JPS5916154A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
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- JPS5916154A JPS5916154A JP57124626A JP12462682A JPS5916154A JP S5916154 A JPS5916154 A JP S5916154A JP 57124626 A JP57124626 A JP 57124626A JP 12462682 A JP12462682 A JP 12462682A JP S5916154 A JPS5916154 A JP S5916154A
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/2432—Oxygen
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔利用分野〕
本発明は光学的記録材料に関するものであり、レーザ光
等の光及び熱エネルギーを用いて情報を高密度ｒｃ記録
し、且つ再生可能な記録媒体に関する。
等の光及び熱エネルギーを用いて情報を高密度ｒｃ記録
し、且つ再生可能な記録媒体に関する。
レーザ光！！ｉ！を利用して高密度な情報の記録・再生
を行う装置及び技術は公知である。そして光学的記録材
料については、レーザ光の照射によシ、ビット（四部）
を形成するものとへ、照射部の光学的特性（例えば、反
射率、吸収係数、屈折率）を変化させるものとがある。
を行う装置及び技術は公知である。そして光学的記録材
料については、レーザ光の照射によシ、ビット（四部）
を形成するものとへ、照射部の光学的特性（例えば、反
射率、吸収係数、屈折率）を変化させるものとがある。
前者は、レーザ光等のエネルギービームを照射して、基
板上の金属等の薄膜を溶融あるいは蒸発させビットを形
成するものである。この方式の記録材料の代表例として
は、低融点金属であるＢｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ｉｎ等
の単体金属及び合金である。後者は、レーザ光照射によ
シ、基板上の薄膜の光学的な性質の変化な生ぜしめるも
のである。
板上の金属等の薄膜を溶融あるいは蒸発させビットを形
成するものである。この方式の記録材料の代表例として
は、低融点金属であるＢｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ｉｎ等
の単体金属及び合金である。後者は、レーザ光照射によ
シ、基板上の薄膜の光学的な性質の変化な生ぜしめるも
のである。
即ち、物質の相転移あるいは原子間の結合状態を替えて
１反射率、透過率あるいは屈折率等の光学的性質の変化
を行うものである。本発明は、所かる後者の茗式１ｃｐ
Ａする。
１反射率、透過率あるいは屈折率等の光学的性質の変化
を行うものである。本発明は、所かる後者の茗式１ｃｐ
Ａする。
前記光学的性質の変化を利用する記録材料の代表例とし
てカルコゲン化物が知られている。即ち、酸素を除く周
期率表の第六族の元素Ｓ、Ｓθ、Ｔｅ等の金属あるいは
半金属の化合物薄膜である。
てカルコゲン化物が知られている。即ち、酸素を除く周
期率表の第六族の元素Ｓ、Ｓθ、Ｔｅ等の金属あるいは
半金属の化合物薄膜である。
例えば、特公昭５４−３７２５’８にテルル低酸化１Ｔ
ｅｏｘ （０＜Ｘ＜２．０ ）を主成分とする材料につ
いて報告されている。
ｅｏｘ （０＜Ｘ＜２．０ ）を主成分とする材料につ
いて報告されている。
これは、非晶質状態から結晶状態あるいは他の非晶質状
態への相転移による光学的特性への変化によるものであ
る。テルル低酸化物はレーザ光照射による加熱昇温によ
り黒化する。熱黒化転移温度はＴｅ成分の駿により異々
す、Ｔｅ成分が多いと転移温度が低く、反対にＴｅ成分
が少ないと転移温度は高い。Ｘｍ０．８〜１．２ の間
で、熱黒化転移温度は８０℃〜１５０’Ｃである。Ｔｅ
ＯＸ、Ｘ鑵１．１の薄膜（厚み１２００Ｘ）について
、半導体レーザ波長で透過率が１５％から５％へと減少
し、反射率が１５％から３０９６へと増加する。
態への相転移による光学的特性への変化によるものであ
る。テルル低酸化物はレーザ光照射による加熱昇温によ
り黒化する。熱黒化転移温度はＴｅ成分の駿により異々
す、Ｔｅ成分が多いと転移温度が低く、反対にＴｅ成分
が少ないと転移温度は高い。Ｘｍ０．８〜１．２ の間
で、熱黒化転移温度は８０℃〜１５０’Ｃである。Ｔｅ
ＯＸ、Ｘ鑵１．１の薄膜（厚み１２００Ｘ）について
、半導体レーザ波長で透過率が１５％から５％へと減少
し、反射率が１５％から３０９６へと増加する。
ところで、信号を記録再生する場合、Ｓ／Ｎ比の点から
光学的特性変化が大きいことが望しい。
光学的特性変化が大きいことが望しい。
従来の記録材料では、光学的特性変化が未だ不充分であ
る。
る。
光学的特性変化特に透過率の変化が大きい記録媒体を提
供することを目的とする。そして、記録媒体の透過率の
変化を利用しながら、読出しく再生）形式を反射型（再
生用レーザ照射手段と読出し手段がディスクの同−ｆｆ
１ｌｌＫある型式）とすることを可能とするものである
。
供することを目的とする。そして、記録媒体の透過率の
変化を利用しながら、読出しく再生）形式を反射型（再
生用レーザ照射手段と読出し手段がディスクの同−ｆｆ
１ｌｌＫある型式）とすることを可能とするものである
。
カルコゲン元素Ｔθと他の酸化物によシ、効果的に非晶
ａ状態を得て、カルコゲン元素の特徴（光学的変化）を
用いるものである。酸化物を用いる理由Ｅま、一般に酸
化物は透明のものが多く、初期光学的濃度を小さく出来
るからである。セし℃、この非晶質薄膜に対して、反射
層を設けることによシ、反射型読出しな可能とする。
ａ状態を得て、カルコゲン元素の特徴（光学的変化）を
用いるものである。酸化物を用いる理由Ｅま、一般に酸
化物は透明のものが多く、初期光学的濃度を小さく出来
るからである。セし℃、この非晶質薄膜に対して、反射
層を設けることによシ、反射型読出しな可能とする。
本発明に係る記録媒体はテルル（Ｔｅ）、シリコン（Ｓ
ｉ）及び酸素（０）からなる。即ち、透過率の高い酸化
シリコン５ｉＯｘ（ｏ＜ｘ＜２ ）とテルル（Ｔｅ）と
からなる非晶質薄膜を用いる。
ｉ）及び酸素（０）からなる。即ち、透過率の高い酸化
シリコン５ｉＯｘ（ｏ＜ｘ＜２ ）とテルル（Ｔｅ）と
からなる非晶質薄膜を用いる。
薄膜の組成は
Ｔｏ ｖ Ｓ土ＯＸ＋ａｔ４−ｙ
（Ｉはモル％、０（Ｙ（＋００．Ｏ＜Ｘ（２）である。
Ｙ−４５、Ｘｍ２、膜厚１５００Ｘ々る場合、第１図に
示すような熱転移による反射率及び透過率の変化をした
。熱転移温度は約１５０℃である。この熱転移により半
導体レーザ′波長（８０００Ａ）ｖｃ於いてａ溝車は５
６％から２０！ｉｌｆへと減少し％また反射率は２０９
１ｊから４０％へと増加した。
示すような熱転移による反射率及び透過率の変化をした
。熱転移温度は約１５０℃である。この熱転移により半
導体レーザ′波長（８０００Ａ）ｖｃ於いてａ溝車は５
６％から２０！ｉｌｆへと減少し％また反射率は２０９
１ｊから４０％へと増加した。
一酸化シリコン（Ｓｉｎ）とテルル（’ｒｅ）との非晶
質状態に於いても殆んど同様の効果が得られた。即ち、
８ｉ０ｚが５ｉＯｘ（０＜Ｘ＜２）と々りでも、形成さ
れる非晶質状態薄膜の転移温度及び光学的特性変化に太
き々差が々いことを示しでいる。
質状態に於いても殆んど同様の効果が得られた。即ち、
８ｉ０ｚが５ｉＯｘ（０＜Ｘ＜２）と々りでも、形成さ
れる非晶質状態薄膜の転移温度及び光学的特性変化に太
き々差が々いことを示しでいる。
次に第２図を参照して、上記材料を利用した記録媒体【
ついて説明する。基板（１）としては、ガラス板若しく
はポリメチルメタクレート樹脂、ポリ塩化ビニール樹脂
、ホ′リカーボネート樹脂、ポリエチルテレフタレート
樹脂等の合成樹脂シート若しくはフィルムを用いる。こ
の基板（１）上に反射層（２）？設ける。この反射層と
してはＡｇ、Ａ／、ＡＵ等再再生レーザ光波長８０００
Ｘ）に於いて反射率の高いものを用いる。厚みは３００
〜２０００Ｘｔｉ度とする。この上に熱定な等を調整す
る為に熱絶縁層（３）を設ける。これは、テルル・酸化
シリコン薄膜の熱黒化転移を低パワーのレーザ光にて生
せしめる為のものである。この熱絶縁層として、酸化シ
リコン、プラズマ處合膜、合成樹脂等が効果的である。
ついて説明する。基板（１）としては、ガラス板若しく
はポリメチルメタクレート樹脂、ポリ塩化ビニール樹脂
、ホ′リカーボネート樹脂、ポリエチルテレフタレート
樹脂等の合成樹脂シート若しくはフィルムを用いる。こ
の基板（１）上に反射層（２）？設ける。この反射層と
してはＡｇ、Ａ／、ＡＵ等再再生レーザ光波長８０００
Ｘ）に於いて反射率の高いものを用いる。厚みは３００
〜２０００Ｘｔｉ度とする。この上に熱定な等を調整す
る為に熱絶縁層（３）を設ける。これは、テルル・酸化
シリコン薄膜の熱黒化転移を低パワーのレーザ光にて生
せしめる為のものである。この熱絶縁層として、酸化シ
リコン、プラズマ處合膜、合成樹脂等が効果的である。
この上に、テルル・酸化シリコンの非晶ηＨｔ約＋４１
を形成する。その組成はヒ述した通りである。唄にこの
上に、非晶質薄膜＋４］の反射防止膜（５）を設ける。
を形成する。その組成はヒ述した通りである。唄にこの
上に、非晶質薄膜＋４］の反射防止膜（５）を設ける。
例えば、酸化ジェノコンを用いると、好都合である。こ
の第２図に示す実施例の場合Ｖ′Ｃ）ｍｌ、上方（基板
ＩＬｊｌｌでない方）より再生レーザ光を照射し、非晶
質薄膜＋４］を通過し、反射ｊ留（２）にて反射きれた
レーザ光な、同じく上方に配置された読出し手ｒａｔ
＜図下せず）で受けることによυ、情報を再生すること
ができる。
の第２図に示す実施例の場合Ｖ′Ｃ）ｍｌ、上方（基板
ＩＬｊｌｌでない方）より再生レーザ光を照射し、非晶
質薄膜＋４］を通過し、反射ｊ留（２）にて反射きれた
レーザ光な、同じく上方に配置された読出し手ｒａｔ
＜図下せず）で受けることによυ、情報を再生すること
ができる。
第３図は他の実施例な示すものであり、へ版（１）上ｒ
（、反則防止！１％（５）、非晶質薄ＩＩ ＋４］ 、
熱％ ｉ ｌ１ｅｉｉ ＋３１、反射層＋２１２この順
序にて積層したものである。この場合には、再生レーザ
光源及び続出し手段は共に、基板側に配置傷れる。
（、反則防止！１％（５）、非晶質薄ＩＩ ＋４］ 、
熱％ ｉ ｌ１ｅｉｉ ＋３１、反射層＋２１２この順
序にて積層したものである。この場合には、再生レーザ
光源及び続出し手段は共に、基板側に配置傷れる。
カルコゲン元素特有の光学的特性変化を示すテルル・酸
化シリコンからなる非晶質薄膜を用いたので、従来に比
較して大き々光学的特性変化（特にｉＰｉ渦率の変化）
が得られた。そして、反射層な設けたので、透過率の変
化な利用しながら、反射型の読出し形式が可能である。
化シリコンからなる非晶質薄膜を用いたので、従来に比
較して大き々光学的特性変化（特にｉＰｉ渦率の変化）
が得られた。そして、反射層な設けたので、透過率の変
化な利用しながら、反射型の読出し形式が可能である。
第１図は本発明に係る記録媒体の特性を示す図。
第２図は本発明に保る記録媒体の一実施例の構成を示す
図、第６図は他の実施例な示す図である。 （１）・・・基鈑、（２）・・・反射層、（４）・・・
非晶質薄膜。
図、第６図は他の実施例な示す図である。 （１）・・・基鈑、（２）・・・反射層、（４）・・・
非晶質薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ＩＩ 光学的あるいは熱的なエネルギー照射によル
光学特性変化を得る光学記録媒体でありて、テルル（Ｔ
ｅ）と酸化シリコン（ＳｉＯｘ）？主成分とする非晶ａ
薄膜と反射層を有することを特徴とする光学記録媒体。 （２）非晶質薄膜が、Ｔｅ ｙ ＳｉＯｘ １ｏ
ｏ−！（但シ、Ｏ＜ｘ＜２、Ｏ＜Ｙ＜１００、Ｙ ｔｉ
モル％）を主成分とすることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光学記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124626A JPS5916154A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124626A JPS5916154A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5916154A true JPS5916154A (ja) | 1984-01-27 |
| JPH0373937B2 JPH0373937B2 (ja) | 1991-11-25 |
Family
ID=14890068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57124626A Granted JPS5916154A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5916154A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186825A (ja) * | 1984-03-07 | 1985-09-24 | Hitachi Ltd | 情報の記録・消去方法 |
| JPS6144690A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-04 | Res Dev Corp Of Japan | 光による記録材料 |
| JPS61137784A (ja) * | 1984-11-21 | 1986-06-25 | エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド | 相変化材料 |
| JPH08224963A (ja) * | 1995-12-15 | 1996-09-03 | Hitachi Ltd | 情報の記録用部材 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005078297A1 (ja) | 2004-02-12 | 2005-08-25 | Ntn Corporation | シェル型針状ころ軸受、コンプレッサ主軸の支持構造およびピストンポンプ駆動部の支持構造 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57208648A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-21 | Rca Corp | Recording medium |
| JPS5854338A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録媒体および記録方法 |
| JPS58222891A (ja) * | 1982-06-22 | 1983-12-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学記録媒体 |
-
1982
- 1982-07-16 JP JP57124626A patent/JPS5916154A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57208648A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-21 | Rca Corp | Recording medium |
| JPS5854338A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録媒体および記録方法 |
| JPS58222891A (ja) * | 1982-06-22 | 1983-12-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学記録媒体 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186825A (ja) * | 1984-03-07 | 1985-09-24 | Hitachi Ltd | 情報の記録・消去方法 |
| JPS6144690A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-04 | Res Dev Corp Of Japan | 光による記録材料 |
| JPH0514629B2 (ja) * | 1984-08-10 | 1993-02-25 | Shingijutsu Jigyodan | |
| JPS61137784A (ja) * | 1984-11-21 | 1986-06-25 | エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド | 相変化材料 |
| JPH08224963A (ja) * | 1995-12-15 | 1996-09-03 | Hitachi Ltd | 情報の記録用部材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0373937B2 (ja) | 1991-11-25 |
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