JPS63104886A

JPS63104886A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPS63104886A
Application number: JP61250773A
Authority: JP
Inventors: Masaru Sato; 優佐藤; Toshihiro Terauchi; 利浩寺内
Original assignee: Daicel Chemical Industries Ltd
Current assignee: Daicel Corp
Priority date: 1986-10-23
Filing date: 1986-10-23
Publication date: 1988-05-10

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明はバブル型の追記可能な光記録媒体に関するもの
であり、特に、レーザービームを用いて情報を高密度に
記録する元ディスク、元カード等の光記録媒体に関する
ものである。

（発明の背景）追記型、いわゆるＤＲＡＷ型の元ディスクのような光記
録媒体の記録材としては穴明は方式のＴｅ−８ｅ　＋　
Ｔｅ−Ｃや相転移方式のＴｅＯｘ　。

Ｂ１Ｔｅ／５ｂＴｅ　＋　ＩｎＳｂ　、Ｔｅ５ｅＳｂ等
が用いられており、大部分はカルコゲナイドである。こ
れら公知の記録材の問題点は耐久性にあり、高温高湿な
環境下では記録材の性状が変化して、反射率や記録感度
が低下し、記録−再生特性が低下する。こうした欠点を
防止するために耐久性を向上させるための成分を添加す
る等の対策がとられているが、記録−再生特性を悪化さ
せずに耐久性を向上させるのは難しく、また、成分数を
増加させると均一な組成の薄膜を大面積にわたって形成
するのが極めて困難になる。従って、耐久性。

記録−再生特性、製膜性等の全てを満足する光記録材の
開発が望まれている。

（従来技術）カルコゲナイド以外のレーザー記録材としては金属薄膜
の蒸着物が用いられたこともある。例えばｒＩＭＡＧＥ
　　ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹＪ　、１２巻、３号、（１９
７０年）、第３１〜３５頁ではＢ　ｒ　＋　Ｃｄ　＋　
Ｃｏ　＊　Ａ　ｕ　＋　Ｚ　ｒが記載され、［Ｓｏｖ、
Ｊ、Ｑｕａｎｔ、ＥＩｅｃｔｒｏｎＪ　２巻・６号（１
９７３年）、第５５５〜５５８頁にはＷ。

ＴａｌＣｕｌＣｒｌＡＩＩＡｇｌＳｎｌＺｎｌＳｂ、Ｐ
ｂ、Ｂｉ　、Ｃｄが記載されている。しかし、これら金
属薄膜単独では実用可能な光記録膜は得られていない。

（発明の目的）本発明の目的は従来のカルコゲナイド系の光記録材とは
全く異る系のバブル型の追記型光記録材を提供すること
にある。

本発明の他の目的は上記の光記録材の薄膜を用いた耐久
性に優れた光記録媒体を提供することにある。

（発明の構成）本発明による光記録材はＦｅ　、ＣｏおよびＮｉより成
る群から選択される少なくとも一つの遷移金属とＢＮと
により構成され、ＢＮの含有量が３〜２０原子％である
ことを特徴としている。

上記光記録材は物理蒸着（ＰＶＤ）法によって容易に薄
膜にすることができるので、基板上に光記録膜として形
成して光記録媒体として用いることができる。

上記基板の材料はガラス、セラミック、金属。

プラスチック等任意のものを用いることができるが、生
産性、コスト等の面で透明プラスチック、例えばアクリ
ル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、エ
ポキシ樹脂が好ましく、その形状はディスク、カード、
テープ等にすることができる。

上記記録材を構成するＢＮ（チッ化ホウ素）は炉材、原
子炉遮蔽材、耐火物添加材としてブロックあるいは粉末
として容易人手可能なものである。

上記記録材の薄膜を形成する場合には、前記組成、すな
わちＦｅ、ＣｏおよびＮｉより成る群から選ばれた少な
くとも一つの遷移金属９７〜８０原子％とＢＮ３〜２０
原子％より成る複合物の合金、焼結体によってターゲッ
トを作ったものでスパッタリングを行うか、上記遷移金
属のターゲット上にＢＮのチップを置いてスパッタリン
グを行うことができる。さらには、遷移金属とＢＮとを
別々に電子ビームを用いて２元蒸着することもできる。

上記組成の薄膜に集光したレーザービームな当てると、
薄膜の反射率が変化する。レーザービームの当った部分
を光学囮微鏡で見てみると、レーザー光の出力によって
薄膜に物理的変化が生じていることがわかる。本発明の
特殊な実施例の場合には５．５ｍＷ以上の半導体レーザ
ー出力で、薄膜がバブル状になっている。上記の反射率
変化の原因は現在のところ不明であるが、このバブル形
成に関係があることは明らかである。

上記ＢＮの含有量は３〜２０原子％であるのが必要であ
る。この量が３原子％未満でも半導体レーザーでバブル
が形成できるが耐久性が低下するので実用的ではなく、
２０原子％を超えるとバブル形成能が悪くなり、また媒
体の熱膨張に対する耐久性が低下する。

本発明の光記録材には周期律表の■族、■族。

■族の元素、好ましくはＧｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｓｂを２０
原子％以下だけさらに加えることもできる。

以下、実施例を用いて本発明を説明する。

（実施例）ＲＦスパッタリング装置（■徳田製作所製）中にプリグ
ループ付きのポリカーボネート基板（直径１３０１１１
厚す１．２ｍｍ）　１にセｙ　トＬ、５　Ｘ　Ｉ　Ｏ−
”ＴｏｒｒのＡｒ圧でＦｅ−ＢＮターゲットを用いてＲ
Ｆスパッタリングを行い膜厚７００Ａ’の記録層を形成
した。このターゲットはＦｅのターゲット上に複数の１
０　Ｘ　１０　Ｘ　１　ｍｍのＢＮのチップを置いたも
のを用い、ＢＮの面積比な１０〜４０％の範囲で変えた
。記録薄膜の組成は薄膜を螢元Ｘ線分析して求めた。

得られた元ディスク下記２つの条件で記録パワーを変え
て波長８３０ｎｍの半導体レーザーで記録し、１ｍＷで
読み取った：（条件１）１８００ｒｐｍで回転し、半径５０ｍｍの所
に６ＭＨｚ、ｄｕｔｙ３０％の反復信号を記録。

（条件２）９００ｒｐｍで回転し、半径４５　Ｉｍの所
にＩＭＨｚ、ｄｕＬｙ５０％の反復信号を記録。

第１図は、Ｂ　Ｎ含有率＝５原子％の場合の上記（条件
１）で測定した書込みパワ一対Ｃ／Ｈの図であり、この
図から閾値が８ｍＷであることと１０ｍＷでのＣ／Ｎが
４５ｄＢであることがわかる。

第２図は第１図の場合と同じものを上記（条件２）で測
定した場合の書込みパワ一対Ｃ／Ｈの図で、この場合に
は閾値が５ｍＷ、９ｍＷでのＣ／Ｎが４７ｄＢであるこ
とがわかる。

本発明光記録媒体は上記の測定結果からも明らかなよう
・に高速高密度記録にも向いており、長ビットの形成も
可能で、巾変調方式記録にも有効である。

さらに、上記基板と上記光記録材薄膜との間に５Ｉ０２
　より成る熱吸収層を５０ＯＡの膜厚で形成したディス
クで上記と同じ測定をしたところ、Ｃ／Ｎの低下無しに
、記録閾値がそれぞれ１〜２ｍＷ小さくなった、すなわ
ち感度が向上した。

表１はＢＮの含有率（記録膜を螢光Ｘ線分析したもの、
単位＝原子％）Ｋ対するＣ’ＮＲと６０°Ｃ９９０％Ｒ
Ｈ下での物理的耐久性を示す。この場合のＣＮＲは原則
として１１ｍＷの賽込みパワーでＩ　Ｍ　Ｈｚの信号を
書込んだものを１ｍｍＷのパワーで読出した場合（帯域
中＝　３０　Ｋ　Ｈｚ）の値である。

この表から明らかなようにＢＮの含有率は３〜２０原子
％の範囲が実用的であることがわかる。

表　　　　１（注１）記録材薄膜が基板から剥離した場合なＸ、Ｌな
い場合な○にした。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による元ディスクを条件１　（回転数＝
１８０　Ｏｒｐｍ　＋測定位ｔｆｉｔ＝　５０ｍｘＲ＊
記録侶号＝　６　Ｍ　Ｈｚ　、　ｄ　ｕ　Ｌ　ｙ　３０
％）で測定した時の書込みパワ一対再生ＣＮＨの図。第２図は上記元ディスクの条件２（回転数＝９０Ｏｒｐ
ｍ、測定位置＝４５　ｙ＋ｍ　Ｒ＋記録信号＝Ｉ　ＭＨ
ｚ　、　ｄｕ　ｔ　ｙ＝５０％）での第１図と同様な図
。

Claims

【特許請求の範囲】１）基板と、この基板上に形成されたアモルファスの光
記録材の薄膜とを含む光記録媒体において、上記光記録
材がＦｅ、ＣｏおよびＮｉより成る群より選ばれる少な
くとも一つの遷移金属とＢＮとにより構成され、ＢＮの
含有量が３〜２０原子％であることを特徴とする光記録
媒体。２）上記光記録材がさらにＧｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｓｂより
成る群から選ばれる少なくとも一つの元素を２０原子％
以下含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光記録媒体。３）上記基板と光記録材との間にさらに熱吸収層が設け
られていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の光記録媒体。４）上記光記録材の薄膜が物理的蒸着法によって形成さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記
録媒体。