JPH01292635A

JPH01292635A - 光情報記録媒体

Info

Publication number: JPH01292635A
Application number: JP63121291A
Authority: JP
Inventors: Toshihiro Terauchi; 利浩寺内; Masaru Sato; 優佐藤
Original assignee: Daicel Chemical Industries Ltd
Current assignee: Daicel Corp
Priority date: 1988-05-19
Filing date: 1988-05-19
Publication date: 1989-11-24

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、追記可能な光情報記録媒体に関するものであ
シ、特にレーザービームを用いて情報を高密度に記録す
る光ディスク、光カード等の光情報記録媒体に関するも
のである。

（従来技術と問題点）追記型の光ディスクのような光情報記録媒体の記録材と
しては、穴開は方式のＴｅ　−８ｅ　、　Ｔｅ−Ｃや相
転移方式のＴｅＯｘ、　Ｂ１Ｔｅ／　５ｂＳｅ、　Ｉｎ
Ｓｂ、　Ｔｅ５ｅＳｂ等が用いられておシ、大部分はカ
ルコグナイドである。これら公知の記録材の問題点は、
耐久性にアシ、高温高湿な環境下では記録材の性状が変
化し、記録−再生特性が低下する。こうした欠点を防止
するために耐久性を向上させるための成分を添加する等
の対策がとられているが、記録−再生特性を悪化させず
に耐久性を向上させるのは難しく、また、成分数を増加
させると均一な組成の薄膜を大面積にわたって形成する
のが極めて困難になる。従って、耐久性、記録−再生特
性、成膜性等の全てを満足する光記録材の開発が望まれ
ている。

カルコゲナイド以外のレーザー記録材としては、金属薄
膜の蒸着物が用いられたこともある。例えばｒ　ＩＭＡ
ＧＥ　ＴＥＣＩ（ＮＯＬＯＧＹ　Ｊ　、　１２巻、３号
、（１９７０年）、第３１〜３５ページではＢｉ、　Ｃ
ｄ、　Ｃｏ、　Ａｕ。

Ｚｒが記載され、ｒ　Ｓｏｖ、Ｊ、Ｑｕａｎｔ、Ｅ１ｅ
’ｃｔｒｏｎ、　Ｊ　、２巻、６号、　（１９７３年）
、第５５５〜５５８ページにはＷ、　Ｔａ、　Ｃｕ、　
Ｃｒ、　ＡＡＩ　Ａｇ、　Ｓｎ、　Ｚｎ＋　Ｓｂ、　Ｐ
ｂ。

Ｂｉ、　Ｃｄが記載されている。しかし、これら金属薄
膜単独では実用可能な光記録膜は得られていない。

（発明が解決しようとする課題）本発明の目的は、従来のカルコゲナイド基の光記録材と
は全く異なる型の追記型光記録材の薄膜を用いた耐久性
に優れかつ記録再生特性にも優れた光情報記録媒体を提
供することにある。

（課題を解決するための手段）本発明による光記録材は、Ｆｅ＋　Ｃｏｎ　Ｎｉ　、　
Ｃｏｎ　ＺｎおよびＡｇより成る群より選ばれる少なく
とも一つの元素から成る薄□膜により主に形成されてお
りホウ素又は、窒化ホウ素又は、炭化ホウ素又は、酸化
ホウ素又は、それらの２種又は、３種又は、４種を含有
しその含有量が１〜３０モルチであることを特徴として
いる。

上記基板の材料は、ガラス、セラミック、金属、プラス
チック等任意のものを用いることができるが、生産性、
コスト等の面で、透明プラスチック、例えばアクリル樹
脂、ポリカーぜネート樹脂、ポリエステル樹脂、エポキ
シ樹脂、アモルファスポリオレフィン樹脂が好ましく、
その形状はディスク、カード、テープ、ドラム等にする
ことができる。

上記記録材の薄膜を形成するには、前記組成の、すなわ
ち、Ｆｅ、　Ｃｏ、　Ｎｉ、　Ｃｕ、　ＺｎおよびＡｇ
より成る群より選ばれる少なくとも一つの元素よりなる
金属９９〜７０モルチとホウ素又は、窒化ホウ素又は、
炭化ホウ素又は、酸化ホウ素又は、それらの２種又は、
３種又は、４種１〜３０モルチより成る複合組成物、焼
結体によって、ターゲットを作ったものでスパッタリン
グを行なうか、上記金属のターゲットの上にホウ素系化
合物のチップを置いてスパッタリングを行なうか、上記
金属とホウ素系化合物の二つ以上のターゲットを用いて
同時ス・ぐツタリングを行なうことができる。さらには
、上記金属とホウ素系化合物とを別々のハースに入れ電
子ビームを用いて多元蒸着することもできる。

上記組成の薄膜に集光したレーザ−ビームを当ると、薄
膜の反射率が低くなる。レーザービームの当った部分を
光学顕微鏡で見てみると、薄膜に物理的変化が生じバブ
ル状の領域が観察される。

上記の反射率変化の原因は、現在のところ不明であるが
、このバブル形成に関係があることは明らかで６Ｄ、こ
の変化を利用し半導体レーザーによる信号の書き込み読
み出しが可能である。

上記ホウ素系化合物の含有量は、１〜３０モルチである
ことが必要である。この量が、１モル係未満でも半導体
レーザーでバブルが形成できるが、耐酸化性が低下する
ので実用的でなく、３０モモル係超えるとバブル形成能
が悪くなシ、また媒体の熱膨張に対する耐久性が低下す
る。

本発明の光記録材には、記録再生特性の調整のため周期
律表の４族、５族、６族の元素、好ましくは、Ｇｅ、　
Ｓｅ、　Ｓｎ＋　Ｓｂを２０モル俤以下だけさらにくわ
えることができる。

（実施例）以下、本発明を実施例により、さらに詳細を説明するが
、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない
。

実施例１複数個のスパッタリングターゲットを有するスパッタリ
ング装置中にプリグループ付きのポリカーボネート基板
（直径１３０ｍｍ、厚き１．２閣）をセットし５Ｘ１０
　　ＴｏｒｒのＡｒ圧でＲＦスパッタリング法により窒
化ホウ素（以下、ＢＮと略す。）ターゲットをスパッタ
リングすると同時にＲＦスパッタリング法によｌ）　Ｆ
ｅターゲットをスパッタリングして７００オングストロ
ームの記録層を形成した。

６一その際、双方のス・ぐツタリング出力の比を変えること
で記録層中のＢＮ組成比を変えられるわけである。記録
層中の組成は、蛍光Ｘ線分析、電子グローブマイクロア
ナリシス、フーリエ変換赤外分光分析、オージェ電子分
光法で求めた。

得られた光ディスクの性能評価のため、波長８３０　ｎ
ｍの半導体レーザーで、下記の条件で記録し１　ｍＷで
読み取った。

（条件１　）：　２４０Ｏｒｐｍで回転し半径５９．の
位置に５　ＭＨｚ、　ｄｕｔｙ　４０％の反復信号を記
録し記録感度およびＣ／Ｎ比を測定。

（条件２　）　：　９００　ｒｐｍで回転し半径４５閣
の位置にＩＭＨｚ　、　　ｄｕｔｙ　５０％の反復信号
を記録し記録感度およびＣ／Ｎ比を測定。

第１図は、ＢＮ含有率＝５モルチの場合の上記（条件ｌ
）で測定した書込パワ一対ＣＡ比の図であり、この図か
ら記録感度が９．０　ｍＷであることと、Ｃ／Ｎ比の最
大値が５６　ｄＢであることがわかる。

その結果を表１に示す。

第２図は、第１図の場合と同じものを上記（条件２）で
測定した書込パワ一対Ｃ／Ｎ比の図であシ、この図から
記録感度が４．０ｍＷであることと、Ｃ／Ｎ比の最大値
が５８　ｄＢでちることがわかる。

実施例２実施例１と同様にＢＮ含有率がＯ〜４０モルチの範囲で
記録層を形成し、実施例１の（条件１）と同様に記録感
度およびＣＡ比のＢＮ含有率に対する依存性を評価した
。

その結果を表１に示す。

本発明光情報記録媒体は、上記の実施例からも明らかな
様に高速高密度記録にも向いておシ、長ビツト形成も可
能で巾変調方式記録にも有効である。

実施例３実施例１および実施例２のディスクの記録層の耐久性を
６０℃、９０１ＲＨ３Ｊｌ境下で観察した。

その結果を表ＩＫ示す。

実施例４実施例１および実施例２のディスクの記録層の結晶状態
を透過型電子顕微鏡で観察した。

その結果を表２に示す。

（発明の効果）以上の結果から、明らかなように本発明により信号特性
及び耐久性に優れた追記型光ディスクを得ることが可能
となった。

一９＝表　　１注１）、実施例１（条件１）で測定したＣ／Ｎの最大値
。

２）、実施例１（条件１）で測定した再生ＲＦ出力がそ
の最大の９０チに達する時のレーザー出力。

３）、６０℃、９０チＲＨ環境下１０００時間経過後の
様子。

（○・・・良、×・・・否　否は、クラックか酸化を示
す。）表　　２

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例１においてＦｅを主成分としＢＮを５モ
ルチ含有する記録膜をつけた、ポリカーボネートディス
クを２４０Ｏｒｐｍで回転し８３０　ｎｍの半導体レー
ザー光を用いて、半径５９．０位置に５Ｍ）Ｉｚ　、　
ｄｕｔｙ　４０　％の反復信号を記録した場合の再生信
号のＣ／／Ｎ比と記録パワーの関連を示す。第２図は上記と同じディスクを、９００　ｒｐｍで回転
し、半径４５瓢の位置にＩ　ＭＨｚ　、　ｄｕｔｙ　５
０％の反復信号を記録した場合の再生信号のＣ／Ｎ比と
記録パワーの関連を示す。特許出願人　ダイ転化学工業株式会社派

Claims

【特許請求の範囲】１）基板とこの基板上に形成された光記録材の薄膜とを
含む光情報記録媒体において、上記光記録材が、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、およびＡｇより成る群より選
ばれる少なくとも一つの元素から成る薄膜により主に形
成されておりホウ素又は、窒化ホウ素又は、炭化ホウ素
又は、酸化ホウ素又は、それらの２種又は、３種又は、
４種を含有し、その含有量が１〜３０モル％であること
を特徴とする光情報記録媒体。２）上記光記録材が、さらにＧｅ、Ｓｅ、ＳｎおよびＳ
ｂより成る群から選ばれる少なくとも一つの元素を２０
モル％以下含有することを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光情報記録媒体。３）上記光記録材の薄膜の膜厚が３００〜２０００オン
グストロームであることを特徴とする特許請求の範囲第
１項あるいは第２項記載の光情報記録媒体。４）上記光記録材の薄膜が物理的蒸着法によって形成さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜３項のい
ずれか１項に記載の光情報記録媒体。