JPH0582838B2 - - Google Patents
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- JPH0582838B2 JPH0582838B2 JP61238426A JP23842686A JPH0582838B2 JP H0582838 B2 JPH0582838 B2 JP H0582838B2 JP 61238426 A JP61238426 A JP 61238426A JP 23842686 A JP23842686 A JP 23842686A JP H0582838 B2 JPH0582838 B2 JP H0582838B2
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明はレーザービームのようなエネルギービ
ームの照射によつて記録膜に情報を記録するのに
用いられる新規な光記録媒体に関するものであ
り、特に、光デイスク、光カード、光テープ等の
レーザービームによる高密度情報記録媒体の新規
な記録材料に関するものである。 （発明の背景） 光デイスクのような記録媒体用記録材としては
Teのようなカルコゲナイド、シアニンのような
有機染料、TbFeのような希土類−遷移金属のア
モルフアス合金等が、追記（DFAW）用または
書替可能（Ｅ−DRAW）用の材料として既に提
案されている。これらの多くは感度的には一応実
用レベルに達しているが、耐久性あるいは信頼性
の面でさらに改良の余地がある。 この耐久性の面で最近注目を集めている記録材
料が酸化物系の材料であり、既にいくつかの酸化
物記録材料が提案されているが、より優れた特性
すなわち、耐久性のみならず記録・再生特性およ
び生産性等の総合的特性の優れた記録材の開発が
要求されている。 （従来技術） 酸化物系の光記録材料に関する研究は比較的新
しいが、既にいくつかのアイデアは提案されてい
る。例えば、特開昭60−204393号ではPbFe0.25
Nb0.1O2.3等が提案されている。 （発明の目的） 本発明の目的は耐久性に優れ且つCNRの高い
新規な光記録材料を提供することにある。 本発明の他の目的は追記（DRAW）型記録の
他に書替可能（Ｅ−DRAW）型記録にも使える
耐久性および記録−再生特性に優れた光記録材料
を提供することにある。 （発明の構成） 本発明が提供する新規な光記録媒体はエネルギ
ービームの照射によつて記録膜に情報を記録する
のに用いられる光記録媒体において、上記記録膜
を下記の一般式で表わされる組成としたことを特
徴としている： BixSiOy ここで、ｘ＝10〜20 ｙ＝10〜40 上記エネルギービームとしては一般にレーザー
ビーム、特に半導体レーザービームが用いられ
る。情報はアナログまたはデジタルの形で記録膜
に記録される。以下で詳細に説明するように、本
発明の記録材料はレーザービームの照射によつて
記録膜に物理的変形、さらに詳しくは形態変化に
よりバルブが形成される。このバルブ部分はレー
ザービーム末照射部分と反射率や屈折率といつた
物理定数が異る。従つて、これら物定数の変化を
利用して周知の透過型あるいは反射型の記録−再
生装置を用いて情報の記録と再生を行うことがで
きる。 上記の式の組成の記録膜は公知の物理蒸着方法
によつて容易に作ることができる。一般的には蒸
着かスパツタングを用いるのがよい。具体的に
は、Bi2O3の粉末とSiO2の粉末を焼結したターゲ
ツトを用いてスパツタリングするか、各成分をを
別別の蒸着源として共蒸着するか、上記の焼結タ
ーゲツトとBi2O3の２つを蒸着源として共蒸着す
るかして基板上に記録膜を形成することができ
る。これらの蒸着にはEBガンのような周知の加
熱手段を用いることができる。基板上に形成され
る記録膜の組成は上記の蒸着源の加熱温度やター
ゲツト組成を変えることによつて広範囲に変える
ことができるが、記録膜の総合的特性を考慮して
上記一般式の組成範囲にするのが好ましい。 こうして形成された記録膜はアモルフアスであ
り、粒界ノイズが無いので高いCN比が得られ
る。さらに、このBi−Si−Ｏ膜は光の波長500nm
以上で均一な光吸収係数を有しているので、レー
ザー波長の変動に対しても安定な記録特性が保証
される。 本発明のBi−Si−Ｏ膜の記録原理はいわゆる
形態変化記録の一種であると考えられる。すなわ
ち、前記物理蒸着によつてガラス基板上に形成し
たBi−Si−Ｏ膜はアモルフアスであるが、この
膜を300℃で３時間アニーリングすると結晶化す
ることはＸ線解析の結果確認された。第１図は上
記アモルフアス膜（7000Å、ガラス板上）のＸ線
解析結果である。一方、このアモルフアス膜に所
定パワー、例えば10mWの半導体レーザービーム
を当てた後に照射部を光学顕微鏡円SEMで見て
みると、照射部が降起しているように見える。第
２図は倍率10000のSEM写真の模写図であり、レ
ーザービームの当つた所に明瞭な情報スポツト
（バルブと考えられる）が形成されている。第３
図は前記アモルフアス膜を300℃で３時間アニー
リングした場合のＸ線回析図である。 表１は組成Bi12SiO20の記録膜をガラス基板上
に800Åの膜厚で形成した直後のアモルフアス膜
と、これを300℃で３時間アニーリングして結晶
化させた場合の記録膜の反射率と屈折率とを示し
たものである。
ームの照射によつて記録膜に情報を記録するのに
用いられる新規な光記録媒体に関するものであ
り、特に、光デイスク、光カード、光テープ等の
レーザービームによる高密度情報記録媒体の新規
な記録材料に関するものである。 （発明の背景） 光デイスクのような記録媒体用記録材としては
Teのようなカルコゲナイド、シアニンのような
有機染料、TbFeのような希土類−遷移金属のア
モルフアス合金等が、追記（DFAW）用または
書替可能（Ｅ−DRAW）用の材料として既に提
案されている。これらの多くは感度的には一応実
用レベルに達しているが、耐久性あるいは信頼性
の面でさらに改良の余地がある。 この耐久性の面で最近注目を集めている記録材
料が酸化物系の材料であり、既にいくつかの酸化
物記録材料が提案されているが、より優れた特性
すなわち、耐久性のみならず記録・再生特性およ
び生産性等の総合的特性の優れた記録材の開発が
要求されている。 （従来技術） 酸化物系の光記録材料に関する研究は比較的新
しいが、既にいくつかのアイデアは提案されてい
る。例えば、特開昭60−204393号ではPbFe0.25
Nb0.1O2.3等が提案されている。 （発明の目的） 本発明の目的は耐久性に優れ且つCNRの高い
新規な光記録材料を提供することにある。 本発明の他の目的は追記（DRAW）型記録の
他に書替可能（Ｅ−DRAW）型記録にも使える
耐久性および記録−再生特性に優れた光記録材料
を提供することにある。 （発明の構成） 本発明が提供する新規な光記録媒体はエネルギ
ービームの照射によつて記録膜に情報を記録する
のに用いられる光記録媒体において、上記記録膜
を下記の一般式で表わされる組成としたことを特
徴としている： BixSiOy ここで、ｘ＝10〜20 ｙ＝10〜40 上記エネルギービームとしては一般にレーザー
ビーム、特に半導体レーザービームが用いられ
る。情報はアナログまたはデジタルの形で記録膜
に記録される。以下で詳細に説明するように、本
発明の記録材料はレーザービームの照射によつて
記録膜に物理的変形、さらに詳しくは形態変化に
よりバルブが形成される。このバルブ部分はレー
ザービーム末照射部分と反射率や屈折率といつた
物理定数が異る。従つて、これら物定数の変化を
利用して周知の透過型あるいは反射型の記録−再
生装置を用いて情報の記録と再生を行うことがで
きる。 上記の式の組成の記録膜は公知の物理蒸着方法
によつて容易に作ることができる。一般的には蒸
着かスパツタングを用いるのがよい。具体的に
は、Bi2O3の粉末とSiO2の粉末を焼結したターゲ
ツトを用いてスパツタリングするか、各成分をを
別別の蒸着源として共蒸着するか、上記の焼結タ
ーゲツトとBi2O3の２つを蒸着源として共蒸着す
るかして基板上に記録膜を形成することができ
る。これらの蒸着にはEBガンのような周知の加
熱手段を用いることができる。基板上に形成され
る記録膜の組成は上記の蒸着源の加熱温度やター
ゲツト組成を変えることによつて広範囲に変える
ことができるが、記録膜の総合的特性を考慮して
上記一般式の組成範囲にするのが好ましい。 こうして形成された記録膜はアモルフアスであ
り、粒界ノイズが無いので高いCN比が得られ
る。さらに、このBi−Si−Ｏ膜は光の波長500nm
以上で均一な光吸収係数を有しているので、レー
ザー波長の変動に対しても安定な記録特性が保証
される。 本発明のBi−Si−Ｏ膜の記録原理はいわゆる
形態変化記録の一種であると考えられる。すなわ
ち、前記物理蒸着によつてガラス基板上に形成し
たBi−Si−Ｏ膜はアモルフアスであるが、この
膜を300℃で３時間アニーリングすると結晶化す
ることはＸ線解析の結果確認された。第１図は上
記アモルフアス膜（7000Å、ガラス板上）のＸ線
解析結果である。一方、このアモルフアス膜に所
定パワー、例えば10mWの半導体レーザービーム
を当てた後に照射部を光学顕微鏡円SEMで見て
みると、照射部が降起しているように見える。第
２図は倍率10000のSEM写真の模写図であり、レ
ーザービームの当つた所に明瞭な情報スポツト
（バルブと考えられる）が形成されている。第３
図は前記アモルフアス膜を300℃で３時間アニー
リングした場合のＸ線回析図である。 表１は組成Bi12SiO20の記録膜をガラス基板上
に800Åの膜厚で形成した直後のアモルフアス膜
と、これを300℃で３時間アニーリングして結晶
化させた場合の記録膜の反射率と屈折率とを示し
たものである。
【表】
このように、アモルフアス状態と結晶状態で物
理定数に明瞭な差があり且つ両状態間の変化は可
逆反応であるので、本発明による光記録媒体は形
態変化型のDRAWおよびＥ−DRAW用媒体とし
て使用可能である。さらに、本発明光記録媒体は
フアラデー効果および偏光性も確認されているの
で、これらを利用した記録方式にも利用でき、さ
らには光変調手段、例えばEO変調手段、として
用いることも可能であろう。 以下、実施例を用いて本発明を説明する。 （実施例） 1.6μのトラツクピツチが形成された直径130mm、
厚さ1.2mmのポリカーボネート樹脂製基板を真空
蒸着装置にセツトし、蒸着源としてBi2O3の粉末
を入れた第１るつぼとBi12SiO20の粉末を入れた
第２るつぼを加熱して、上記基板上に組成の異る
Bi−Si−Ｏ膜を700Åの膜厚で形成した。致達真
空度は＝２×10-7Torrとした。 得られた光デイスクの評価は830nmの半導体レ
ーザーを用いて12mWで1MHzの反復信号を記録
し、1mWで再生した場合・（RBW＝30kHz）の
CNRで評価した。表１はBixSiOyのｘとｙのに対
するCNRあるいは記録可能性を示している。
理定数に明瞭な差があり且つ両状態間の変化は可
逆反応であるので、本発明による光記録媒体は形
態変化型のDRAWおよびＥ−DRAW用媒体とし
て使用可能である。さらに、本発明光記録媒体は
フアラデー効果および偏光性も確認されているの
で、これらを利用した記録方式にも利用でき、さ
らには光変調手段、例えばEO変調手段、として
用いることも可能であろう。 以下、実施例を用いて本発明を説明する。 （実施例） 1.6μのトラツクピツチが形成された直径130mm、
厚さ1.2mmのポリカーボネート樹脂製基板を真空
蒸着装置にセツトし、蒸着源としてBi2O3の粉末
を入れた第１るつぼとBi12SiO20の粉末を入れた
第２るつぼを加熱して、上記基板上に組成の異る
Bi−Si−Ｏ膜を700Åの膜厚で形成した。致達真
空度は＝２×10-7Torrとした。 得られた光デイスクの評価は830nmの半導体レ
ーザーを用いて12mWで1MHzの反復信号を記録
し、1mWで再生した場合・（RBW＝30kHz）の
CNRで評価した。表１はBixSiOyのｘとｙのに対
するCNRあるいは記録可能性を示している。
【表】
この表１からBixSiOyの実用的組成範囲はｘ＝
10〜20、ｙ＝10〜40と考えられる。 さらに、膜厚の最適値を求めるために膜組成が
Bi12SiO20の記録膜を形成し、膜厚を100Å〜3000
Åに変えて上記と同じ評価を行つたところ、膜厚
が300Å未満の場合と1500Åを超えた場合のいず
れの場合にも良好な結果は得られなかつた。
10〜20、ｙ＝10〜40と考えられる。 さらに、膜厚の最適値を求めるために膜組成が
Bi12SiO20の記録膜を形成し、膜厚を100Å〜3000
Åに変えて上記と同じ評価を行つたところ、膜厚
が300Å未満の場合と1500Åを超えた場合のいず
れの場合にも良好な結果は得られなかつた。
第１図は本発明によるBi−Si−Ｏ膜のＸ線チ
ヤートであり、膜がアモルフアスであることを示
している。第２図は本発明の膜にレーザービーム
で記録した状態を示すSEM写真の模式図。第３
図は第１図のアモルフアス膜をアニーリングした
後のＸ線回析図である。
ヤートであり、膜がアモルフアスであることを示
している。第２図は本発明の膜にレーザービーム
で記録した状態を示すSEM写真の模式図。第３
図は第１図のアモルフアス膜をアニーリングした
後のＸ線回析図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ エネルギービームの照射によつて情報を記録
するのに用いられる光記録媒体において、基板上
に下記一般式で表わされる組成の記録膜を形成し
たことを特徴とする光記録媒体： BixSiOy ここで ｘ＝10〜20 ｙ＝10〜40。 ２ 上記記録膜の膜厚が300〜1500Åであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61238426A JPS6394444A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 新規な光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61238426A JPS6394444A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 新規な光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6394444A JPS6394444A (ja) | 1988-04-25 |
| JPH0582838B2 true JPH0582838B2 (ja) | 1993-11-22 |
Family
ID=17030032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61238426A Granted JPS6394444A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 新規な光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6394444A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09124049A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-05-13 | Masaru Okada | 合成樹脂製袋 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4506680B2 (ja) * | 2004-05-13 | 2010-07-21 | Ｔｄｋ株式会社 | 光記録媒体 |
| CN100450783C (zh) * | 2004-08-31 | 2009-01-14 | 株式会社理光 | 一次写入多次读取的光学记录介质及其溅射靶 |
| KR100834428B1 (ko) * | 2004-08-31 | 2008-06-04 | 가부시키가이샤 리코 | 스퍼터링 타겟 및 이것의 제조 방법 |
| JP4627704B2 (ja) * | 2004-09-21 | 2011-02-09 | 株式会社リコー | 追記型光記録媒体 |
| JP4778300B2 (ja) | 2004-12-15 | 2011-09-21 | 株式会社リコー | 追記型光記録媒体 |
-
1986
- 1986-10-07 JP JP61238426A patent/JPS6394444A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09124049A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-05-13 | Masaru Okada | 合成樹脂製袋 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6394444A (ja) | 1988-04-25 |
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