JPH04232780A - 相変化光学式記録用媒体 - Google Patents
相変化光学式記録用媒体Info
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- JPH04232780A JPH04232780A JP3161585A JP16158591A JPH04232780A JP H04232780 A JPH04232780 A JP H04232780A JP 3161585 A JP3161585 A JP 3161585A JP 16158591 A JP16158591 A JP 16158591A JP H04232780 A JPH04232780 A JP H04232780A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光学式記録用素子に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】周知のように，実質的に非晶質の状態又
は実質的に結晶質の状態にて，室温において安定な状態
で存在するある特定の材料は，材料を加熱するに足るエ
ネルギーを供給し，次いで制御された条件下にて，材料
を結晶質状態又は非晶質状態に冷却することによって，
これら状態の一方の状態から他方の状態に変換させるこ
とができる。
は実質的に結晶質の状態にて，室温において安定な状態
で存在するある特定の材料は，材料を加熱するに足るエ
ネルギーを供給し，次いで制御された条件下にて，材料
を結晶質状態又は非晶質状態に冷却することによって，
これら状態の一方の状態から他方の状態に変換させるこ
とができる。
【０００３】さらに周知の如く，このような材料は，情
報の記憶・検索用に使用することもできる。これらの材
料は，光学式記録用薄膜の形で使用することができる。 薄膜の特定部分をある一つの状態から他の状態へ（非晶
質から結晶質へ，又は結晶質から非晶質へ）選択的に変
化させることによって，薄膜に対し書込みが行われる。 このような変化は，材料をその転移温度より高い温度に
加熱するに足る充分な持続時間，振幅の小さなエネルギ
ーパルスを与えることによって起こさせることができる
。一方，材料を結晶質から非晶質に変換させるためには
，急速な冷却が本質的に必要である。この結晶質から非
晶質への変換は，高エネルギーパルス源により材料にパ
ルスを送って，材料の温度をその溶融温度にまで上昇さ
せ，次いで急速な温度低下を起こさせて，結晶化が起こ
る前に材料を非晶質状態にて凍結させることによって達
成することができる。
報の記憶・検索用に使用することもできる。これらの材
料は，光学式記録用薄膜の形で使用することができる。 薄膜の特定部分をある一つの状態から他の状態へ（非晶
質から結晶質へ，又は結晶質から非晶質へ）選択的に変
化させることによって，薄膜に対し書込みが行われる。 このような変化は，材料をその転移温度より高い温度に
加熱するに足る充分な持続時間，振幅の小さなエネルギ
ーパルスを与えることによって起こさせることができる
。一方，材料を結晶質から非晶質に変換させるためには
，急速な冷却が本質的に必要である。この結晶質から非
晶質への変換は，高エネルギーパルス源により材料にパ
ルスを送って，材料の温度をその溶融温度にまで上昇さ
せ，次いで急速な温度低下を起こさせて，結晶化が起こ
る前に材料を非晶質状態にて凍結させることによって達
成することができる。
【０００４】光学式記録用層として使用するための，Ｇ
ｅＴｅ合金の薄膜を含んだ光学式記録用素子が知られて
いる。こうした光学式素子の一つが，「相変化媒体可逆
媒体に対する新しい考え方──データの安定性を保持し
たマイクロセコンド以下の消去」及び「系統的な相変化
速度論の測定──Ｔｅ／Ｇｅ二元系の結晶化速度と臨界
冷却速度」と題する報文において開示されている。これ
ら２つのの報文のいずれも，１９８５年１０月１５〜１
７日のワシントンＤ．Ｃ．でのＩＥＥＥとＯＳＡにおけ
る“データの記憶に関するトピカルミーティング”にお
いて提出されたものである。
ｅＴｅ合金の薄膜を含んだ光学式記録用素子が知られて
いる。こうした光学式素子の一つが，「相変化媒体可逆
媒体に対する新しい考え方──データの安定性を保持し
たマイクロセコンド以下の消去」及び「系統的な相変化
速度論の測定──Ｔｅ／Ｇｅ二元系の結晶化速度と臨界
冷却速度」と題する報文において開示されている。これ
ら２つのの報文のいずれも，１９８５年１０月１５〜１
７日のワシントンＤ．Ｃ．でのＩＥＥＥとＯＳＡにおけ
る“データの記憶に関するトピカルミーティング”にお
いて提出されたものである。
【０００５】これらの報文では，消去可能な記録用にＧ
ｅ−Ｔｅ系薄膜が使用されている。消去可能な記録にお
いては，“消去された状態”を形成させるために，先ず
第一に長い持続時間のレーザービームを使用して薄膜を
結晶化させなければならない。次いで，短い持続時間の
高強度集束レーザービームを使用してデータを薄膜に局
在化非晶質スポットとして書き込んで，薄膜の温度をそ
の液相線温度より高い温度に上昇させる。次いで薄膜を
冷却し，これによって非晶質状態又は書込み状態を形成
させる。その後のデータの消去は，再びレーザーによる
結晶化（通常は，多くの用途に対し消去時間の極めて長
いゆっくりしたプロセスである）によって行われる。こ
れら報文の重要なポイントは，化学量論量のＧｅＴｅ組
成を使用することにより結晶化速度が大幅に改良でき，
結晶化のためのレーザーパルス持続時間がわずか２５０
ナノ秒にまで下げられる，という点にある。
ｅ−Ｔｅ系薄膜が使用されている。消去可能な記録にお
いては，“消去された状態”を形成させるために，先ず
第一に長い持続時間のレーザービームを使用して薄膜を
結晶化させなければならない。次いで，短い持続時間の
高強度集束レーザービームを使用してデータを薄膜に局
在化非晶質スポットとして書き込んで，薄膜の温度をそ
の液相線温度より高い温度に上昇させる。次いで薄膜を
冷却し，これによって非晶質状態又は書込み状態を形成
させる。その後のデータの消去は，再びレーザーによる
結晶化（通常は，多くの用途に対し消去時間の極めて長
いゆっくりしたプロセスである）によって行われる。こ
れら報文の重要なポイントは，化学量論量のＧｅＴｅ組
成を使用することにより結晶化速度が大幅に改良でき，
結晶化のためのレーザーパルス持続時間がわずか２５０
ナノ秒にまで下げられる，という点にある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようす
る問題点は，こうした薄膜が，書き込まれた情報が結晶
化状態で符号化される書込み１回光学式記録用素子（ｗ
ｒｉｔｅ−ｏｎｃｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｒｅｃｏｒ
ｄｉｎｇ ｅｌｅｍｅｎｔ）に使用できないという点
である。初期の非晶質状態からの結晶化速度が遅いこと
により，殆どの用途に対して書込みプロセスは極めて遅
くなる。
る問題点は，こうした薄膜が，書き込まれた情報が結晶
化状態で符号化される書込み１回光学式記録用素子（ｗ
ｒｉｔｅ−ｏｎｃｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｒｅｃｏｒ
ｄｉｎｇ ｅｌｅｍｅｎｔ）に使用できないという点
である。初期の非晶質状態からの結晶化速度が遅いこと
により，殆どの用途に対して書込みプロセスは極めて遅
くなる。
【０００７】ＵＳ−Ａ−４，７１０，４５２においては
，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｔｉ系合金の薄膜を含んだ光学式記録用
素子が開示されている。Ｔｉを組み込むと，非晶質状態
からの結晶化速度がより高くなる，記録感度が高い，及
び搬送波対雑音比（ＣＮＲ）が高い，という点に関して
，上記のＧｅ−Ｔｅ系薄膜を凌ぐ改良された性能が得ら
れる。ＵＳ−Ａ−４，６７０，３４５においては，Ｇｅ
−Ｔｅ−Ｓｂ系を含んだ改良された記録用媒体が開示さ
れており，該記録用媒体は，熱安定性，感度，及び信号
対雑音比が優れている。
，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｔｉ系合金の薄膜を含んだ光学式記録用
素子が開示されている。Ｔｉを組み込むと，非晶質状態
からの結晶化速度がより高くなる，記録感度が高い，及
び搬送波対雑音比（ＣＮＲ）が高い，という点に関して
，上記のＧｅ−Ｔｅ系薄膜を凌ぐ改良された性能が得ら
れる。ＵＳ−Ａ−４，６７０，３４５においては，Ｇｅ
−Ｔｅ−Ｓｂ系を含んだ改良された記録用媒体が開示さ
れており，該記録用媒体は，熱安定性，感度，及び信号
対雑音比が優れている。
【０００８】さらに本発明が解決しようとする問題点は
，上記特許の三元化合物は改良された性能を示すけれど
も，従来技術では，本発明の目的に対して使用できると
考えられる金属の種類を選択する指針が得られない，と
いう点である。さらに，使用可能な金属を見出すために
当業者が従う一般的な規則はないようである。例えば，
Ｇｅ−Ｔｅ−Ｃｒ系合金で造られた光学式記録用素子は
，たとえＣｒが元素周期表においてＴｉに近いとしても
，Ｇｅ−Ｔｅ系合金を凌ぐ大幅な改良は認められていな
い。さらに，当業者が本発明に対して有用な金属を見出
したとしても，組成物が所望の改良性能を示すことを確
認する必要がある。
，上記特許の三元化合物は改良された性能を示すけれど
も，従来技術では，本発明の目的に対して使用できると
考えられる金属の種類を選択する指針が得られない，と
いう点である。さらに，使用可能な金属を見出すために
当業者が従う一般的な規則はないようである。例えば，
Ｇｅ−Ｔｅ−Ｃｒ系合金で造られた光学式記録用素子は
，たとえＣｒが元素周期表においてＴｉに近いとしても
，Ｇｅ−Ｔｅ系合金を凌ぐ大幅な改良は認められていな
い。さらに，当業者が本発明に対して有用な金属を見出
したとしても，組成物が所望の改良性能を示すことを確
認する必要がある。
【０００９】従って，本発明の目的は，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｔ
ｉ系に類似の性能をもったこれに代わる三元合金を提供
することにある。
ｉ系に類似の性能をもったこれに代わる三元合金を提供
することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は，式
【００１１
】
】
【００１２】（式中，原子比に基づいて，ｘは０．３〜
０．７であり，ｚは０より大きく最大０．４である）で
示される合金の非晶質薄膜を含んだ光学式記録用素子を
提供する。
０．７であり，ｚは０より大きく最大０．４である）で
示される合金の非晶質薄膜を含んだ光学式記録用素子を
提供する。
【００１３】本発明の光学式記録用素子は，上記のＧｅ
−Ｔｅ系素子に比べて大幅に改良された結晶化速度を有
する。本発明の素子の場合，１００ナノセコンド以下の
パルス長で結晶化を果たすことができる。結晶化速度が
改良されることにより，レーザーによる結晶化を記録状
態として使用する高速書込み１回記録に対して，本発明
の素子を使用することができる。このような素子はさら
に，記録感度が高く，且つ搬送波対雑音比が大きい。
−Ｔｅ系素子に比べて大幅に改良された結晶化速度を有
する。本発明の素子の場合，１００ナノセコンド以下の
パルス長で結晶化を果たすことができる。結晶化速度が
改良されることにより，レーザーによる結晶化を記録状
態として使用する高速書込み１回記録に対して，本発明
の素子を使用することができる。このような素子はさら
に，記録感度が高く，且つ搬送波対雑音比が大きい。
【００１４】好ましい実施態様においては，本発明の光
学式記録用素子は，式
学式記録用素子は，式
【００１５】
【００１６】（式中，原子比に基づいて，ｘは０．４〜
０．６であり，ｚは０．１０〜０．２５である）で示さ
れる合金の非晶質薄膜を含む。
０．６であり，ｚは０．１０〜０．２５である）で示さ
れる合金の非晶質薄膜を含む。
【００１７】本発明の素子は，Ｇｅ−Ｔｅ系薄膜中にＭ
ｎが組み込まれるという点において，従来技術の素子と
は異なる。Ｇｅ−Ｔｅ−Ｍｎ系薄膜は，近赤外領域での
レーザー結晶化に関して，明らかにＧｅ−Ｔｅ系組成物
を凌ぐ速度と感度を示した。すなわち，一般にＧｅ−Ｔ
ｅ−Ｍｎ系薄膜は，従来技術の素子に使用されるＧｅ−
Ｔｅ系薄膜に比べてレーザー書込みエネルギーとレーザ
ーパルス長が少なくてよい。本発明の素子はさらに，熱
による変形を受けにくく，このためＭｎを含まないＧｅ
−Ｔｅ系薄膜より書込みノイズが少ない。
ｎが組み込まれるという点において，従来技術の素子と
は異なる。Ｇｅ−Ｔｅ−Ｍｎ系薄膜は，近赤外領域での
レーザー結晶化に関して，明らかにＧｅ−Ｔｅ系組成物
を凌ぐ速度と感度を示した。すなわち，一般にＧｅ−Ｔ
ｅ−Ｍｎ系薄膜は，従来技術の素子に使用されるＧｅ−
Ｔｅ系薄膜に比べてレーザー書込みエネルギーとレーザ
ーパルス長が少なくてよい。本発明の素子はさらに，熱
による変形を受けにくく，このためＭｎを含まないＧｅ
−Ｔｅ系薄膜より書込みノイズが少ない。
【００１８】従って，これらのＧｅ−Ｔｅ−Ｍｎ系合金
は，性能的にはＧｅ−Ｔｅ−Ｔｉ系組成物に類似してい
る。このことは驚くべきことである。なぜなら，Ｃｒは
元素周期表においてＴｉの近くであるが，ＴｉをＣｒに
置き換えても所望の結果は得られなかったからである。
は，性能的にはＧｅ−Ｔｅ−Ｔｉ系組成物に類似してい
る。このことは驚くべきことである。なぜなら，Ｃｒは
元素周期表においてＴｉの近くであるが，ＴｉをＣｒに
置き換えても所望の結果は得られなかったからである。
【００１９】非晶質薄膜の記録用層は，蒸着，合金ター
ゲットからのＲＦ（高周波）・ＤＣ（直流）スパッタリ
ング，及び個々の素子のターゲットからのＲＦ・ＤＣコ
スパッタリング等の，従来の薄膜付着法により作製する
ことができる。磁場を用いることによってスパッタリン
グプロセスを強めること（マグネトロンスパッタリング
）もできる。薄膜の厚さは，コントラスト，感度，製造
速度，原料コスト，制御しやすさ，及びデータ転送速度
等，種々のファクターの兼ね合いにより数十ナノメータ
ー（１０ｎｍ）から数百ナノメーター（５００ｎｍ）の
範囲である。
ゲットからのＲＦ（高周波）・ＤＣ（直流）スパッタリ
ング，及び個々の素子のターゲットからのＲＦ・ＤＣコ
スパッタリング等の，従来の薄膜付着法により作製する
ことができる。磁場を用いることによってスパッタリン
グプロセスを強めること（マグネトロンスパッタリング
）もできる。薄膜の厚さは，コントラスト，感度，製造
速度，原料コスト，制御しやすさ，及びデータ転送速度
等，種々のファクターの兼ね合いにより数十ナノメータ
ー（１０ｎｍ）から数百ナノメーター（５００ｎｍ）の
範囲である。
【００２０】本発明の非晶質薄膜光学式記録用層は，非
晶質薄膜４２の選定された部分を結晶質状態に変換させ
るに足るエネルギーをもった電磁放射線のコヒーレント
ビームを使用して書込みが行われる。本発明においては
，非晶質薄膜光学式記録用層の感度は充分に高く，５０
〜１００ナノセコンドのレーザーパルス幅にて２．５〜
１０ｍＷのレーザーパワー（ｌａｓｅｒ ｐｏｗｅｒ
）により，変換を起こさせるに足るエネルギーが得られ
る。
晶質薄膜４２の選定された部分を結晶質状態に変換させ
るに足るエネルギーをもった電磁放射線のコヒーレント
ビームを使用して書込みが行われる。本発明においては
，非晶質薄膜光学式記録用層の感度は充分に高く，５０
〜１００ナノセコンドのレーザーパルス幅にて２．５〜
１０ｍＷのレーザーパワー（ｌａｓｅｒ ｐｏｗｅｒ
）により，変換を起こさせるに足るエネルギーが得られ
る。
【００２１】スタティック・ピット・テスター（ｓｔａ
ｔｉｃ ｐｉｔ ｔｅｓｔｅｒ）を使用して，非晶
質薄膜の予備的検討を行った。
ｔｉｃ ｐｉｔ ｔｅｓｔｅｒ）を使用して，非晶
質薄膜の予備的検討を行った。
【００２２】スタティック・ピット・テスターは，２イ
ンチ×３インチのスライドガラス上で，レーザーを使用
して薄膜サンプルを標準的なテストパターンに付すため
の自動化された機器である。サンプルの位置とレーザー
のパワーを調節するためにマイクロコンピューターを使
用した。各記録用層が，スタティック・ピット・テスタ
ー中において，８３０ナノメーターのダイオードレーザ
ーからの５０〜５，０００ナノセコンドのパルス持続時
間を適用して，６つのパワーレベル（４，５，６，８，
１０及び１２ｍＷ）のそれぞれにて４ミクロン中心に関
して１０マークのパワー系列にさらされる。
ンチ×３インチのスライドガラス上で，レーザーを使用
して薄膜サンプルを標準的なテストパターンに付すため
の自動化された機器である。サンプルの位置とレーザー
のパワーを調節するためにマイクロコンピューターを使
用した。各記録用層が，スタティック・ピット・テスタ
ー中において，８３０ナノメーターのダイオードレーザ
ーからの５０〜５，０００ナノセコンドのパルス持続時
間を適用して，６つのパワーレベル（４，５，６，８，
１０及び１２ｍＷ）のそれぞれにて４ミクロン中心に関
して１０マークのパワー系列にさらされる。
【００２３】光学式記録用としての材料の適性は，スラ
イドガラスの暴露された部分の反射率と非暴露バックグ
ラウンドの反射率とを比較することによって（すなわち
，非晶質部分と結晶質部分との反射率の違いを比較する
ことによって）求められる。この差異は，本明細書に記
載の全ての試験に対し，光学顕微鏡を使用して倍率１０
００倍にて調べた。
イドガラスの暴露された部分の反射率と非暴露バックグ
ラウンドの反射率とを比較することによって（すなわち
，非晶質部分と結晶質部分との反射率の違いを比較する
ことによって）求められる。この差異は，本明細書に記
載の全ての試験に対し，光学顕微鏡を使用して倍率１０
００倍にて調べた。
【００２４】この反射変化（ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ
ｃｈａｎｇｅ）は，以下の定義
ｃｈａｎｇｅ）は，以下の定義
【００２５】
【００２６】（式中，Ｒｃ とＲａ は，それぞれ結晶
質状態の反射率及び非晶質状態の反射率である）に従っ
て記録コントラスト（ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｃｏｎｔ
ｒａｓｔ）（ＣＴ）として表わされる。薄膜が光学式記
録用層として有用とみなされるためには，５％という最
小のコントラストが達成されなければならない。
質状態の反射率及び非晶質状態の反射率である）に従っ
て記録コントラスト（ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｃｏｎｔ
ｒａｓｔ）（ＣＴ）として表わされる。薄膜が光学式記
録用層として有用とみなされるためには，５％という最
小のコントラストが達成されなければならない。
【００２７】本発明は，Ｍｎ又はＭｎの化合物を組み込
んだＧｅ−Ｔｅ系薄膜を使用して実施することができる
。本発明の薄膜は，種々の支持体上に付着させることが
できる。
んだＧｅ−Ｔｅ系薄膜を使用して実施することができる
。本発明の薄膜は，種々の支持体上に付着させることが
できる。
【００２８】使用することのできる支持体としては，ポ
リエチレンテレフタレート，ポリメチルメタクリレート
，及びポリカーボネート等のプラスチックフィルム；ガ
ラスプレート；紙；並びに金属プレート；などがある。
リエチレンテレフタレート，ポリメチルメタクリレート
，及びポリカーボネート等のプラスチックフィルム；ガ
ラスプレート；紙；並びに金属プレート；などがある。
【００２９】さらに利点を付与するために，例えば，記
録プロセスから生じるノイズを少なくするために，合金
層を被覆する形でオーバーコート層を施すのが好ましい
。通常のオーバーコート用材料は，ＵＳ−Ａ−４，３４
０，６５５に記載されているようなポリマー塗料，並び
にＳｉＯｘ ，ＺｎＳ，及びＡｌ２ Ｏ３ 等の絶縁塗
料である。透明クリロン（Ｋｒｙｌｏｎ）のような市販
のアクリル系スプレー塗料も使用することができる。
録プロセスから生じるノイズを少なくするために，合金
層を被覆する形でオーバーコート層を施すのが好ましい
。通常のオーバーコート用材料は，ＵＳ−Ａ−４，３４
０，６５５に記載されているようなポリマー塗料，並び
にＳｉＯｘ ，ＺｎＳ，及びＡｌ２ Ｏ３ 等の絶縁塗
料である。透明クリロン（Ｋｒｙｌｏｎ）のような市販
のアクリル系スプレー塗料も使用することができる。
【００３０】ディスクの層は，種々のタイプの配置構成
を有することができる。例えば，アルミニウムのような
金属支持体の両側に，本発明の合金を含んだ記録用層を
設けることができる。従って有用なディスクは，そのア
ルミニウム支持体の両側が，平滑化層，本発明の相変化
合金を含んだ相，及び透明保護用オーバーコートで被覆
されている。類似の態様においては，透明支持体上に合
金が供給され，次いで接着剤を用いて支持体の両側に接
着される。さらに他の実施態様においては，透明支持体
上に上記の合金が供給されて，記録用層が形成される。 次いで，接着剤層を用いて，光学式記録用層が，同一の
記録用材料の記録用層に接着される。接着剤層の厚さに
より，２つの記録用層の光学的な分離が得られる。
を有することができる。例えば，アルミニウムのような
金属支持体の両側に，本発明の合金を含んだ記録用層を
設けることができる。従って有用なディスクは，そのア
ルミニウム支持体の両側が，平滑化層，本発明の相変化
合金を含んだ相，及び透明保護用オーバーコートで被覆
されている。類似の態様においては，透明支持体上に合
金が供給され，次いで接着剤を用いて支持体の両側に接
着される。さらに他の実施態様においては，透明支持体
上に上記の合金が供給されて，記録用層が形成される。 次いで，接着剤層を用いて，光学式記録用層が，同一の
記録用材料の記録用層に接着される。接着剤層の厚さに
より，２つの記録用層の光学的な分離が得られる。
【００３１】有用な記録用材料は，その外表面から始め
て，オーバーコート層，前述の薄膜光学式記録用層，及
び支持体を含む。駆動信号（ｄｒｉｖｅ ｓｉｇｎａ
ｌ）に応じて，記録用層上に集束したダイオード記録用
ビームの強度が，記録すべき情報に従って調節される。
て，オーバーコート層，前述の薄膜光学式記録用層，及
び支持体を含む。駆動信号（ｄｒｉｖｅ ｓｉｇｎａ
ｌ）に応じて，記録用層上に集束したダイオード記録用
ビームの強度が，記録すべき情報に従って調節される。
【００３２】記録作動中，記録用材料は一定速度〔例え
ば１８００回転／分（ｒｐｍ）〕で回転を受ける。この
結果，情報のトラックが，選定された結晶化部分の形で
光学式記録用層上に記録される。記録作動が続くと，記
録スポットが記録用材料を横切って放射状に内向きに走
査され，これにより，らせん状トラック又は同心状トラ
ックに沿って情報が記録される。記録された情報マーク
のサイズとスペーシングは，記録用レーザーの駆動信号
の情報含量だけでなく，記録用材料上の放射状位置に従
って変わる。
ば１８００回転／分（ｒｐｍ）〕で回転を受ける。この
結果，情報のトラックが，選定された結晶化部分の形で
光学式記録用層上に記録される。記録作動が続くと，記
録スポットが記録用材料を横切って放射状に内向きに走
査され，これにより，らせん状トラック又は同心状トラ
ックに沿って情報が記録される。記録された情報マーク
のサイズとスペーシングは，記録用レーザーの駆動信号
の情報含量だけでなく，記録用材料上の放射状位置に従
って変わる。
【００３３】リードバック・プロセス（ｒｅａｄｂａｃ
ｋ ｐｒｏｃｅｓｓ）中，記録された情報を含んだ記
録用材料は，記録プロセス時の場合と同じ速度の回転を
受ける。読出しレーザービームの光路長が，多数開口レ
ンズによって記録用材料上の再生スポットに集束される
。 記録用材料は反射型の材料であり，従って再生スポット
を形成する輻射線が，光学式記録用材料上に記録される
情報マークとの相互作用の後，多数開口レンズを介して
反射される。レンズは，反射されたレーザー輻射線を検
出器に向ける。この検出器は，検出器に当たる反射レー
ザー輻射線の輻射照度の一時的な変動に応じて，電気的
な再生信号を生成する。
ｋ ｐｒｏｃｅｓｓ）中，記録された情報を含んだ記
録用材料は，記録プロセス時の場合と同じ速度の回転を
受ける。読出しレーザービームの光路長が，多数開口レ
ンズによって記録用材料上の再生スポットに集束される
。 記録用材料は反射型の材料であり，従って再生スポット
を形成する輻射線が，光学式記録用材料上に記録される
情報マークとの相互作用の後，多数開口レンズを介して
反射される。レンズは，反射されたレーザー輻射線を検
出器に向ける。この検出器は，検出器に当たる反射レー
ザー輻射線の輻射照度の一時的な変動に応じて，電気的
な再生信号を生成する。
【００３４】以下に実施例を挙げて本発明を詳細に説明
する。
する。
【００３５】実施例１
対照標準──ＧｅＴｅを材料源として収容したボート（
ｂｏａｔ）からの真空蒸着によって，ゲルマニウム−テ
ルル系の薄膜を作製した。薄膜は，厚さが０．２ｍｍ（
２０００Ａ）であり，原子比に基づいて４５％のゲルマ
ニウムと５５％のテルルを含んだ組成（Ｇｅ０．４５Ｔ
ｅ０．５５）を有する。波長が８３０ｎｍの集束ダイオ
ードレーザーを装備したスタティック・テスターを使用
し，５０ナノセコンドのパルス長にて８ｍＷ以下のレー
ザーパワーで行うと，記録マーク（薄膜の結晶化した部
分）はかろうじて視認することができた。記録マークは
機械的な変形を示した。この変形は，１ｍｓという長い
パルス長にて又は高いパワーレベルにて施したマークに
おいて特に顕著であった。ディスクの動的試験により，
４ｍＷの記録パワー（ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｐｏｗｅ
ｒ）にて４５ｄＢ（３０ＫＨｚのバンド幅）のＣＮＲ値
が得られた。
ｂｏａｔ）からの真空蒸着によって，ゲルマニウム−テ
ルル系の薄膜を作製した。薄膜は，厚さが０．２ｍｍ（
２０００Ａ）であり，原子比に基づいて４５％のゲルマ
ニウムと５５％のテルルを含んだ組成（Ｇｅ０．４５Ｔ
ｅ０．５５）を有する。波長が８３０ｎｍの集束ダイオ
ードレーザーを装備したスタティック・テスターを使用
し，５０ナノセコンドのパルス長にて８ｍＷ以下のレー
ザーパワーで行うと，記録マーク（薄膜の結晶化した部
分）はかろうじて視認することができた。記録マークは
機械的な変形を示した。この変形は，１ｍｓという長い
パルス長にて又は高いパワーレベルにて施したマークに
おいて特に顕著であった。ディスクの動的試験により，
４ｍＷの記録パワー（ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｐｏｗｅ
ｒ）にて４５ｄＢ（３０ＫＨｚのバンド幅）のＣＮＲ値
が得られた。
【００３６】本発明──対照標準に関して記載した真空
蒸着法を使用して，マンガンをドーピングしたＧｅ−Ｔ
ｅ系薄膜を作製した。こうした得られた薄膜は，厚さが
０．２ｍｍであり，３８％のゲルマニウム，４６．５％
のテルル，及び１５．５％のマンガンを含んだ組成〔（
Ｇｅ０．４５Ｔｅ０．５５）０．８５Ｍｎ０．１５〕を
有していた。 この場合も，パルス長が０．０５０ｍｓ（５０ｎｓ）の
集束ダイオードレーザーを使用し，４ｍＷ以下のレーザ
ーパワーで良好なマークを得た。１ｍｓというより長い
パルス長においては，対照標準の場合より大幅に少ない
変形のマークが得られた。上記のようにディスクを試験
したとき，４ｍＷの記録パワーにて６２ｄＢ（３０ＫＨ
ｚのバンド幅）というかなり改良されたＣＮＲ値が得ら
れた。
蒸着法を使用して，マンガンをドーピングしたＧｅ−Ｔ
ｅ系薄膜を作製した。こうした得られた薄膜は，厚さが
０．２ｍｍであり，３８％のゲルマニウム，４６．５％
のテルル，及び１５．５％のマンガンを含んだ組成〔（
Ｇｅ０．４５Ｔｅ０．５５）０．８５Ｍｎ０．１５〕を
有していた。 この場合も，パルス長が０．０５０ｍｓ（５０ｎｓ）の
集束ダイオードレーザーを使用し，４ｍＷ以下のレーザ
ーパワーで良好なマークを得た。１ｍｓというより長い
パルス長においては，対照標準の場合より大幅に少ない
変形のマークが得られた。上記のようにディスクを試験
したとき，４ｍＷの記録パワーにて６２ｄＢ（３０ＫＨ
ｚのバンド幅）というかなり改良されたＣＮＲ値が得ら
れた。
【００３７】対照標準のＣＮＲ値（４５ｄＢ）と本発明
のＣＮＲ値（６２ｄＢ）との差はかなり大きいと言える
。なぜなら，６ｄＢの差があると１００％の改良が果た
されるからである。Ｇｅ−Ｔｅ−Ｍｎ系薄膜の組成を調
節することによって，さらに高いＣＮＲ値を得ることが
できる。この場合，光学ディスクの作動範囲もさらに一
層広がる。
のＣＮＲ値（６２ｄＢ）との差はかなり大きいと言える
。なぜなら，６ｄＢの差があると１００％の改良が果た
されるからである。Ｇｅ−Ｔｅ−Ｍｎ系薄膜の組成を調
節することによって，さらに高いＣＮＲ値を得ることが
できる。この場合，光学ディスクの作動範囲もさらに一
層広がる。
【００３８】比較例──前述の共蒸着法（ｃｏ−ｅｖａ
ｐｏｔａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）により，ク
ロムをドーピングしたゲルマニウム−テルル系薄膜を作
製した。得られた薄膜は，３９％のゲルマニウム，４７
％のテルル，及び１４％のクロムを含んだ組成〔（Ｇｅ
０．４５Ｔｅ０．５５）０．８６Ｃｒ１４〕を有してい
た。上記の手順に従い，スタティック・テスターを使用
して薄膜を試験した。４，５，６及び８ｍＷにてパルス
長が０．０５０ｍｓ（５０ｎｓ）の集束ダイオードレー
ザーにより暴露された部分は，非暴露部分とは識別でき
なかった。 Ｇｅ−Ｔｅ−Ｃｒ系合金の薄膜は，Ｇｅ−Ｔｅ系対照標
準ほど良好な性能をもたなかった。より長いパルス長又
はより大きなパワーにおいては，本発明の実施例のマン
ガンをドーピングした薄膜の場合に比べ，コントラスト
の大幅に減少したマークが得られた。
ｐｏｔａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）により，ク
ロムをドーピングしたゲルマニウム−テルル系薄膜を作
製した。得られた薄膜は，３９％のゲルマニウム，４７
％のテルル，及び１４％のクロムを含んだ組成〔（Ｇｅ
０．４５Ｔｅ０．５５）０．８６Ｃｒ１４〕を有してい
た。上記の手順に従い，スタティック・テスターを使用
して薄膜を試験した。４，５，６及び８ｍＷにてパルス
長が０．０５０ｍｓ（５０ｎｓ）の集束ダイオードレー
ザーにより暴露された部分は，非暴露部分とは識別でき
なかった。 Ｇｅ−Ｔｅ−Ｃｒ系合金の薄膜は，Ｇｅ−Ｔｅ系対照標
準ほど良好な性能をもたなかった。より長いパルス長又
はより大きなパワーにおいては，本発明の実施例のマン
ガンをドーピングした薄膜の場合に比べ，コントラスト
の大幅に減少したマークが得られた。
【００３９】この実施例からわかることは，予想外のこ
とであるが，Ｍｎが本発明の目的に対して適切な金属で
あるけれども，Ｃｒや元素周期表におけるＣｒ隣接元素
はそうではない，ということである。
とであるが，Ｍｎが本発明の目的に対して適切な金属で
あるけれども，Ｃｒや元素周期表におけるＣｒ隣接元素
はそうではない，ということである。
【００４０】発明の効果──本発明は，従来技術のＧｅ
−Ｔｅ系素子に比べて結晶化速度が大幅に改良された光
学式記録用素子を提供する。これらの素子は，記録感度
，搬送波対雑音比，及び熱安定性が高い。
−Ｔｅ系素子に比べて結晶化速度が大幅に改良された光
学式記録用素子を提供する。これらの素子は，記録感度
，搬送波対雑音比，及び熱安定性が高い。
Claims (1)
- 【請求項１】 式 （式中，原子比に基づいて，ｘは０．３〜０．７であり
，ｚは０より大きく最大０．４である）で示される合金
の非晶質薄膜を光学式記録用層として含む記録用素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/546,979 US5055331A (en) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | Phase-change optical recording media |
| US546979 | 2000-04-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04232780A true JPH04232780A (ja) | 1992-08-21 |
Family
ID=24182834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3161585A Pending JPH04232780A (ja) | 1990-07-02 | 1991-07-02 | 相変化光学式記録用媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5055331A (ja) |
| EP (1) | EP0464941A1 (ja) |
| JP (1) | JPH04232780A (ja) |
| CA (1) | CA2044523A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7081289B2 (en) | 2003-03-24 | 2006-07-25 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Phase-change recording material and information recording medium |
| US7105217B2 (en) | 2003-04-30 | 2006-09-12 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phase-change recording material and information recording medium |
| US7166415B2 (en) | 2002-03-05 | 2007-01-23 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Phase-change recording material used for information recording medium and information recording medium employing it |
| US7313070B2 (en) | 2002-02-13 | 2007-12-25 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium and optical recording method |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3577005B2 (ja) * | 2001-06-27 | 2004-10-13 | 株式会社日立製作所 | 図形書き込み方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0725200B2 (ja) * | 1985-05-13 | 1995-03-22 | 旭化成工業株式会社 | 情報の記録媒体 |
| CA1236693A (en) * | 1985-02-22 | 1988-05-17 | Isao Morimoto | Information recording medium |
| JPS63107008A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-05-12 | Res Dev Corp Of Japan | 高カ−回転角を有する薄膜及びその製造方法 |
| US4710452A (en) * | 1986-09-15 | 1987-12-01 | Eastman Kodak Company | Thin film amorphous optical recording films |
| DE3802999A1 (de) * | 1988-02-02 | 1989-08-10 | Basf Ag | Flaechenfoermiges, mehrschichtiges magneto-optisches aufzeichnungsmaterial |
| JP2834131B2 (ja) * | 1988-03-28 | 1998-12-09 | 株式会社日立製作所 | 情報記録用薄膜 |
-
1990
- 1990-07-02 US US07/546,979 patent/US5055331A/en not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-06-13 CA CA 2044523 patent/CA2044523A1/en not_active Abandoned
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