JPS62183042A - 情報記録再生方法 - Google Patents

情報記録再生方法

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JPS62183042A
JPS62183042A JP61024508A JP2450886A JPS62183042A JP S62183042 A JPS62183042 A JP S62183042A JP 61024508 A JP61024508 A JP 61024508A JP 2450886 A JP2450886 A JP 2450886A JP S62183042 A JPS62183042 A JP S62183042A
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JP
Japan
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recording
recording layer
layer
thin film
recording medium
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JP61024508A
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English (en)
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Sumio Ikegawa
純夫 池川
Shuichi Komatsu
小松　周一
Shinji Arai
荒井　真次
Noburo Yasuda
安田　修朗
Sumio Ashida
純生 芦田
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Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明はレーザビームのような光ビームを用いて情報の
記録・再生を行なう方法に係り、特に書換えが可能であ
り、また必要に応じて消去が不可能な記録を行なうこと
もできる情報記録再生ブ）法に関する。
（従来の技術） レーザビームのような光ビームの照射により情報の記録
・再生を行なう光ディスク等の記録媒体のなかで、特に
書換え可能な記録媒体としては、光磁気効果を利用する
希土類−遷移金属非晶質薄膜を記録層とした媒体、およ
び結晶−非晶質相転移を起こすＴｅ、Ｓｅ等のカルコゲ
ンを含んだ薄膜を記録層とした媒体がよく知られている
。希土類−遷移金属非晶質薄膜を記録層とした記録媒体
では、記録媒体から反射された直線偏光光の非常に僅か
なカー回転を検出することによって再生を行なうため、
光学系が複雑となるとともに、磁場印加手段を必要とす
るために、記録・再生システムが複雑で高価格になる。
記録層の結晶−非晶質相転移を利用する記録媒体は、記
録層の光反射率の変化にを利用して再生を行なうため、
このような問題はない。
また、同様に記録層の光反射率の変化を利用して再生を
行なうものとして、（ａ）特開昭６０−１７９９５２、
（ｂ）特開昭６０−１７９９５３゜（ｃ）特開昭６０−
１７９９５４．（ｄ）特開昭６０−１７７４４６には、
それぞれ所定の組成成分比を有するＡｕＴｅ合金、Ａｇ
Ｔｅ合金、（ＡｕＭ）Ｓｂ（但し、Ｍ−Ａｇ、Ｃｕ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ａ、ｆｆ。
Ｓｔ、　Ｇｅ、　Ｇａ、　Ｓｎ、　Ｔｅ、　Ｓｅ、　Ｂ
ｉ）合金、（ＩｎＳｂ）Ｍ　（但し、Ｍ−Ａｕ、Ａｇ。
Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａ）、　　Ｓ　ｔ　＋　　Ｇ　ｅｒ
　　Ｇ　ａ）Ｓｎ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｂｉ）合金の薄膜を記
録層とした書換え可能な光デイスク媒体が記載されてい
る。
文献（ｅ）　Ｈ，Ｌ、Ｌｕｏ　ａｎｄ　Ｗ、に１Ｂｍｅ
ｎｔ、Ｊｒ、：Ｊ、ＣｈｅＬＩｌ。
Ｐｈｙｓ、ｖｏｌ、３Ｂ、ｐｐ１８７０−１８７４（１
９Ｂ２）、　　　（ｆ）　Ｂ、Ｃ。
Ｇｌｅｓｓｅｎ、Ｕ、Ｗｏｌｌ’ｆ’、Ｎ、Ｊ、Ｇｒａ
ｎｔ：　　Ｔｒａｎｓ、ＡＩＭＥ、ｖｏｌ。
２４２、ｐ、５９７（１９６５）、　　　（ｇ）　Ｃ，
Ｂ、Ｊｏｒｄａｎ：Ｊ、Ｃｈｅｍ。
Ｐｂｙｓ、ｖｏｌ、３９．ｐｐ１６１３−１６１４．　
（１９６３）に、公報（ａ＞　（ｂ）（ｅ）　（ｄ）の
記録層に相当する組成の膜は、液体状態から急冷した場
合に単純立方格子構造準安定相を呈することが記載され
ている。これらの記載から類推されるように、（ａ）　
（ｂ）　（ｃＸｄ）の記録媒体はいずれも記録層を光ビ
ームの照射により溶融した状態から急冷することによっ
て、単純立方格子構造の準安定状態を形成し、その部分
の光反射率を高めることで情報を記録するものである。
そして、記録された情報を消去する場合は、記録層を平
衡状態である混相、すなわち光反射率の低い状態にする
。
（発明が解決しようとする問題点） 結晶−非晶質相転移を起こすカルコゲンを含んだ薄膜を
記録層とした記録媒体では、カルコゲンの毒性という問
題と、光ビームの照射による繰返し加熱に対して徐々に
可逆性が失われるという問題がある。また、この記録層
は多成分系の薄膜であり、組成マージンが狭いにも拘ら
ず実用上は真空蒸着法で形成されることから、成膜の再
現性および量産性に乏しい。さらに、この記録媒体では
記録速度を上げるために、初期状態を結晶質、記録状態
を非晶質としている。従って記録層を成膜後、実際に記
録媒体として使用する前に、記録層を熱処理して非晶質
状態を結晶質にする「初期結晶化」という工程が不可欠
である。
公報（ａ）　（ｂ）　（ｃ）　（ｄ）に記載された記録
媒体では、記録層の記録部分は単純立方格子構造の準安
定状態となるのに対し、消去部分は平衡状態であり、面
心立方構造（Ａ　ｕ　＋　Ａ　ｇ　）　、鎖状に原子が
配列した六方晶（Ｔｅ）、斜方晶　（Ａ　ｕ　Ｔ　ｅ　
２　。
Ａｇ２Ｔｅ）等の結晶構造を持つ相の混相である。
いずれの状態も稠密積層構造ではない。このように記録
部分と消去部分との結晶構造が著しく異なることは、記
録時および消去時に生じる相変化における原子の移動が
非常に多いということであり、それだけ光ビームの照射
による情報の記録および消去に時間がかかることになる
。従って、記録媒体であるディスクを高速で回転させる
と、記録および消去が正常に行なわれないという不都合
がある。
また、一般に（ａ）　（ｂ）　（ｃ）　（ｄ）に記載さ
れたような組成の薄膜の記録層は、実用的な真空蒸着法
やスパッタリング法で成膜すると、成膜したままの状態
（ａｓ−ｄｅｐｏｓｉｔ）では平衡状態である混用とは
ならず準安定状態となる。この第安定状態での記録層の
光反射率は記録状態よりは低いが、消去状態である平衡
状態での光反射率より高い。従って、この記録媒体では
記録層を成膜後、実際に使用する前に消去状態と同じ平
衡状態にする「初期平衡化」という工程が必要である。
さらに、（ａ）　（ｂ）　（ｃ）　（ｄ）に記載された
記録層はＴｅ、Ｓｂを主成分としていることから、毒性
と耐候性にも問題があった。
本発明は上述した従来の問題点を克服するためになされ
たもので、書換えが可能であって、記録媒体の耐蝕性、
耐候性に優れ保存寿命が長く、毒性もなく、また成膜の
再現性および量産性に優れており、さらに記録、消去を
高速で行なうことができる情報記録再生方法を提供する
ことを目的とする。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明はこの目的を達成するため、まず書換え可能な記
録媒体としては、Ｉｂ族元素と■族ａ元索を主要な２種
の元素として含む記録層を有したものを使用する。
そして、記録時には記録媒体への光ビームの照射によっ
て記録層を加熱した後、冷却することにより記録層の光
ビーム照射部を準安定状態で、且つ光ビーム非照射部よ
り光反射率が高い状態にせしめ、それを記録部分とする
。
こうして記録された情報の再生は、記録媒体に記録時よ
りも低パワーの光ビームを照射して、従来と同様に記録
層の記録部分と、未記録部分ないし消去部分との光反射
率の違いによる記録層からの反射光の変化を検出するこ
とにより行なう。
さらに、消去時には記録層を記録時より低い温度に加熱
した後、冷却することにより、記録層の消去すべき部分
を、記録状態である準安定状態よりも平衡状態に近い混
相にせしめる。
（作用） 本発明で使用する記録媒体における記録層の主成分であ
るＩｂ族元素および■謀元素は、いずれも毒性がなく、
またこれらの元素を主成分とする合金薄膜は耐蝕性や耐
候性という面でも優れている。さらに、この記録層は二
成分系であり、組成マージンが広いので、再現性と量産
性に富む。
このような組成の記録層は、■族元素がある比率で含有
していると、加熱後に急冷した場合に準安定状態となる
。この準安定状態での記録層の結晶構造は、単純立方格
子構造でなく、六方最密構造（β相）または正方品構造
（γ相）であって、しかも記録層を溶融状態である液相
の状態から急冷した場合のみならず、気相の状態から急
冷した場合や、完全な溶融状態でなく固液混合状態から
急冷した場合にもこの状態になる点が特徴的である。
そして、この記録層は光ビームの照射により例えば上記
両元素の共晶温度付近まで加熱された後に急冷された場
合、その光ビーム照射部が局部的に光反射率が高くなる
とともに、その状態が室温下でも保持されるので、この
光ビーム照射部を記緑部分とすることができ、従来と同
様にしてこれを再生を行なうことができる。
一方、この記録層は例えば記録時よりも膜面上での単位
面積当りのパワーが小さい光ビームの照射、あるいは他
の熱処理によって、記録時より低い温度に加熱された後
に冷却されると、記録部分の準安定状態に比べより平衡
状態に近い混相の状態（完全な平衡状態ではない）とな
ってその光反射率が低下するので、これを消去状態とす
ることができる。
また、記録層の準安定状態にある記録部分と、平衡状態
に近い混相の状態にある消去部分とは、結晶構造は異な
るが、稠密面の積重なり方が僅かに異なる稠密積層構造
であるという点で共通であり、記録時および消去時の相
変化に際しての原子の移動は少ない。従って、記録およ
び消去が短時間でなされる。
さらに、上記組成の記録層はスパッタリング法で形成さ
れた場合、スパッタリング工程で自動的に気相状態から
の急冷を受けるために、成膜されたままの状態で準安定
状態となる。消去部分は混相ではあるか完全な平衡状態
ではなく、平衡状態に近い状態であり、従って成膜した
ままの状態での記録層は、消去部分と同程度の光反射率
を持つ。
これは記録層の成膜後、実際に記録媒体を使用する前に
初期平衡化という工程を必ずしも必要としないことを意
味する。
（実施例） 第１図は本発明で使用する記録媒体の基本構造を示す断
面図であり、有機樹脂、ガラス、石英等からなる基板１
上にＩｂ族元素とＩＶａ族元素を主要な２種の元素とし
て含む記録層２が形成されている。記録層２がＩｂ元素
およびＩＶａ元素としてそれぞれＡｕ、Ｇｅを用いた薄
膜（以下、ＡｕＧｅ系合金薄膜という）の場合を例にと
って、具体的に説明する。
ＡｕＧｅ系合金薄膜は、溶融状態から急冷した場合に、
平衡状態図には存在しない準安定な結晶構造であるβ相
（六方最密構造）とγ相（正方晶）とができることが、
Ａｎａｎｔｈａｒａｍａｎ、Ｔ、Ｒ，、Ｈｕｅｙ−Ｌｉ
ｎＬｕｏ、ａｎｄ　Ｋｌｅｍｅｎｔ、Ｗ、Ｊｒ、等によ
る文献：　Ｔｒａｎｓ。
Ａｉｍｅ；　２３３．Ｎｏ、１１（ｎｏｖ　１９［ｉ５
）；ｐｐ２０１４−２０１７に開示されている。発明者
らは、ＡｕＧｅ系合金薄膜はこのように溶融状態から急
冷した場合のみならず、気相状態や共晶温度と液相線温
度との間の温度域から急冷（１０６℃／　ｓｅｅ以上の
冷却速度で冷却）した場合にも、同様な準安定な結晶構
造β相とγ相とを得ることが可能であることを発見した
。これらの準安定状態は特にＧｅの含有量が８〜６５原
子％で顕著に見られ、その構造はβ相かγ相であり、単
純立方格子構造ではなかった。そして、これらの構造は
ＡｕＧｅ系合金薄膜をスパッタリング法で成膜すること
により容易に得られた。これはスパッタリング法で成膜
することが気相状態からの急冷になるからである。従っ
て、成膜法としてスパッタリング法を用いると、成膜し
たままの状態で準安定状態の結晶構造を持つＡｕＧｅ系
合金薄膜が得られることになる。
また、発明者らがこうして得られたＡｕＧｅ系合金薄膜
について熱処理後の変化や温度変化を調べたところ、β
相とγ相は１００°Ｃ以下で非常に安定であり、共晶温
度（３５６℃）付近まで加熱すると光反射率が太き（上
がり、また１００°Ｃ以上、共晶温度未満の温度で長時
間熱処理すると、熱平衡なα相とＧｅとの混相に変態す
ることを見出だした。これらの実験事実に基づいて、こ
のＡｕＧｅ系合金薄膜のレーザビームの照射による変化
を具体的に調べたところ、書換え可能な記録媒体の記録
層として使用できることを見出だした。
すなわち、第１図において記録層２に焦点を合せてスポ
ット径を１μｍφ程度に絞り込んだレーザビームを照射
して共晶温度付近、例えば共晶温度以上、溶融温度未満
の温度に記録層２を加熱した後、急冷すると、レーザビ
ーム照射部３か光反射率の高い状態に転移し、情報の記
録が可能となる。一般に、レーザビームの照射により薄
膜を加熱した後に自然放冷すると、その自己冷却効果に
より１０８°Ｃ／ｓｅｅ以上という非常に高い冷却速度
が得られる。記録層２上の記録部分３は、この効果によ
りレーザビーム照射による共晶温度付近での光反射率の
高い状態が、室温下まで持ち来たされたものと考えられ
る。
この記録部分３を顕微鏡により観察した結果、表面は平
坦のままであり、マクロな形状変化は認められなかった
。Ａｕ、Ｇｅを記録層に用いた光記録媒体の公知例とし
て、特開昭５９−２１８６４４号公報にＡｕ、Ｇｅとさ
らにＳｅ含んだ薄膜を記録層としたものが記載されてい
るが、この記録媒体はレーザビームの照射により記録層
にバブル（隆起変形部）を形成して記録を行なうもので
あるため、原理的に消去が不可能であり、書換え可能媒
体とはなり得ない。本発明では記録層２の組成はＡｕ、
Ｇｅを含んでいる点で上記公知例と類似しているが、記
録に際してバブルを形成せず、記録層２を第１図に示す
ように平坦のまま光反射率を局部的に変化させて記録部
分３とするものであり、記録のメカニズムが本質的に異
なる。従って、次に説明するように記録された情報の消
去が可能である。
すなわち、上記のようにして記録がなされた記録媒体の
記録層２上に、記録時よりも低パワーのレーザビームを
媒体に対し相対的に移動させなから連続的に、つまりラ
イン状に照射して、記録時よりも低い温度、例えば共晶
温度未満の温度に記録層２を加熱したところ、記録状態
が消失して光反射率が元の低い状態に戻り、消去が可能
であることが確認された。この消去に際して用いるレー
ザビームは、記録時よりもビーム径が大きく、またパル
ス幅の長いものでよく、記録層２上での単位面積当りの
パワーが小さいビームが適当である。
また、レーザビームを使用せず、電気炉等により記録媒
体全体を熱処理することによっても、同様に消去を行な
うことが可能である。
要するに、記録層２を記録時よりも低い温度に加熱した
後、冷却（徐冷）することにより、記録層２は記録前と
同じ光反射率を持つ状態となって消去ができる。さらに
、このようにして消去を行なった個所は、前述と同様の
条件でレーザビームを照射することにより、再び記録を
行なうことができる。すなわち、この記録媒体は何回で
も書換え可能である。
一方、再生は記録時および消去時よりも低パワーのレー
ザビームを照射して、記録部分３と未記録部分または消
去部分４との光反射率の違いによる記録層２からの反射
光の変化を検出することにより行なうことができた。こ
の光反射率の違いは、結晶構造や結晶組織の差異に起因
するものである。
本発明で使用する記録媒体は、第１図に示したような基
板１上の層が記録層２のみからなる単層構造でも十分に
その効果を発揮するが、記録層２に他の適当な層を組合
わせて多層化すると種々の特性が改善される。第２図〜
第７図はその実施例であり、第２図〜第４図は第１図と
同様にレーザビームを記録層２の膜面側から照射する場
合の例を示し、第５図〜第７図は基板１側から照射する
場合の例を示している。各図とも矢印がレーザビームの
照射方向を示している。
第２図および第５図に示す記録媒体は、記録層２のレー
ザビーム入射側に透明誘電体薄膜５が設けられた二層構
造となっている。この透明誘電体薄膜５はレーザビーム
を透過させる程度に透明であるとともに、さらに好まし
くは保護層の役割を兼ねることができるように、熱的に
安定な材料、例えば二酸化シリコン、二酸化チタン等の
酸化物、または窒化シリコン、窒化アルミニウム等の窒
化物が望ましい。このような透明誘電体薄膜５を設ける
ことにより、記録層２の酸化（第５図の場合は基板１側
から浸入する水分等による酸化）を防止する効果が期待
されるとともに、記録部分と未記録部分または消去部分
との光反射率の差（以下、これを光反射率変化という）
がエンハンスされることが確認された。この透明誘電体
薄膜５の光反射率変化のエンハンス効果は、従来の光磁
気記録媒体において設けられる透明誘電体薄膜が反射光
の偏光面の回転角を増大させたり、単に光反射率の低下
を抑制するものであったのと異なり、光反射率の相対的
変化を大きくするものであって、その結果として再生出
力のＳ／Ｎ向上に寄与するものである。
また、このように光反射率変化がエンハンスされるｈ’
４造の記録媒体においては、光反射率そのものは低下し
、一定光二のレーザビームの入射に対して記録層２で吸
収される光エネルギーが増大する。これは記録感度の向
上を意味する。
第３図および第６図に示す記録媒体は、記録層２のレー
ザビームが入射する側とは反対の側に、記録層２から見
て透明誘電体薄膜６および光反射膜７が順次積層された
三層構造となっている。透明誘電体薄膜６は第２図およ
び第５図における透明誘電体薄膜５と同じものでよく、
また光反射膜７としては例えばアルミニウムまたは金の
薄膜が使用される。これらの構造によると、光反射率変
化のエンハンス効果が第２図および第５図の場合よりさ
らに向上し、また記録層２における光エネルギー吸収率
も増大して記録感度が向上する傾向が見られた。
第４図および第７図に示す記録媒体は、それぞれ第２図
と第３図の構造、および第５図と第６図の構造を組合わ
せた四層構造であり、これらの構造によっても光反射率
変化が効果的にエンハンスされ、記録感度の向上も期待
できる。
本発明において使用する光ビームの波長は特に限定され
ないが、Ｈｅ　−Ｎ　ｅレーザまたは半導体レーザによ
り発生される６３０１１［１１〜８３０ｎｍが実用的で
ある。このような波長下においては、記録媒体がＡｕＧ
ｅ系合金薄膜等の記録層単層の場合よりも、最適化した
多層構造の場合の方が、記録部分と未記録部分または消
去部分との複素屈折率の差に対してより敏感に光反射率
が変化し、Ｓ／Ｈの良い再生が可能となる。
多層構造の記録媒体においては、記録層２や透明誘電体
薄膜５，６の材料、特にその複素屈折率によってその最
適構造が決まる。例えばＡｕＧｅ系合金薄膜を記録層と
し、窒化シリコン薄膜を透明誘電体薄膜に用い、上記実
用範囲の波長のレーザビームを用いた場合、第２図〜第
７図においてレーザビーム入射側の透明誘電体薄膜５の
膜厚は５０〜１７０ｎｍが最適である。また、透明誘電
体薄膜５，６として保護層の役割をも考慮する場合は、
安定かつ緻密で、良質の膜が得られやすく、隣接した膜
に酸化の影響を与えないという観点から、特に窒化シリ
コン薄膜が適している。
ＡｕＧｅ系合金薄膜からなる記録層の最適膜厚は、記録
時の熱的な問題と、光学的性質から決まる。この膜厚が
厚過ぎると、記録用レーザビームの照射時の単位体積当
りの吸収エネルギーが小さくなるとともに、周囲への熱
拡散が大きくなり、記録感度の低下を来たす。高感度、
すなわち実用的な記録媒体を目指すには、この膜厚は５
０ｎｍ以下が望ましい。一方、この膜厚が１０ｎｍ未満
にまで薄くなると、記録層の光透過率が増大し、記録層
における光エネルギー吸収率が低下して、やはり記録感
度が低下する。また、多層構造の記録媒体の光学的性質
を考えた場合、例えば第３図、第４図および第６図、第
７図の構造では記録層２を適当な量の光が透過すること
が望ましい。この観点からも、ＡｕＧｅ系合金薄膜から
なる記録層の膜厚は１０〜５０ｎｍが望ましいのである
。
このようなＡｕＧｅ系合金薄膜からなる記録層は、前述
したように特にスパッタリング法で成膜した場合、成膜
したままの状態（ａｓ−ｄｅｐｏｓ　ｉｔ）において準
安定状態であるβ相を含んだ微細結晶の集合状態となり
、この状態は消去状態、すなわち記録状態よりも平衡状
態により近い混相の状態での結晶構造と近く、また光反
射率も非常に近い。
従って、記録および消去に要する時間が短く、また初期
結晶化の工程が不要であり、さらに初期平衡化の工程も
省略することが可能である。
ところで、本発明においては上述したように記録層の光
反射率が、記録層を成膜したままの状態と消去状態とで
ほとんど同じであるために、原理的には初期平衡化の工
程は不要である。しかし、実際には記録層の成膜したま
まの状態と消去状態とで僅かな光反射率の差が生じる場
合もあり、その場合は記録層を成膜したままの状態で記
録媒体として使用すると、未記録部分と消去部分とて光
反射率が異なることになるので、一つの記録媒体上の特
にトラック−周内に未記録部分と消去部分とが混在した
ような場合には、再生出力のＳ／Ｎが低下する原因とな
る。
そこで、このような場合には記録層を成膜した後、熱処
理により初期平衡化を行なうことが望ましい。この熱処
理は例えば電気炉を用いるか、またはレーザビームの照
射により行なうことができる。また、この熱処理に際し
ては記録層を共晶温度以下の温度に加熱することが望ま
しい。共晶温度以上、例えば融点温度以上にまで温度を
上げると、記録層が完全に溶融し変形してしまうし、ま
たそれに近い温度まで上げた場合でも、記録層が一部溶
融して変形する危険性を伴ない、好ましくない。
２元以上の合金薄膜の成膜方法として、スパッタリング
法は再現性、ｆｆｉ産性に富む方法であり、従って本発
明のように記録層の成膜にスパッタリング法を使用でき
ることは実用上大きなメリットである。すなわち、真空
蒸着法の場合は、一つの蒸発源から多成分を蒸発させる
と、その蒸気圧の差から膜内に膜面と垂直方向に組成勾
配を生じ易く、また再現性よく同一組成を実現すること
が難しい。成分の数だけの蒸発源を設けることも可能で
あるが、成膜装置が複雑となる上に、組成制御も個々の
蒸発源の温度制御によるために厳密な制御は難しい。さ
らに、連続して光ディスクを生産する場合には、成膜間
に蒸発源の温度を下げた後また上げることにより蒸発量
を安定化させる時間が必要となるか、または成膜間にお
いて同一蒸発速度のままにして無駄に金属元素を消費す
ることになり、量産性に乏しい。
この点、スパッタリング法においては予め成分を調整し
た合金ターゲットを用いて、スパッタガス圧力と投入電
力さえ一定に制御すれば、組成や膜質の再現性がよく組
成勾配のない成膜ができる。
多元スパッタリング法を用いた場合でも、各ターゲット
への投入電力を制御することで容易に組成制御ができる
。量産する場合においても、投入電力を断てば直ちに金
属元素の飛散が止まるので、成膜間の時間が短く、金属
元素を浪費することもない。従って量産性に優れており
、特にＡｕＧｅ系合金薄膜を成膜するような場合は、組
成マージンが広くなり、さらに量産性に優れる。
但し、本発明においては初期結晶化や初期平衡化という
工程の必要性等を特に問題にしなければ、記録層の成膜
方法をスパッタリング法に限定するものではない。
以下、本発明者らが具体的に行なった実験例について述
べる。
実験例Ｉ Ａｕ単体とＧｅ単体の５インチターゲットを用いて、２
元同時ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、種々
の組成のＡｕＧｅ系合金薄膜を形成した。スパッタリン
グガスはＡｒガスであり、圧力は５　ｍＴｏｒｒ、流量
は７０３ＣＣＭとした。成膜中は基板を６　Ｏｒｐｍで
回転させた。堆積速度は毎分５〜２５ｎａ＋とじた。
第８図に使用した成膜装置の構成を模式的に示す。クラ
イオポンプからなる排気系１１が接続された真空槽１０
内に基板ホルダ１２が設けられ、これに記録媒体の基板
１３（第１図〜第７図における基板１）が保持されてい
る。基板ホルダ１２に対向してターゲット１４．１５が
配置されている。さらにマグネトロンモードとするため
に図示しない磁石が設けられ、ターゲット１４．１５に
高周波電力が印加される。
得られたＡｕＧｅ系合金薄膜について、成膜したままの
状態（ａｓ−ｄｅｐｏｓｉｔ）および熱処理後の結晶構
造をＸ線回折で１凋べた。第１表に、Ｇｅの含有量を種
々変えて石英基板上に２００ｎｍの膜厚に形成したＡｕ
Ｇｅ系合金薄膜の結晶構造を調べた結果を示す。
第１表 さらに、第９図にＡｕＧｅ系合金薄膜からなる記録層（
膜厚２００　ｎｍ）の、成膜したままの状態での桑安定
結晶構造であるβ相またはγ相のＸ線回折メインビーク
の高さの組成依存性を調べた結果を示す。図中の○印は
第１表に示した試料＃２〜＃７のプロット点である。
以上に示した如＜、ＡｕＧｅ系合金薄膜はスパッタリン
グ法という気相成長法により成膜されることにより準安
定結晶構造が得られ、１５０℃。
１０分以上の長時間の熱処理で熱平衡な混相（α相＋Ｇ
ｅ）になることがわかった。しかしながら、上記した膜
厚２００ｎｍの場合は、記録感度が低く、実用的には記
録層の膜厚が５０１１［０以下が望ましい。
そこで、記録層の膜厚わ１０ｎｍので薄くしてゆき、Ｘ
線回折や電子線回折を用いて同様の実験を行ない、桑安
定結晶構造ができることを確認した。
第２１図に記録層として実用的な膜厚である２５ｎｍの
ＡｕＧｅ系合金薄膜の成膜したままの状態での結晶構造
の組成依存性を示す。同図に示すように、Ｇｅの含有量
か８〜５８原子％の組成においてβ相を含んだ微細結晶
状態であった。なお、Ｇｅの含有量が５８〜６５原子％
の組成においても、後に述べる初期平衡化の工程を経れ
ば、β１・口を含んだ微細結晶状態となる。具体的に膜
厚２５ｎｍのＡｕＧｅ系合金薄膜の記録層を透過型電子
顕微鏡で観察した結果、結晶粒径が２０〜５０ｎｍ以下
であることがわかった。以上の実験結果より、この記録
層はＧｅの含有量が８〜６５原子９６の組成が適当であ
ることを見出だした。
次に、記録層の光反射率の温度変化を調べた。
Ｈｅ−Ｎｅレーザ（波長６３３　ｎｍ）を用いて、直径
約１１ｎ１１φ、パワー１ｍＷのレーザビームを記録層
に膜面側から照射し、試料を不活性雰囲気中で毎分１０
℃の速度で昇温しで光反射率の温度変化を測定した。第
１０図に第１表中に示した試料＃２〜＃７についての光
反射率の温度変化測定結果を示す。いずれの試料＃２〜
＃７おいても、共晶温度（３５６℃）付近で光反射率の
著しい上昇が見られる。
実験例２ 実験例１と同様に記録層を形成した後、保護層を兼ねる
透明誘電体薄膜として窒化シリコン薄膜を積層して第２
図に示す構造の記録媒体を作製した。この透明誘電体薄
膜の成膜は、第８図と同様の成膜装置においてターゲッ
ト１４にＳｉ３Ｎ４焼結ターゲットを用い、またスパッ
タガスとしてＡｒに窒素を１０％混合したガスを用い、
基板ホルダ１２に高周波電力を印加してバイアススパッ
タリング法により行なった。
こうして得られた試料＃９．＃１０について、分光反射
率・透過率特性を調べた結果を第１１図〜第１４図に示
す。横軸は窒化シリコン薄膜の膜厚ｔであり、反射率Ｒ
と透過率Ｔ１および１−Ｒ−Ｔで評価した吸収率Ａがプ
ロットしである。第１１図および第１２図は使用レーザ
ビーム波長が６３３ｎｍの場合であり、ｔ−５０〜１２
０ｎｆｆｌにおいて吸収率Ａが約１．５倍以上になると
共に、反射率Ｒが低下している。吸収率Ａが約１゜５倍
以上になることは記録感度が１．５倍以上になることを
意味する。
第１３図および第１４図は使用レーザビーム波長が８３
０ｒ＋ｍの場合であり、この場合はｔ＝８０〜１７０ｎ
ｍにおいて顕著な効果が認められた。また、使用レーザ
ビーム波長が７５０ｎｍ、　　７８０ｎｍ。
８００ｎｍの場合についても同様の実験を行ない、第１
３図および第１４図と同様の結果が得られた。
次に、上記とほぼ同様の試料＃１１．＃１２について、
実験例１で述べたと同じ方法で使用レーザビーム波長６
３３ｎｍにおける光反射率の温度変化を調べた結果を、
第１５図に示す。横軸は試ｑ温度であり、縦軸は成膜し
たままの状態での光反射率をＲとしてΔＲ／Ｒで表わさ
れる光反射率の相対的変化分［％］である。また、同図
中に各々の試料＃１１．１２における窒化シリコン薄膜
の膜厚ｔが示しである。窒化シリコン薄膜を１−５０〜
１２０ｎｍの厚さに積層した構造においては、光反射率
の低下は見られるが、光反射率の相対的変化分が１０倍
にも増大することがゎがる。これは再生信号のＳ／Ｎの
増大を意味する。
実験例３ 実験例２ではレーザビームが記録層の膜面側、すなわち
基板側と反対側から入射する構造の記録媒体の場合につ
いて述べたが、逆にレーザビームが基板側から入射する
構造の例として第５図の構造の記録媒体を作製した。記
録層および透明誘電体薄膜の成膜法は実験例２と同じと
した。但し、有機樹脂基板を用いる場合は、必要に応じ
て応じて最初、基板にバイアス電力を印加せずに、透明
誘電体薄膜としての窒化シリコン薄膜を堆積した。
実験例２と同様の実験を行なった結果、使用レーザビー
ム波長が６３３ｎｍの場合には窒化シリコン薄膜の膜厚
ｔ’−５０〜１２０ｎｍにおいて、またレーザビーム波
長が８３０ｎｍの場合にはｔ’　−８０〜１７０ｎｍに
おいて、いずれも光反射率変化がエンハンスされ、吸収
率が増大することが確認された。
実験例４ 実験例２．３は二層構造の場合であるが、さらに多層構
造として記録層を透過する光をも有効に使い得る構造に
すると、本発明の効果はさらに顕著となる。すなわち、
第３図および第６図に示した三層構造、第４図および第
７図に示した四層構造の記録媒体を、記録層２および誘
電体薄膜５゜６を実験例２．３と同様の方法で成膜して
作製した。光反射膜７としては、膜厚１００ｒ＋ｍのア
ルミニウム薄膜を同様の方法で成膜した。これらの試料
について同様の実験を行なったところ、単層構造は勿論
、二層構造と比較しても、光反射率変化がエンハンスさ
れ、かつ記録層における光エネルギー吸収率が増大する
傾向が認められた。
実験例５ ＡｕＧｅ系合金薄膜からなる記録層の分光反射率・透過
率特性の膜厚依存性を測定した。その測定結果の例を第
１６図および第１７図に示す。第１６図は使用レーザビ
ーム波長が６３３ｎｍの場合、第１７図は８３０ｒ＋ｍ
の場合である。横軸はＡｕＧｅ系合金薄膜からなる記録
層の膜厚であり、縦軸は第１１図〜第１４図と同様に反
射率Ｒと透過率Ｔ、および１−Ｒ−Ｔで評価した吸収率
Ａである。いずれの場合においても、膜厚が１０ｎｍ未
満になると、透過率Ｔが急激に増大し吸収率Ａが低下す
るので、記録感度の低下を来たす。従って、このＡｕＧ
ｅ系合金薄膜からなる記録層の膜厚は１０ｎｍ以上が適
当であることがわかる。また、実験例４で述べた三層お
よび四層構造の場合は、適当な光量が記録層を透過する
ことが必要であり、この観点から記録層の膜厚は１０〜
５０ｎｍが適当である。
実験例６ 以上の実験結果を基に、レーザビームの照射による記録
・再生・消去実験を行なった。光源としてＨｅ−Ｎｅレ
ーザを用い、記録層の膜面上に焦点を合せて直径１μｍ
φに絞ったレーザビームを照射し、ガルバノミラ−を用
いて線速１〜２尻／ｓａｃで膜面上を走査した。再生パ
ワーは膜面上で０．４ｍＷとした。記録用レーザビーム
は３００ｎｓｅｃ〜２０μＳｅＣのパルス幅とし、膜面
上で１〜２０ｍＷのパワーとした。
実験例１で述べた記録層の膜厚２００ｎｍの試料は、い
ずれの組成でも高パワー領域で記録できたが、感度は高
くなかった。また、記録層の膜厚か５０ｒ＋ｍ以下にな
ると、記録できる閾値パワーが低下した。これは記録層
が厚い場合は単位体積当りの吸収エネルギーが小さくな
ると共に、周囲への熱拡散が大きくなるためと考えられ
る。実用的な記録パワーを考えると、記録層の膜厚は５
０ｎｍ以下が望ましい。特に、Ｇｅの含有量が８〜６５
原子％のＡｕＧｅ系合金薄膜の記録層においては、記録
部分の光反射率が上昇する方向で、感度が高かった。
実験例２で述べた適当な膜厚の透明誘電体薄膜を積層し
た構造の記録媒体は、高感度の記録が可能であった。そ
の−例を示すと、石英基板上にＧｅの含有量が５０原子
％のＡｕＧｅ系合金薄膜を２５ｎｍの膜厚に堆積した後
、その上に窒化シリコン薄膜を９５ｎｍ堆積した試料を
作製し、膜面からレーザビームを照射した場合、パルス
幅を２μｓｅｃに固定してパワー３〜６ｍＷで記録がで
き、またパワーを６ｍＷに固定してパルス幅３００ｎｓ
ｃｃ〜２０μ５ｅｔｅで記録ができた。すなわち、記録
層の記録部分の光反射率が他の部分より上昇した。また
、レーザビームの照射により再生を行なった結果、記録
層単層の場合に比べて光反射率変化は５倍以上にエンハ
ンスされていた。
以上より、実験例２で述べた記録感度の向上と、再生出
力のＳ／Ｎ向上の効果が確認された。しかも、これらの
記録部分は２０００倍の光学顕微鏡観察および４０００
倍の走査型電子顕微鏡観察の結果、なんら形状変化は認
められず、平坦面のまま光反射率が変化していることが
わかった。
次に、記録層の記録部分にレーザビームを２．５ｍＷの
パワーで膜面上に焦点を合せたまま線状に照射した結果
、記録部分の光反射率は低下して元の反射率に戻り、記
録された情報が消去された。
さらに、こうして記録および消去を行なった個所に、上
記の記録時と同じ条件でレーザビームを照射したところ
、照射部の光量ｑ＝を率は再び同様に上昇し、完全に記
録ができた。これらの記録および消去は、何回でも繰返
し行なうことができた。
すなわち、ｔｔｍえ可能であることが見出だされた。
実験例７ 実験例６と同様の記録・再生・消去実験を、石英基板上
にＧｅの含有量が３０原子％のＡｕＧｅ系合金薄膜を５
０ｎｍ堆積し、その上に窒化シリコン薄膜を７ｏｎ＠堆
積した記録媒体を用いて行なったところ、パルス幅４μ
Ｓ８Ｃ、パワー８．８　ｍＷのレーザビームによる記録
と、レーザビームを線状にパワー４ｍＷで照射すること
による消去とを何回でも繰返し行なうことができた。そ
の他の条件は実験例６と同様である。
以上の例では焦点を合せた線状のレーザビームにより消
去を行なったが、記録時よりもビーム径が太く、パルス
幅の長いパルス状のレーザビームを用いても消去ができ
た。また、熱処理によっても消去が可能であった。
また、以上の例では基板が石英からなる記録媒体を用い
た場合について述べたが、実用的な有機樹脂基板である
ＰＭＭＡ　（、ポリメチルメタクリレート）基板を用い
て同様の実験を行なったところ、さらに高感度の記録が
できた。
また、以上の記録・再生・消去実験では記録媒体が第２
図の構造の場合を述べたが、第５図の構造の記録媒体を
用いた場合でも同様の条件で記録・再生・消去ができた
。さらに、第３図および第６図に示した三層構造、第４
図および第７図に示した四層構造の記録媒体を用いた場
合には、より高感度、高Ｓ／Ｎが得られる傾向を示した
。
実験例８ 波長８３０ｎａ＋の半導体レーザを用いて記録・再生・
消去実験を行なったところ、実験例６．７と同様に、高
感度かつ高Ｓ／Ｎの記録再生が可能であった。その場合
、第２図、第４図、第５図および第７図におけるレーザ
ビーム入射側の透明誘電体薄膜５を構成する窒化シリコ
ン薄膜の膜厚はｔ’　　−８０〜１７０ｒ＋ｍが適当で
あった。
具体的に説明すると、ＰＭＭＡ基板の上に透明誘電体薄
膜として窒化シリコン薄膜を１３５ｎｍ、その上にＡｕ
Ｇｅ系合金薄膜からなる記録層を２５ｎｍ、さらにその
上に保護層を兼ねる透明誘電体薄膜として窒化シリコン
薄膜を２００ｒ＋Ｉｌｌ積層した構造の記録媒体を作製
し、３００　ｒｐｍで回転させながら基板面側からレー
ザビームを照射したところ、記録・再生・消去ができた
。また、波長うく７５０ｒ＋ｍ、　　７８０ｎｒＡ、　
　８００ｎｍの各半導体レーザを使用しても、同様の結
果が得られた。
実験例９ 実験例６，７で述べたよりもさらに高いパワーのレーザ
ビームを用いて記録を行なうと、消去不可能になる場合
があった。−例を示すと、実験例６で述べた石英基板上
にＡｕＧｅ系合金薄膜の記録層を２５ｎｉ堆積し、その
上に窒化シリコン薄膜を９５ｎｍ堆積した記録媒体にお
いて、記録層の膜面側からレーザビームを照射した場合
、８ｍＷのパワーで線状に１回照射して記録したところ
、記録された情報は消去されなかった。また、パワー１
０ｍＷ、パルス幅４μｓｅｃで記録した場合も、やはり
消去不可能となった。
これらの消去不可能な記録部分を２０００倍の光学顕微
鏡で観察した結果、脹らんでいるように見え、さらに１
万倍の走査型電子顕微鏡で観察した結果によると、完全
に孔が形成されているわけではないが、記録層の膜の連
続性が失われ、溶融し凝集したと思われる組織となって
いた。これは記録時のレーザビームの加熱により、記録
層が完全に溶融してしまったからと考えられる。従って
、書換え可能とするには、レーザビームをこのような現
象が起きない範囲のパワーにして記録を行なう必要があ
る。
第１８図はこのような記録を一部について行なった場合
の記録媒体の状態を模式的に示したものであり、消去可
能な通常の記録部分３および未記録または消去部分４は
平坦な状態を維持しているのに対して、消去不可能な記
録部分９は隆起している。
ところで、上記のように消去不可能な記録を行なうこと
は、書換え可能という要請には反するが、逆にユーザー
が消去したくない、永久保存したいと考える情報につい
ては積極的にこうした記録を行なうことができる。消去
不可能な記録を行なう場合のレーザビームのパワーは一
般的に、消去可能な記録の場合の１．２〜１．９倍であ
り、これは既存の半導体レーザまたはＨｅ−Ｎｅレーザ
等を用いて十分実現可能な、すなわち実用範囲内のパワ
ーであった。なお、こうして記録層に形成された消去不
可能な記録部分は消去可能な通常の記録部分と同程度に
光反射率が上昇し、通常の記録部分と全く同じように再
生を行なうことが可能であった。
実験例１０ 実験例６で説明した記録・再生消去実験の後、記録部分
および消去部分を透過型電子顕微鏡により観察した。
実験例６で使用した記録媒体の記録層は、成膜したまま
の状態では電子線回折の結果、準安定状態であるβ相の
微細結晶であった。これに対し、記録部分を電子顕微鏡
および電子線回折によって解析したところ、ＡｕＧｅ系
合金薄膜の液体急冷法より出現する準安定状態であるγ
を口となり、約０．５μ尻程度の比較的大きな結晶粒径
を宵することが確認された。
また、消去部分についても同様に解析したところ、記録
部分よりも平衡状態により近いβ相＋Ｇｅ＋α用の混相
状態の微結晶（粒径５０ｎｍ以下）となっていることが
判明した。
」−記の実験結果より、本発明における記録・消去過程
は前述したような結晶−一結晶転移によっていることが
明らかとなった。
実験例１１ ＡｕＧｅ系合金薄膜からなる記録層の組成が変化した場
合の記録特性の変化を調べた。第１９図はその実験結果
の一例であり、石英基板上にＡｕＧｅ系合金薄膜からな
る記録層を２５ｎｍ、その上に窒化シリコン薄膜からな
る透明誘電体薄膜を７５ｎｍ堆積した記録媒体に、記録
層の膜面側からＨｅ−Ｎｅレーザ（波長６３３　ｎｍ）
からパワー６ｍＷ、パルス幅１６μｓｅｃのパルス状レ
ーザビームを照射して記録した場合の例である。第１９
図の縦軸は再生出力の変調度を、最大値を１として規格
化したもので、記録部分の光反射率が上昇する場合を正
にとっており、また横軸はＧｅの含釘瓜（原子％）をと
っている。
この結果から明らかなように、Ｇｅの含有量が８〜６５
原子％の組成において光反射率が上昇して記録が可能と
なる。しかも、これらの記録部分は消去・再記録、すな
わち書換えが可能であった。
なお、この組成範囲の中でも特にＧｅの含有量が２５〜
６０原子％の組成が、記録感度が高く、かつ再生出力の
Ｓ／Ｎも大となるので、より好ましい。
実験例１２ 以下の実験例では、記録層を成膜後、熱処理による初期
平衡化を行なった場合について述べる。
初期平衡化のための熱処理温度は前述したように記録層
における主要な２種の元素間の共晶温度未満の適当な温
度とするが、この熱処理に際しては記録媒体に使用する
基板材料のガラス転移点をも考慮する必要がある。この
種の光記録媒体における基板材料であるＰＭＭＡ、ＰＣ
（ポリカーボネイト）、エポキシ等の宵機樹脂あるいは
ガラス等は、その材料に特有のガラス転移点以上の温度
にまで加熱されると、変形を起こすからである。第２表
にこれらの基板材料のガラス転移点の例を示す。
第２表 実験例１２では、実験例６で説明した記録媒体について
記録層を成膜後、電気炉中で１５０℃。
２０秒間の熱処理を施した。この記録媒体を実験例６と
同様に記録・再生・消去実験に供したところ、熱処理前
と同じ条件で記録・再生・消去ができた。そして、記録
層を成膜したままの記録媒体に比べて、熱処理後の記録
媒体の方が未記録部分と消去部分との光反射率の差が少
なかった。
実験例１３ 実験例７で述べた記録媒体について記録層の成膜後、実
験例１２と同様に１５０°Ｃｌ２Ｏ秒間の熱処理を施し
てから記録・再生・消去実験に供したところ、やはり熱
処理後の記録媒体の方が未記録部分と消去部分との光反
射率の差が少なかった。
一方、同じ記録媒体について今度は３００’Ｃ。
１０分間の熱処理を施してから、実験例７と同様の条件
で記録・再生・消去実験を行なったところ、未記録部分
の光反射率の変動が見られ、成膜したままの状態の記録
媒体の場合よりも、かえってＳ／Ｎが低下した。Ｘ線回
折の結果によると、上記熱処理後の記録層はβ相＋Ｇｅ
の消去状態になっていたが、光学顕微鏡および走査型電
子顕微鏡による観察の結果、記録層の結晶粒径が粗大化
し、記録層の表面が荒れて粒界ノイズが発生しているの
がＳ／Ｎ低下の原因であることがわかった。これより熱
処理の温度および時間を適切に選ばないと、逆効果にな
ってしまうことがわかった。
実験例１４ 実験例１２．１３では石英基板を用いた記録媒体につい
て述べたわけであるが、より実用的なａ機樹脂基板であ
るＰＭＭＡ基板を用いて作製した記録媒体は、１５０°
Ｃの熱処理に施したところ、基板が変形すると共に、予
め基板上に刻み込まれていた案内溝が潰れる現象が見ら
れた。これはＰＭＭＡ基板が第２表に示したガラス転移
点（９８°Ｃ）以上に加熱されたことが原因である。
従って、ガラス転移点の比較的低い有機樹脂基板を使用
した場合は、初期平衡化のための熱処理は基板温度を上
げずに記録層の温度のみを上げる方法が望ましい。その
方法としては、レーザビームの照射による熱処理がある
。
第２０図にレーザビームを使用した熱処理装置（初期平
衡化装置）の構成例を示す。レーザ光源２１は例えばＡ
ｒイオンレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、半導体レーザ等で
あり、記録媒体２４（光ディスク）の半径方向にレーザ
ビームを移動走査する機構を含む光学系２２および対物
レンズ２３によって、軸２５を中心として回転する記録
媒体２４に対し、基板１上の記録層２に焦点を合せて照
射される。
このような装置において、記録媒体２４を回転させなが
らレーザビームを走査して連続的に照射することにより
、基板１上の記録層２全体を加熱し初期平衡化すること
ができる。この場合、基板１の材料は使用レーザビーム
波長に対し透明であって、そのエネルギーを吸収しない
ものとする。
この方法によれば、記録層２に焦点を合せたレーザビー
ムにより記録層２のみを加熱でき、記録層２で発生した
熱は基板１より熱伝導の良い記録層２自身を通して放散
されるので、基板１の温度はほとんど上昇せず、上述し
た問題が避けられる。
なお、レーザビームの照射は基板１面側からでなく、記
録層２の膜面側からであってもよい。
ここで、上述した熱処理におけるレーザビームの照射は
記録層の温度を共晶点未満の適当な温度まで上昇させ、
かつ徐冷することにより、記録層をより平衡状態に近い
混相の状態、すなわち消去状態と同じ状態にするための
ものである。従って、記録層の温度が共晶点未満になる
ようなレーザパワーを用いる必要がある。また、急冷す
るとより平衡状態に近い状態にならない可能性があるの
で、急冷とならない程度にレーザビームの線速度（記録
媒体の回転速度）を遅くすることが望ましい。
この場合の急冷とは、冷却速度が１０１０°Ｃ／ｓｅｅ
以上を指す。徐冷の効果を持たせる他の方法として、レ
ーザビームの焦点を記録層から若干ずらす等の方法も有
効である。
一般に、光方式の記録媒体では光学ヘッドをガイドする
案内溝が基板に刻み込まれるが、上記のようにレーザビ
ームを用いた熱処理により初期平衡化を行なうと、その
初期平衡化した部分を案内溝の代わりとすることができ
る。すなわち、案内溝のない平坦な基板を用い、記録層
を成膜後、レーザビームを用いて成膜したままの状態の
部分を一部残す形で、スパイラル状または同心円状に初
期平衡化を行なう。この場合、記録・再生時には成膜し
たままの状態の部分と、初期平衡化した部分との光反射
率の差を利用してトラッキング信号を検出し、それに基
づき光学ヘッドの記録媒体半径方向の位置を制御してト
ラッキングを行なえばよい。
具体的には、記録媒体２４としてＰＭＭＡ基板上に窒化
シリコン薄膜からなる透明誘電体薄膜を８５ｎｍ、その
上にＡｕＧｅ系合金薄膜からなる記録層を２５　ｎ１ｍ
％さらにその上に保護層を兼ねる窒化シリコン薄膜から
なる誘電体薄膜を１００　ｎｍ。
順次マグネトロンスパッタリング法により堆積したもの
を作製し、軸２５を中心に回転させて、レーザビームに
よる走査の線速度を０．５　ｍ／ｓｅｅとした。この場
合、レーザビームを記録層２に完全に焦点を合せず、回
折限界までは絞らずに、記録媒体２４の面上において５
ｍＷのパワーで連続的に照射した。照射部分は前述した
ように光学ヘッドの案内溝の部分に用いた。この初期平
衡化の後、記録媒体２４を調べたところ、基板１の変形
や案内溝の潰れは認められなかった。
こうして初期平衡化した記録媒体と、記録層を成膜しま
まの状態の記録媒体について、先と同ｔ、’ａにして記
録・再生・消去実験を行なったところ、書換えをした部
分がある場合の再生出力のＳ／Ｎは、初期平衡化した記
録媒体のそれの方が高かった。
なお、記録層を基板から剥離して電子線回折実験に供し
たところ、レーザビームにより初期平衡化した部分はβ
打１＋Ｇｅ＋α相になっていることか確認され、また一
旦記録した後に消去した部分も、同じくβＦ目＋　Ｇ　
ｅ＋α相になっていた。
上述したレーザビームの照射による初期平衡化において
、レーザビームの入射方向は前述したように基板面側か
らでもよいし、記録層の膜面側からでもよい。但し、記
録媒体がレーザビームエネルギーの利用効率を高める目
的で前記のような透明誘電体薄膜を積層した構造のもの
である場合は、記録・再生・消去用のレーザビームと同
方向から初期平衡化用のレーザビームの照射をした方が
、より小さなレーザパワーで済み、望ましい。なお、初
期平衡化のためのレーザ光源としては波長８３０　ｎｍ
、　　８００　ｎｍ、　　７８０　ｎｍ、　　７５０　
ｎｍの半導体レーザおよびＡｒイオンレーザのいずれを
用いても、同じ効果が得られた。
実験例１５ 以上述べたレーザビームによる初期平衡化においては、
第２０図に示した如き初期平衡化装置１台につき１枚の
記録媒体しか同時に処理できないので、記録媒体の量産
化に際しては同様の′ｆ月期平衡化装置を多数桑備する
必要がある。これに対し、次のような方法を用いると、
初期平衡化のための装置１台で同時に多数の記録媒体を
処理することができる。
発明者らがＡｕＧｅ系合金薄膜の記録層について詳細な
実験を行なった結果、Ｐ　Ｍ　Ｍ　Ａ基板等の実用的な
有機樹脂基板のガラス転移点より十分低い温度て熱処理
を行なっても、初期平衡化が可能であることを見出だし
た。この点に着目し、基板のガラス転移点未満の温度の
保持した恒温槽に記録層成膜後の記録媒体を入れ、初期
平衡化を行なう。この方法によると、一度に多数の記録
媒体を一つの恒温槽に入れて初期平衡化を行なうことが
可能である。
ここで恒温槽の温度は、記録層の成膜したままの準安定
な結晶状態がより平衡な状態に移行するに必要な臨界温
度以上であることが必要である。
記録層がＡｕＧｅ系合金薄膜の場合を例にとると、その
臨界温度はおおよそ５０°Ｃであることを見出だした。
従って、この方法により実用的な有機樹脂基板が十分に
耐え、変形等の弊害を伴わない温度で記録媒体を熱処理
して初期平衡化、を達成することができた。
ＡｕＧｅ系合金薄膜を例にとると、その結晶構造は第１
表に示したように成膜したままの状態ではβ相またはγ
相の単−相であり、平衡状態は混相であることにより、
平衡化の過程は拡散律速である。本発明で使用する記録
媒体における記録層は、他の組成のものであっても、そ
れを構成する元素の拡散が重要である。従って初期平衡
化のための熱処理は、上記要請を満たした恒温槽の温度
において十分に記録層の構成元素が拡散するだけの時間
待なう必要がある。ここで、十分に拡散するだけの時間
とは、構成元素が記録層の膜厚のオーダー程度に拡散す
る時間であり、これがあまり長いと記録ＩＧＭの結晶粒
が粗大化して再生時に粒界ノイズが発生する場合があり
、好ましくない。
恒温槽を用いて初期平衡化を行なった具体的な実験例と
して、実験例１４で述べた記録媒体を記録槽を成膜した
ままの状態で６５℃の恒温槽に入れて１０時間保持し、
初期平衡化を行なった。恒温槽は通常のもので、内容積
が約１７７１３のものを用いた。この恒温槽内には多数
の記録媒体、例えば３００Ｍφの光ディスクを例にとる
と、約１５０枚が収容可能である。この初期平衡化の工
程の後、記録媒体を調べたところ、基板の変形や潰れは
認められなかった。また、この初期平衡化した記録媒体
を初期平衡化をしない記録媒体について記録・再生・消
去実験を行なったところ、初期平衡化した媒体の方が、
書換えした部分がある場合の再生出力のＳ／Ｎが高かっ
た。
実験例１６ 実験例１４と同様の記録媒体を記録槽が成膜したままの
状態で５０°Ｃの恒温槽に入れて１０時間保持したが、
Ｘ線回折や記録・再生・消去実験の結果、初期平衡化は
できていなかった。この原因は、温度に対して恒温槽内
での保持時間が不足していたものと考えられる。
以上、本発明に係る情報記録再生方法の実施例と、記録
媒体の製造工程の具体例を初期平衡化の方法を含めて説
明したが、本発明はその他、要旨を逸脱しない範囲で種
々変形して実施することが可能である。
例えば上記説明では本発明で使用する記録媒体における
記録層として、ＡｕＧｅ系合金薄膜、特にＧｅを８〜６
５原子９６含む薄膜を例示したが、要はＩｂ族元素とＩ
Ｖａ族元素を主要な２種の元素として含む記録層であれ
ばよく、ＡｕＧｅ系合金薄膜の他、ＡｕＳｉ系合金薄膜
、ＡｇＧｅ系合金薄膜等を使用できる。
また、このような元素の中でも、特に両元素間で１５０
〜７００℃の温度範囲に共晶温度を有するＩｂ族元素と
ＩＶａ族元素の組合せが好適である。
すなわち、記録状態である準安定状態が室温近傍で消去
状態である平衡に近い状態に移行する可能性や、再生用
レーザビームにより記録されている情報が消去される可
能性を考慮すると、共晶温度の下限は１５０°Ｃ以上が
望ましい。また、本発明では記録層を記録時にレーザビ
ームにより共晶温度付近まで加熱する関係から、実用的
なレーザパワーを考えると、７００℃以上に加熱するの
は困難であるため、共晶温度の上限は７００　’Ｃ以下
が望ましいのである。これらの事情を考慮すれば、さら
に実用的には共晶温度が２５０〜４５０℃の範囲にある
ことが好ましい。第３表にＩｂ族元素とＩＶａ族元素（
但し、Ｃを除く）のそれぞれの間の共晶温度を示す。
第３表 本発明で使用する記録媒体における記録層としては、Ａ
ｕＧｅ系合金薄膜のほか、第３表に示したＩｂ族元素Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ａｕと、ＩＶａ族元素Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐ
ｂの全ての組合せからなる合金薄膜を使用できる。また
、他の例としてＡＩ！とＩＶａ族元素を主要な２種の元
素とする例えばＡ、ｉ？Ｇｅ系合金薄膜（共晶温度４２
４℃）。
ＡＩ！Ｓｉ系合金薄膜（共晶温度５７７℃）等も使用で
きる。
さらに、記録層としてはＩｂ族元素とＩＶａ族元素のほ
かに、記録特性や書換え特性、あるいは再生出力のＳ　
／Ｎ、寿命等をさらに改善することを目的として、添加
元素を適宜加えることもできる。
［発明の効果］ 本発明に係る情報記録再生方法は、 （１）書換えが可能であり、また必要に応じては消去不
可能、永久保存が可能な記録を、実用的なレーザパワー
の範囲内でできる； （２）　　記録媒体における記録層を構成する元素に毒
性がなく、耐蝕性、耐候性に優れており、保存寿命が長
い； （３）記録層の組成マージンが広く、またスパッタリン
グ法で成膜することにより、再現性、量産性に優れてい
る； （４）記録感度が高く、再生出力のＳ／Ｎも高い；（５
）記録部分と消去部分とで記録層の光反射率は大きく異
なる反面、画部分の結晶構造が稠密面積層構造という共
通性を持つために、記録や消去に要する時間が短い； （６）初期結晶化の工程が不要であり、初期平衡化の工
程も省略することが可能； （７）　　必要に応じて初期平衡化を行なうことで、再
生出力のＳ／Ｎをさらに向上させることができる；等の
効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明で使用する記録媒体の基本構造および記
録・消去状態を模式的に示す断面図、第２図〜第７図は
本発明で使用する記録媒体の他の例を模式的に示す断面
図、第８図は本発明で使用する記録媒体の製造のための
成膜装置の一例を示す図、第９図は本発明の実施例で使
用した記録媒体における記録層の成膜したままの状態で
の結晶構造のＸ線回折メインピークの組成依存性を示す
図、第１０図は本発明の実施例で使用した記録媒体の光
反射率の温度変化を記録層の組成が種々異なる場合につ
いて示す図、第１１図〜第１４図は本発明で使用した記
録媒体の分光反射率・透過率および吸収率の透明誘電体
薄膜膜厚依存性を記録層の組成および膜厚が種々異なる
場合について示す図、第１５図は本発明の実施例で使用
した記録媒体の光反射率の温度変化を記録層の組成およ
び膜厚と透明誘電体薄膜の膜厚が種々異なる場合につい
て示す図、第１６図および第１７図は本発明で使用した
記録媒体の分光反射率・透過率および吸収率の記録層膜
厚依存性を記録層の組成および使用レーザビーム波長が
異なる場合について示す図、第１８図は本発明において
一部消去不可能な記録を行なった場合の記録媒体の状態
を模式的に示す断面図、第１９図は本発明で使用した記
録媒体の記録層の組成変化に対する記録特性の変化を示
す図、第２０図は本発明で使用する記録媒体における記
録層の初期平衡化に使用する装置の一例を示す図、第２
１図は本発明の実施例で使用した記録媒体における記録
層の成膜したままの状態での結晶構造の組成依存性を示
す図である。 １・・・基板、２・・・記録層、３記録部分、４・・・
未記録または消去部分、５．６・・・透明誘電体膜、７
・・・光反射膜、８・・・消去可能な記録部分、９・・
・消去不可能な記録部分。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 へＩ（イ）ｈ　−〜Ｃ＾　Ｎ　− １本［”Ｃ） 第１０図 第８図 ｔ（ｎｍ） 第１１図 第１２図 ｔ　（ｎｍ） 第１３区 第１４２ 入＝６３３ｎｍ 鷹凌　ピり 第１５図 第１６図 第１７図 第１９図 第１８図 第２０ｖ！Ｊ →ａｔ、　’／＠Ｇｅ 第２１図

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. （１） I ｂ族元素とIVａ族元素を主要な２種の元素と
    して含む記録層を有する記録媒体を用い、記録時には前
    記記録媒体への光ビームの照射によって前記記録層を加
    熱した後、冷却することにより記録層の光ビーム照射部
    を準安定状態で且つ光ビーム非照射部より光反射率が高
    い状態にせしめ、再生時には前記記録媒体に記録時より
    も低パワーの光ビームを照射して前記記録層の記録部分
    と未記録部分との光反射率の違いによる記録層からの反
    射光の変化を検出し、さらに消去時には前記記録層を記
    録時より低い温度に加熱した後、冷却することにより前
    記記録層の消去すべき部分を前記準安定状態よりも平衡
    状態に近い混相にせしめることを特徴とする情報記録再
    生方法。
  2. （２）前記記録層における主要な２種の元素は１５０℃
    〜７００℃の範囲に共晶温度を有する I ｂ族元素とIV
    ａ族元素との組合せであることを特徴とする特許請求の
    範囲第１項記載の情報記録再生方法。
  3. （３）前記記録層における I ｂ族元素はＡｕであり、
    IVａ族元素はＧｅであることを特徴とする特許請求の範
    囲第２項記載の情報記録再生方法。
  4. （４）前記記録層におけるＧｅの含有量が８〜６５原子
    ％であることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
    情報記録再生方法。
  5. （５）前記記録媒体は前記記録層より光ビーム入射側に
    透明誘電体薄膜を設けたものであることを特徴とする特
    許請求の範囲第１項〜第４項のいずれかに記載の情報記
    録再生方法。
  6. （６）前記記録媒体は前記記録層の光ビームの入射側と
    反対側に該記録層から見て透明誘電体薄膜および光反射
    膜を順次設けたものであることを特徴とする特許請求の
    範囲第１項〜第５項のいずれかに記載の情報記録再生方
    法。
  7. （７）前記記録媒体は前記記録層が I ｂ族元素として
    Ａｕ、IVａ族元素としてＧｅを含むものであり、さらに
    該記録層より光ビーム入射側に透明誘電体薄膜として膜
    厚が５０ｎｍ〜１７０ｎｍの窒化シリコン薄膜を設けた
    ものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
    の情報記録再生方法。
  8. （８）前記記録層の膜厚が１０ｎｍ〜５０ｎｍであるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第７項のいずれ
    かに記載の情報記録再生方法。
  9. （９）前記記録層はスパッタリング法により形成された
    ものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第
    ８項のいずれかに記載の情報記録再生方法。
  10. （１０）前記記録層は成膜後、融点未満の温度で熱処理
    されたものであることを特徴とする特許請求の範囲第１
    項〜第９項のいずれかに記載の情報記録再生方法。
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DE8787301080T DE3773707D1 (de) 1986-02-06 1987-02-06 Informationsaufzeichnungstraeger und verfahren zum schreiben/lesen von informationen von diesem traeger.
US07/012,074 US4839861A (en) 1986-02-06 1987-02-06 Information recording medium rewritable by utilizing two metastable phases of a recording layer and method using the same

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DE (1) DE3773707D1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01241041A (ja) * 1988-03-19 1989-09-26 Ricoh Co Ltd 光記録方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5301145A (en) * 1987-07-13 1994-04-05 Sharp Kabushiki Kaisha Method and apparatus for recording and reading information, and an information recording element
JP2538647B2 (ja) * 1988-07-22 1996-09-25 富士通株式会社 光ディスク媒体
US5056079A (en) * 1988-08-04 1991-10-08 Literal Corporation Multi-state optical contrasts in optical recording media for data compression
DE4019301A1 (de) * 1990-06-16 1991-12-19 Basf Ag Reversibler optischer aufzeichnungstraeger vom phasenwechsel-typ
JP2556183B2 (ja) * 1990-09-11 1996-11-20 富士ゼロックス株式会社 光学的記録方法とこの方法を用いる光記録媒体
US5128099A (en) * 1991-02-15 1992-07-07 Energy Conversion Devices, Inc. Congruent state changeable optical memory material and device
US5294518A (en) * 1992-05-01 1994-03-15 International Business Machines Corporation Amorphous write-read optical storage memory
JP2674453B2 (ja) * 1993-01-18 1997-11-12 日本電気株式会社 光ディスク媒体の記録方法および装置
DE19710903A1 (de) * 1997-03-15 1998-09-17 Leybold Materials Gmbh Sputtertarget zur Herstellung von Phase-Change Schichten (optischen Speicherschichten)
JP4053916B2 (ja) * 2003-03-24 2008-02-27 Ｔｄｋ株式会社 光記録媒体及び光記録媒体用スパッタリングターゲット
JP2004284241A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Tdk Corp 光記録媒体及び光記録媒体用スパッタリングターゲット
TW200721152A (en) * 2005-11-23 2007-06-01 Ind Tech Res Inst Optical recording medium
JP2007328873A (ja) * 2006-06-08 2007-12-20 Toshiba Corp 追記型多層光ディスク、記録方法、再生方法、および記録装置
US8389095B2 (en) * 2009-02-27 2013-03-05 Brigham Young University Optical data storage media containing substantially inert low melting temperature data layer

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3530441A (en) * 1969-01-15 1970-09-22 Energy Conversion Devices Inc Method and apparatus for storing and retrieving information
JPS59218644A (ja) * 1983-05-27 1984-12-08 Fujitsu Ltd 光記録媒体
NL8301916A (nl) * 1983-05-31 1984-12-17 Philips Nv Thermo-magneto-optische registratie-inrichting en registratie-element daarvoor.
CA1218285A (en) * 1983-08-24 1987-02-24 Yoshiaki Kita Recording medium
JPS619542A (ja) * 1984-06-25 1986-01-17 Hitachi Ltd 記録材料及びその製造法
JPS60177446A (ja) * 1984-02-23 1985-09-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光デイスク記録媒体
JPS60179953A (ja) * 1984-02-24 1985-09-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光デイスク媒体
JPS60179954A (ja) * 1984-02-24 1985-09-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光デイスク記録媒体
JPS60179952A (ja) * 1984-02-24 1985-09-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光デイスク媒体
JPH066393B2 (ja) * 1984-03-07 1994-01-26 株式会社日立製作所 情報の記録・消去方法
US4527173A (en) * 1984-04-16 1985-07-02 Eastman Kodak Company Erasable, reusable optical recording element and method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01241041A (ja) * 1988-03-19 1989-09-26 Ricoh Co Ltd 光記録方法

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