MXPA01013105A

MXPA01013105A - Medio optico de grabacion y el uso de dicho medio optico de grabacion.

Info

Publication number: MXPA01013105A
Application number: MXPA01013105A
Authority: MX
Inventors: Zhou Guo-Fu
Original assignee: Koninkl Philips Electronics Nv
Priority date: 2000-04-20
Filing date: 2001-04-09
Publication date: 2002-06-04
Also published as: CN1383550A; TWI232446B; CN1218310C; EP1279170A1; KR100770768B1; WO2001082297A1; KR20020026187A; US20010033991A1; CA2377619A1; JP2003532248A; RU2002101129A; US6670013B2

Abstract

El medio optico de grabacion (20) tiene un sustrato (1) y un hacinamiento de capas provistas encima del mismo. Una capa de grabacion de fase de cambio (5), teniendo un punto de fusion Tmp es emparedada entre una primera (3) y una segunda (7) capas dielectricas. Una capa aceleradora de cristalizacion (4,6) esta siendo interpuesta en contacto con la capa de grabacion (5). Ademas una capa reflexiva (8) esta presente y una capa opcional de cubierta (9). La capa aceleradora de cristalizacion (4.6) consiste de una aleacion binaria de metal o un semiconductor y tiene un punto de fusion Tmg por lo menos 250°C mayor que el punto de fusion Tmp de la capa de grabacion (5) y tiene una estructura de cristal similar al estado cristalino de la capa de grabacion (5).

Description

MEDIO ÓPTICO DE GRABACIÓN Y EL USO DE PICHO MEDIO ÓPTICO DE GRABACIÓN.

La invención se relaciona con un medio óptico de grabación que tiene un sustrato y un hacinamiento de capas provistas encima del mismo, el hacinamiento que contiene una capa de grabación, teniendo un punto de fusión y siendo capaz de cambiar entre un estado amorfo a uno cristalino, emparedado entre una primer y una segunda capa dieléctrica, la primera siendo adyacente al sustrato, una capa aceleradora de cristalización siendo interpuesta en contacto con la capa de grabación, y una capa reflexiva. La invención también se relaciona al uso de dicho medio óptico de grabación.

Un medio óptico de grabación del tipo mencionado en el párrafo de apertura es conocido de la solicitud de patente Japonesa JP-09161316 A. En el medio conocido el estado de la capa de grabación cambia localmente de cristalina a amorfa cuando los datos son grabados ópticamente. El almacenaje de datos ópticos basado en el principio de la fase de cambio es atractivo, debido a que combina las posibilidades de sobrescribir directamente (DOW) y la densidad de almacenaje alto con una fácil compatibilidad con los sistemas de almacenaje de datos ópticos que son solo de lectura. La grabación óptica de la fase de cambio incluye la formación de marcas de grabación amorfas de tamaño submicrométrico en una película cristalina usando un rayo de luz de láser de relativamente alto poder enfocado. Durante la grabación de información, el medio es movido con respecto a rayo de luz de láser enfocado que es modulado de acuerdo con la información que será grabada. Debido a esto, la extinción toma lugar en la capa de grabación de fase de cambio y transforma la información a bits de información amorfos en las áreas expuestas de la capa de grabación que permanece cristalina en las áreas no expuestas. El borrado de las marcas amorfas escritas es realizado por el recristalizador a través de calentamiento con el mismo láser a un nivel de poder intermedio, sin derretir la capa de grabación. Las marcas amorfas representan los bits de datos, que pueden ser leidos, pe., por medio del sustrato, por medio de un rayo de luz de láser de relativamente bajo poder enfocado. Las diferencias de reflexión de las marcas amorfas con respecto a la capa de grabación cristalina logran un rayo de luz de láser modulado que es subsecuentemente convertido por un detector en una fotocorriente modulada de acuerdo con la información digital grabada. Una de las más importantes demandas en la fase de cambio de la ' grabación óptica es una tasa de datos alta, que significa que los datos pueden ser escritos en y leidos del medio con una tasa de por lo menos 30Mbits/s. Una tasa de datos alta requiere que la capa de grabación tenga una tasa alta de cristalización, pe., un tiempo corto de cristalización. Para asegurar que las marcas amorfas previamente grabadas puedan ser cristalizadas durante la sobrescritura directa, la capa de grabación debe tener un tiempo apropiado de cristalización para igualar la velocidad del medio relativa al rayo de luz de láser. Si la velocidad de cristalización no es lo suficientemente alta para igualar la velocidad del medio relativa al rayo de luz de láser las marcas amorfas de la grabación anterior, representando datos viejos, no pueden ser completamente borrados, o sea recristalizados, durante el DOW. Esto provoca un nivel alto de ruido. Una velocidad de cristalización alta es particularmente requerida en la grabación de alta densidad y en aplicaciones de tasa alta de datos, como los DVD+RW, DVR- rojo y azul en forma de disco que son abreviaciones de una nueva generación de Discos Digitales Versátiles+RW de alta densidad, en donde RW se refiere a la capacidad de sobrescripción de dichos discos, y discos de almacenaje óptico de Grabación de Video Digital, en donde el rojo y el azul se refieren a la longitud de onda de láser utilizada. Para estos nuevos discos el tiempo completo de borrado (CET) tiene que •ser por lo menos 60 ns. El CET os definido como la duración minima del pulsación de borrado para una cristalización completa de una marca amorfa escrita en un ambiente cristalino, que es medido estáticamente. Para el DVD+RW, que tiene una densidad de grabado de 4.7 GB por disco de 120 mm, una tasa de datos de bit de 33 Mbits/s es necesaria, y para el DVR-rojo dicha tasa es de 35 Mbits/s. Para la regrabación de la fase de cambio de los sistemas de grabación como el DVR-azul, se requiere una tasa de datos más alta que 50 Mbits/s. El medio conocido del tipo de fase de cambio contiene un sustrato en forma de disco llevando un hacinamiento de capas consistiendo, en sucesión, de una primer capa dieléctrica, una capa Sb2Tes como capa de aceleración de cristalización, una capa Sb como capa correctora de composición, una capa de grabación de fase de cambio de aleación Sb2Te28? una segunda capa dieléctrica y una capa reflexiva de metal. Dicho hacinamiento de capas puede ser referido como una estructura INP'PIM, en donde M representa la capa de espejo o reflexiva, I representa una capa dieléctrica y P representa una capa de grabación de fase de cambio mientras que P' representa una capa de corrección de composición que se mezcla con la capa de grabación en la primera grabación. Una capa de aceleración de cristalización N de Sb2Te3, está dispuesta entre la primer capa dieléctrica y las capas de corrección y de grabación para alcanzar una cristalización rápida del medio durante el borrado de información en el medio por medio del rayo de luz de láser. En el medio conocido de grabación la capa N tiene un punto de fusión de 618°C, solamente 68°C más alto que el punto de fusión de 550°C de la capa P. El punto de fusión de la conocida capa N es relativamente cercano al punto de fusión de la capa P provocando que la capa N se disuelva en las capas de corrección y grabación P'P después de que una o en el mejor de los casos pocos ciclos de grabación/borrado, en donde la capa N de aceleración de cristalización ya no está presente y su acción de aceleración / cristalización se pierde. Para el borrado completo de una marca amorfa, ocurren dos procesos, pe., la nucleación y el crecimiento de granos (cristalite) . Una investigación del conocido medio de grabación ha revelado que la conocida capa N de aceleración-cristalización es meramente una capa promotora de la nucleación. Es una desventaja del conocido medio que su capa de aceleración de cristalización funciona por al menos unos pocos ciclos de grabación y borrado. Esto no es" suficiente para medios borrables modernos, que requieren un desempeño estable para por lo menos mil ciclos de grabación y borrado.

Es un objeto de la invención el proveer un medio de grabación óptica de la clase descrita en el párrafo introductorio, que es adecuado para grabaciones ópticas de sobrescritura de alta velocidad, teniendo un valor de CET de cuando menos 60 ns.

Es otro objeto de la invención el proveer un medio de grabación óptica de la clase descrita en el párrafo introductorio, que es adecuado para la grabación óptica de regrabado, teniendo un desempeño estable para al menos 103 ciclos de grabado y borrado. Este objeto es alcanzado de acuerdo con la invención por un medio de grabación óptica como es descrito en el párrafo introductorio, que se caracteriza en que la capa de aceleración de cristalización: - - contiene un material seleccionado de un grupo consistiendo de aleaciones binarias de metal, elementos semiconductores y aleaciones semiconductoras y tiene un punto de fusión Tmg de por lo menos 250°C más alto que el punto de fusión Tmp de la capa de grabación y - tiene una estructura de cristal similar al estado cristalino de la capa de grabación.

La capa de aceleración de cristalización de acuerdo a la invención, que también será abreviada como G, produce una velocidad alta de cristalización de la capa de grabación debido a que las marcas amorfas de la capa e grabación están en contacto con la capa G. Esto acelera el proceso de crecimiento de cristalización, llevando a una velocidad mayor de cristalización. Especialmente debido a que la estructura de cristal de la capa G es similar a, o aún la misma que, • la estructura del estado cristalino de la capa de grabación de la capa de grabación de la tasa de cristalización de las marcas amorfas es incrementado ventajosamente. La estructura de cristal de la capa G después sirve como una muy buena capa de iniciación de crecimiento de grano o capa de nucleación para el crecimiento cristalite en la capa de grabación. Esta capa G está siempre presente adyacente a la capa aislante térmica, aqui la primera o segunda capa dieléctrica, ya que el hacinamiento teniendo una capa G entre la capa de grabación y el sustrato o la capa de reflexión no puede realizar las propiedades térmicas deseadas. Una ventaja de la capa G, conteniendo un material seleccionado de un grupo consistiendo de aleaciones binarias de metal, semiconductores y aleaciones de semiconductores, es que tiene un punto de fusión alto. Esto contrarresta la disolución de la capa G en la capa de grabación y el mantenimiento de la estructura cristalina para un gran numero de ciclos de grabado y borrado. Durante la grabación, la temperatura máxima en la capa de grabación es de 800°C, que es aproximadamente 1.4 veces que Tmp para una capa de grabación con una T^p de 550°C. Esto puede ser deducido de un cálculo de la temperatura basado en la energía de láser presentada durante la grabación y las propiedades físicas del hacinamiento. La temperatura de fusión Tmg de la capa G tiene que ser mayor que estos máximos de temperatura para que la capa G permanezca en estado cristalino cuando es derretida la capa de grabación. Por lo tanto, la diferencia de temperatura de fusión entre la capa de grabación y la capa G debe ser de 250°C o mayor, pero preferentemente 300°C o mayor, tomando en consideración un margen de seguridad. Los materiales preferidos, que pueden ser usados como la capa G, son PbTe, Ag2Te, CrTe, Ge y Si. En una modalidad del medio de grabación de la capa G es dispuesta entre la capa de grabación y la segunda capa dieléctrica. El grosor de la capa G puede ser escogido entre 0.1 y 10 nm. La conductividad térmica - de la capa de aceleración-cristalización es generalmente comparable a aquella de la capa de grabación, que es una aleación de metales. Sin embargo esto tiene solamente un pequeño efecto en el comportamiento térmico del hacinamiento debido a que el grosor de la capa G es generalmente relativamente más pequeño comparado a las otras capas en el hacinamiento. Esto facilita el diseño térmico del hacinamiento. En otra modalidad, el tiempo de cristalización es reducido además en que una segunda capa es dispuesta entre la capa de grabación y la primera capa dieléctrica. De este modo, una capa G es dispuesta en ambos lados de la capa de grabación. La segunda capa G puede ser de un material similar o idéntico al material de la otra' capa de grabación. El tiempo cristalización es reducido ya que ahora una capa cristalina, que acelera el proceso de crecimiento de cristalite, está presente en contra de la marca amorfa grabada en ambos lados. El grosor de las capas G está entre 0.1 y 10 nm, preferentemente menor que 5 nm. En una modalidad en específico las dos capas G presentes en cualquiera de los lados de la capa de grabación son sustancialmente iguales ambas tanto en grosor como en composición. Iguales en grosor significa con una diferencia de 10% entre uno y otro. La equidad del grosor es ventajosa en la fabricación el medio. En general el hacinamiento es depositado por evaporación o chispeo en una cámara de vacío, en donde los sustratos se mueven con pasos calculados a lo largo de una serie de estaciones teniendo blancos de diferentes composiciones. El tiempo de residencia en cada estación es aproximadamente igual, y el grosor de la capa es depositado en una estación es determinado en parte por el cambio del proceso de deposición de encendido y apagado. Consecuentemente, la deposición de una capa relativamente delgada puede requerir menos tiempo que el disponible en una estación, mientras que la deposición de una capa relativamente más gruesa puede requerir dos estaciones adyacentes teniendo el mismo blanco. Es de esta manera ventajoso el escoger el remplazar una capa relativamente gruesa y una capa relativamente delgada por dos capas de aproximadamente el mismo grosor y composición, reduciendo así el numero de estaciones de deposición y el tiempo de fabricación de un hacinamiento. En una modalidad específica, la capa de grabación contiene una aleación de Q, In, Sb y Te, mientras que Q es seleccionada de un grupo consistiendo de Ag y Ge. La composición preferida contiene QaInbTed (en porcentajes atómicos), en donde Q es seleccionada de un grupo consistiendo de Ag y Ge . 2 = a = 9 0 < b < 6 55 = c = 80 16 = d = 30; a+b+c+d=100 en otra modalidad específica la capa de grabación contiene un compuesto de Ge, Sb y Te. La composición preferida de este compuesto es definido por la fórmula: Ge5o?Sb4o-o?Te6o-?ox (en porcentajes atómicos), en donde 0.166 < x < 0.444; la capa de grabación teniendo un, grosor de 5 a 35 nm; Esta composición existe en una parte de la línea que conecta los compuestos GeTe y Sb2Te3 en la composición diagramática triangular e incluye los compuestos estoicromáticos Ge2Sb2 (x=4/9) , GeSb2Te4 (x=2/7) y GeSbTe7 (x=l/6) . Especialmente estos compuestos terciarios estoicromáticos son preferidos, porque estos materiales se cristalizan rápidamente ya que no requiere segregación durante la cristalización. La primera y segunda capa dieléctrica son preferentemente hechas de una mezcla de ZnS y Si02, por ejemplo (ZnS) 8o (Si02) 2o-Las capas pueden estar alternativamente hechas de Si02, Ti02, Ta205, ZnS, AIN y / o Si3N4. La capa dieléctrica a través de la cual el rayo de luz de láser entra al hacinamiento de preferencia tiene un grosor de 70 a (70+?/2n)nm en donde n es el índice refractivo de la primer capa dieléctrica y ? es la longitud de onda del rayo de luz láser lector / escritor. Si el grosor total es menor de 70nm, la ciclabilidad es reducida considerablemente. La ciclabilidad es medida por el cambio relativo del contraste óptico o después de un largo número de ciclos-DOW, por ejemplo 103. El contraste óptico es definido como [RC-RAj/RC, donde RC y RA son las reflexiones del material de grabación en el cristalino y estado amorfo respectivamente. Otra manera para definir la ciclabilidad esta relacionado al incremento de inestabilidad del medio. Inestabilidad es una medida de la distorsión de la forma de la marca de grabación y es medida como una desviación de tiempo con orillas que suben y bajan en la señal de información. La inestabilidad del medio debe de estar en un bajo, nivel de contraste durante al menos 103 ciclos-DOW. Como se menciona arríbale grosor total de la primer capa- dieléctrica de preferencia es. menor que (70++?/2n) nm. ' Un largo total de grosor no debe de aumentar posteriormente la ciclabilidad y es más costosa de hacer. Si por ejemplo la longitud de onda es igual a 630 nm y el índice refractivo es 1.5, el rango de grosor se extiende de 70 nm a 280 nm. La capa dieléctrica, la cual es más cercana a la capa reflexiva, tiene un grosor de 10 a 40 nm. De preferencia el grosor de la capa dieléctrica adyacente a la capa reflexiva es mayor o igual a 15 nm. Un grosor más pequeño resulta en un incremento de la tasa de enfriamiento de la capa de grabación y, consecuentemente, un indeseable incremento en el poder de escritura. El grosor es de preferencia más pequeño a 40 nm. Un grosor mayor decrementa el contacto térmico entre la capa de grabación y un peor desempeño de grabación. La capa reflexiva puede contener metales como Al, Ti, Au, Ni, Cu, Ag y Cr, y aleaciones de estos metales. La capa reflexiva de preferencia tiene un grosor de 60 a 120 nm. Ambas, las capas reflexivas y las capas dieléctricas han sido provistas de depósitos de vapor o de' salpicado. Opcionalmente la capa más externa puede presentarse en el hacinamiento como una capa protectora que protege las capas que se encuentran debajo del medio ambiente. La capa protectora está hecha por ejemplo, de un poly (met) da 0 acrilato curado de luz ultravioleta. Otra modalidad específica se caracteriza en que la capa reflectora se encuentra entre el sustrato y la primera capa dieléctrica. Opcionalmente una capa protectora, que 'es transparente para la luz del láser y tiene una superficie la cual permite la grabación de luz óptica dentro y la lectura de información de la capa de grabación que se encuentra debajo con un rayo luz de láser enfocado se encuentra en la parte superior del hacinamiento. Debido eso, ene esta modalidad el medio de grabación óptica se encuentra escrito en y leído a través de la capa protectora. Este método es utilizado en los nuevos discos DVR que fueron mencionados anteriormente. La capa protectora de un disco DVR tiene un grosor de unos 100 mm. Esta capa protectora permite el uso en grabadoras de disco óptico, de un lente lector/ escritor con una apertura numérica alta la cual es necesaria para la grabación y lectura a alta densidad. Debido a que la luz del láser entra al medio a través de la capa protectora, puede ser necesario ajustar el grosor de las capas del hacinamiento para optimizarse para un contraste óptico óptimo entre las áreas grabadas y las no grabadas. El término grabación de alta velocidad, el cual fue mencionado anteriormente, se debe de entender que significa en este contexto una velocidad lineal del medio relativa al rayo de luz de láser de al menos 7.2 m/s, es seis veces la velocidad de acuerdo al estándar del Disco Compacto. El uso de un medio de grabación óptico de acuerdo a la invención es por lo tanto ventajoso porque la tasa de cristalización es suficientemente rápido que permite al menos esta velocidad de grabación. El parámetro importante es el CET (en ns) , que es definido arriba.. El CET es universalmente proporcional a la tasa de cristalización. El sustrato de la información del medio, generalmente es transparente al láser de longitud de onda, y es hecho, por ejemplo, de policarbonato, polimetíl metacrilato (PMMA), poliolefina amorfa o vidrio. En un ejemplo típico, sustrato es de forma de disco y tiene un diámetro de 120 mm y un grosor de 1.2, 0.6mm o 0.1 mm aplicaciones de baja, median y alta densidad de información Alternativamente, el sustrato puedes en la forma de una cinta flexible de resina sintética, hecha por ejemplo, de una película de poliéster. Esta cinta flexible, con un hacinamiento de capas depositadas en ella, es llamada es llamada cinta óptica y puede ser adaptada para el uso en .una grabadora de cinta óptica, que es por ejemplo basada en un polígono de giro rápido. En dicho aparato el rayo de luz láser reflectora lee transversalmente a través de la superficie de la cinta. La superficie del sustrato en forma de disco en el lado de la capa de grabación es, de preferencia, provista con una servopista que puede ser ' leída ópticamente. Esta servopista es a menudo constituida por una onda en forma de espiral y es* formada en el sustrato mediante un molde durante la inyección o presión moldeadora. Esta onda puede ser formada alternativamente en un proceso de replicación en una capa de resina sintética, por ejemplo, una capa curada de luz ultravioleta de acrilato, la cual es provista por separado en el sustrato. En la grabación de alta densidad como tal onda tiene una velocidad de grabación por ejemplo de 0.5 - 0.8 µm y un ancho de mas o menos la mitad de la velocidad de grabación. La grabación de alta densidad y borrado, puede ser alcanzada mediante el uso de un láser de corta longitud de onda, por ejemplo, con una longitud de onda de 674nm o menor ( de rojo a azul ) . La fase de cambio de la capa de grabación así como la capa G puede ser aplicada por un depósito de vapor o salpicado de un objetivo adecuado. Por lo tanto el depósito de la capa la capa de grabación es amorfa y muestra una reflexión baja. Para así formar una capa de grabación adecuada teniendo una reflexión alta, primero esta capa debe ser cristalizada completamente que es comúnmente referida como una inícialización. Para este propósito, la capa de grabación puede ser calentado en un horno a temperatura apenas arriba de la temperatura de cristalización de el por ejemplo, compuestos Ge-In-Sb-Te o Ge-Sb-Te, por ejemplo, 200° C. Un sustrato de resina sintética, como el policarbonato, para el cual una alta temperatura puede causar daño, puede ser calentado alternativamente por ur. rayo de luz de láser de suficiente poder. Esto puede ser realizado, por ejemplo en una grabadora, es este caso el rayo láser lee la capa de grabación en movimiento. La capa amorfa es entonces calentada localmente a la temperatura requerida para cristalizar la capa sin que el sustrato sea sujeto a una desventajosa carga de calor. Si es deseado, una capa de metal óptica transparente adicional M' puede ser interpuesta en el hacinamiento, con lo cual se forma una estructura llamada MIRIM', en donde R representa una capa de hacinamiento que comprende una capa de grabación y al menos una capa de aceleración de cristalización de acuerdo a la presente invención. Aunque la estructura se vuelva más complicada, la capa de metal adicional incrementa la tasa de enfriado de la capa de grabación así como el contraste óptico M0. Las modalidades del medio óptico de grabación de la invención serán descritas en referencia a los dibujos.

En los dibujos: La FIGURA 1 muestra una vista seccional cruzada de una primera modalidad del medio óptico de grabación. LA figura 2 muestra una vista como se muestra en la FIGURA 1 de una segunda modalidad. La FIGURA 3 muestra una vista como se muestra en la FIGURA 2 de una tercera modalidad.

En la FIGURA 1 el medio óptico de grabación 20 tiene un sustrato 1 y un hacinamiento 2 de capas provistas ahí mismo. El sustrato 1 puede estar hecho de , por ejemplo, una hoja de plástico, por ejemplo, policarbonato o vidrio. En la FIGURA 1 él hacinamiento 2 incluye una capa de grabación de fase cambio 5, teniendo un punto de fusión Tffip y siendo capaz de cambiar entre un estado amorfo y uno cristalino, que está emparedado entre una primera 3 y una segunda 7 capas dieléctricas, la primera 3 siendo adyacente al sustrato 1. En esta modalidad, ambas, la primera capa dieléctrica 3 y la segunda capa dieléctrica 7 están hechas del material (ZnS) so (SiO2)20 y teniendo un grosor de 125 nm y 20nm respectivamente. Una capa de aceleración de cristalización 6, abreviada como capa G, es interpuesta en contacto con la capa de grabación 5, la cual comprende una aleación de Q, In, Sb y Te, en donde Q es seleccionada de un grupo que consiste de Ag y Ge. Una capa reflectora 8 es presentada en la parte superior de hacinamiento 2. La capa reflectora 8 es una capa 100 nm de Al o una aleación de aluminio, por ejemplo, AlCr o AlTi. La capa de aceleración de cristalización 6 comprende una aleación metálica binaria o un elemento semiconductor o aleación semiconductora y tiene un punto de fusión Tmg de al menos 250°C mayor que el punto de fusión Tmg de la capa de grabación 5. La estructura de cristal de estos materiales es similar al estado cristalina de la capa de grabación 5. En esta modalidad la capa de grabación 5 esta hecha de Ge6.2In3.2Sb71.1Te19.6f la cual tiene un grosor de 12 nm. La modalidad mostrada tiene una capa protectora 9 que puede estar hecha de un material orgánico, por ejemplo una resina ultra violeta curada. Un rayo de luz de láser enfocado con una longitud de onda ? = 405 nm entra al medio a través del sustrato 1. Este rayo es diagramaticamente ilustrado mediante una flecha 10 en la FIGURA 1. En esta modalidad cuando se utiliza PbTe como capa G, la cual tiene un grosor de 3 nm, el CET ha sido medido para ser igual a 40ns el cual es suficientemente corto para permitir una grabación a alta velocidad. Cuando la capa G se encuentra en un valor mínimo CET de 48 ns puede ser obtenido. Otros materiales preferidos como capa G son Ag2Te, CrTe, Ge o Si. Los puntos de fusión Tmg de volumen PbTe, Ag2Te, CrTe, Ge y Si son 914,960,1292,936 y 1414°C respectivamente. El poder de escritura para el medio es relativamente bajo ye es 9 m W en la fase de entrada del medio a una velocidad relativa entre el rayo de radiación y el medio de 7.2 m/s. La RA y Rc son medidas para ser 4.3% y 23% respectivamente. La ciclabilidad es medida como el número de ciclos de reescritura en donde la inestabilidad ha incrementado a 12% del tiempo del reloj TC. La inestabilidad es la desviación estándar de la diferencia entre los bordes de alza y caída en la señal de información y en la recolección de los datos del reloj de la- señal de información. Como un ejemplo, para' un formato de CD estándar escrito con el código EFM así llamada en la velocidad del 1.2 m/s del CD y el tiempo del reloj de 230 ns, la inestabilidad debe ser menor que 28 ns . El número de ciclos de sobrescritura antes del deterioro del medio se hace notable, por ejemplo, en la inestabilidad se ha incrementado un 12% del tiempo del reloj, es mayor_ que 103. La inestabilidad de un patrón de lectura del medio como función de ciclos de sobrelectura, no muestra un gran excedente. Durante la escritura, la capa de grabación 5 de Ge6.2In3.2Sb7i.?Tei9.d es calentada a una temperatura de unos 750°C, bien arriba de su punto de fusión, el cual es aproximadamente de 550°C. La temperatura durante la grabación está debajo de la temperatura del punto de fusión de la capa G 6 que incluye PbTe. La alta temperatura de fusión del material utilizado para la capa G que vecina a la capa de grabación 5 resultando por lo tanto en un incremento de la ciclabilidad del medio de grabación. En la solicitud JP-09161316 A, la capa de aceleración de cristalización M de Sb2Te3, la cual tiene un punto de fusión de 618°C, es por lo tanto calentada por arriba de su temperatura de fusión, causando que los átomos en la capa se tornen movibles. Estos átomos son entonces capaces de propagarse dentro de la capa de grabación. Las propiedades de la capa de .grabación son afectadas por influjo de átomos externos,' resultando de esto un deterioro del proceso de grabación. En la FIGURA 2 y en la FIGURA 3 las referencias numéricas denotadas corresponden a las mismas capas que en la FIGURA 1. En la FIGURA 2 una segunda capa de aceleración de cristalización 4 similar a la capa de cristalización 6 es acomodada entre la capa de grabación 5 y la primera capa dieléctrica 3. Ahora las capas G 4,6 se encuentran en ambos lados adyacentes de la capa de grabación 5. La capa G 6 está hecha de PbTe y tiene un grosor de 1.5 nm. La segunda capa G4 es substancialmente igual en ambas, en grosor y en composición a la capa G6. La capa grabación 5 tiene un grosor de 10 nm. Posteriormente las características del hacinamiento 2 son las mismas que en la FIGURA 1. El CET es medio para ser 36 ns. El CET en esta modalidad es más pequeño que en la modalidad con una sola capa G. El RA y Rc son medidas para ser 4.6% y 22 % respectivamente. En la FIGURA 3, la capa relectora 8 se encuentra entre el sustrato 1 y la capa dieléctrica 3. En esta modalidad la luz de láser 10 se encuentra entrando al hacinamiento 2 a través de la capa protectora 9 la cual, tiene un grosor de 100 µm. La capa protectora 9 tiene un grosor uniforme, así mismo mejorando el desempeño óptico d escritura y de lectura en las capas de grabación inferiores cuando ' el rayo láser de lectura o escritura pasa a través de dicha capa protectora 9. Por ejemplo una capa protectora 9 de 100 µm es utilizada para el nuevo la nueva Grabadora Digital de Video (DVR) de disco con un radio de 60mm. Este disco es grabado y leído en y a través de esta capa protectora 9, la cual por lo tanto tiene que ser de buena calidad óptica. De preferencia, la capa protectora 9 es 100+/-3 µm de un grosor de radio hasta de 58.5 mm. La capa protectora 9 está hecha de resina ultra violeta curada. Las capas dieléctricas 3 y 7 tienen un grosor de 20 nm y 125 nm respectivamente y están hechas del mismo material dieléctrico que en la FIGURA 1. Las capas G 4, 6 están hechas del mismo material que en la FIGURA 2 y ambas tienen un grosor de 1.5 mm. La capa de grabación 5 tiene un grosor de 10 nm. Por características que no son mencionadas específicamente, la referencia es hecha a la descripción de la FIGURA 1. De preferencia, para todas las modalidades, la superficie del sustrato 1 en forma de disco en el lado del hacinamiento 2, es abastecido con una servopista que puede ser leída ópticamente. Esta servopista es a menudo constituida por una onda de forma espiral y está formada en el sustrato por medio de un molde durante la inyección o presión de moldeado. Esta onda puede ser formada alternativamente en un proceso repiicación en una capa de resina sintética, por ejemplo, de una de una capa curada de luz ultra violeta de acrilato, la cual es separadamente suministraba en el sustrato 1. En. la grabación de alta densidad, dicha onda tiene una velocidad de grabación, por ejemplo de 0.5-0.8 µm y un grosor de aproximadamente la mitad de la velocidad de grabación. En una modificación del medio de grabación de la FIGURA 3, la capa de grabación 5 incluye una aleación de Ge, Sb y Te, por ejemplo, Ge2Sb2Te5. Es de ser notado que las modalidades arriba mencionadas ilustran mas la invención que limitarla, y que tienen la habilidad en el arte deben de ser capaces de diseñar varias modalidades alternativas sin salirse de la visón de las cláusulas incluidas. En las cláusulas, cualquier referencia los signos colocados entre paréntesis, no deben de ser interpretadas como una limitante de la cláusula. La palabra "incluye" no excluye la presencia de elementos o pasos distintos a aquellos listados en una cláusula. La palabra "un" o "unos" que precede un elemento, no excluye una pluralidad de dichos elementos. El simple hecho de que ciertas mediadas son citadas en citadas mutuamente en distintas cláusulas dependientes no indica que la combinación de dichas medidas no puedan ser utilizadas como una ventaja. De acuerdo con la invención un medio de grabación óptico es provisto el cual es adecuado para una grabación de lata velocidad, por ejemplo, con una posible tasa de datos mayor a 50 Mbits/s y el cual es adecuado para una sobrescritura directa de al menos 103 veces.

Claims

NOVEDAD DEL INVENTO Habiendo descrito la invención, se considera como una novedad y, por lo tanto, se reclama lo contenido en las siguientes cláusulas : l.Un medio de grabación óptico (20) teniendo un sustrato (1) y un hacinamiento (2) de capas provistas ahí, el hacinamiento comprendiendo una capa de grabación (5), teniendo un punto de fusión tpg „ siendo capaz de cambiar entre un estado amorfo y uno cristalino, emparedado entre una primera (3) y una segunda (7) capa dieléctrica, la primera (1) siendo adyacente al sustrato (1) , una capa de aceleración de cristalización (4,6) siendo interpuesta en contacto con la capa de grabación (5), y una capa reflectora (8), caracterizada en esa capa de aceleración de cristalización (4,6) Incluye un selecto material del grupo que consiste de aleaciones metálicas binarias, elementos semiconductores y aleaciones semiconductoras y Tiene un punto de fusión t8. de al menos 250°C mayor que el punto de fusión T^ de la capa de grabación (5) y Tiene una estructura de cristal similar al estado cristalino de la capa de grabación (5) . 2. Un medio de grabación óptico (20) como se menciona en la cláusula 1 se caracteriza en que la capa de aceleración de cristalización (4,6) comprende un selecto material del grupo que consiste de PbTe, Ag2Te, CrTe, Ge y Si. 3. Un medio de grabación óptico (20) como se menciona en cualquiera de las cláusulas 1 o 2, caracterizado en que la capa de aceleración de cristalización (6) está colocado entre la capa de grabación (5) y la segunda capa dieléctrica (7) . 4. Un medio de grabación óptico (20) como se menciona en la cláusula 3, se caracteriza en que una segunda capa de aceleración de cristalización (4) similar a la capa de aceleración de cristalízación (6) está colocado entre la capa de grabación (5) y la segunda capa dieléctrica (3) . 5. Un medio de grabación óptico (20) como se menciona en la cláusula 4, se caracteriza en que una segunda capa de aceleración de cristalización (4) es sustancialmente igual en ambos, grosor y composición de la capa de aceleración de cristalización (6). 6. Un medio de grabación óptico (20) como se menciona en la cláusula 1 se caracteriza en que la capa de grabación (5) comprende una aleación de Q,In,Sb, y Te, en donde Q es seleccionado de un grupo que comprende Ag y Ge. 7. Un medio de grabación óptico (20) como se menciona en la cláusula 1 se caracteriza en que la capa de grabación (5) comprende una aleación de Ge,Sb y Te. 8. Un medio de grabación óptico (20) como se menciona en la cláusula 1 se caracteriza en que la capa de reflexión (8) se encuentra ent5re el sustrato (1) y la primer capa dieléctrica (3) . 9. El uso de un medio de grabación óptico (20), dicho medio es mencionado en cualquiera de las cláusulas precedentes, se caracteriza en que la velocidad lineal del medio en relación con un rayó de luz de láser (10) es al menos 7.2 m/s .