘電
体層の界面で剥離し、分光エリプソメトリーで、第２誘
電体層のｋの値を測定したところ、０．０５であった。
体層の界面で剥離し、分光エリプソメトリーで、第２誘
電体層のｋの値を測定したところ、０．０５であった。
【００４２】また、さらにこの光記録媒体の断面の一部
を透過型電子顕微鏡により観察したころ、第１誘電体
層、記録層、第２誘電体層、反射層の厚みは上記の設定
通りになっていた。 実施例２ 実施例１の第２誘電体層をＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％添加
したＺｎＳとＣの同時スパッタで、ＺｎＳとＳｉＯ2 と
Ｃのモル混合比が、８：２：１．２となるように作製し
たほかは、実施例１と同様にディスクを作製した。実施
例１と同様に記録特性を測定した結果、ピークパワー１
０ｍＷ以上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得ら
れ、かつボトムパワー４〜７ｍＷで実用上十分な２０ｄ
Ｂ以上の消去率が得られた。
を透過型電子顕微鏡により観察したころ、第１誘電体
層、記録層、第２誘電体層、反射層の厚みは上記の設定
通りになっていた。 実施例２ 実施例１の第２誘電体層をＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％添加
したＺｎＳとＣの同時スパッタで、ＺｎＳとＳｉＯ2 と
Ｃのモル混合比が、８：２：１．２となるように作製し
たほかは、実施例１と同様にディスクを作製した。実施
例１と同様に記録特性を測定した結果、ピークパワー１
０ｍＷ以上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得ら
れ、かつボトムパワー４〜７ｍＷで実用上十分な２０ｄ
Ｂ以上の消去率が得られた。
【００４３】さらにピーク・パワー１２ｍＷ、ボトムパ
ワー６ｍＷ、周波数８．６５ＭＨｚの条件で、ワンビー
ム・オーバーライトの繰り返しを１万回行った後、同様
の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化は、いずれも
２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められず、ジッタの増加
もほとんどみられなかった。
ワー６ｍＷ、周波数８．６５ＭＨｚの条件で、ワンビー
ム・オーバーライトの繰り返しを１万回行った後、同様
の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化は、いずれも
２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められず、ジッタの増加
もほとんどみられなかった。
【００４４】また、この光記録媒体を８０℃、相対湿度
８０％の環境に１０００時間置いた後、その後記録部分
を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変
化がなかった。さらに再度、記録、消去を行いＣ／Ｎ、
消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見られ
なかった。殆ど同じ良好な記録、消去特性が得られた。
８０％の環境に１０００時間置いた後、その後記録部分
を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変
化がなかった。さらに再度、記録、消去を行いＣ／Ｎ、
消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見られ
なかった。殆ど同じ良好な記録、消去特性が得られた。
【００４５】実施例１と同様にして、ｋの値を測定した
ところ、０．０６であった。 実施例３ 実施例１の第２誘電体層をＳｉＯ2 を２０モル％添加し
たＺｎＳとＣの同時スパッタで、ＺｎＳとＳｉＯ2 とＣ
のモル混合比が８：２：２．５となるように作製したほ
かは、実施例１と同様にディスクを作製した。実施例１
と同様に記録特性を測定した結果、ピークパワー９．２
ｍＷで実用上十分な５０ｄＢのＣ／Ｎが得られ、かつボ
トムパワー４〜７ｍＷで実用上十分な２０ｄＢの消去率
が得られた。さらにピークパワー１１ｍＷ、ボトムパワ
ー５．６ｍＷ、周波数８．６５ＭＨｚの条件で、ワンビ
ーム・オーバーライトの繰返しを１万回行なった後、同
様の測定を行なったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化は、いず
れも２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められず、ジッタの
増加もほとんどみられなかった。
ところ、０．０６であった。 実施例３ 実施例１の第２誘電体層をＳｉＯ2 を２０モル％添加し
たＺｎＳとＣの同時スパッタで、ＺｎＳとＳｉＯ2 とＣ
のモル混合比が８：２：２．５となるように作製したほ
かは、実施例１と同様にディスクを作製した。実施例１
と同様に記録特性を測定した結果、ピークパワー９．２
ｍＷで実用上十分な５０ｄＢのＣ／Ｎが得られ、かつボ
トムパワー４〜７ｍＷで実用上十分な２０ｄＢの消去率
が得られた。さらにピークパワー１１ｍＷ、ボトムパワ
ー５．６ｍＷ、周波数８．６５ＭＨｚの条件で、ワンビ
ーム・オーバーライトの繰返しを１万回行なった後、同
様の測定を行なったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化は、いず
れも２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められず、ジッタの
増加もほとんどみられなかった。
【００４６】また、この光記録媒体を８０℃、相対湿度
８０％の環境に１０００時間おいた後、その後記録部分
を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変
化がなかった。さらに再度、記録、消去を行ないＣ／
Ｎ、消去率を測定したところ、同様にほとんど変化がみ
られなかった。ほとんど同じ良好な記録、特性が得られ
た。
８０％の環境に１０００時間おいた後、その後記録部分
を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変
化がなかった。さらに再度、記録、消去を行ないＣ／
Ｎ、消去率を測定したところ、同様にほとんど変化がみ
られなかった。ほとんど同じ良好な記録、特性が得られ
た。
【００４７】実施例１と同様にして、ｋの値を測定した
ところ、ｋの値は０．２５であった。 実施例４ 実施例１の第２誘電体層の厚みを２０ｎｍとしたほか
は、実施例１と同様にディスクを作製した。実施例１と
同様に記録特性を測定した結果、ピークパワー１４ｍＷ
以上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、か
つボトムパワー６〜９ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上
の消去率が得られた。
ところ、ｋの値は０．２５であった。 実施例４ 実施例１の第２誘電体層の厚みを２０ｎｍとしたほか
は、実施例１と同様にディスクを作製した。実施例１と
同様に記録特性を測定した結果、ピークパワー１４ｍＷ
以上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、か
つボトムパワー６〜９ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上
の消去率が得られた。
【００４８】さらにピーク・パワー１６ｍＷ、ボトムパ
ワー８ｍＷ、周波数８．６５ＭＨｚの条件で、ワンビー
ム・オーバーライトの繰り返しを１万回行った後、同様
の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化は、いずれも
２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められず、ジッタの増加
もほとんどみられなかった。
ワー８ｍＷ、周波数８．６５ＭＨｚの条件で、ワンビー
ム・オーバーライトの繰り返しを１万回行った後、同様
の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化は、いずれも
２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められず、ジッタの増加
もほとんどみられなかった。
【００４９】また、この光記録媒体を８０℃、相対湿度
８０％の環境に１０００時間置いた後、その後記録部分
を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変
化がなかった。さらに再度、記録、消去を行いＣ／Ｎ、
消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見られ
なかった。殆ど同じ良好な記録、消去特性が得られた。 実施例５ 実施例１の第２誘電体層をＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％添加
したＺｎＳとＣの同時スパッタで、行なう代わりにＺｎ
ＳとＳｉＯ2 とＣのモル混合比が、７２：１８：１０の
一体ターゲットを用いて行なった以外は、実施例１と同
様にディスクを作製した。実施例１と同様に記録特性を
測定した結果、ピークパワー１０ｍＷ以上で実用上十分
な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワー４
〜７ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上の消去率が得られ
た。
８０％の環境に１０００時間置いた後、その後記録部分
を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変
化がなかった。さらに再度、記録、消去を行いＣ／Ｎ、
消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見られ
なかった。殆ど同じ良好な記録、消去特性が得られた。 実施例５ 実施例１の第２誘電体層をＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％添加
したＺｎＳとＣの同時スパッタで、行なう代わりにＺｎ
ＳとＳｉＯ2 とＣのモル混合比が、７２：１８：１０の
一体ターゲットを用いて行なった以外は、実施例１と同
様にディスクを作製した。実施例１と同様に記録特性を
測定した結果、ピークパワー１０ｍＷ以上で実用上十分
な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワー４
〜７ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上の消去率が得られ
た。
【００５０】さらにピーク・パワー１２ｍＷ、ボトムパ
ワー６ｍＷ、周波数８．６５ＭＨｚの条件で、ワンビー
ム・オーバーライトの繰り返しを１万回行った後、同様
の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化は、いずれも
２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められず、ジッタの増加
もほとんどみられなかった。
ワー６ｍＷ、周波数８．６５ＭＨｚの条件で、ワンビー
ム・オーバーライトの繰り返しを１万回行った後、同様
の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化は、いずれも
２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められず、ジッタの増加
もほとんどみられなかった。
【００５１】また、この光記録媒体を８０℃、相対湿度
８０％の環境に１０００時間置いた後、その後記録部分
を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変
化がなかった。さらに再度、記録、消去を行いＣ／Ｎ、
消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見られ
なかった。殆ど同じ良好な記録、消去特性が得られた。
８０％の環境に１０００時間置いた後、その後記録部分
を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変
化がなかった。さらに再度、記録、消去を行いＣ／Ｎ、
消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見られ
なかった。殆ど同じ良好な記録、消去特性が得られた。
【００５２】実施例１と同様にして、ｋの値を測定した
ところ、ｋの値は０．０６であった。 比較例１ 実施例１の光記録媒体の第２誘電体層をＳｉＯ2 を２０
ｍｏｌ％添加したＺｎＳをスパッタして作製し、厚さを
２０ｎｍにし、反射層の厚みを１５０ｎｍとしたほか
は、実施例１と同様に構成し、従来の急冷構造のディス
クを作製した。
ところ、ｋの値は０．０６であった。 比較例１ 実施例１の光記録媒体の第２誘電体層をＳｉＯ2 を２０
ｍｏｌ％添加したＺｎＳをスパッタして作製し、厚さを
２０ｎｍにし、反射層の厚みを１５０ｎｍとしたほか
は、実施例１と同様に構成し、従来の急冷構造のディス
クを作製した。
【００５３】実施例１と同様に測定したところ、ピーク
パワー１５ｍＷ未満では、Ｃ／Ｎが５０ｄＢに達せず、
１６ｍＷ以上で、５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られた。消
去率が２０ｄＢで以上となるボトムパワーは、７〜１０
ｍＷで、実施例より感度が低い光記録媒体となってい
た。
パワー１５ｍＷ未満では、Ｃ／Ｎが５０ｄＢに達せず、
１６ｍＷ以上で、５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られた。消
去率が２０ｄＢで以上となるボトムパワーは、７〜１０
ｍＷで、実施例より感度が低い光記録媒体となってい
た。
【００５４】実施例１と同様にして、ｋの値を測定した
ところ、ｋの値は０であった。
ところ、ｋの値は０であった。
【００５５】
【発明の効果】本発明は、光記録媒体の記録層の組成を
特定の組成としたので、以下の効果が得られた。 (1) 低パワーで記録消去ができる。 (2) 多数回の記録消去を繰り返しても、動作が安定して
おり、特性の劣化、欠陥の発生がほとんどない。 (3) 耐湿熱性、耐酸化性に優れ、長寿命である。 (4) スパッタ法により容易に作製できる。
特定の組成としたので、以下の効果が得られた。 (1) 低パワーで記録消去ができる。 (2) 多数回の記録消去を繰り返しても、動作が安定して
おり、特性の劣化、欠陥の発生がほとんどない。 (3) 耐湿熱性、耐酸化性に優れ、長寿命である。 (4) スパッタ法により容易に作製できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−89516（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−159369（ＪＰ，Ａ) 国際公開96／17344（ＷＯ，Ａ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 7/24
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に形成された記録層に光を照射す
ることによって、情報の記録、消去、再生が可能であ
り、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変
化により行われる光記録媒体において、前記光記録媒体
が透明基板上に、少なくとも第１誘電体層、記録層、第
２誘電体層および反射層をこの順に積層した構造を有
し、該第２誘電体層の屈折率の実部をｎ２とするとき、
ｎ２が２≦ｎ２≦２．５であり、虚部をｋとするとき、
ｋが０．０１≦ｋ≦０．３であることを特徴とする光記
録媒体。 - 【請求項２】第１誘電体層の厚さｄ１が５０ｎｍ≦ｄ１
≦４００ｎｍである請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】第１誘電体層の厚さｄ１が、該誘電体層の
屈折率の実部ｎ１および記録、再生に用いる光の波長λ
に対して ０．２５λ／ｎ１≦ｄ１≦０．７０λ／ｎ１ である請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項４】第２誘電体層の厚さｄ２が３０ｎｍ≦ｄ２
≦６０ｎｍである請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項５】第１誘電体層が少なくともＺｎＳとＳｉＯ
2 を含む混合膜である請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項６】第２誘電体層が少なくともＺｎＳとＳｉＯ
2 とＣを構成材料として含む混合膜である請求項１記載
の光記録媒体。 - 【請求項７】基板上に形成された記録層に光を照射する
ことによって、情報の記録、消去、再生が可能であり、
情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変化に
より行われる光記録媒体において、前記光記録媒体が透
明基板上に、少なくとも第１誘電体層、記録層、第２誘
電体層および反射層をこの順に積層した構造を有し、該
第２誘電体層が少なくともＺｎＳとＳｉＯ2 とＣを構成
材料として含む混合膜であり、かつＺｎＳとＳｉＯ2 の
モル比がＺｎＳ／ＳｉＯ2 ＝８５／１５〜６５／３５、
（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）とＣのモル比が（ＺｎＳ＋ＳｉＯ
2 ）／Ｃ＝９５／５〜８０／２０であり、さらに第２誘
電体層の屈折率の虚部をｋとするとき、ｋが０．０１≦
ｋ≦０．３であることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項８】記録層が、構成元素として少なくともＧ
ｅ、Ｓｂ、Ｔｅの３元素を含む合金で構成される請求項
１記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10656495A JP3163943B2 (ja) | 1994-04-28 | 1995-04-28 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9197294 | 1994-04-28 | ||
| JP6-91972 | 1994-04-28 | ||
| JP10656495A JP3163943B2 (ja) | 1994-04-28 | 1995-04-28 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817072A JPH0817072A (ja) | 1996-01-19 |
| JP3163943B2 true JP3163943B2 (ja) | 2001-05-08 |
Family
ID=26433397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10656495A Expired - Fee Related JP3163943B2 (ja) | 1994-04-28 | 1995-04-28 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3163943B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980064133A (ko) * | 1996-12-16 | 1998-10-07 | 히라이가즈히꼬 | 광 기록 매체 |
| KR19980059950A (ko) * | 1996-12-31 | 1998-10-07 | 구자홍 | 상변화형 광디스크 |
| JP4248486B2 (ja) | 2004-12-15 | 2009-04-02 | 株式会社リコー | 相変化型光記録媒体 |
-
1995
- 1995-04-28 JP JP10656495A patent/JP3163943B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0817072A (ja) | 1996-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100364506B1 (ko) | 광기록매체및그제조법 | |
| JPH08190734A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3163943B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH04360039A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3211537B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3087598B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH07161071A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH07262613A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH07262607A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH1139709A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3173177B2 (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH1097734A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3216552B2 (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH06127135A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0916962A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH08115536A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH08124213A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH10172180A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH06191160A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH1064128A (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH06191161A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH1139716A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0540961A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH08190733A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH08115535A (ja) | 光記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |