JP2000011451A - 光学情報記録媒体 - Google Patents
光学情報記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 繰り返しオーバーライト特性の優れた、相変
化型の光学情報記録媒体を提供する。 【解決手段】 透明基板２上に少なくとも第一誘電体保
護層３、相変化材料よりなる記録層４、第二誘電体保護
層５、反射層６が積層されてなり、書き込みレーザー光
の照射により前記記録層を非晶質化して情報を記録する
相変化型の光学情報記録媒体において、前記第二誘電体
保護層がＺｎＳと少なくとも３ｂ族、４ａ族、４ｂ族、
５ａ族元素の中の一元素とその同一元素の酸化物とから
なるようにする。これにより、記録層の非晶質状態と結
晶状態との間の光吸収率の差を抑制するようにしたの
で、オーバーライト時の記録マークのマーク形状の歪み
を低減して再生信号のジッターの増加を抑制する。
化型の光学情報記録媒体を提供する。 【解決手段】 透明基板２上に少なくとも第一誘電体保
護層３、相変化材料よりなる記録層４、第二誘電体保護
層５、反射層６が積層されてなり、書き込みレーザー光
の照射により前記記録層を非晶質化して情報を記録する
相変化型の光学情報記録媒体において、前記第二誘電体
保護層がＺｎＳと少なくとも３ｂ族、４ａ族、４ｂ族、
５ａ族元素の中の一元素とその同一元素の酸化物とから
なるようにする。これにより、記録層の非晶質状態と結
晶状態との間の光吸収率の差を抑制するようにしたの
で、オーバーライト時の記録マークのマーク形状の歪み
を低減して再生信号のジッターの増加を抑制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光照射に
より情報の記録再生を行なう相変化型の光学情報記録媒
体に係り、特に記録、再生、消去の繰り返し特性の優れ
た高密度記録に適する光学情報記録媒体に関する。
より情報の記録再生を行なう相変化型の光学情報記録媒
体に係り、特に記録、再生、消去の繰り返し特性の優れ
た高密度記録に適する光学情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】相変化型の光学情報記録媒体、例えば光
ディスクは、記録層の光学定数が結晶質と非晶質との間
で可逆的に変化することを利用して記録、再生、消去を
行なう方式を利用している。すなわち、ディスク面に書
き込みレーザー光が照射された時に、書き込みレーザー
光の照射により記録層を形成する相変化材料が昇温して
液相化した後、急速に冷却されることで非晶質化し、こ
れにより、光学定数が変化する。その光学定数の変化を
反射率の変化として検出することによって信号の読み出
し（再生）を行なうようになっている。
ディスクは、記録層の光学定数が結晶質と非晶質との間
で可逆的に変化することを利用して記録、再生、消去を
行なう方式を利用している。すなわち、ディスク面に書
き込みレーザー光が照射された時に、書き込みレーザー
光の照射により記録層を形成する相変化材料が昇温して
液相化した後、急速に冷却されることで非晶質化し、こ
れにより、光学定数が変化する。その光学定数の変化を
反射率の変化として検出することによって信号の読み出
し（再生）を行なうようになっている。
【０００３】この相変化型の光ディスクは、１本のレー
ザー光のパワーを２つのレベル間で変化させることによ
り、相変化材料の結晶化と非晶質化を選択的に行なう。
すなわち、相変化材料よりなる記録層を融点以上に上昇
させる高パワーのレーザー光を記録層に照射することに
より、記録層はレーザー光のエネルギーを吸収して溶融
液相化し、これが急速に冷却された後、非晶質状態とな
る。また、記録層を結晶化温度以上であって、融点以下
の温度領域に達するような低パワーのレーザー光を照射
したとき照射部分、すなわち非晶質部は結晶状態に変化
する。
ザー光のパワーを２つのレベル間で変化させることによ
り、相変化材料の結晶化と非晶質化を選択的に行なう。
すなわち、相変化材料よりなる記録層を融点以上に上昇
させる高パワーのレーザー光を記録層に照射することに
より、記録層はレーザー光のエネルギーを吸収して溶融
液相化し、これが急速に冷却された後、非晶質状態とな
る。また、記録層を結晶化温度以上であって、融点以下
の温度領域に達するような低パワーのレーザー光を照射
したとき照射部分、すなわち非晶質部は結晶状態に変化
する。
【０００４】従来、相変化型の光ディスクは、例えば特
開平７−１０５５７４号公報等に示すように、透明基板
上に少なくとも相変化材料よりなる記録層と誘電体保護
層と反射層を形成し、更に反射層上に保護層等を形成す
ることによって構成されている。上記反射層は相変化材
料を結晶状態から溶融状態を経て非晶質状態へ変化させ
る際の冷却速度を上げるための役割を担い、その上の誘
電体保護層は断熱層として作用する。このため、この断
熱層である誘電体保護層の厚さ、及び熱特性を最適に特
定することは相変化型の光ディスクの特性を確保する上
で極めて重要となる。
開平７−１０５５７４号公報等に示すように、透明基板
上に少なくとも相変化材料よりなる記録層と誘電体保護
層と反射層を形成し、更に反射層上に保護層等を形成す
ることによって構成されている。上記反射層は相変化材
料を結晶状態から溶融状態を経て非晶質状態へ変化させ
る際の冷却速度を上げるための役割を担い、その上の誘
電体保護層は断熱層として作用する。このため、この断
熱層である誘電体保護層の厚さ、及び熱特性を最適に特
定することは相変化型の光ディスクの特性を確保する上
で極めて重要となる。
【０００５】上記記録層の相変化材料には、一般的には
カルコゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂ
Ｔｅ系、ＩｎＳｅ系などが主に用いられ、主にスパッタ
リング法、電子ビーム真空蒸着法、もしくはそれらを組
み合わせた成膜法で成膜される。また、上記誘電体保護
層はＺｎＳとＳｉＯ2 の混合物が同様の成膜法で成膜さ
れる。しかし、一般的に生産性を考慮するとスパッタリ
ング法が多く利用されている。成膜直後の記録層の状態
は、一種の非晶質状態であり、この記録層に記録を行な
って非晶質の記録部を形成するために、記録層全体を結
晶質にしておく初期化処理が成膜直後の光ディスクに対
して行なわれる。すなわち、情報の記録はこの結晶化さ
れた状態の記録層中に非晶質部分を選択的に形成するこ
とにより達成される。
カルコゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂ
Ｔｅ系、ＩｎＳｅ系などが主に用いられ、主にスパッタ
リング法、電子ビーム真空蒸着法、もしくはそれらを組
み合わせた成膜法で成膜される。また、上記誘電体保護
層はＺｎＳとＳｉＯ2 の混合物が同様の成膜法で成膜さ
れる。しかし、一般的に生産性を考慮するとスパッタリ
ング法が多く利用されている。成膜直後の記録層の状態
は、一種の非晶質状態であり、この記録層に記録を行な
って非晶質の記録部を形成するために、記録層全体を結
晶質にしておく初期化処理が成膜直後の光ディスクに対
して行なわれる。すなわち、情報の記録はこの結晶化さ
れた状態の記録層中に非晶質部分を選択的に形成するこ
とにより達成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の相変
化型の光ディスクの構成は基板上に第一誘電体保護層、
記録層、第二誘電体保護層、反射層を順次積層した４層
構造が一般的である。この構成で比較的良好な再生信号
を確保することができる。しかしながら、この場合には
記録層の非晶質状態と結晶状態との間で光吸収率に大き
な差が生じる欠点があった。すなわち、オーバーライト
のためのレーザ光のスポット光が、非晶質状態の記録マ
ークの一部と、結晶状態の部分とに股がって照射されて
オーバーライト記録が行われる際、非晶質状態の光吸収
率が結晶状態の光吸収率よりも大きいため、非晶質状態
の記録マークの上にオーバーライトした記録マークのほ
うが、結晶状態の消去部に記録した記録マークよりマー
ク形状が大きくなるか、もしくは歪みを生じるという問
題があった。その結果、マーク形状の不均一性に起因し
て繰り返しオーバーライト性能が阻害されてしまうとい
う不都合があった。
化型の光ディスクの構成は基板上に第一誘電体保護層、
記録層、第二誘電体保護層、反射層を順次積層した４層
構造が一般的である。この構成で比較的良好な再生信号
を確保することができる。しかしながら、この場合には
記録層の非晶質状態と結晶状態との間で光吸収率に大き
な差が生じる欠点があった。すなわち、オーバーライト
のためのレーザ光のスポット光が、非晶質状態の記録マ
ークの一部と、結晶状態の部分とに股がって照射されて
オーバーライト記録が行われる際、非晶質状態の光吸収
率が結晶状態の光吸収率よりも大きいため、非晶質状態
の記録マークの上にオーバーライトした記録マークのほ
うが、結晶状態の消去部に記録した記録マークよりマー
ク形状が大きくなるか、もしくは歪みを生じるという問
題があった。その結果、マーク形状の不均一性に起因し
て繰り返しオーバーライト性能が阻害されてしまうとい
う不都合があった。
【０００７】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、繰り返しオーバーライト特性の優れた、相変
化型の光学情報記録媒体を提供することにある。
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、繰り返しオーバーライト特性の優れた、相変
化型の光学情報記録媒体を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、透明基板上に少なくとも第一誘電体保
護層、相変化材料よりなる記録層、第二誘電体保護層、
反射層が積層されてなり、書き込みレーザー光の照射に
より前記記録層を非晶質化して情報を記録する相変化型
の光学情報記録媒体において、前記第二誘電体保護層が
ＺｎＳと少なくとも３ｂ族、４ａ族、４ｂ族、５ａ族元
素の中の一元素とその同一元素の酸化物とからなるよう
にしたものである。
解決するために、透明基板上に少なくとも第一誘電体保
護層、相変化材料よりなる記録層、第二誘電体保護層、
反射層が積層されてなり、書き込みレーザー光の照射に
より前記記録層を非晶質化して情報を記録する相変化型
の光学情報記録媒体において、前記第二誘電体保護層が
ＺｎＳと少なくとも３ｂ族、４ａ族、４ｂ族、５ａ族元
素の中の一元素とその同一元素の酸化物とからなるよう
にしたものである。
【０００９】これにより、記録層の非晶質状態と結晶状
態との間の光吸収率の差を小さくでき、オーバーライト
時の記録マークのマーク形状の歪みを低減することが可
能となる。すなわち、非晶質状態の記録マークの上にオ
ーバーライトした記録マークが、結晶状態の消去部に記
録した記録マークとマーク形状が同等となり、また形状
の歪みを生じないように非晶質状態と結晶状態の光吸収
率を調整することによって、繰り返しオーバーライト時
のジッターの増加を抑制することができる。
態との間の光吸収率の差を小さくでき、オーバーライト
時の記録マークのマーク形状の歪みを低減することが可
能となる。すなわち、非晶質状態の記録マークの上にオ
ーバーライトした記録マークが、結晶状態の消去部に記
録した記録マークとマーク形状が同等となり、また形状
の歪みを生じないように非晶質状態と結晶状態の光吸収
率を調整することによって、繰り返しオーバーライト時
のジッターの増加を抑制することができる。
【００１０】この場合、前記第二誘電体保護層を構成す
る少なくとも３ｂ族、４ａ族、４ｂ族、５ａ族元素の中
の一元素が１０原子％以下であるようにすれば、マーク
形状の歪みを大幅に低減することができる。
る少なくとも３ｂ族、４ａ族、４ｂ族、５ａ族元素の中
の一元素が１０原子％以下であるようにすれば、マーク
形状の歪みを大幅に低減することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の光学情報記録媒
体の一実施例について添付図面を参照して詳述する。図
１は本発明の光学情報記録媒体を示す部分拡大断面図で
ある。図１では相変化型の光学情報記録媒体としての光
ディスクの基本的な構成を示しており、図１に示すよう
にこの光ディスク１は、透明基板２上に第一誘電体保護
層３、記録層４、第二誘電体保護層５、反射層６、保護
層７が順次積層された構成になっている。上記透明基板
２は、凹部状になされたグルーブを有し、材質としては
ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アク
リル系樹脂、石英、ガラス等が使用できる。上記記録層
４には例えばカルコゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ
系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＳｂ系、ＧｅＴ
ｅ系などの相変化材料が使用可能であるが、これらには
限定されない。また、それらに金属を添加した組成構成
の材料も使用可能である。
体の一実施例について添付図面を参照して詳述する。図
１は本発明の光学情報記録媒体を示す部分拡大断面図で
ある。図１では相変化型の光学情報記録媒体としての光
ディスクの基本的な構成を示しており、図１に示すよう
にこの光ディスク１は、透明基板２上に第一誘電体保護
層３、記録層４、第二誘電体保護層５、反射層６、保護
層７が順次積層された構成になっている。上記透明基板
２は、凹部状になされたグルーブを有し、材質としては
ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アク
リル系樹脂、石英、ガラス等が使用できる。上記記録層
４には例えばカルコゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ
系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＳｂ系、ＧｅＴ
ｅ系などの相変化材料が使用可能であるが、これらには
限定されない。また、それらに金属を添加した組成構成
の材料も使用可能である。
【００１２】上記第一誘電体保護層３はＺｎＳを主な第
一成分として、これとＡｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＳｉＯ
2 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、ＢｅＯ、ＭｇＯ、Ｙ2 Ｏ3 、
ＨｆＯ2 等の酸化物の少なくとも一種類との混合物から
なる誘電体保護層が使用可能であるが、望ましくはＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 を用いる。反射層６側に位置する本発明の
特徴的な第二誘電体保護層５は、３ｂ族、４ａ族、４ｂ
族、５ａ族元素の中から例えば、少なくともＡｌ、Ｇ
ａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐ
ｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔｓの一元素とその同一元素の酸化物と
ＺｎＳとの混合物が使用可能である。また、混合物中に
存在する単一元素の濃度は、１０原子％以下であること
が望ましい。この濃度が１０原子％よりも大きいと、第
二誘電体保護層５の熱伝導率が大きくなり、記録層４に
対して投入したレーザーパワーが第二誘電体保護層５を
通して拡散し易くなるという現象が起きる。すなわち、
記録感度が下がるため、記録に際し、過大なレーザーパ
ワーを要するか、若しくは十分なレーザーパワーが得ら
れない場合、記録が不十分になるという問題が生ずる。
一成分として、これとＡｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＳｉＯ
2 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、ＢｅＯ、ＭｇＯ、Ｙ2 Ｏ3 、
ＨｆＯ2 等の酸化物の少なくとも一種類との混合物から
なる誘電体保護層が使用可能であるが、望ましくはＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 を用いる。反射層６側に位置する本発明の
特徴的な第二誘電体保護層５は、３ｂ族、４ａ族、４ｂ
族、５ａ族元素の中から例えば、少なくともＡｌ、Ｇ
ａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐ
ｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔｓの一元素とその同一元素の酸化物と
ＺｎＳとの混合物が使用可能である。また、混合物中に
存在する単一元素の濃度は、１０原子％以下であること
が望ましい。この濃度が１０原子％よりも大きいと、第
二誘電体保護層５の熱伝導率が大きくなり、記録層４に
対して投入したレーザーパワーが第二誘電体保護層５を
通して拡散し易くなるという現象が起きる。すなわち、
記録感度が下がるため、記録に際し、過大なレーザーパ
ワーを要するか、若しくは十分なレーザーパワーが得ら
れない場合、記録が不十分になるという問題が生ずる。
【００１３】反射層６には、照射レーザー光の反射率が
良好な金属膜、例えばＡｌを主成分とし、これとＣｕ、
Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ等の金属との混合物或いは
Ａｕなどが使用可能である。また、保護層７としては、
熱硬化樹脂もしくは紫外線硬化樹脂を使用できる。以上
のような構成を有する相変化型の光ディスク１を具体的
な実施例１〜６によって詳細に説明する。
良好な金属膜、例えばＡｌを主成分とし、これとＣｕ、
Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ等の金属との混合物或いは
Ａｕなどが使用可能である。また、保護層７としては、
熱硬化樹脂もしくは紫外線硬化樹脂を使用できる。以上
のような構成を有する相変化型の光ディスク１を具体的
な実施例１〜６によって詳細に説明する。
【００１４】＜実施例１＞厚さ１．２ｍｍ、トラックピ
ッチ１．６μｍの連続溝、すなわちグルーブを有するポ
リカーボネートディスク基板を透明基板２とし、この上
に第一誘電体保護層３、相変化型材料よりなる記録層
４、第二誘電体保護層５、反射層６、保護層７を順次積
層し、相変化型の光ディスクを形成した。尚、基板２の
厚さは１．２ｍｍに限定せず、０．６ｍｍでも良く、ま
た、他の厚さでもよい。製造工程は、まず透明基板２上
にＺｎＳ、ＳｉＯ2 の２成分よりなるターゲットを用
い、ＲＦスパッタリング法により１００ｎｍの厚みの第
一誘電体保護層３を形成した。次に、この第一誘電体保
護層３の上に相変化材料としてＧｅＳｂＴｅ系合金をＤ
Ｃスパッタリング法で２０ｎｍの厚みで成膜して記録層
４を形成した。更に、ＺｎＳ、４ｂ族のＳｉ、ＳｉＯ2
の３成分よりなるターゲットを用意し、ＲＦスパッタリ
ング法により第二誘電体保護層５を２０ｎｍの厚さで形
成した。
ッチ１．６μｍの連続溝、すなわちグルーブを有するポ
リカーボネートディスク基板を透明基板２とし、この上
に第一誘電体保護層３、相変化型材料よりなる記録層
４、第二誘電体保護層５、反射層６、保護層７を順次積
層し、相変化型の光ディスクを形成した。尚、基板２の
厚さは１．２ｍｍに限定せず、０．６ｍｍでも良く、ま
た、他の厚さでもよい。製造工程は、まず透明基板２上
にＺｎＳ、ＳｉＯ2 の２成分よりなるターゲットを用
い、ＲＦスパッタリング法により１００ｎｍの厚みの第
一誘電体保護層３を形成した。次に、この第一誘電体保
護層３の上に相変化材料としてＧｅＳｂＴｅ系合金をＤ
Ｃスパッタリング法で２０ｎｍの厚みで成膜して記録層
４を形成した。更に、ＺｎＳ、４ｂ族のＳｉ、ＳｉＯ2
の３成分よりなるターゲットを用意し、ＲＦスパッタリ
ング法により第二誘電体保護層５を２０ｎｍの厚さで形
成した。
【００１５】更に、この第二誘電体保護層５上に、Ａｌ
合金の反射層６を１５０ｎｍの厚みで形成した。最後に
この上に、紫外線硬化樹脂をスピンコート法により５〜
１０μｍの厚みで塗布して紫外線硬化させ、保護層７を
形成した。記録層４は成膜直後、一種の非晶質状態であ
るため、これを結晶状態に変換する初期化処理を行なっ
た。すなわち、スポット径が半径方向にトラックピッチ
の約４倍のレーザー光源を用い、記録層４が結晶化温度
と溶融温度の間の温度になるようにレーザーパワーを調
整し、回転しているディスクにレーザー光を連続的に照
射し初期化を行なった。以上の経過を経て相変化型の光
ディスクを作製した。
合金の反射層６を１５０ｎｍの厚みで形成した。最後に
この上に、紫外線硬化樹脂をスピンコート法により５〜
１０μｍの厚みで塗布して紫外線硬化させ、保護層７を
形成した。記録層４は成膜直後、一種の非晶質状態であ
るため、これを結晶状態に変換する初期化処理を行なっ
た。すなわち、スポット径が半径方向にトラックピッチ
の約４倍のレーザー光源を用い、記録層４が結晶化温度
と溶融温度の間の温度になるようにレーザーパワーを調
整し、回転しているディスクにレーザー光を連続的に照
射し初期化を行なった。以上の経過を経て相変化型の光
ディスクを作製した。
【００１６】このようにして作製した光ディスクを回転
し、動的な測定評価を行なった。照射レーザー光の波長
は６８５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．６０、線
速度は６．０ｍ／ｓ、記録パワーは１１．０ｍＷ、消去
パワーは４．５ｍＷとし、８−１６変調のランダム信号
を記録した。また、再生パワーは１．０ｍＷとした。繰
り返しオーバーライト特性は多数回記録、消去を行なっ
た後で最短マークである３Ｔ信号のジッター（σ）を測
定し、オーバーライト回数によるジッターの変化の様子
を観測した。その結果、本実施例で作製した相変化型の
光ディスクはオーバーライト回数が１０5 回を越えても
ジッターの増加が、従来の光ディスクに較べて顕著に少
ない優れた特性を示した。
し、動的な測定評価を行なった。照射レーザー光の波長
は６８５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．６０、線
速度は６．０ｍ／ｓ、記録パワーは１１．０ｍＷ、消去
パワーは４．５ｍＷとし、８−１６変調のランダム信号
を記録した。また、再生パワーは１．０ｍＷとした。繰
り返しオーバーライト特性は多数回記録、消去を行なっ
た後で最短マークである３Ｔ信号のジッター（σ）を測
定し、オーバーライト回数によるジッターの変化の様子
を観測した。その結果、本実施例で作製した相変化型の
光ディスクはオーバーライト回数が１０5 回を越えても
ジッターの増加が、従来の光ディスクに較べて顕著に少
ない優れた特性を示した。
【００１７】＜実施例２＞前記した第二誘電体保護層５
を以下の方法で作製した。すなわち、ＺｎＳ、５ａ族の
Ｔａ、Ｔａ2 Ｏ5 の３成分よりなるターゲットを用意
し、ＲＦスパッタリング法により第二誘電体保護層５を
２０ｎｍの厚さで形成した。また、第二誘電体保護層５
以外の構成は実施例１と同様にして、以下の相変化型の
光ディスクを作製した。すなわち、厚さが０．６ｍｍ、
トラックピッチが１．６μｍの連続溝を有するポリカー
ボネートディスク基板２上に膜厚が１００ｎｍのＺｎ
Ｓ、ＳｉＯ2 の２成分よりなる第一誘電体保護層３、膜
厚が２０ｎｍのＧｅＳｂＴｅ系合金の記録層４、膜厚が
２０ｎｍのＺｎＳ、５ａ族のＴａ、Ｔａ2 Ｏ5 の３成分
よりなる第二誘電体保護層５、膜厚が１５０ｎｍのＡｌ
合金の反射層６を順次形成した。記録再生特性を測定す
るに際し、実施例１と同様に一種の非晶質状態にある記
録膜を結晶化する初期化処理を行なった。動的な測定評
価を実施例１と同様な方法で行なったところ、実施例１
と同様にオーバーライト回数が１０5 回を越えてもジッ
ターの増加が、従来の光ディスクに較べて顕著に少ない
優れた特性を示した。
を以下の方法で作製した。すなわち、ＺｎＳ、５ａ族の
Ｔａ、Ｔａ2 Ｏ5 の３成分よりなるターゲットを用意
し、ＲＦスパッタリング法により第二誘電体保護層５を
２０ｎｍの厚さで形成した。また、第二誘電体保護層５
以外の構成は実施例１と同様にして、以下の相変化型の
光ディスクを作製した。すなわち、厚さが０．６ｍｍ、
トラックピッチが１．６μｍの連続溝を有するポリカー
ボネートディスク基板２上に膜厚が１００ｎｍのＺｎ
Ｓ、ＳｉＯ2 の２成分よりなる第一誘電体保護層３、膜
厚が２０ｎｍのＧｅＳｂＴｅ系合金の記録層４、膜厚が
２０ｎｍのＺｎＳ、５ａ族のＴａ、Ｔａ2 Ｏ5 の３成分
よりなる第二誘電体保護層５、膜厚が１５０ｎｍのＡｌ
合金の反射層６を順次形成した。記録再生特性を測定す
るに際し、実施例１と同様に一種の非晶質状態にある記
録膜を結晶化する初期化処理を行なった。動的な測定評
価を実施例１と同様な方法で行なったところ、実施例１
と同様にオーバーライト回数が１０5 回を越えてもジッ
ターの増加が、従来の光ディスクに較べて顕著に少ない
優れた特性を示した。
【００１８】＜実施例３＞前記した第二誘電体保護層５
を以下の方法で作製した。すなわち、ＺｎＳ、３ｂ族の
Ａｌ、Ａｌ2 Ｏ3 の３成分よりなるターゲットを用意
し、ＲＦスパッタリング法により第二誘電体保護層５を
２０ｎｍの厚さで形成した。また、第二誘電体保護層５
以外の構成は実施例１と同様にして、以下の相変化型の
光ディスクを作製した。すなわち、厚さが０．６ｍｍ、
トラックピッチが１．６μｍの連続溝を有するポリカー
ボネートディスク基板２上に膜厚が１００ｎｍのＺｎ
Ｓ、ＳｉＯ2 の２成分よりなる第一誘電体保護層３、膜
厚が２０ｎｍのＧｅＳｂＴｅ系合金の記録層４、膜厚が
２０ｎｍのＺｎＳ、３ｂ族のＡｌ、Ａｌ2 Ｏ3 の３成分
よりなる第二誘電体保護層５、膜厚が１５０ｎｍのＡｌ
合金の反射層６を順次形成した。記録再生特性を測定す
るに際し、実施例１と同様に一種の非晶質状態にある記
録膜を結晶化する初期化処理を行なった。動的な測定評
価を実施例１と同様な方法で行なったところ、実施例１
と同様にオーバーライト回数が１０5 を越えてもジッタ
ーの増加が、従来の光ディスクに較べて顕著に少ない優
れた特性を示した。
を以下の方法で作製した。すなわち、ＺｎＳ、３ｂ族の
Ａｌ、Ａｌ2 Ｏ3 の３成分よりなるターゲットを用意
し、ＲＦスパッタリング法により第二誘電体保護層５を
２０ｎｍの厚さで形成した。また、第二誘電体保護層５
以外の構成は実施例１と同様にして、以下の相変化型の
光ディスクを作製した。すなわち、厚さが０．６ｍｍ、
トラックピッチが１．６μｍの連続溝を有するポリカー
ボネートディスク基板２上に膜厚が１００ｎｍのＺｎ
Ｓ、ＳｉＯ2 の２成分よりなる第一誘電体保護層３、膜
厚が２０ｎｍのＧｅＳｂＴｅ系合金の記録層４、膜厚が
２０ｎｍのＺｎＳ、３ｂ族のＡｌ、Ａｌ2 Ｏ3 の３成分
よりなる第二誘電体保護層５、膜厚が１５０ｎｍのＡｌ
合金の反射層６を順次形成した。記録再生特性を測定す
るに際し、実施例１と同様に一種の非晶質状態にある記
録膜を結晶化する初期化処理を行なった。動的な測定評
価を実施例１と同様な方法で行なったところ、実施例１
と同様にオーバーライト回数が１０5 を越えてもジッタ
ーの増加が、従来の光ディスクに較べて顕著に少ない優
れた特性を示した。
【００１９】＜実施例４＞前記した第二誘電体保護層５
を以下の方法で作製した。すなわち、ＺｎＳ、４ａ族の
Ｚｒ、ＺｒＯ2 の３成分よりなるターゲットを用意し、
ＲＦスパッタリング法により第二誘電体保護層５を２０
ｎｍの厚さで形成した。また、第二誘電体保護層５以外
の構成は実施例１と同様にして、以下の相変化型の光デ
ィスクを作製した。すなわち、厚さが０．６ｍｍ、トラ
ックピッチが１．６μｍの連続溝を有するポリカーボネ
ートディスク基板２上に膜厚が１００ｎｍのＺｎＳ、Ｓ
ｉＯ2 の２成分よりなる第一誘電体保護層３、膜厚が２
０ｎｍのＧｅＳｂＴｅ系合金の記録層４、膜厚が２０ｎ
ｍのＺｎＳ、４ａ族のＺｒ、ＺｒＯ2 の３成分よりなる
第二誘電体保護層５、膜厚が１５０ｎｍのＡｌ合金の反
射層６を順次形成した。記録再生特性を測定に際し、実
施例１と同様に一種の非晶質状態にある記録膜を結晶化
する初期化処理を行なった。動的な測定評価を実施例１
と同様な方法で行なったところ、実施例１と同様にオー
バーライト回数が１０5 を越えてもジッターの増加が、
従来の光ディスクに較べて顕著に少ない優れた特性を示
した。
を以下の方法で作製した。すなわち、ＺｎＳ、４ａ族の
Ｚｒ、ＺｒＯ2 の３成分よりなるターゲットを用意し、
ＲＦスパッタリング法により第二誘電体保護層５を２０
ｎｍの厚さで形成した。また、第二誘電体保護層５以外
の構成は実施例１と同様にして、以下の相変化型の光デ
ィスクを作製した。すなわち、厚さが０．６ｍｍ、トラ
ックピッチが１．６μｍの連続溝を有するポリカーボネ
ートディスク基板２上に膜厚が１００ｎｍのＺｎＳ、Ｓ
ｉＯ2 の２成分よりなる第一誘電体保護層３、膜厚が２
０ｎｍのＧｅＳｂＴｅ系合金の記録層４、膜厚が２０ｎ
ｍのＺｎＳ、４ａ族のＺｒ、ＺｒＯ2 の３成分よりなる
第二誘電体保護層５、膜厚が１５０ｎｍのＡｌ合金の反
射層６を順次形成した。記録再生特性を測定に際し、実
施例１と同様に一種の非晶質状態にある記録膜を結晶化
する初期化処理を行なった。動的な測定評価を実施例１
と同様な方法で行なったところ、実施例１と同様にオー
バーライト回数が１０5 を越えてもジッターの増加が、
従来の光ディスクに較べて顕著に少ない優れた特性を示
した。
【００２０】＜実施例５＞前記した第二誘電体保護層５
を以下の方法で作製した。すなわち、ＺｎＳ、４ａ族の
Ｔｉ、ＴｉＯ2 の３成分よりなるターゲットを用意し、
ＲＦスパッタリング法により第二誘電体保護層５を２０
ｎｍの厚さで形成した。また、第二誘電体保護層５以外
の構成は実施例１と同様にして、以下の相変化型の光デ
ィスクを作製した。すなわち、厚さが０．６ｍｍ、トラ
ックピッチが１．６μｍの連続溝を有するポリカーボネ
ートディスク基板２上に膜厚が１１０ｎｍのＺｎＳ、Ｓ
ｉＯ2 の２成分よりなる第一誘電体保護層３、膜厚が２
０ｎｍのＧｅＳｂＴｅ系合金の記録層４、膜厚が２０ｎ
ｍのＺｎＳ、４ａ族のＴｉ、ＴｉＯ2 の３成分よりなる
第二誘電体保護層５、膜厚が１５０ｎｍのＡｌ合金の反
射層６を順次形成した。記録再生特性を測定するに際
し、実施例１と同様に一種の非晶質状態にある記録膜を
結晶化する初期化処理を行なった。動的な測定評価を実
施例１と同様な方法で行なったところ、実施例１と同様
にオーバーライト回数が１０5 を越えてもジッターの増
加が、従来の光ディスクに較べて顕著に少ない優れた特
性を示した。
を以下の方法で作製した。すなわち、ＺｎＳ、４ａ族の
Ｔｉ、ＴｉＯ2 の３成分よりなるターゲットを用意し、
ＲＦスパッタリング法により第二誘電体保護層５を２０
ｎｍの厚さで形成した。また、第二誘電体保護層５以外
の構成は実施例１と同様にして、以下の相変化型の光デ
ィスクを作製した。すなわち、厚さが０．６ｍｍ、トラ
ックピッチが１．６μｍの連続溝を有するポリカーボネ
ートディスク基板２上に膜厚が１１０ｎｍのＺｎＳ、Ｓ
ｉＯ2 の２成分よりなる第一誘電体保護層３、膜厚が２
０ｎｍのＧｅＳｂＴｅ系合金の記録層４、膜厚が２０ｎ
ｍのＺｎＳ、４ａ族のＴｉ、ＴｉＯ2 の３成分よりなる
第二誘電体保護層５、膜厚が１５０ｎｍのＡｌ合金の反
射層６を順次形成した。記録再生特性を測定するに際
し、実施例１と同様に一種の非晶質状態にある記録膜を
結晶化する初期化処理を行なった。動的な測定評価を実
施例１と同様な方法で行なったところ、実施例１と同様
にオーバーライト回数が１０5 を越えてもジッターの増
加が、従来の光ディスクに較べて顕著に少ない優れた特
性を示した。
【００２１】＜実施例６＞前記した第二誘電体保護層５
を以下の方法で作製した。すなわち、ＺｎＳ、４ｂ族の
Ｓｉ、４ａ族のＴｉ、ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 の５成分より
なるターゲットを用意し、ＲＦスパッタリング法により
第二誘電体保護層５を２０ｎｍの厚さで形成した。ま
た、第二誘電体保護層５以外の構成は実施例１と同様に
して、以下の相変化型の光ディスクを作製した。すなわ
ち、厚さが０．６ｍｍ、トラックピッチが１．６μｍの
連続溝を有するポリカーボネートディスク基板２上に膜
厚が１００ｎｍのＺｎＳ、ＳｉＯ2 の２成分よりなる第
一誘電体保護層３、膜厚が２０ｎｍのＧｅＳｂＴｅ系合
金の記録層４、膜厚が２０ｎｍのＺｎＳ、Ｓｉ、Ｔｉ、
ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 の５成分よりなる第二誘電体保護層
５、膜厚が２３０ｎｍのＡｌ合金の反射層６を順次形成
した。記録再生特性を測定するに際し、実施例１と同様
に一種の非晶質状態にある記録膜を結晶化する初期化処
理を行なった。動的な測定評価を実施例１と同様な方法
で行なったところ、実施例１と同様にオーバーライト回
数が１０5 を越えてもジッターの増加が、従来の光ディ
スクに較べて顕著に少ない優れた特性を示した。
を以下の方法で作製した。すなわち、ＺｎＳ、４ｂ族の
Ｓｉ、４ａ族のＴｉ、ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 の５成分より
なるターゲットを用意し、ＲＦスパッタリング法により
第二誘電体保護層５を２０ｎｍの厚さで形成した。ま
た、第二誘電体保護層５以外の構成は実施例１と同様に
して、以下の相変化型の光ディスクを作製した。すなわ
ち、厚さが０．６ｍｍ、トラックピッチが１．６μｍの
連続溝を有するポリカーボネートディスク基板２上に膜
厚が１００ｎｍのＺｎＳ、ＳｉＯ2 の２成分よりなる第
一誘電体保護層３、膜厚が２０ｎｍのＧｅＳｂＴｅ系合
金の記録層４、膜厚が２０ｎｍのＺｎＳ、Ｓｉ、Ｔｉ、
ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 の５成分よりなる第二誘電体保護層
５、膜厚が２３０ｎｍのＡｌ合金の反射層６を順次形成
した。記録再生特性を測定するに際し、実施例１と同様
に一種の非晶質状態にある記録膜を結晶化する初期化処
理を行なった。動的な測定評価を実施例１と同様な方法
で行なったところ、実施例１と同様にオーバーライト回
数が１０5 を越えてもジッターの増加が、従来の光ディ
スクに較べて顕著に少ない優れた特性を示した。
【００２２】＜比較例＞厚さが１．２ｍｍ、トラックピ
ッチが１．６μｍの連続溝を有するポリカーボネート製
ディスク基板上に誘電体保護層、相変化材料層、誘電体
保護層、反射層を順次積層して相変化型光ディスクを形
成した。まず、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 の２成分よりなるター
ゲットを用い、ＲＦスパッタリング法により１００ｎｍ
の第一の誘電体保護層を形成した。次に、この誘電体保
護層の上に相変化材料層としてＧｅＳｂＴｅ系合金をＤ
Ｃスパッタリング法で２０ｎｍ成膜した。更にＺｎＳ、
ＳｉＯ2 の２成分よりなるターゲットを用意し、ＲＦス
パッタリング法により第二の誘電体保護層を２０ｎｍの
厚さで形成した。更に、この第二の誘電体保護層上に、
Ａｌ合金の反射層を１５０ｎｍの厚さで形成した。最後
にこの上に、紫外線硬化樹脂をスピンコート法により５
〜１０μｍの厚さで塗布し、紫外線硬化させて保護層を
形成した。記録層は成膜直後、一種の非晶質状態である
ため結晶状態にする初期化処理を行なった。以上の経過
を経て相変化型の光ディスクを作製した。
ッチが１．６μｍの連続溝を有するポリカーボネート製
ディスク基板上に誘電体保護層、相変化材料層、誘電体
保護層、反射層を順次積層して相変化型光ディスクを形
成した。まず、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 の２成分よりなるター
ゲットを用い、ＲＦスパッタリング法により１００ｎｍ
の第一の誘電体保護層を形成した。次に、この誘電体保
護層の上に相変化材料層としてＧｅＳｂＴｅ系合金をＤ
Ｃスパッタリング法で２０ｎｍ成膜した。更にＺｎＳ、
ＳｉＯ2 の２成分よりなるターゲットを用意し、ＲＦス
パッタリング法により第二の誘電体保護層を２０ｎｍの
厚さで形成した。更に、この第二の誘電体保護層上に、
Ａｌ合金の反射層を１５０ｎｍの厚さで形成した。最後
にこの上に、紫外線硬化樹脂をスピンコート法により５
〜１０μｍの厚さで塗布し、紫外線硬化させて保護層を
形成した。記録層は成膜直後、一種の非晶質状態である
ため結晶状態にする初期化処理を行なった。以上の経過
を経て相変化型の光ディスクを作製した。
【００２３】このようにして作製したディスクを実施例
１と同様に動的な測定評価を行なった。その結果、この
相変化型光ディスクはオーバーライト回数が１０4 回を
越える近傍から徐々にジッターが増加する傾向を示し
た。このように、第二の誘電体保護層を２成分のみの合
金材料で形成すると、オーバーライト回数特性が低下す
ることが判明した。尚、上記実施例における光ディスク
の構造は単に一例を示したに過ぎず、記録層と反射層と
の間に誘電体保護層を設けた光ディスクならば、本発明
はどのような形式の光ディスクにも適用できるのは勿論
である。
１と同様に動的な測定評価を行なった。その結果、この
相変化型光ディスクはオーバーライト回数が１０4 回を
越える近傍から徐々にジッターが増加する傾向を示し
た。このように、第二の誘電体保護層を２成分のみの合
金材料で形成すると、オーバーライト回数特性が低下す
ることが判明した。尚、上記実施例における光ディスク
の構造は単に一例を示したに過ぎず、記録層と反射層と
の間に誘電体保護層を設けた光ディスクならば、本発明
はどのような形式の光ディスクにも適用できるのは勿論
である。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光学情報
記録媒体によれば、次のように優れた作用効果を発揮す
ることができる。第二誘電体保護層の材料を限定するこ
とによって、記録層の非晶質状態と結晶状態との間の光
吸収率の差を抑制するようにしたので、オーバーライト
時の記録マークのマーク形状の歪みを低減でき、再生信
号のジッターの増加を小さく抑えることができる。その
結果、相変化型の光学情報記録媒体の繰り返しオーバー
ライト特性を向上させることができる。
記録媒体によれば、次のように優れた作用効果を発揮す
ることができる。第二誘電体保護層の材料を限定するこ
とによって、記録層の非晶質状態と結晶状態との間の光
吸収率の差を抑制するようにしたので、オーバーライト
時の記録マークのマーク形状の歪みを低減でき、再生信
号のジッターの増加を小さく抑えることができる。その
結果、相変化型の光学情報記録媒体の繰り返しオーバー
ライト特性を向上させることができる。
【図１】本発明の光学情報記録媒体を示す部分拡大断面
図である。
図である。
１…光ディスク（光学情報記録媒体）、２…透明基板、
３…第一誘電体保護層、４…記録層、５…第二誘電体保
護層、６…反射層、７…保護層。
３…第一誘電体保護層、４…記録層、５…第二誘電体保
護層、６…反射層、７…保護層。
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板上に少なくとも第一誘電体保護
層、相変化材料よりなる記録層、第二誘電体保護層、反
射層が積層されてなり、書き込みレーザー光の照射によ
り前記記録層を非晶質化して情報を記録する相変化型の
光学情報記録媒体において、前記第二誘電体保護層がＺ
ｎＳと少なくとも３ｂ族、４ａ族、４ｂ族、５ａ族元素
の中の一元素とその同一元素の酸化物とからなることを
特徴とする光学情報記録媒体。 - 【請求項２】 前記第二誘電体保護層を構成する少なく
とも３ｂ族、４ａ族、４ｂ族、５ａ族元素の中の一元素
が１０原子％以下であることを特徴とする請求項１記載
の光学情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10189673A JP2000011451A (ja) | 1998-06-19 | 1998-06-19 | 光学情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10189673A JP2000011451A (ja) | 1998-06-19 | 1998-06-19 | 光学情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000011451A true JP2000011451A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=16245273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10189673A Pending JP2000011451A (ja) | 1998-06-19 | 1998-06-19 | 光学情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000011451A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003282403A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用保持体 |
-
1998
- 1998-06-19 JP JP10189673A patent/JP2000011451A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003282403A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用保持体 |
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