JPH0352652B2 - - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910003069 TeO2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021541 Vanadium(III) oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims 1
- LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N tellurium dioxide Chemical compound O=[Te]=O LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 229910015369 AuTe Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminium flouride Chemical compound F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- -1 TiN nitride Chemical class 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は記録内容の変更が可能な即ち書き換え
可能な光デイスク媒体に関する。
可能な光デイスク媒体に関する。
＜従来技術＞
従来、記録内容の変更が可能な媒体としては
Te3あるいはTeOxの薄膜が用いられている。こ
れらの材料は、非晶質、結晶相転移を利用し、書
換えを行なうものである。ところがTeはその結
晶化温度が、10〜60℃と低いために、非晶質状態
が安定ではなく、データの保存性が乏しい欠点を
有していた。また、TeOxについては、非晶質相
の安定化を図るためにSn、Geなどの不純物を加
えることにより、結晶化の制御を行ない、実用に
供していた。しかるにTeOxは酸素濃度が1.1〜
1.2と許容される範囲が狭いばかりでなく、さら
に２種類以上の異種元素の結合により製造される
ために極めて製造の再現性に乏しい欠点を有して
いた。
Te3あるいはTeOxの薄膜が用いられている。こ
れらの材料は、非晶質、結晶相転移を利用し、書
換えを行なうものである。ところがTeはその結
晶化温度が、10〜60℃と低いために、非晶質状態
が安定ではなく、データの保存性が乏しい欠点を
有していた。また、TeOxについては、非晶質相
の安定化を図るためにSn、Geなどの不純物を加
えることにより、結晶化の制御を行ない、実用に
供していた。しかるにTeOxは酸素濃度が1.1〜
1.2と許容される範囲が狭いばかりでなく、さら
に２種類以上の異種元素の結合により製造される
ために極めて製造の再現性に乏しい欠点を有して
いた。
＜発明の目的＞
本発明は上記従来の問題を解消し、組成マージ
ンが非常に広くかつ安定性のよい光デイスク媒体
を提供することを目的とする。
ンが非常に広くかつ安定性のよい光デイスク媒体
を提供することを目的とする。
＜発明の構成＞
上記目的を達成する本発明の構成は、光学的に
記録、再生、消却の行なわれる媒体であつて、 AuxTe1-x ｘ＝10.0〜50.0 at％ の組成を有する合金が基板上に薄膜状に形成され
てなることを特徴とする。
記録、再生、消却の行なわれる媒体であつて、 AuxTe1-x ｘ＝10.0〜50.0 at％ の組成を有する合金が基板上に薄膜状に形成され
てなることを特徴とする。
また更に上記薄膜が形成されると共に該薄膜上
にTeO2、V2O3、TiO2、SiO2の酸化物もしくは
MgF2、CeF3、AlF3のフツ化物もしくはSi3N4、
TiNの窒化物のうちいずれか一種類の薄膜が積
層されてなることを特徴とする。
にTeO2、V2O3、TiO2、SiO2の酸化物もしくは
MgF2、CeF3、AlF3のフツ化物もしくはSi3N4、
TiNの窒化物のうちいずれか一種類の薄膜が積
層されてなることを特徴とする。
第１図ａ，ｂに本発明に係る光デイスク媒体の
断面構造を示す。図示するように基板１の上面に
記録層２が設けられる。該基板１としては
PMMAなどの熱伝導性の小さい材料の場合その
まま記録層２が形成される。一方Al、ガラスな
ど比較的熱伝導率の高い材料を基板１に用いる場
合には熱損失を少なくするために基板１の上面に
高分子材料等の熱不良導層を設け、その後に記録
層２を積層させる。記録層２としてはAuxTe1-x
合金が用いられる。該合金においては液体状態か
ら徐冷することにより、Au＜33.3at％以下では
（Te＋AuTe2）混相が形成され、又、Au＞33.3at
％では（Au＋Au＋Te2）混相が形成される。と
ころが第２図に示すようにAu組成10.0〜50.0at％
の範囲で106℃／sec以上の冷却速度により急冷を
行なうと、単純立方格子構造を持つ擬安定相が形
成される。この相を仮りにπ相と名付けると、こ
のπ相は非常に安定性がよく、160℃以上に温度
を上げないと平衡相である混相に変化しない。
断面構造を示す。図示するように基板１の上面に
記録層２が設けられる。該基板１としては
PMMAなどの熱伝導性の小さい材料の場合その
まま記録層２が形成される。一方Al、ガラスな
ど比較的熱伝導率の高い材料を基板１に用いる場
合には熱損失を少なくするために基板１の上面に
高分子材料等の熱不良導層を設け、その後に記録
層２を積層させる。記録層２としてはAuxTe1-x
合金が用いられる。該合金においては液体状態か
ら徐冷することにより、Au＜33.3at％以下では
（Te＋AuTe2）混相が形成され、又、Au＞33.3at
％では（Au＋Au＋Te2）混相が形成される。と
ころが第２図に示すようにAu組成10.0〜50.0at％
の範囲で106℃／sec以上の冷却速度により急冷を
行なうと、単純立方格子構造を持つ擬安定相が形
成される。この相を仮りにπ相と名付けると、こ
のπ相は非常に安定性がよく、160℃以上に温度
を上げないと平衡相である混相に変化しない。
ところでレーザ加熱によつて上記記録層を溶融
状態とし自然放冷を行なう場合の冷却速度は1010
℃／sec以上と非常に大きい。従つて上記記録層
にレーザ加熱を与えることによりπ相を形成させ
記録させることが出来る。一方消去は、該π相に
相転移温度以上の温度になるようレーザ照射を行
い混相に転移させることにより記録を消去出来
る。
状態とし自然放冷を行なう場合の冷却速度は1010
℃／sec以上と非常に大きい。従つて上記記録層
にレーザ加熱を与えることによりπ相を形成させ
記録させることが出来る。一方消去は、該π相に
相転移温度以上の温度になるようレーザ照射を行
い混相に転移させることにより記録を消去出来
る。
次に上記AuxTe1-x層の上面に保護層３を設け
ることもできる。保護層３としてはTeO2、
V2O3、TiO2、SiO2の酸化物もしくはMgF2、
CeF3、AlF3のフツ化物もしくはSi3N4、TiNの
窒化物のうちいずれか一種類の薄膜を積層すると
よい。保護層３の膜厚は500〜2000Å程度でよい。
該保護層３を設けることにより光デイスク媒体の
耐久性を高めることができる。
ることもできる。保護層３としてはTeO2、
V2O3、TiO2、SiO2の酸化物もしくはMgF2、
CeF3、AlF3のフツ化物もしくはSi3N4、TiNの
窒化物のうちいずれか一種類の薄膜を積層すると
よい。保護層３の膜厚は500〜2000Å程度でよい。
該保護層３を設けることにより光デイスク媒体の
耐久性を高めることができる。
＜実施例＞
以下に本発明の実施例を示す。
実施例 １
AuTe合金でAu組成35at％のものを原料とし、
真空蒸着法及びスパツタ法を用いて300Åの膜を
PMMA基板上に形成した。記録は８ｍＷレーザ
出力で、1MHzの基準信号を入力して行ない、
55dBのＣ／Ｎ値を得た。次に４ｍＷの出力で記
録部を走査したところ完全に消去できた。
真空蒸着法及びスパツタ法を用いて300Åの膜を
PMMA基板上に形成した。記録は８ｍＷレーザ
出力で、1MHzの基準信号を入力して行ない、
55dBのＣ／Ｎ値を得た。次に４ｍＷの出力で記
録部を走査したところ完全に消去できた。
実施例 ２
AuTe合金で、Au組成10〜50at％の範囲の任
意の組成で実施例１と同様の条件で実験を行なつ
たところ、記録、再生、消去が可能であることを
確めた。
意の組成で実施例１と同様の条件で実験を行なつ
たところ、記録、再生、消去が可能であることを
確めた。
実施例 ３
実施例１及び２に記した試料上に500〜2000Å
厚のTeO2、V2O3、TiO2、SiO2、MgF2、CeF3、
AlF3のそれぞれの膜を形成したところ、10〜13
ｍＷでの記録パワーで情報の記録が行なえ、４〜
６ｍＷのパワーで消去が可能であることを確め
た。
厚のTeO2、V2O3、TiO2、SiO2、MgF2、CeF3、
AlF3のそれぞれの膜を形成したところ、10〜13
ｍＷでの記録パワーで情報の記録が行なえ、４〜
６ｍＷのパワーで消去が可能であることを確め
た。
＜発明の効果＞
以上述べたように本発明になる光デイスク媒体
は組成マージンが非常に広く、かつ安定性のよい
光デイスク媒体であり、８〜13ｍＷ出力のレーザ
で書き込みが可能で、かつ４〜６ｍＷ出力のレー
ザで消去が可能であつて、高感度な書換可能媒体
として使用できる。
は組成マージンが非常に広く、かつ安定性のよい
光デイスク媒体であり、８〜13ｍＷ出力のレーザ
で書き込みが可能で、かつ４〜６ｍＷ出力のレー
ザで消去が可能であつて、高感度な書換可能媒体
として使用できる。
第１図ａ，ｂは本発明に係る光デイスク媒体の
断面図、第２図は該光デイスク媒体の記録層に用
いるAuTe合金の組成比と相転移温度との関係を
示すグラフである。 図中、１……基板、２……記録層、３……保護
層。
断面図、第２図は該光デイスク媒体の記録層に用
いるAuTe合金の組成比と相転移温度との関係を
示すグラフである。 図中、１……基板、２……記録層、３……保護
層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光学的に記録、再生、消却の行なわれる媒体
であつて、 AuxTe1-x ｘ＝10.0〜50.0 at％ の組成を有する合金が基板上に薄膜状に形成され
てなることを特徴とする光デイスク媒体。 ２ 光学的に記録、再生、消却の行なわれる媒体
であつて、 AuxTe1-x ｘ＝10.0〜50.0 at％ の組成を有する合金が基板上に薄膜状に形成され
ると共に該薄膜上にTeO2、V2O3、TiO2、SiO2
の酸化物もしくはMgF2、CeF3、AlF3のフツ化
物もしくはSi3N4、TiNの窒化物のうちいずれか
一種類の薄膜が積層されてなることを特徴とする
光デイスク媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59033924A JPS60179952A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 光デイスク媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59033924A JPS60179952A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 光デイスク媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60179952A JPS60179952A (ja) | 1985-09-13 |
| JPH0352652B2 true JPH0352652B2 (ja) | 1991-08-12 |
Family
ID=12400063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59033924A Granted JPS60179952A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 光デイスク媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60179952A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH066393B2 (ja) * | 1984-03-07 | 1994-01-26 | 株式会社日立製作所 | 情報の記録・消去方法 |
| JPS62183042A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-11 | Toshiba Corp | 情報記録再生方法 |
| JPH0264944A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-02-24 JP JP59033924A patent/JPS60179952A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60179952A (ja) | 1985-09-13 |
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